專利名稱：得到環(huán)境防護(hù)的全息裝置構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及全息光學(xué)設(shè)備構(gòu)造。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及降低環(huán)境對(duì)光學(xué)設(shè)備的全息記錄介質(zhì)的影響。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及密封全息記錄設(shè)備中的一對(duì)基片的周邊。
背景技術(shù)：
由于越來(lái)越大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)需求已經(jīng)持續(xù)增長(zhǎng)，全息光學(xué)記錄介質(zhì)及技術(shù)的使用已經(jīng)引起人們的注意。通常地，在記錄介質(zhì)中記錄信息的全息記錄技術(shù)采用干涉條紋的產(chǎn)生。通過(guò)信息光(例如，攜帶圖像信息)和參考光的疊加，干涉條紋被三維地寫入記錄介質(zhì)。信息被以干涉條紋的形式記錄。為了播放或讀此信息，參考光被應(yīng)用于記錄介質(zhì)，其中參考光被干涉條紋衍射。圖像信息被以衍射光的形式被再現(xiàn)。
人們正在開發(fā)多種光聚合物以用作這些全息光學(xué)記錄系統(tǒng)中的記錄層。許多這些光聚合物記錄層的一個(gè)缺點(diǎn)是環(huán)境會(huì)對(duì)其產(chǎn)生不利影響。也就是說(shuō)，這些光聚合物暴露至空氣和水分會(huì)導(dǎo)致光聚合物的退化。更具體地說(shuō)，這種退化以降低光聚合物的動(dòng)態(tài)范圍的形式表現(xiàn)出來(lái)，并因此降低數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。環(huán)境暴露，特別是水分，也可以導(dǎo)致光聚合物的膨脹。
期望提供一種全息光學(xué)設(shè)備構(gòu)造，其中光聚合物層被保護(hù)而不受環(huán)境影響。

發(fā)明內(nèi)容
提供按照本發(fā)明的一種全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。此全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括光聚合物層，其具有上表面和相對(duì)布置的下表面。此設(shè)備還包括基本透明的上基片層，其具有位于靠近光聚合物層的上表面的第一內(nèi)表面。此設(shè)備還包括基本透明的下基片層，其具有位于靠近光聚合物層的下表面的第二內(nèi)表面。上基片和下基片分別具有第一和第二周邊，其間形成開口。此設(shè)備還包括接合至上基片和下基片的連接元件，其中此連接元件密封開口，其中光聚合物至環(huán)境的暴露被降低。
提供按照本發(fā)明的一種全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。此全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括光聚合物層，其具有上表面和相對(duì)布置的下表面。此設(shè)備還包括基本透明的上基片層，其具有位于靠近光聚合物層的上表面的第一內(nèi)表面。此設(shè)備還包括基本透明的下基片層，其具有位于靠近光聚合物層的下表面的第二內(nèi)表面。上基片和下基片分別具有第一和第二周邊。此設(shè)備還包括密封第一和第二周邊的裝置，其中光聚合物至環(huán)境的暴露被降低。
提供按照本發(fā)明的一種制造全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的方法。本發(fā)明包括提供基本透明的上基片，其具有第一內(nèi)表面和第一周邊。本方法還包括提供基本平行且透明的下基片的步驟，其具有第二內(nèi)表面和第二周邊，其中在第一和第二周邊間形成開口。本方法包括在第一內(nèi)表面和第二內(nèi)表面間注入光聚合物層的步驟，其中光聚合物層位于靠近第一內(nèi)表面和第二內(nèi)表面的位置。本方法還包括固化光聚合物。本方法還包括提供連接元件，其中此連接元件密封開口。


