本發(fā)明涉及機(jī)械領(lǐng)域，具體而言，涉及一種磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備、方法以及裝置。

背景技術(shù)：

磁粉探傷機(jī)一直作為一種探傷設(shè)備，采用季度性能檢驗(yàn)的方法管理使用。后來出版了校準(zhǔn)規(guī)范，但由于磁粉探傷機(jī)是固定安裝式設(shè)備，無法送檢，加之具備校準(zhǔn)磁粉探傷機(jī)資質(zhì)的校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)較少，僅有的校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)由于受校準(zhǔn)設(shè)備的限制不能對(duì)所有探傷用途的磁粉探傷機(jī)進(jìn)行校準(zhǔn)。而目前市場上又沒有成型的校準(zhǔn)設(shè)備。

針對(duì)上述相關(guān)技術(shù)中對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)存在無法進(jìn)行有效校準(zhǔn)的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備、方法以及裝置，以至少解決相關(guān)技術(shù)中對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)存在無法進(jìn)行有效校準(zhǔn)的技術(shù)問題。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備，包括：電流測(cè)量裝置和數(shù)據(jù)處理器，電流測(cè)量裝置，用于采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流；數(shù)據(jù)處理器，用于根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

可選地，該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備還包括：模擬數(shù)字ad轉(zhuǎn)換芯片，用于將電流測(cè)量裝置采集到的探傷電流對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為支持采集的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)；虛擬儀器，用于將標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)轉(zhuǎn)化為探傷電流對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)。

可選地，探傷電流對(duì)應(yīng)的頻率范圍為0-2okhz。

可選地，數(shù)據(jù)處理器，還用于根據(jù)探傷電流確定磁粉探傷機(jī)的磁化電流示值誤差，根據(jù)確定的磁化電流示值誤差對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另外一個(gè)方面，還提供了一種磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法，包括：采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流；根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

可選地，在根據(jù)采集到的所述探傷電流對(duì)所述磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)之前，還包括：將電流測(cè)量裝置采集到的探傷電流對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為支持采集的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)；將標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)轉(zhuǎn)化為探傷電流對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)。

可選地，探傷電流對(duì)應(yīng)的頻率范圍為0-2okhz。

可選地，根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)包括：根據(jù)探傷電流確定磁粉探傷機(jī)的磁化電流示值誤差；根據(jù)確定的磁化電流示值誤差對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另外一個(gè)方面，還提供了一種磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置，包括：采集單元，用于采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流；校準(zhǔn)單元，用于根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

可選地，該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置還包括：第一轉(zhuǎn)化單元，在根據(jù)采集到的所述探傷電流對(duì)所述磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)之前，用于將電流測(cè)量裝置采集到的探傷電流對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為支持采集的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)；第二轉(zhuǎn)化單元，用于將標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)轉(zhuǎn)化為探傷電流對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)。

可選地，探傷電流對(duì)應(yīng)的頻率范圍為0-2okhz。

可選地，校準(zhǔn)單元包括：確定模塊，用于根據(jù)探傷電流確定磁粉探傷機(jī)的磁化電流示值誤差；校準(zhǔn)模塊，用于根據(jù)確定的磁化電流示值誤差對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另外一個(gè)方面，還提供了一種存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)介質(zhì)包括存儲(chǔ)的程序，其中，程序執(zhí)行上述中任意一項(xiàng)的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另外一個(gè)方面，還提供了一種處理器，處理器用于運(yùn)行程序，其中，程序運(yùn)行時(shí)執(zhí)行上述中任意一項(xiàng)的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法。

在本發(fā)明實(shí)施例中，利用電流測(cè)量裝置采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流；與上述電流測(cè)量裝置連接的數(shù)據(jù)處理器根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。由于利用電流測(cè)量裝置采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流，有效減小了相關(guān)技術(shù)中在對(duì)磁粉探傷機(jī)進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)，由于磁粉探傷電流大、電流種類繁多等導(dǎo)致的對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)困難的弊端，進(jìn)而解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)存在測(cè)量精度低、測(cè)量困難的技術(shù)問題，提高了對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)的準(zhǔn)確性以及校準(zhǔn)的效率。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備的示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法的流程圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置的示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可選的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置的示意圖；以及

圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可選的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置中校準(zhǔn)單元33的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

為了便于說明，下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中出現(xiàn)的部分名詞或者術(shù)語進(jìn)行說明。

磁粉探傷機(jī)：是一種無損檢測(cè)設(shè)備，主要是為磁粉探傷提供所需要的磁化電流或磁通的探傷設(shè)備，磁粉探傷是利用工件缺陷處的漏磁場與磁粉的相互作用，它利用了鋼鐵制品表面和近表面缺陷磁導(dǎo)率和鋼鐵磁導(dǎo)率的差異，磁化后這些材料不連續(xù)處的磁場將發(fā)生畸變，形成部分磁通泄露處工件表面產(chǎn)生了漏磁場，從而吸引磁粉形成缺陷處的磁粉堆積-磁痕，在適當(dāng)?shù)臈l件下，顯現(xiàn)出缺陷位置和形狀，對(duì)這些磁粉的堆積加以觀察和解釋，就實(shí)現(xiàn)了磁粉探傷。

羅氏線圈：又稱電流測(cè)量線圈、微分電流傳感器，是一個(gè)均勻纏繞在非鐵磁性材料上的環(huán)形線圈。輸出信號(hào)是電流對(duì)時(shí)間的微分。通過一個(gè)對(duì)輸出的電壓信號(hào)進(jìn)行積分的電路，就可以真實(shí)還原輸入電流。

標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)：是物理量的形式和數(shù)值范圍都符合國際標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào)值。

在相關(guān)技術(shù)中，在對(duì)磁粉探傷機(jī)進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)，可以考慮采用鉗形電流表和電流互感器。然而，鉗形電流表存在量程小,目前最大量程僅2000a，測(cè)量精度低，最大準(zhǔn)確度僅1.5級(jí)；電流互感器又存在接入穿心問題，它校準(zhǔn)磁粉探傷機(jī)需要接入測(cè)棒等穿心設(shè)施，而且由于磁粉探傷機(jī)規(guī)格較多，電流較大，測(cè)棒又無法滿足所有磁粉探傷機(jī)，且重量重，攜帶困難。

基于上述問題，在本實(shí)施例中，提供了一種磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置，該裝置采用羅氏線圈感應(yīng)原理測(cè)量電流的方法來實(shí)現(xiàn)對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)。該裝置所包括的電流采樣測(cè)量系統(tǒng)，頻帶寬，在流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的帶寬在0－2okhz范圍內(nèi)的各種電流均可被真實(shí)地測(cè)量；而且，不受磁場干擾，能避免磁粉探傷機(jī)各種漏磁干擾產(chǎn)生的誤差，測(cè)量準(zhǔn)確性高，反應(yīng)快，與測(cè)量電流同步性好。而且線性好，一致性強(qiáng)、安全隔離，可滿足各種輸出電流的測(cè)量，安裝方便，省去了測(cè)試棒等測(cè)量附件的制備，簡化現(xiàn)場校準(zhǔn)儀與被測(cè)試設(shè)備的連接。

針對(duì)上述問題，本發(fā)明實(shí)施例通過采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流，然后根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)，充分利用了羅氏線圈感應(yīng)原理測(cè)量電流來實(shí)現(xiàn)對(duì)被測(cè)量儀器的校準(zhǔn)，通過本發(fā)明實(shí)施例提供的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備有效減少了在對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)時(shí)，因磁粉探傷電流大、電流種類復(fù)雜、探傷機(jī)規(guī)格多，被探傷試件尺寸繁雜等導(dǎo)致無法有效校準(zhǔn)的弊端，進(jìn)而解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)存在無法有效校準(zhǔn)(測(cè)量精度低、測(cè)量困難)的技術(shù)問題。

