專利名稱：陶瓷的制法及其制造裝置以及半導(dǎo)體器件和壓電元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氧化膜、氮化膜及強(qiáng)介電體膜等陶瓷的制法及其制造裝置，以及用強(qiáng)介電體膜的半導(dǎo)體器件及壓電元件。在形成作為強(qiáng)介電體材料的PZT(Pb(Zr，Ti)O3)或SBT(Sr Bi2Ta2O9)等時(shí)必須高的處理溫度。例如，通常在PZT成膜時(shí)必須600-700℃，在SBT成膜時(shí)必須650-800℃的溫度。這些強(qiáng)介電體的特性與其結(jié)晶性有關(guān)，結(jié)晶性越高，則通常越具有卓越特性。
在包含強(qiáng)介電膜的電容器(強(qiáng)介電體電容器)的半導(dǎo)體器件，例如在強(qiáng)介電體存儲(chǔ)器內(nèi)，強(qiáng)介電體的結(jié)晶性顯著影響其各種特性，例如剩余極化特性，抗電場(chǎng)特性，疲勞特性以及印刷特性等。而且為了獲得結(jié)晶性好的強(qiáng)介電體，原子必須有高的遷移能。其結(jié)果是為了強(qiáng)介電體的結(jié)晶化，必須高的處理溫度。
然而，如果強(qiáng)介電膜的處理溫度越高，越容易損害強(qiáng)介電體存儲(chǔ)器。即為了強(qiáng)介電體的結(jié)晶化必須在氧環(huán)境下高溫處理。如果在該高溫處理期間，多晶硅或電極材料由于氧化形成絕緣層，則該絕緣層會(huì)使強(qiáng)介電體電容器特性變壞，而且，因熱會(huì)使半導(dǎo)體側(cè)的晶體管特性變壞。另外作為PZT或SBT構(gòu)成元素的Pb，Bi容易擴(kuò)散，由于這些元素向半導(dǎo)體器件側(cè)擴(kuò)散，引起其性能變壞，強(qiáng)介電體膜的處理溫度越高，這些性能變壞越顯著，而且越是高集成度的半導(dǎo)體器件(例如，1兆比特以上集成度的半導(dǎo)體器)越顯著。
因此，現(xiàn)狀是，即使強(qiáng)介電體膜的處理溫度高，強(qiáng)介電體電容也可適用于影響比較小的集成度(例如1-256仟比特)的半導(dǎo)體器件?？墒乾F(xiàn)在在DRAM，速閃存儲(chǔ)器等已經(jīng)要求從16M比特到G比特的集成度，因此，限定了強(qiáng)介電體存儲(chǔ)器的適用領(lǐng)域。另一方面，如果降低強(qiáng)介電體的處理溫度，雖然防止了如上所述的高溫的氧環(huán)境產(chǎn)生的器件變壞，但會(huì)使強(qiáng)介電體膜的結(jié)晶性降低。其結(jié)果，強(qiáng)介電體電容器的剩余極化特性降低，疲勞特性，印刷特性以及保持特性等也降低。本發(fā)明的目的是提供既可以降低處理溫度、又可以提高結(jié)晶性等的陶瓷制法以及陶瓷的制造裝置。
本發(fā)明的其它目的是提供用本發(fā)明方法得到的陶瓷的半導(dǎo)體器件及壓電元件。
(A)第1制造方法本發(fā)明的第1制法是在規(guī)定區(qū)域提供至少作為陶瓷原材料一部分的活性粒子和電磁波，同時(shí)也包括陶瓷膜的形成工序。
根據(jù)這種制法，通過前述的活性粒子和前述的電磁波照射膜，可以成倍地提高膜的遷移能量，可以形成優(yōu)良膜質(zhì)的陶瓷。此外，通過在規(guī)定區(qū)域供給電磁波，不僅增加活性粒子的遷移能量，還提高活性粒子的密度。其結(jié)果與未提供活性粒子及電磁波的情況相比，可以用較低溫的處理溫度形成陶瓷。例如，在形成強(qiáng)介電體時(shí)最好可以應(yīng)用比600℃低的溫度，最好用450℃以下的處理溫度。
以上的作用效果，即使對(duì)如下所述的本發(fā)明，也是同樣的。
在第1制法中，還可以有如下的形態(tài)。
(1)在規(guī)定區(qū)域至少提供了作為陶瓷原材料一部分物質(zhì)的活性粒子和電磁波，甚至還有陶瓷原材料的其它反應(yīng)粒子，采用本制法可以在陶瓷成膜的同時(shí)進(jìn)行陶瓷的結(jié)晶化。
采用本制法，為了如

圖1所示在基體10上形成陶瓷膜20，在膜的形成區(qū)域供給活性粒子100A，其它反應(yīng)粒子300A和電磁波200A。而且，通過反應(yīng)粒子300A和活性粒子100A的反應(yīng)，形成陶瓷膜20。在此期間，電磁波200A和活性粒子100A使反應(yīng)粒子300A和活性粒子100A的反應(yīng)活性化，更具有提高膜中原子的遷移能量的效果。而且，活性粒子100A，電磁波200A以及反應(yīng)粒子300A根據(jù)要獲得的陶瓷組成，結(jié)晶構(gòu)造，陶瓷材料的使用目的等選擇。
活性粒子100A，通過活性粒子供給部100生成，反應(yīng)粒子300A經(jīng)反應(yīng)粒子供給部300供給，而電磁波200A通過電磁波發(fā)生部供給。
(2)可以在前述規(guī)定區(qū)域形成作為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜。在該制法，與上述(1)的制法同樣，可以在陶瓷成膜的同時(shí)進(jìn)行陶瓷的結(jié)晶化。而且，本制法，只在陶瓷原材料一部分的物質(zhì)成膜這一點(diǎn)上與上述(1)的制法不同。
本制法，如圖2所示，在基體10上形成由陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜20a。而且，在規(guī)定區(qū)域通過由活性粒子供給部100供給活性粒子100A，通過由電磁波發(fā)生器200供給電磁波200A，使膜20a和活性粒子100A反應(yīng)形成陶瓷膜。在此期間，電磁波200A和活性粒子100A使膜20a和活性粒子100A的反應(yīng)活性化，還有提高膜中原子遷移能量的效果。
(3)在第1陶瓷膜上加活性粒子和電磁波，可以得到與前述第1陶瓷結(jié)晶構(gòu)造不同的第2陶瓷膜的形成工序。根據(jù)本制法能預(yù)先進(jìn)行形成的陶瓷膜的結(jié)晶化。
在本法中，如圖2所示，通過向基體10上的第1陶瓷膜20C供給由活性粒子供給部100供給的活性粒子100A和由電磁波發(fā)生部200供給的電磁波200A，可以提高在第1陶瓷膜20C上的原子遷移能量，形成結(jié)晶性高的第2陶瓷膜。