圖1為按照本發(fā)明原理的第一實(shí)施方式設(shè)備構(gòu)造的側(cè)視圖。
圖2為按照本發(fā)明原理的第一實(shí)施方式設(shè)備構(gòu)造的透視圖。
圖3為按照本發(fā)明原理的第二實(shí)施方式設(shè)備構(gòu)造的側(cè)視圖。
圖4為按照本發(fā)明原理的第二實(shí)施方式設(shè)備構(gòu)造的透視圖。
圖5為按照本發(fā)明原理的第一實(shí)施方式設(shè)備構(gòu)造的分解透視圖。
圖6為按照本發(fā)明原理的一種方法的流程圖。
圖7為按照本發(fā)明原理的第三實(shí)施方式的連接元件的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置是能夠體積三維光學(xué)記錄及讀的全息記錄層，和全息記錄層的支撐結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明的全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括上基片、下基片、全息記錄層、和連接元件。全息記錄層位于上基片和下基片之間。上基片和下基片具有周邊。
連接元件為密封上基片和下基片周邊間的開口的元件。連接元件可以是與上基片和下基片分離的元件，或者其可以是與上基片和下基片構(gòu)成整體。下文參照各種實(shí)施方式進(jìn)一步提供連接元件的三種實(shí)施例。但是應(yīng)該理解本發(fā)明并不限于這三種實(shí)施例。
圖1-5表示按照本發(fā)明原理的全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的兩種不同的實(shí)施方式。應(yīng)該理解盡管圖中所示具體實(shí)施方式
為圓盤，本發(fā)明并不限于這種實(shí)施方式。本發(fā)明的全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置可以是其它任何形狀，包括但不限于具有例如矩形、正方形、三角形和甚至其它奇特形狀之類形狀的部件。
在圖1中，按照本發(fā)明的全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置通常表示為20。全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置20包括夾在上基片層24和下基片層26之間的全息記錄層22。連接元件，具體說(shuō)是圓形環(huán)28被連接至上基片層的第一周邊30和下基片層26的第二周邊32。
在圖2中，以透視圖顯示全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置20。圖1和2中所示的實(shí)施方式稱為環(huán)密封緣設(shè)備實(shí)施方式。
全息記錄層22為任何光聚合物層。為了本應(yīng)用的目的，光聚合物層是能夠利用光學(xué)全息記錄技術(shù)寫和讀的任何聚合物材料，其中在材料中獲得數(shù)據(jù)的三維體積存儲(chǔ)。多種化學(xué)形成光聚合物層。在一種實(shí)施例中，光聚合物層為含有溴苯乙烯單體的環(huán)氧樹脂基質(zhì)。但是，本發(fā)明并不限于這種特定的光聚合物。任何被環(huán)境不利影響的光聚合物將從中受益，并且可以包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)位于光聚合物層兩側(cè)上的基片層為光聚合物層提供支撐結(jié)構(gòu)，和至少部分環(huán)境防護(hù)。基片層通常為平面元件，其覆蓋至少相鄰光聚合物的部分表面，并且最好整個(gè)表面，并且其在結(jié)構(gòu)上支撐光聚合物。為了本發(fā)明的目的，基片層可以由熱塑性材料制成。一些示例材料為非晶態(tài)聚烯烴、聚碳酸酯和丙烯酸衍生物(acrylic)。在一種實(shí)施方式中，考慮兩種類型的丙烯酸衍生物，鑄板和擠壓板。發(fā)現(xiàn)均合適。但是，也可以使用其它具有足夠強(qiáng)度以在結(jié)構(gòu)上支撐光聚合物層且基本透明的塑料。
在一種實(shí)施方式中，相對(duì)基片(24，26)基本互相平行，并覆蓋光聚合物層22的整個(gè)可記錄表面。