下面進(jìn)行詳細(xì)說明。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備，圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備的示意圖，如圖1所示，該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備包括：電流測(cè)量裝置11和數(shù)據(jù)處理器13，下面對(duì)該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)說明。

電流測(cè)量裝置11，用于采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流。

數(shù)據(jù)處理器13，與上述電流測(cè)量裝置連接，用于根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

通過本發(fā)明實(shí)施例提供的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備，利用電流測(cè)量裝置11采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流；與上述電流測(cè)量裝置連接的數(shù)據(jù)處理器13根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。由于利用電流測(cè)量裝置11采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流，有效減小了相關(guān)技術(shù)中在對(duì)磁粉探傷機(jī)進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)，由于磁粉探傷電流大、電流種類繁多等導(dǎo)致的對(duì)磁粉探傷機(jī)無法進(jìn)行有效校準(zhǔn)的弊端，進(jìn)而解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)存在無法進(jìn)行有效校準(zhǔn)(即測(cè)量精度低、測(cè)量困難)的技術(shù)問題，提高了對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)的準(zhǔn)確性以及校準(zhǔn)的效率。

由于上述電流采集裝置采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流為模擬信號(hào)，為使得校準(zhǔn)的結(jié)果更為準(zhǔn)確，該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備還可以包括：模擬數(shù)字ad轉(zhuǎn)換芯片，用于將電流測(cè)量裝置采集到的探傷電流對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為支持采集的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)；虛擬儀器，用于將標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)轉(zhuǎn)化為探傷電流對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)。具體地，利用模擬數(shù)字ad轉(zhuǎn)換芯片將電流測(cè)量裝置采集到的探傷電流對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為支持采集的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)，然后將該標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)存儲(chǔ)到虛擬儀器的數(shù)據(jù)采集卡中，再由虛擬儀器根據(jù)需要將存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)采集卡中的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)，提供給計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)對(duì)轉(zhuǎn)化后的數(shù)字信號(hào)進(jìn)行處理，完成整個(gè)磁粉探傷機(jī)電流參數(shù)的校準(zhǔn)。

需要說明的是，探傷電流對(duì)應(yīng)的頻率范圍可以為0-2okhz，即可以支持多種探傷電流的采集，使得校準(zhǔn)范圍更為大，方便更多被校準(zhǔn)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)。

為了完成對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)，該數(shù)據(jù)處理器，具體用于根據(jù)探傷電流確定磁粉探傷機(jī)的磁化電流示值誤差，根據(jù)確定的磁化電流示值誤差對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

需要說明的是，該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備除包括電流測(cè)量裝置，還可能包括：用于對(duì)磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備中的剩磁進(jìn)行測(cè)量的剩磁測(cè)量裝置、用于對(duì)磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備中涉及的光線進(jìn)行測(cè)量的光測(cè)量裝置、以及一些執(zhí)行校準(zhǔn)過程中涉及到的標(biāo)準(zhǔn)試片等。另外，磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)設(shè)備由直流電源模塊給電流測(cè)量裝置提供穩(wěn)定的工作電壓，電流測(cè)量裝置將采集到的探傷機(jī)磁化電流(即上述所指的探傷電流)轉(zhuǎn)換成虛擬儀器所能接受的電信號(hào)，由虛擬儀器對(duì)采集到的電信號(hào)進(jìn)行分析處理，實(shí)現(xiàn)磁粉探傷機(jī)電流參數(shù)在線測(cè)量。

電流測(cè)量裝置可以通過測(cè)量模型對(duì)羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流進(jìn)行測(cè)量，其中，測(cè)量模型可以通過第一公式來表示，其中，第一公式是：其中，δ表示探傷機(jī)磁化電流示值誤差；ix表示被校探傷機(jī)磁化電流示值(被校準(zhǔn)的探傷電流)；i0表示被校探傷機(jī)磁化電流實(shí)際值(即用于對(duì)探傷電流進(jìn)行校準(zhǔn)的真實(shí)標(biāo)準(zhǔn)值)。