前述的第1陶瓷是理想的無晶形狀態(tài)或結(jié)晶性低的陶瓷。這樣的第1陶瓷膜通過活性粒子100A以及電磁波200A的照射，在膜上原子的遷移能量變大，形成具有高度結(jié)晶性的第2陶瓷。
用如上所述的第1制法的作用效果，即使在本發(fā)明的其它制法中，也是同樣的。
在本發(fā)明，希望前述陶瓷膜或第2陶瓷膜的厚度為5-30nm。由于膜的厚度處于這個(gè)范圍之內(nèi)，可以在全部膜上獲得由前述電磁波及前述活性粒子產(chǎn)生的原子遷移能量增大的效果。如果膜厚比5nm小，則容易產(chǎn)生膜的組成波動(dòng)。此外，如果膜厚比30nm大，則難以在全部膜上獲得原子遷移能量的增大效果。
(B)第2制造方法本發(fā)明的第2制法是應(yīng)用前述的第1制法進(jìn)行形成預(yù)定厚度的陶瓷膜的工序，通過多次重復(fù)可以制造預(yù)定厚度的陶瓷膜。作為如此的制法，也可以采用如下所示的形態(tài)。
(1)與上述(A)(1)同樣，在規(guī)定區(qū)域供給作為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子以及電磁波中的至少一種的同時(shí)，重復(fù)進(jìn)行形成預(yù)定厚度的陶瓷膜的工序，可以獲得形成具有預(yù)定厚度的膜。
(2)與上述(A)(2)同樣，在前述規(guī)定區(qū)域可以形成由成為陶瓷原材料的一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜。
(3)形成第1陶瓷膜的第1工序與上述(A)(3)同樣，在前述第1陶瓷膜上供給活性粒子及電磁波中至少一種，形成與前述第1陶瓷膜和結(jié)晶構(gòu)造不同的第2陶瓷膜的第2工序，前述第1及第2工序交替地進(jìn)行，可以形成具有預(yù)定厚度的膜。
在本制法，如圖3所示，在成膜裝置2000中，在基體10上形成第1陶瓷膜20a。接著，把形成第1陶瓷膜20a的成膜基體10移至結(jié)晶化裝置1000。在結(jié)晶化裝置1000中，向第1陶瓷膜20a供給由活性粒子供給部100供給的活性粒子100A，和由電磁波發(fā)生部200供給的電磁波200A，使第1陶瓷膜20a結(jié)晶化，成為第2陶瓷膜20。重復(fù)以上的成膜工序及結(jié)晶化工序。
即使在本第2制法中，也與第1制法同樣，希望前述陶瓷膜或第2陶瓷膜的厚度為5-30nm。
(C)第3制造方法在本制法，陶瓷膜的形成區(qū)域?qū)w并非是全面的，只在部分地即微小區(qū)域進(jìn)行。在本制法可以采用以下的形態(tài)。
(1)陶瓷膜的形成區(qū)域?qū)w只是部分的，可以在規(guī)定區(qū)域供給至少成為陶瓷原料一部分的活性粒子以及電磁波中至少一種，同時(shí)形成陶瓷膜的工序。
(2)與前述的(A)(2)同樣，在前述規(guī)定區(qū)域可以形成由成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜。
(3)陶瓷膜的形成區(qū)域?qū)w是部分的，可以在第1陶瓷膜上供給活性粒子及電磁波中至少一種，同時(shí)形成與前述第1陶瓷在結(jié)晶構(gòu)造上不同的第2陶瓷膜的工序。
(4)作為對(duì)基體部分地形成陶瓷膜的方法，以下的方法最好。即包含有在前述基體的表面形成對(duì)成膜的陶瓷具有親和力的膜形成部和形成對(duì)成膜的陶瓷沒有親和力的非膜形成部，以及自行整合(自調(diào)整)地在前述膜形成部上形成陶瓷膜的工序。
(D)本發(fā)明制法的其它形態(tài)本發(fā)明的制法可以采取以下的形態(tài)。
(1)成為前述陶瓷原材料一部分的活性粒子是能使包含氧或氮的物質(zhì)活性化的原子團(tuán)或離子。即作為活性粒子在氧化物的場(chǎng)合可以用氧的原子團(tuán)，離子或臭氧，在氮化物的場(chǎng)合可以用氮的原子團(tuán)或離子。作為原子團(tuán)或離子的發(fā)生方法，可以例示很多已知的方法，例如用RF(射頻)，微波，ECR(電子回旋共振)，臭氧發(fā)生器等的活性粒子生成方法。
前述電磁波是根據(jù)陶瓷的組成、反應(yīng)粒子、活性粒子等來選擇。電磁波可以用準(zhǔn)分子激光器，鹵素?zé)?，揚(yáng)格激光器(高次諧波)等發(fā)生器得到。此外，如果選擇可以離解氧或氮的電磁波，則可以提高活性粒子的濃度。
(2)在前述活性粒子之外也可以在預(yù)定區(qū)域上供給使惰性氣體(氙、氬)活性化得到的原子團(tuán)或離子。例如，如果用氙和在用微波生成氧的活性粒子(氧原子團(tuán))過程中，增加其濃度。
(E)本發(fā)明的制造裝置作為本發(fā)明的制造裝置，可以采用以下的形態(tài)。
(1)包含形成陶瓷基體的配置部和加熱部、用于供給至少成為陶瓷原材料一部分物質(zhì)的活性粒子的活性粒子供給部和用于供給電磁波的電磁波發(fā)生部，在陶瓷的形成區(qū)域可以供給活性粒子及電磁波中的至少一種。
(2)在上述(1)的制造裝置中，在同一燃燒室內(nèi)可以包含由成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜或用于使陶瓷膜成膜的成膜裝置。
(3)包含形成陶瓷基體的配置部和加熱部、用于供給至少成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子的活性粒子供給部和用于供給電磁波的電磁波發(fā)生部，包含可以在陶瓷的形成區(qū)域上供給活性粒子及電磁波中至少一種的結(jié)晶化裝置和由與前述結(jié)晶化裝置不同的燃燒室構(gòu)成的成膜裝置。
(4)在上述(3)的制造裝置中，可以在前述結(jié)晶化裝置和前述成膜裝置之間具有路鎖裝置。
(5)在上述(1)-(4)的制造裝置中，前述基體的配置部可以構(gòu)成前述加熱部。
(6)在上述(1)-(5)的制造裝置中，前述活性粒子供給部及前述電磁波發(fā)生部中的至少一個(gè)，可以對(duì)前述基體部分地供給活性粒子及電磁波中的至少一種。
(7)在上述(1)-(6)的制造裝置中，可以在對(duì)前述基體相對(duì)移動(dòng)狀態(tài)下供給前述活性粒子及前述電磁波中的至少一種。