光聚合物層暴露至環(huán)境，包括水分和/或空氣，導(dǎo)致光聚合物層的退化。這種退化可以降低動(dòng)態(tài)范圍的形式表現(xiàn)出來(lái)。此外，如果全息裝置構(gòu)造具有兩個(gè)基片，光聚合物層暴露至兩基片的周邊間的水分導(dǎo)致光聚合物層的膨脹，這使得兩基片移動(dòng)到偏離平行位置。由于正確的記錄需要平行定位，這種膨脹可能破壞設(shè)備的有效性。
連接元件可以是邊界元件，其為一種形狀適合上下基片的周邊的元件。邊界元件具有密封地接觸上下基片周邊的內(nèi)表面。邊界元件可以是任何形狀，以使邊界元件的內(nèi)表面形狀基本與上下基片的周邊形狀匹配。邊界元件可以由能夠被焊接或者粘附至相對(duì)基片周邊的任何材料制成。
邊界元件的一種實(shí)施方式為圓形環(huán)。已經(jīng)設(shè)計(jì)圓形環(huán)28以進(jìn)一步從環(huán)境中密封光聚合物層。此環(huán)為具有形狀使其與兩相對(duì)表面(24，26)密封接合的內(nèi)表面的環(huán)形元件。在一種實(shí)施方式中，此環(huán)由塑料制成。環(huán)28可以由與基片層相同的材料制成。理想情況可以是從用于特定設(shè)備構(gòu)造的特定基片上激光切割環(huán)28，以使環(huán)的內(nèi)表面與基片層的周邊對(duì)緊封而言完美地匹配。
可以使用許多不同的方法將環(huán)28連接至基片層(24，26)的周邊(30，32)。一些可能的連接技術(shù)包括但不限于溶劑焊接或超聲波焊接，和使用紫外線固化樹脂或防潮硅有機(jī)樹脂膠密封。所選擇的連接方法將取決于環(huán)28和基片層(24，26)所使用的材料。
在一種實(shí)施方式中，基片層24和26，以及環(huán)28由丙烯酸衍生物制成。例如，可以使用由Nitto Jushi Kogyo有限公司制造的Clarex牌鑄造丙烯酸衍生物。在這種實(shí)施方式中，利用例如三氯甲烷等的溶劑焊接被用來(lái)分別固定或連接環(huán)28的內(nèi)表面27至基片層24和26的周邊30和32。
在另一實(shí)施方式中，例如硅酮密封劑之類的防潮膠被放置在基片層的周邊30和32上，然后環(huán)28被定位于基片層周圍，如圖2所示。例如，可以使用MasterBond股份有限公司的MasterSilTM硅酮密封劑。
在另一實(shí)施方式中，紫外線固化光聚合物可以被用來(lái)將環(huán)28密封至基片的周邊30和32。這種方法要求光聚合物層22在暴露至紫外線期間被屏蔽，以防止光聚合物層至紫外線的不必要暴露。
在另一實(shí)施方式中，可以使用非晶態(tài)聚烯烴(APO)作為基片。由于其通常更難以粘附至聚烯烴，在將基片焊接或密封至環(huán)之前，可以將一種底漆應(yīng)用于APO基片的周邊?？梢允褂萌缟纤龅南嗤芊夥椒?。在一實(shí)施例中，可以使用丙烯酸衍生物環(huán)與APO基片。
在一種實(shí)施方式中，上基片24、光聚合物層22和下基片26限定位于盤中央的孔25?？?5可以有多個(gè)目的。首先，孔25可以用于將光聚合物22注入相對(duì)基片(24，26)間的空間。第二，孔25可以接收輪轂(hub)以沿軸50旋轉(zhuǎn)盤20(最好見圖2)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員也將理解從輪轂和基片(24，26)的交叉點(diǎn)附近的環(huán)境中密封光聚合物層22也在本發(fā)明的精神和領(lǐng)域要求范圍內(nèi)。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D1，2和5中所示的環(huán)密封周邊盤實(shí)施方式說(shuō)明制造全息裝置構(gòu)造的一過(guò)程。本過(guò)程顯示在圖6中。
首先，具有大于基片(24，26)的直徑的傳統(tǒng)真空平板被用于在平行位置保持基片(24，26)，其之間具有所要求的間隙。本步驟在圖6中表示為170。所要求基片之間的間隙是由將被注入此間隙的光聚合物層的所要求厚度決定的。
接下來(lái)，如172所示，光聚合物層通過(guò)在上基片24中限定的孔25被注入兩基片24和26間的間隙。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解的那樣，有許多將光聚合物注入兩基片(24，26)間的間隙的不同方法。在一種實(shí)施方式中，在混合管的端面上使用皮下注射針，以將光聚合物導(dǎo)入固定至上基片的注射桶，以在注射過(guò)程中獲得無(wú)泄露密封。