由上述第一公式得出的靈敏系數(shù)c1以及c2可以通過第二以及第三公式來表示，其中第二公式是：

由測(cè)量不重復(fù)性引入的標(biāo)準(zhǔn)不確定度分量u1：在規(guī)定的校準(zhǔn)條件下，在磁粉探傷機(jī)磁化電流為1000a點(diǎn)進(jìn)行獨(dú)立重復(fù)測(cè)量10次，得到系列測(cè)量值，1024.2a；1023.0a；1020.4a；1025.3a；1023.2a；1025.6a；1018.5a；1021.4a；1024.7a；1019.8a。就按得到：i0＝＝1022.61a，標(biāo)準(zhǔn)偏差：則標(biāo)準(zhǔn)不確定度：

由于電流采樣測(cè)量系統(tǒng)的最大允許誤差引入的不準(zhǔn)確度分量u2：由電流采樣測(cè)量系統(tǒng)最大允許誤差為±0.5％，按均勻分布，取則由該點(diǎn)的最大允許誤差引入的標(biāo)準(zhǔn)不確定度分量，

合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度：由于以上各量互不相關(guān)，彼此獨(dú)立，則合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度：擴(kuò)展不確定度：ur＝kuc＝0.56％，其中，k＝2，則1000a點(diǎn)的相對(duì)擴(kuò)展不確定度：urel＝0.56％。

由此可見，用本方法校準(zhǔn)5級(jí)磁粉探傷機(jī)得到的測(cè)量結(jié)果不確定度為0.56％，磁粉探傷機(jī)的最大允許誤差規(guī)程中最高為±5％，小于磁粉探傷機(jī)最大允許誤差的1/3，符合量值傳遞原則，故本方法很好地滿足了校準(zhǔn)要求。

綜合上述實(shí)施例，利用羅氏線圈感應(yīng)原理、配以虛擬儀器或數(shù)字多用表(可加電腦軟件參與數(shù)據(jù)采集計(jì)算，本發(fā)明實(shí)施例采用虛擬儀器配以電腦來實(shí)現(xiàn))來實(shí)現(xiàn)電流的測(cè)量，所以克服了鉗形電流表存在量程小、精度低的局限，省去了過去互感器測(cè)量需要制備測(cè)試棒等測(cè)量附件，進(jìn)而達(dá)到了簡化現(xiàn)場校準(zhǔn)儀與測(cè)試設(shè)備的連接，使磁粉探傷機(jī)得以實(shí)現(xiàn)各種規(guī)格、各種尺寸的校準(zhǔn)，而且校準(zhǔn)精度高。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，還提供了一種磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法的方法實(shí)施例，需要說明的是，在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行，并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法的流程圖，如圖2所示，該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法包括如下步驟：

步驟s202，采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流。

步驟s204，根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

通過上述步驟，采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流，然后根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)，由于羅氏線圈既可以測(cè)量帶寬在20khz范圍內(nèi)的各種電量，也可以真實(shí)地采集到流過被測(cè)試件的電流，有效減小了相關(guān)技術(shù)中在對(duì)磁粉探傷機(jī)進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)，由于磁粉探傷電流大、電流種類繁多等導(dǎo)致的對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)困難的弊端，進(jìn)而解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)存在無法進(jìn)行有效校準(zhǔn)(測(cè)量精度低、測(cè)量困難的)技術(shù)問題，提高了對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)的準(zhǔn)確性以及校準(zhǔn)的效率。

在上述步驟s202至步驟s204中，由于采用羅氏線圈感應(yīng)原理測(cè)量探傷電流，由于羅氏線圈可以測(cè)量帶寬在20khz范圍內(nèi)的各種電量，也可以真實(shí)地采集到流過被測(cè)試件的電流，不受磁場干擾，能夠避免磁粉探傷機(jī)各種漏磁干擾產(chǎn)生的誤差，測(cè)量準(zhǔn)確性高、反應(yīng)快，與被測(cè)電流同步性好，另外，其線性好，一致性強(qiáng)、安全隔離，可滿足各種電流測(cè)量，安裝方便，簡化了現(xiàn)場校準(zhǔn)儀與測(cè)試設(shè)備的連接。