(8)在上述(3)的制造裝置，前述成膜裝置可以通過涂布法，LSMCD法，CVD法或?yàn)R射法實(shí)施成膜。
(9)在上述(2)的制造裝置中，前述成膜裝置可以通過LSMCD法或CVD法實(shí)施成膜。
(F)通過本發(fā)明的制法得到的陶瓷可以在各種用途中利用。以下列舉典型用途的裝置。
(1)具有包含由本發(fā)明制法形成的介電體膜的電容器的半導(dǎo)體器件。這種半導(dǎo)體器件，有作為介電體膜，利用由本發(fā)明制法得到的標(biāo)準(zhǔn)介電體的DRAM，和強(qiáng)介電體存儲(chǔ)器(Fe RAM)。
(2)包含由本發(fā)明制法形成的介電體膜的壓電元件。圖1是概略地示出本發(fā)明制法的一例的圖。
圖2是概略地示出本發(fā)明制法的一例的圖。
圖3是概略地示出本發(fā)明制法的一例的圖。
圖4是概略地示出本發(fā)明的制法及制造裝置的第1實(shí)施形態(tài)的圖。
圖5是概略地示出本發(fā)明的制法及制造裝置的第2實(shí)施形態(tài)的圖。
圖6是概略地示出本發(fā)明的制法及制造裝置的第3實(shí)施形態(tài)的圖。
圖7是概略地示出本發(fā)明的制法及制造裝置的第4實(shí)施形態(tài)的圖。
圖8是概略地示出本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的圖。[第1實(shí)施形態(tài)]圖4是概略地示出本實(shí)施形態(tài)的陶瓷的制法及其制造裝置的圖。
圖4所示的制造裝置具有成膜裝置2000，結(jié)晶化裝置1000和路鎖裝置3000。而且被處理體30經(jīng)路鎖裝置3000配置成可以在成膜裝置2000和結(jié)晶化裝置1000之間往復(fù)移動(dòng)。
成膜裝置2000，如果是在基體10上形成第1陶瓷膜20a的裝置，則沒有特別的限制。本實(shí)施形態(tài)用可以進(jìn)行LSMCD(液態(tài)源噴霧沉積法)的LSMCD裝置。成膜裝置2000包括有容納有機(jī)金屬等的陶瓷材料的原料槽410，使原料噴霧化的噴霧化部420，供給載體氣體的氣體供給部430，和用于把噴霧化的原材料及氣體供給到在載置部(配置部)40上載置的基體10預(yù)定區(qū)域的原料供給部450。在原料供給部450的前端上設(shè)置網(wǎng)460。此外，在基體10和原料供給部450之間根據(jù)需要配置用于使形成的第1陶瓷膜20a作成預(yù)定圖形的模板470。載置部40具有用于把基體10加熱到預(yù)定溫度的加熱部。
利用該成膜裝置2000，按照以下順序，能形成第1陶瓷膜20a。
首先，從原料槽410供給霧化部420的原料，例如通過超聲波能成為具有0.1-0.2μm直徑的霧粒。把由霧化部420形成的霧粒和由氣體供給部430供給的氣體送到原料供給部450。然后，從原料供給部450向基體10供給原料粒子300A，在基體10上形成無晶形(非晶態(tài))的第1陶瓷膜20a。
在原料內(nèi)用有機(jī)金屬時(shí)，無晶型狀態(tài)的第1陶瓷膜20a可以通過加熱基體10使有機(jī)金屬絡(luò)合物分解(所謂脫脂)得到。該脫脂也可以在別處用RTA或爐實(shí)現(xiàn)。
用LSMCD法形成的第1陶瓷膜20a由于在膜內(nèi)具有微細(xì)而適度分布的耗盡，因此從原子具有易遷移的狀態(tài)運(yùn)點(diǎn)而言對(duì)結(jié)晶化是有利的。此外，由于第1陶瓷膜20a可以在以下的結(jié)晶化工序有效地進(jìn)行結(jié)晶化，所以最好例如以5-30nm的厚度形成。由于第1陶瓷膜20a的厚度處于該范圍內(nèi)，如前所示，通過結(jié)晶化處理，沒有組成的波動(dòng)，可以減小結(jié)晶的晶粒尺寸，可以得到具有高結(jié)晶性的陶瓷。
結(jié)晶化裝置1000具有活性粒子供給部100和電磁波發(fā)生部200。在活性粒子供給部100形成的活性粒子100A，經(jīng)供給路徑110供給到基體10的預(yù)定區(qū)域。此外，由電磁波發(fā)生部200發(fā)生的電磁波200A，也照射到供給活性粒子100A的區(qū)域。適宜地設(shè)定活性粒子供給部100及電磁波發(fā)生部200的配置，以便不妨礙活性粒子100A及電磁波200A的供給。
結(jié)晶化裝置1000，通過在由成膜裝置2000形成的無晶型狀態(tài)的第1陶瓷膜20a上照射活性粒子100A和電磁波200A，增大了在第1陶瓷膜20a上原子的遷移能量。其結(jié)果，在較低溫度，具體講在比600℃低的溫度，更好在450℃以下的溫度，進(jìn)行結(jié)晶，形成具有高結(jié)晶性的第2陶瓷膜20b。
在成膜裝置2000上的第1陶瓷膜20a的形成以及在結(jié)晶化裝置1000上的結(jié)晶陶瓷膜20c的形成，為了獲得預(yù)定厚度的陶瓷膜可以多次重復(fù)進(jìn)行。
尤其是在對(duì)SBT成膜期間，由于SBT的層狀鈣鈦，成長速度依結(jié)晶方位而異，其結(jié)果，在多結(jié)晶上容易產(chǎn)生不良的溝和孔。但是，正如本實(shí)施形態(tài)所示，通過重復(fù)使薄膜疊層，使前述的溝或孔處于埋沒的狀態(tài)，可以獲得均質(zhì)的膜。
根據(jù)本實(shí)施的形態(tài)，在成膜裝置2000中，通過用LSMCD法，因具有微細(xì)而適度的耗盡，可以獲得原子處于易遷移狀態(tài)的第1陶瓷膜20a。而且，在結(jié)晶化裝置1000中，通過在第1陶瓷膜20a上照射活性粒子100A和電磁波200A，可以給予原子大的遷移能量，其結(jié)果，可以在比傳統(tǒng)的裝置更低溫度下進(jìn)行良好的結(jié)晶化。圖5是概略地示出本實(shí)施形態(tài)的成膜裝置4000。成膜裝置是4000是可以同時(shí)進(jìn)行成膜和膜結(jié)晶化的裝置的例子。在本實(shí)施形態(tài)中，成膜通過MOCVD法進(jìn)行。對(duì)此對(duì)其組合了本發(fā)明的結(jié)晶化方法。
成膜裝置4000作為具有供給原料的系統(tǒng)，有原料槽510，霧化部520，加熱器540以及原料供給部550。由于原料槽510以及霧化部520與用第1實(shí)施形態(tài)說明的原料槽510及霧化部420是同樣的，所以省略其說明。加熱器540是加熱霧化了的原材料使其氣化的。而且，從原料供給部550把反應(yīng)粒子300A供給到基體10的規(guī)定區(qū)域。