接下來(lái)，如174所示，光聚合物層被固化。要求在適當(dāng)?shù)奈恢妹芊猸h(huán)28之前，固化光聚合物層。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可以在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)利用許多不同類型的固化方法。在一種實(shí)施方式中，使用室溫固化。也有可能使用反應(yīng)性注壓型固化方法，以得到更快的循環(huán)時(shí)間。
接下來(lái)，如176所示，提供連接元件。
接下來(lái)，如178所示，連接元件被密封入靠近基片周邊的位置。在環(huán)實(shí)施方式中，環(huán)28被密封入某位置以使內(nèi)表面27與周邊30和32密封。執(zhí)行此步驟的一種方法是將一種溶劑或硅酮密封劑或其它密封材料或膠放置入周邊30和32、或內(nèi)表面27、或以上兩位置上，并隨后將環(huán)28放置入兩基片24和26附近的位置，如圖1和2所示。
接著，如180所示，輪轂被插入中心孔25。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解本輪轂可以按照本發(fā)明的原理被密封在孔25中適當(dāng)?shù)奈恢谩?br> 另一全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置構(gòu)造的實(shí)施方式，稱作模制周邊密封設(shè)備實(shí)施方式，顯示在圖3和4中。此全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置120包括夾在上基片層124和下基片層126之間的全息記錄層122。
此全息記錄層122為一種如上根據(jù)前述實(shí)施方式的全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置20所限定的光聚合物。
上基片124和下基片126是由如上根據(jù)前述全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置20的實(shí)施方式所限定的相同材料制成的。除了能夠結(jié)構(gòu)性支撐光聚合物層122，基片124和126必須由可模制的材料制成，以使可以在其周邊形成如下文進(jìn)一步說(shuō)明的凸緣(lip)。
上基片124限定面向光聚合物層122的內(nèi)周邊123。下基片126限定面向光聚合物層122的內(nèi)周邊121。
上基片124和下基片126分別包括周邊130和132。周邊130包括在光聚合物層122的方向的第一凸緣，以使至少周邊130的一部分被定位于上基片124的第一內(nèi)表面123的下方。周邊132包括在光聚合物層122的方向的第二凸緣，以使至少周邊132的一部分被定位于下基片的內(nèi)表面121的上方。凸緣可以是滿足上述限定的任何物體。凸緣的限定并不限于圖3和4中所示的凸緣的特定實(shí)施方式。例如，此凸緣可以被以直角被彎曲，而不是如3和4所示的逐漸彎曲?？梢栽诒景l(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)構(gòu)想許多凸緣的其它實(shí)施方式。
在上文中討論的第一和第二凸緣是“連接元件”的進(jìn)一步例子。在本實(shí)施方式中，連接元件與基片集成。本實(shí)施方式中的連接元件包含基片的非平面部分。
應(yīng)該注意的是在本說(shuō)明書和權(quán)利要求書中所使用例如“上”和“下”之類的術(shù)語(yǔ)是根據(jù)一種定向，其中上基片定位在下基片上方。但是，本發(fā)明并不限于這種定向。在不同于圖中所示的位置構(gòu)造和/或使用本發(fā)明的全息光學(xué)設(shè)備構(gòu)造，很顯然在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)。
模制周邊密封方法需要特殊設(shè)計(jì)的模制工具，以模制基片124和126。這種設(shè)計(jì)需要具有由全息記錄層122期望厚度及其預(yù)定收縮量確定的尺寸的凸緣，以使兩周邊124和126在全息記錄層的最終固化后接觸或者接近接觸。