需要說明的是上述采集到的探傷電流是模擬信號(hào)，為提高校準(zhǔn)過程中校準(zhǔn)的準(zhǔn)確性，該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法還可以包括：將電流測(cè)量裝置采集到的探傷電流對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為支持采集的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)；將標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)轉(zhuǎn)化為探傷電流對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)。

另外，本發(fā)明提供的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法中采集的是羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流，所以可以測(cè)量的電流的范圍比較廣泛，探傷電流對(duì)應(yīng)的頻率范圍可以為0-2okhz。

為了使對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行的校準(zhǔn)更加精確，根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)可以包括：根據(jù)探傷電流確定磁粉探傷機(jī)的磁化電流示值誤差；根據(jù)確定的磁化電流示值誤差對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置，需要說明的是，本申請(qǐng)實(shí)施例的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置可以用于執(zhí)行本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的用于磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法。以下對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置進(jìn)行介紹。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置的示意圖，如圖3所示，該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置包括：采集單元31以及校準(zhǔn)單元33，下面對(duì)該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。

采集單元31，用于采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流。

校準(zhǔn)單元33，與上述采集單元31連接，用于根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

通過本發(fā)明實(shí)施例提供的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置，利用采集單元31，用于采集通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流；校準(zhǔn)單元33，用于根據(jù)采集到的探傷電流對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。由于采集的是通過羅氏線圈感應(yīng)出的流經(jīng)磁粉探傷機(jī)的探傷電流，不受磁場干擾，能避免磁粉探傷機(jī)各種漏磁干擾產(chǎn)生的誤差，有效減小了相關(guān)技術(shù)中在對(duì)磁粉探傷機(jī)進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)，由于磁粉探傷電流大、電流種類繁多等導(dǎo)致的對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)困難的弊端，進(jìn)而解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)存在測(cè)量精度低、測(cè)量困難的技術(shù)問題，提高了對(duì)磁粉探傷機(jī)的校準(zhǔn)的準(zhǔn)確性以及校準(zhǔn)的效率。

圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可選的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置的示意圖，如圖4所示，該磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置還包括：

第一轉(zhuǎn)化單元41，與上述采集單元31連接，在根據(jù)采集到的所述探傷電流對(duì)所述磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)之前，用于將電流測(cè)量裝置采集到的探傷電流對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為支持采集的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。

第二轉(zhuǎn)化單元43，與上述校準(zhǔn)單元33以及上述第一轉(zhuǎn)化單元41連接，用于將標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)轉(zhuǎn)化為探傷電流對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)。

可選地，探傷電流對(duì)應(yīng)的頻率范圍為0-2okhz。

圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可選的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)裝置中校準(zhǔn)單元33的示意圖，如圖5所示，該校準(zhǔn)單元33包括：

確定模塊51，用于根據(jù)探傷電流確定磁粉探傷機(jī)的磁化電流示值誤差。

校準(zhǔn)模塊53，與上述確定模塊51連接，用于根據(jù)確定的磁化電流示值誤差對(duì)磁粉探傷機(jī)的電流參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另外一個(gè)方面，還提供了一種存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)介質(zhì)包括存儲(chǔ)的程序，其中，程序執(zhí)行上述中任意一項(xiàng)的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另外一個(gè)方面，還提供了一種處理器，處理器用于運(yùn)行程序，其中，程序運(yùn)行時(shí)執(zhí)行上述中任意一項(xiàng)的磁粉探傷機(jī)校準(zhǔn)方法。

上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。

在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實(shí)施例的相關(guān)描述。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的技術(shù)內(nèi)容，可通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。其中，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可為個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：u盤、只讀存儲(chǔ)器(rom，read-onlymemory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram，randomaccessmemory)、移動(dòng)硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。