在載置臺(tái)40的上方，在不妨礙反應(yīng)粒子300A供給的位置上配置活性粒子供給部100和電磁波發(fā)生部200。而且從活性粒子供給部100在基體10的規(guī)定區(qū)域照射活性粒子100A，而另一方面，從電磁波發(fā)生部200照射電磁波200A。
在形成PZT，SBT等氧化物時(shí)，電磁波的波長最好為193-300nm。如果用該波長，則氧化物的原子遷移率高。此外，如果用193nm的ArF作為電磁波，則使氧電離，可以提高活性粒子的濃度。
如果利用本實(shí)施形態(tài)的成膜裝置4000，在由MOCVD法對(duì)陶瓷膜成膜的同時(shí)，通過活性粒子100A及電磁波200進(jìn)行膜的結(jié)晶化，形成陶瓷膜20。而且，在成膜裝置4000中，在成膜的同時(shí)，通過用活性粒子100A和電磁波200A照射陶瓷膜，可以給予原子大的遷移能量，其結(jié)果，與傳統(tǒng)的裝置比較，可在低溫下進(jìn)行良好的結(jié)晶化。圖6是示出活性粒子100A及電磁波200A的供給方法例子的圖。在本實(shí)施形態(tài)中，在被處理體30的陶瓷形成區(qū)域上，部分地供給了活性粒子100A及電磁波200A中的至少一種，最好是兩種或至少電磁波200A一種。
具體講，如圖6所示在直線狀的區(qū)域30a或點(diǎn)狀區(qū)域30b上供給活性粒子100A及電磁波200A。而且，設(shè)定供給活性粒子100A及電磁波200A的區(qū)域30a，30b，使其對(duì)被處理體30可以相對(duì)移動(dòng)。為了使區(qū)域30a，30b對(duì)被處理體30能相對(duì)移動(dòng)，可以采用使被處理體30移動(dòng)的方法，或使區(qū)域30a，30b移動(dòng)的方法的兩者之一。此外，為了使區(qū)域30a，30b對(duì)被處理體30相對(duì)移動(dòng)，在活性粒子100A及電磁波200A直線狀供給時(shí)，兩者中至少一種沿著與直線狀的區(qū)域正交方向(例如圖6的X方向)上移動(dòng)，在活性粒子100A及電磁波200A點(diǎn)狀供給時(shí)，兩者中至少一種向一方向(例如圖6的X方向或Y方向)移動(dòng)。
由于活性粒子100A及電磁波200A中至少一種的供給區(qū)域30a，30b是部分的，與全面供給的情況相比可以一邊抑制被處理體30的溫度上升，一邊增大活性粒子100A的能量和電磁波200A的強(qiáng)度。
如果增大電磁波200A的強(qiáng)度，則因?yàn)楸惶幚眢w30的溫度變高，所以因被處理體30的種類不同常常會(huì)因熱引起損傷。例如在被處理體30的基體上形成半導(dǎo)體器件時(shí)，要考慮到又形成氧化膜，又因雜質(zhì)的擴(kuò)散，會(huì)使MOS元件受損，引起半導(dǎo)體器件變壞。
而且，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，可以把區(qū)域30a，30b，分成各部分利用電磁波的照射抑制被處理體的溫度上升。
考慮如上所述的被處理體的溫度上升，陶瓷組成等，設(shè)定電磁波200A的強(qiáng)度及活性粒子100A的能量。圖7A及圖7B示出本發(fā)明成膜方法的變形例。圖7A示出基體10的平面，圖7B示出沿圖7A的A-A線的剖面。
本實(shí)施例的形態(tài)，示出使陶瓷在基體10上部分地成膜的例子。這樣陶瓷成膜的區(qū)域分成各部分，與全面形成陶瓷的情況相比，必須加熱部分的容量相對(duì)減小，所以可以降低加熱處理需要的能量。其結(jié)果可以相對(duì)地使加熱過程溫度下降。從而，如果利用本實(shí)施狀態(tài)，因活性粒子及電磁波的供給產(chǎn)生的處理溫度降低，從而使處理溫度下降。
在本實(shí)施形態(tài)中，基體10具有第1基體12和在第1基體12上形成的膜形成部14以及非膜形成部16。
膜形成部14是用對(duì)基體10上形成的陶瓷在化學(xué)上和物理上親和力高的材料，例如對(duì)陶瓷原料或?qū)Ψ磻?yīng)粒子浸潤性好的材料構(gòu)成。與此相反，非膜形成部16用對(duì)成膜的陶瓷在化學(xué)上或在物理上親合力差的材料，例如對(duì)陶瓷原料或反應(yīng)粒子浸潤性差的材料形成。利用這樣構(gòu)成的基體10表面，通過在希望形成陶瓷膜的區(qū)域上配置膜形成部14，形成預(yù)定圖形的陶瓷膜20。
例如在以形成的強(qiáng)介電體膜作為陶瓷膜時(shí)，作為膜形成部14的材料可以用氧化銥，作為非膜形成部16的材料可以用氟化合物。
本實(shí)施形態(tài)的陶瓷制法可以適用以強(qiáng)介電體為首的各種陶瓷，尤其是可以適用層狀鈣鐵。由于層狀鈣鐵在對(duì)C軸呈直角方向，氧尤其是原子團(tuán)(原子狀氧)容易擴(kuò)散，所以在為了結(jié)晶化的加熱處理，從陶瓷膜20的側(cè)面的原子團(tuán)的遷移容易進(jìn)行。其結(jié)果，鈣鐵的氧缺損變少，極化特性變好，抑制了疲勞特性，印刷特性等的變壞。圖8示出用本發(fā)明制法得到的強(qiáng)介電體的半導(dǎo)體器件(強(qiáng)介電體存儲(chǔ)器5000)的例子。
強(qiáng)介電體存儲(chǔ)器5000具有CMOS區(qū)R1和在該CMOS區(qū)R1上形成的電容區(qū)R2。CMOS區(qū)R1有已知的構(gòu)成。即CMOS區(qū)R1具有半導(dǎo)體基板1，在該半導(dǎo)體基板上形成的元件分離區(qū)2、MOS晶體管3，以及層間絕緣層4。電容區(qū)R2具有由下部電極5，強(qiáng)介電體膜6和上部電極7構(gòu)成的電容器C100、與下部電極5連接的配線層8a、與上部電極7連接的配線層8b、及絕緣層9。而且，MOS晶體管3的雜質(zhì)擴(kuò)散層3a和構(gòu)成電容器C100的下部電極5是通過由多晶硅或鎢襯套構(gòu)成的接觸層11連接。