一旦光聚合物層122被注入上基片124和下基片126之間并被允許固化，基片的凸緣130和132導(dǎo)致在兩周邊間很小的間隙。周邊130和132被密封地互相連接。連接周邊130至周邊132意味著周邊130和132被密封在一起，以使空氣和水分被防止以任何實(shí)質(zhì)方式通過(guò)間隙140。在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，將通過(guò)塑料基片本身的泄漏量左右的空氣或水分的無(wú)實(shí)質(zhì)泄漏是允許的。周邊130至周邊132的示例連接包括使用利用三氯甲烷的溶劑焊接，或者使用硅酮防水膠之類的防潮膠?？梢酝ㄟ^(guò)毛細(xì)管力將溶劑或膠吸入間隙140。膠142顯示在圖3和4中。
在上基片124、光聚合物層122和下基片126中限定孔125，以在上基片124和下基片126之間注入光聚合物層122?？?25也可以用于在如按照環(huán)密封實(shí)施方式所述的讀寫步驟過(guò)程中安裝和旋轉(zhuǎn)設(shè)備。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D3和4所示的模制周邊密封盤實(shí)施方式說(shuō)明制造全息裝置構(gòu)造的另一方法。
首先，必須構(gòu)造上基片124和下基片126。在一種實(shí)施方式過(guò)程中，上基片124和下基片126被注模，具有期望形狀。
接下來(lái)，傳統(tǒng)真空平板被用于保在平行位置持基片124和126，并在其中間具有期望間隙。此期望間隙決定于將被注入間隙的光聚合物層的期望厚度。
接下來(lái)，光聚合物層通過(guò)上基片124中限定的孔125被注入兩基片124和126之間的間隙。
接下來(lái)，光聚合物被固化。要求光聚合物層在互相連接或密封周邊130和132之前被固化。
接下來(lái)，周邊130和132被互相連接。如前所述，連接周邊130至周邊132意味著周邊130和132被密封在一起，以使空氣和水分被防止以任何實(shí)質(zhì)方式通過(guò)周邊130和132之間的間隙。連接周邊130至周邊132的可能示例方法是溶劑焊接和防潮膠。在此兩種情況下，溶劑或膠通過(guò)毛細(xì)管力被周邊(130，132)間的間隙。膠可以或者可以不填充光聚合物層122和周邊(130，132)間的空間。
可以注意到在圖1-5中，光聚合物層22，122沒有徑向地延伸遠(yuǎn)至基片周邊30，130和32，132。辦法來(lái)并不限于這種實(shí)施方式。相反，光聚合物層22，122可以徑向地延伸遠(yuǎn)至基片周邊30，130和32，132。
圖7表示一種邊界元件的替換實(shí)施方式。具體說(shuō)來(lái)，環(huán)200包括用于插入基片202和206間的空間的中心突起。層204為光聚合物層。傾斜表面207和209提供基片(202，206)至其永久位置的搭扣配合(snap fit)，如圖7所示?？梢栽趦A斜表面(207，209)與相應(yīng)的基片202和206的周邊間放置密封劑(208，210)。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)伺服跟蹤圖案(pattern)可以被放置在設(shè)備構(gòu)造20和120的某位置，其可以被用于確定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在設(shè)備的何處。在實(shí)施例中，跟蹤圖案可以被直接蝕刻入上基片24和124的其中之一，或者替換地蝕刻入下基片26或126。此外，可以通過(guò)在基片的外表面上添加光聚合物層，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)圖案復(fù)制在基片24、124、26、126的其中之一的表面上。
基片使用熱塑性材料的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其可以被注模，并且跟隨伺服圖案可以被模制入基片的表面。本發(fā)明并不限于特定無(wú)力尺寸。按照本發(fā)明的設(shè)備的示例尺寸為直徑130mm設(shè)備構(gòu)造?？梢栽谠O(shè)備構(gòu)造的基片的表面之一上沉積消反射涂層(AR涂層)，以防止當(dāng)光束通過(guò)基片時(shí)其的失真。
