本發(fā)明涉及計算機加工領域,具體來說,涉及一種cpu散熱方法和裝置。
背景技術:
常見的計算機大都依靠冷空氣給機器降溫,而水冷或液冷有兩大好處:一是它把冷卻劑直接導向熱源,而不是像風冷那樣間接制冷;二是和風冷相比,每單位體積所傳輸?shù)臒崃考瓷嵝矢哌_3500倍。水冷散熱器在2008年左右就出現(xiàn)在市場,惠普、ibm等服務器巨頭和其他一些專注數(shù)據(jù)中心技術的公司都先后推出過水冷散熱產(chǎn)品。
蒸發(fā)冷卻從熱學原理上是利用流體沸騰時的汽化潛熱帶走熱量。這種利用流體沸騰時的汽化潛熱的冷卻方式就叫做“蒸發(fā)冷卻”。由于流體的汽化潛熱要比流體的比熱大很多,所以蒸發(fā)冷卻的冷卻效果更為顯著。
在直接式液冷系統(tǒng),即使用制冷劑進行浸泡式冷卻時,取消了翅片和風扇,只用制冷劑的相變進行換熱來冷卻cpu。而換熱面積的加工方法、表面粗糙度、材料特性以及新舊程度都能影響沸騰傳熱的強弱。同一液體在拋光壁面上沸騰傳熱時,其傳熱系數(shù)比在粗糙面上沸騰傳熱時低,這主要是由于光潔表面上氣化核心較少的緣故。
目前,市面上現(xiàn)有cpu芯片的散熱罩(或外罩)表面光滑,不易產(chǎn)生氣泡,沸騰性能不夠好,因此在開機后cpu的溫度上升很快,穩(wěn)態(tài)溫度較高,很容易達到cpu的極限溫度,使得大多數(shù)服務器廠家對于液冷技術望而卻步。
針對相關技術中的問題,目前尚未提出有效的解決方案。
技術實現(xiàn)要素:
針對相關技術中的問題,本發(fā)明提出一種cpu散熱方法和裝置,其通過將熱管安裝在cpu芯片的正上方,同時對該熱管的表面進行燒結強化沸騰處理,從而使得沸騰表面的溫度場均勻,增加沸騰面積和汽化核心,強化沸騰換熱,降低芯片核溫,從而解決了現(xiàn)有的表面光滑的散熱罩沸騰性能不夠好的問題。
本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的:
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供了一種cpu散熱方法。
該cpu散熱方法包括:將金屬粉末均勻地粘涂在金屬片的表面上;在氫氣的環(huán)境下,對金屬片進行燒結處理,以在金屬片的表面上形成多孔金屬覆蓋層;將金屬片焊接在熱管的表面上。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,對金屬片進行燒結處理包括:將金屬片放置于燒結爐內(nèi),并對金屬片加熱,直至金屬片表面的金屬粉末融化,然后恒溫20分鐘。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,將金屬粉末均勻地粘涂在金屬片的表面上包括:在金屬片的表面上涂覆粘劑溶液,并將金屬粉末均勻地粘涂在金屬片的表面上。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,在金屬片的表面上涂覆粘劑溶液之前包括:將金屬片的表面的銹和油垢去除。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,多孔金屬覆蓋層的厚度小于3mm,多孔金屬覆蓋層的孔隙率為40%~65%。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,金屬粉末經(jīng)燒結后形成金屬顆粒,金屬顆粒選自銅顆粒、銀顆粒、金顆粒及其它們的合金顆粒。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,熱管為平板熱管,金屬片的尺寸和平板熱管的尺寸一致。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,通過低溫焊接的方法將金屬片焊接在熱管的表面上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種cpu散熱裝置。
該cpu散熱裝置包括:cpu散熱裝置包括cpu和散熱罩,cpu設置在散熱罩內(nèi)部,以及平板熱管,設置在散熱罩上方,并與散熱罩對齊;第一金屬片,設置在散熱罩的上方,第一金屬片的表面上設有多孔金屬覆蓋層。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,cpu散熱裝置還包括:第二金屬片,設置在cpu和散熱罩之間,第二金屬片的表面上設有多孔金屬覆蓋層。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,第一金屬片的尺寸與平板熱管的尺寸一致,同時第二金屬片的尺寸與平板熱管的尺寸一致。
本發(fā)明的有益技術效果在于:
本發(fā)明通過將金屬粉末均勻地粘涂在金屬片的表面上,然后在氫氣的環(huán)境下,對金屬片進行燒結處理,以在金屬片的表面上形成多孔金屬覆蓋層,以及將金屬片焊接在熱管的表面上,從而將熱管安裝在cpu芯片的表面上,同時對該熱管的表面進行燒結強化沸騰處理,進而使得沸騰表面的溫度場均勻,增加沸騰面積和汽化核心,強化沸騰換熱,降低芯片核溫。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的cpu散熱方法的流程圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的cpu散熱裝置的示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