在本實(shí)施形態(tài)中的強(qiáng)介電體存儲(chǔ)器5000，構(gòu)成電容器C100的強(qiáng)介電體(PZT，SBT)膜6可以在比通常的強(qiáng)介電體低的溫度下形成，例如在PZT的情形下，可在500℃以下，在SBT的情形下，可在比600℃低的溫度下形成。從而，因?yàn)榭梢砸种埔驘嵋饘?duì)CMOS區(qū)R1熱損傷的發(fā)生，所以電容器C100可以適用于高集成度的強(qiáng)介電體存儲(chǔ)器。此外，因?yàn)閺?qiáng)介電體(PZT，SBT)膜6可以在比通常的強(qiáng)介電體低的溫度下形成，所以作為CMOS區(qū)R1的配線層(未圖示)以及構(gòu)成電容器C100的電極部5，7材料，不用銥或鉑等高價(jià)材料，配線或電極部也不變壞，因此，作為這些配線層及電極部的材料可以用便宜的鋁合金，可謀求成本的降低。
在CMOS等的半導(dǎo)體器件，為了防止強(qiáng)介電體(PZT，SBT)產(chǎn)生的污染，通常對(duì)半導(dǎo)體處理工藝和電容器處理工藝進(jìn)行隔離。而且，根據(jù)本發(fā)明的制法，因?yàn)榭梢越档蛷?qiáng)介電體的處理溫度，在作為通常的半導(dǎo)體處理的最終工序的多層配線工序后，可以連續(xù)形成電容器。因此，可以減少隔離處理，可以謀求處理的簡(jiǎn)易化。因?yàn)楸景l(fā)明的制法不必要隔離半導(dǎo)體處理和電容器處理，所以對(duì)混載邏輯和模擬等的半導(dǎo)體器件的制造是有利的。
由本發(fā)明制法形成的介電體不限于上述強(qiáng)介電體存儲(chǔ)器，通過在各種半導(dǎo)體器件，例如在DRAM上應(yīng)用BST一類的高介電率的標(biāo)準(zhǔn)介電體，可以謀求電容器的大容量化。
此外，通過本發(fā)明的制法形成的介電體可以適合于其它用途，例如在激勵(lì)器內(nèi)用的壓電元件的壓電體等。
通過本發(fā)明的制法形成的氮化物(氮化硅，氮化鈦)可以適用于例如半導(dǎo)體器件的鈍化膜，局部互連膜等。
按照條約第19條的修改1.一種陶瓷的制法，既包含在規(guī)定區(qū)域供給至少成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子和電磁波，也包括形成陶瓷膜的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷的制法，在前述規(guī)定的區(qū)域上利用陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成膜。
3.一種陶瓷的制法，包含在第1陶瓷膜上供給活性粒子和電磁波，形成與前述第1陶瓷膜的結(jié)晶構(gòu)造不同的第2陶瓷膜的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由非結(jié)晶狀態(tài)的陶瓷構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由結(jié)晶性低的陶瓷構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷制法，其中成為前述陶瓷原材料一部分物質(zhì)的活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)、離子或臭氧。
7.根據(jù)權(quán)利要求3-5之一所述的陶瓷的制法，前述活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)或離子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7之一所述的陶瓷制法，包括把由惰性氣體活性化得到的離子加給前述的活性粒子，甚至供給到規(guī)定區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜的厚度為5-30nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求3-5之一所述的陶瓷制法，前述第2陶瓷膜厚為5-30nm。
11.一種陶瓷的制法，包括在規(guī)定區(qū)域上供給至少成為陶瓷原材料一部分的活性粒子及電磁波中的至少一種，同時(shí)重復(fù)進(jìn)行形成規(guī)定厚度陶瓷膜的工序，形成具有規(guī)定厚度的膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陶瓷制法，在前述規(guī)定區(qū)域上形成由成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陶瓷的制法，前述陶瓷膜的厚度為5-30nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求11-13之一所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜對(duì)基體是部分地形成。
15.陶瓷的制法，包含形成第1陶瓷膜的第1工序，以及把活性粒子及電磁波中的至少一種供給前述第1陶瓷膜，形成與前述第1陶瓷膜的結(jié)晶構(gòu)造不同的第2陶瓷膜的第2工序，把前述第1和第2工序交替地進(jìn)行，形成具有規(guī)定厚度的膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜的厚度為5-30nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜對(duì)基體是部分地形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由非結(jié)晶狀態(tài)的陶瓷構(gòu)成。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由結(jié)晶性低的陶瓷構(gòu)成。
20.根據(jù)權(quán)利要求11-14之一所述的陶瓷制法，成為前述陶瓷原材料一部分的活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)，離子或臭氧。
21.根據(jù)權(quán)利要求15-19之一所述的陶瓷制法，前述活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)，離子或臭氧。