權(quán)利要求
1.一種全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，包括(a)光聚合物層，具有上表面和相對(duì)布置的下表面；(b)基本透明的上基片層，具有位于靠近光聚合物層的上表面的第一內(nèi)表面，其中上基片具有第一周邊；(c)基本透明的下基片層，具有位于靠近光聚合物層的下表面的第二內(nèi)表面，其中下基片具有第二周邊，其中第一和第二周邊間的區(qū)域形成開口；和(d)接合至上基片和下基片的連接元件，其中此連接元件密封開口，其中光聚合物層對(duì)環(huán)境的暴露被降低。
2.如權(quán)利要求1的全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中連接元件包括分離的邊界元件，該邊界元件具有位于靠近第一和第二周邊的密封表面。
3.如權(quán)利要求2的全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中上基片和下基片為通常的圓形，并且其中分離的邊界元件包括通常的圓環(huán)。
4.如權(quán)利要求1的全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中連接元件包括從上基片伸出的第一凸緣，其中至少第一周邊的一部分被定位于第一內(nèi)表面的下方，和從下基片伸出的第二凸緣，其中至少第二周邊的一部分被定位于第二內(nèi)表面的上方，其中第一凸緣的第一周邊被密封地連接至第二凸緣的第二周邊，其中光聚合物層對(duì)環(huán)境的暴露被降低。
5.一種制造全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的方法，包括以下步驟(a)提供基本透明的上基片，其具有第一內(nèi)表面和第一周邊，和基本平行且透明的下基片，其具有第二內(nèi)表面和第二周邊，其中在上基片和下基片的第一和第二周邊間形成開口；(b)在第一內(nèi)表面和第二內(nèi)表面間注入光聚合物層，其中光聚合物層位于靠近第一內(nèi)表面和第二內(nèi)表面的位置；(c)固化光聚合物；(d)提供連接元件，其中此連接元件密封開口，其中光聚合物層對(duì)環(huán)境的暴露被降低。
6.如權(quán)利要求5的方法，其中連接元件包括分離的邊界元件，該邊界元件具有位于靠近上基片和下基片的第一和第二周邊的密封表面。
7.如權(quán)利要求6的方法，其中分離的邊界元件包括圓環(huán)。
8.如權(quán)利要求5的方法，其中連接元件包括從上基片伸出的第一凸緣，其中至少第一周邊的一部分被定位于第一內(nèi)表面的下方，和從下基片伸出的第二凸緣，其中至少第二周邊的一部分被定位于第二內(nèi)表面的上方，其中第一周邊被密封地連接至第二周邊。
9.如權(quán)利要求6的方法，其中密封分離的邊界元件至上基片和下基片的第一和第二周邊的步驟包括溶劑焊接此邊界元件至第一和第二周邊。
10.如權(quán)利要求6的方法，其中密封分離的邊界元件至上基片和下基片的第一和第二周邊的步驟包括膠合此邊界元件至第一和第二周邊。
全文摘要
提供按照本發(fā)明的一種全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置(20)包括光聚合物層(22)，該光聚合物層具有上表面和相對(duì)布置的下表面。此設(shè)備包括基本透明的上基片層(24)，具有位于靠近光聚合物層的上表面的第一內(nèi)表面。此設(shè)備包括基本透明的下基片層(26)，具有位于靠近光聚合物層的下表面的第二內(nèi)表面。上基片和下基片分別具有第一周邊(30)和第二周邊(32)，其間形成開口。此設(shè)備還包括接合至上基片和下基片的連接元件(28)，其中此連接元件密封開口。也提供制造全息光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的一種方法。
文檔編號(hào)G11B7/26GK1502065SQ02808000
公開日2004年6月2日 申請(qǐng)日期2002年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月10日
發(fā)明者拉蒙·F·黑格爾, 拉蒙 F 黑格爾 申請(qǐng)人:伊美申公司