為了更好的理解本發(fā)明,下面對本領域的常用詞語進行介紹。
燒結是指把粉狀物料轉(zhuǎn)變?yōu)橹旅荏w,粉體經(jīng)過成型后,通過燒結得到的致密體是一種多晶材料,其顯微結構由晶體、玻璃體和氣孔組成。同時,燒結過程直接影響顯微結構中的晶粒尺寸、氣孔尺寸及晶界形狀和分布,進而影響材料的性能。
熱管包括外殼及毛細結構,其充分利用了熱傳導原理與相變介質(zhì)的快速熱傳遞性質(zhì),透過熱管將發(fā)熱物體的熱量迅速傳遞到熱源外,其導熱能力超過任何已知金屬的導熱能力。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,提供了一種cpu散熱方法。
如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明實施例的cpu散熱方法包括:
步驟s101,將金屬粉末均勻地粘涂在金屬片的表面上;
步驟s103,在氫氣的環(huán)境下,對金屬片進行燒結處理,以在金屬片的表面上形成多孔金屬覆蓋層;
步驟s105,將金屬片焊接在熱管的表面上。
借助于本發(fā)明的上述技術方案,通過將金屬粉末均勻地粘涂在金屬片的表面上,然后在氫氣的環(huán)境下,對金屬片進行燒結處理,以在金屬片的表面上形成多孔金屬覆蓋層,以及將金屬片焊接在熱管的表面上,從而將熱管安裝在cpu芯片的表面上,同時對該熱管的表面進行燒結強化沸騰處理,進而使得沸騰表面的溫度場均勻,增加沸騰面積和汽化核心,強化沸騰換熱,降低芯片核溫。
為了更好的理解本發(fā)明的上述技術方案,本發(fā)明通過具體的實施例對本發(fā)明的方案進行詳細的描述。
本發(fā)明公開了一種cpu散熱方法,該方法使用粉末燒結的方法形成多孔表面,具體地:首先,先將金屬片表面的銹和油垢去除,然后涂上一層粘劑溶液,將金屬粉末均勻地涂粘在基體表面上,當粘結劑溶液風干后,將其放置于燒結爐內(nèi),在氫氣保護下加熱至金屬粉末表面有熔化趨勢,恒溫20min左右,使粘結劑分散揮發(fā),金屬粉末燒結成一體并燒結在基體上,這樣就在金屬基體表面形成一層多孔金屬覆蓋層。同時,該多孔金屬覆蓋層的厚度一般小于3mm,孔隙率為40%--65%。當然可以理解,該粘劑溶液選用燒結過程中常使用的粘劑溶液。另外,該多孔表面的方法還在熱管的制備過程中實現(xiàn)。
由于現(xiàn)有技術中的cpu設置在散熱罩的內(nèi)部,而cpu罩的材質(zhì)是銅,表面鍍有一層鎳,而銅鍍鋁表面光滑,不利于氣化,本發(fā)明通過將熱管設置在該散熱罩的上部,其利用熱傳導原理與相變介質(zhì)的快速熱傳遞性質(zhì),透過熱管將發(fā)熱物體的熱量迅速傳遞到熱源外,優(yōu)選地,該熱管為平板熱管,該平板熱管能夠?qū)嵩窗l(fā)出的熱量均布在上表面上,從而使得熱流分布均勻,消除了熱點,增加了換熱面積。此外,還在熱管的上表面上設置一金屬片,從而增加了沸騰面積,增加汽化核心,降低芯片熱源的核溫,其中,該熱管具有上表面和下表面,該下表面是指與散熱罩接觸的一側(cè)表面,該上表面是與下表面相對的一側(cè)表面。
金屬粉末經(jīng)燒結后形成金屬顆粒,金屬顆粒選自銅顆粒、銀顆粒、金顆粒及其它們的合金顆粒,以增加表面粗糙度,增加微小縫隙及氣泡生成點,可有效強化沸騰。
此外,該熱管設置在散熱罩上方并與散熱罩對齊,即其安裝在cpu的正上方,從而使得沸騰表面的溫度場均勻,增加沸騰面積和汽化核心,強化沸騰換熱,降低芯片核溫。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,還提供了一種cpu散熱裝置。
如圖2所示,根據(jù)本發(fā)明實施例的cpu散熱裝置包括:cpu散熱裝置包括cpu和散熱罩,cpu設置在散熱罩內(nèi)部,以及平板熱管,設置在散熱罩上方,并與散熱罩對齊;第一金屬片(或第一燒結層),設置在散熱罩的上方,第一金屬片的表面上設有多孔金屬覆蓋層,該第一金屬片是通過使用粉末燒結的方法制得。
此外,cpu散熱裝置還包括:第二金屬片(或第二燒結層),設置在cpu和散熱罩之間,第二金屬片的表面上設有多孔金屬覆蓋層,該第二金屬片也是通過使用粉末燒結的方法制得。
同時,該第一金屬片的尺寸與平板熱管的尺寸一致,同時第二金屬片的尺寸與平板熱管的尺寸一致,另外,該平板熱管的尺寸也與散熱罩的尺寸一致。
綜上所述,借助于本發(fā)明的上述技術方案,通過將金屬粉末均勻地粘涂在金屬片的表面上,然后在氫氣的環(huán)境下,對金屬片進行燒結處理,以在金屬片的表面上形成多孔金屬覆蓋層,以及將金屬片焊接在熱管的表面上,從而將熱管安裝在cpu芯片的表面上,同時對該熱管的表面進行燒結強化沸騰處理,進而使得沸騰表面的溫度場均勻,增加沸騰面積和汽化核心,強化沸騰換熱,降低芯片核溫。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。