22.根據(jù)權(quán)利要求11-21之一所述的陶瓷制法，把由惰性氣體活性化得到的離子加到前述活性粒子之上，甚至供給到規(guī)定區(qū)域。
23.陶瓷的制法，陶瓷膜的形成區(qū)域是對(duì)基體的部分區(qū)域，包含在規(guī)定區(qū)域供給至少成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子以及電磁波中的至少一種，同時(shí)形成陶瓷膜的工序。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的陶瓷制法，在前述規(guī)定區(qū)域形成由成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜。
25.一種陶瓷的制法，陶瓷膜的形成區(qū)域是對(duì)基體的部分區(qū)域，包含在第1陶瓷膜上供給活性粒子及電磁波中的至少一種，同時(shí)形成與前述第1陶瓷的結(jié)晶構(gòu)造不同的第2陶瓷膜的工序。
26.根據(jù)權(quán)利要求23-25之一所述的陶瓷制法，包含在前述基體的表面上，形成對(duì)成膜的陶瓷有親和力的膜形成部和對(duì)成膜的陶瓷沒有親和力的非膜形成部，自整合(自調(diào)整)地在前述膜形成部上形成陶瓷膜的工序。
27.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由非結(jié)晶狀態(tài)的陶瓷構(gòu)成。
28.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由結(jié)晶性低的陶瓷構(gòu)成。
29.根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的陶瓷制法，成為前述陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子是使由包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)，離子或臭氧。
30.根據(jù)權(quán)利要求25-28之一所述的陶瓷制法，前述活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)或離子。
31.根據(jù)權(quán)利要求23-30之一所述的陶瓷制法，把由隋性氣體活性化得到的離子加給前述的活性粒子，甚至也供給規(guī)定區(qū)域。
32.根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜的厚度為5-30nm。
33.根據(jù)權(quán)利要求25-28之一所述的陶瓷制法，前述第2陶瓷的厚度為5-30nm。
34.根據(jù)權(quán)利要求23-33之一所述的陶瓷制法，多次反復(fù)進(jìn)行前述陶瓷形成工序。
35.根據(jù)權(quán)利要求1-34之一所述的陶瓷制法，對(duì)基體部分地供給前述活性粒子及前述電磁波中的至少一種。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的陶瓷制法，對(duì)前述基體在相對(duì)移動(dòng)狀態(tài)下供給前述活性粒子及前述電磁波中的至少一種。
37.根據(jù)權(quán)利要求3-5，15-19或25所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜是由涂布法，LSMCD法，CVD法或?yàn)R射法形成。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由LSMCD法或?yàn)R射法形成。
39.根據(jù)權(quán)利要求1-38之一所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜或第2陶瓷膜由強(qiáng)介電體形成。
40.根據(jù)權(quán)利要求1-39之一所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜或第2陶瓷膜在比600℃低的溫度下形成。
41.一種陶瓷制造裝置，包含形成陶瓷的基體的配置部、加熱部、供給至少作為陶瓷原料一部分的物質(zhì)的活性粒子的活性粒子供給部，和供給電磁波的電磁波發(fā)生部，能在陶瓷的形成區(qū)域上供給活性粒子及電磁波中的至少一種。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的陶瓷制造裝置，在同一燃燒室內(nèi)，還有成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)形成的膜或陶瓷膜成膜的成膜裝置。
43.陶瓷的制造裝置，包含形成陶瓷基體的配置部、供給至少作為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子的活性粒子供給部、供給電磁波的電磁波發(fā)生器，也包含可以在陶瓷的形成區(qū)域供給活性粒子及電磁波中至少一種的結(jié)晶化裝置和由前述結(jié)晶化裝置，和與前述結(jié)晶化裝置另外的燃燒室構(gòu)成的成膜裝置。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的陶瓷制造裝置，在前述結(jié)晶化裝置和前述成膜裝置之間具有真空鎖裝置。
45.根據(jù)前述權(quán)利要求41-44之一所述的陶瓷制造裝置，前述基體的配置部構(gòu)成前述加熱部。
46.根據(jù)前述權(quán)利要求41-45之一所述的陶瓷制造裝置，前述活性粒子供給部及前述電磁波發(fā)生器中至少一方可以對(duì)前述基體部分地供給活性粒子及電磁波中的至少一種。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的陶瓷制造裝置，前述活性粒子及前述電磁波中至少一種可在相對(duì)移動(dòng)狀態(tài)下對(duì)前述基體供給。
48.根據(jù)權(quán)利要求43所述的陶瓷制造裝置，前述成膜裝置是用涂布法，SMCD法，CVD法或?yàn)R射法實(shí)施成膜。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的陶瓷制造裝置，前述成膜裝置用LSMCD法CVD法實(shí)施成膜。
50.半導(dǎo)體器件，具有包含由權(quán)利要求1-40所述的制法形成的介電體膜的電容器。
51.壓電元件，包含由權(quán)利要求1-40所述的制法形成的介電體膜。
52.陶瓷的制法，包含以下工序，即在基體的表面形成對(duì)成膜的陶瓷具有親和力的膜形成部和對(duì)成膜的陶瓷沒有親和力的非膜形成部的工序和通過LSMCD法對(duì)具有前述親和力的膜形成部和沒有前述親和力的非膜形成部供給至少作為陶瓷膜原材料一部分的物質(zhì)的微粒子，自整合(自調(diào)整)地在前述膜形成部上形成陶瓷膜的工序和在前述陶瓷膜上供給電磁波，同時(shí)使該陶瓷膜結(jié)晶化的工序。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的陶瓷制法，在形成前述陶瓷膜的工序及使前述陶瓷膜結(jié)晶化工序中的任何一個(gè)之中，包含把作為前述陶瓷膜原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子在前述陶瓷膜上供給的工序。
54.陶瓷的制造方法，包含以下工序，即在基體的表面形成對(duì)成膜的陶瓷具有親和力的膜形成部和對(duì)成膜的陶瓷沒有親和力的非膜形成部的工序、通過LSMCD法對(duì)具有前述親和力的膜形成部和沒有親和力的非膜形成部供給至少作為陶瓷膜原材料一部分的物質(zhì)的微粒子，自整合(自調(diào)整)地在前述膜形成部上形成陶瓷膜的工序和在前述陶瓷膜上供給成為前述陶瓷膜原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子，同時(shí)使該陶瓷膜結(jié)晶化的工序。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的陶瓷制法，在形成前述陶瓷膜的工序以及使前述陶瓷膜結(jié)晶化的工序之中的任何一個(gè)工序中，包含在前述陶瓷膜上邊供給電磁波邊使該陶瓷膜結(jié)晶化的工序。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷的制法，既包含在規(guī)定區(qū)域供給至少成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子和電磁波，也包括形成陶瓷膜的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷的制法，在前述規(guī)定的區(qū)域上利用陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成膜。
3.一種陶瓷的制法，包含在第1陶瓷膜上供給活性粒子和電磁波，形成與前述第1陶瓷膜的結(jié)晶構(gòu)造不同的第2陶瓷膜的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由非結(jié)晶狀態(tài)的陶瓷構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由結(jié)晶性低的陶瓷構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷制法，其中成為前述陶瓷原材料一部分物質(zhì)的活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)、離子或臭氧。
7.根據(jù)權(quán)利要求3-5之一所述的陶瓷的制法，前述活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)或離子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7之一所述的陶瓷制法，包括把由惰性氣體活性化得到的離子加給前述的活性粒子，甚至供給到規(guī)定區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜的厚度為5-30nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求3-5之一所述的陶瓷制法，前述第2陶瓷膜厚為5-30nm。
11.一種陶瓷的制法，包括在規(guī)定區(qū)域上供給至少成為陶瓷原材料一部分的活性粒子及電磁波中的至少一種，同時(shí)重復(fù)進(jìn)行形成規(guī)定厚度陶瓷膜的工序，形成具有規(guī)定厚度的膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陶瓷制法，在前述規(guī)定區(qū)域上形成由成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陶瓷的制法，前述陶瓷膜的厚度為5-30nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求11-13之一所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜對(duì)基體是部分地形成。
15.陶瓷的制法，包含形成第1陶瓷膜的第1工序，以及把活性粒子及電磁波中的至少一種供給前述第1陶瓷膜，形成與前述第1陶瓷膜的結(jié)晶構(gòu)造不同的第2陶瓷膜的第2工序，把前述第1和第2工序交替地進(jìn)行，形成具有規(guī)定厚度的膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜的厚度為5-30nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜對(duì)基體是部分地形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由非結(jié)晶狀態(tài)的陶瓷構(gòu)成。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由結(jié)晶性低的陶瓷構(gòu)成。
20.根據(jù)權(quán)利要求11-14之一所述的陶瓷制法，成為前述陶瓷原材料一部分的活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)，離子或臭氧。
21.根據(jù)權(quán)利要求15-19之一所述的陶瓷制法，前述活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)，離子或臭氧。
22.根據(jù)權(quán)利要求11-21之一所述的陶瓷制法，把由惰性氣體活性化得到的離子加到前述活性粒子之上，甚至供給到規(guī)定區(qū)域。
23.陶瓷的制法，陶瓷膜的形成區(qū)域是對(duì)基體的部分區(qū)域，包含在規(guī)定區(qū)域供給至少成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子以及電磁波中的至少一種，同時(shí)形成陶瓷膜的工序。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的陶瓷制法，在前述規(guī)定區(qū)域形成由成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜。
25.一種陶瓷的制法，陶瓷膜的形成區(qū)域是對(duì)基體的部分區(qū)域，包含在第1陶瓷膜上供給活性粒子及電磁波中的至少一種，同時(shí)形成與前述第1陶瓷的結(jié)晶構(gòu)造不同的第2陶瓷膜的工序。
26.根據(jù)權(quán)利要求23-25之一所述的陶瓷制法，包含在前述基體的表面上，形成對(duì)成膜的陶瓷有親和力的膜形成部和對(duì)成膜的陶瓷沒有親和力的非膜形成部，自整合(自調(diào)整)地在前述膜形成部上形成陶瓷膜的工序。
27.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由非結(jié)晶狀態(tài)的陶瓷構(gòu)成。
28.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由結(jié)晶性低的陶瓷構(gòu)成。
29.根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的陶瓷制法，成為前述陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子是使由包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)，離子或臭氧。
30.根據(jù)權(quán)利要求25-28之一所述的陶瓷制法，前述活性粒子是使包含氧或氮的物質(zhì)活性化得到的原子團(tuán)或離子。
31.根據(jù)權(quán)利要求23-30之一所述的陶瓷制法，把由隋性氣體活性化得到的離子加給前述的活性粒子，甚至也供給規(guī)定區(qū)域。
32.根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜的厚度為5-30nm。
33.根據(jù)權(quán)利要求25-28之一所述的陶瓷制法，前述第2陶瓷的厚度為5-30nm。
34.根據(jù)權(quán)利要求23-33之一所述的陶瓷制法，多次反復(fù)進(jìn)行前述陶瓷形成工序。
35.根據(jù)權(quán)利要求1-34之一所述的陶瓷制法，對(duì)基體部分地供給前述活性粒子及前述電磁波中的至少一種。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的陶瓷制法，對(duì)前述基體在相對(duì)移動(dòng)狀態(tài)下供給前述活性粒子及前述電磁波中的至少一種。
37.根據(jù)權(quán)利要求3-5，15-19或25所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜是由涂布法，LSMCD法，CVD法或?yàn)R射法形成。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的陶瓷制法，前述第1陶瓷膜由LSMCD法或?yàn)R射法形成。
39.根據(jù)權(quán)利要求1-38之一所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜或第2陶瓷膜由強(qiáng)介電體形成。
40.根據(jù)權(quán)利要求1-39之一所述的陶瓷制法，前述陶瓷膜或第2陶瓷膜在比600℃低的溫度下形成。
41.一種陶瓷制造裝置，包含形成陶瓷的基體的配置部、加熱部、供給至少作為陶瓷原料一部分的物質(zhì)的活性粒子的活性粒子供給部，和供給電磁波的電磁波發(fā)生部，能在陶瓷的形成區(qū)域上供給活性粒子及電磁波中的至少一種。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的陶瓷制造裝置，在同一燃燒室內(nèi)，還有成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)形成的膜或陶瓷膜成膜的成膜裝置。
43.陶瓷的制造裝置，包含形成陶瓷基體的配置部、供給至少作為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子的活性粒子供給部、供給電磁波的電磁波發(fā)生器，也包含可以在陶瓷的形成區(qū)域供給活性粒子及電磁波中至少一種的結(jié)晶化裝置和由前述結(jié)晶化裝置，和與前述結(jié)晶化裝置另外的燃燒室構(gòu)成的成膜裝置。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的陶瓷制造裝置，在前述結(jié)晶化裝置和前述成膜裝置之間具有真空鎖裝置。
45.根據(jù)前述權(quán)利要求41-44之一所述的陶瓷制造裝置，前述基體的配置部構(gòu)成前述加熱部。
46.根據(jù)前述權(quán)利要求41-45之一所述的陶瓷制造裝置，前述活性粒子供給部及前述電磁波發(fā)生器中至少一方可以對(duì)前述基體部分地供給活性粒子及電磁波中的至少一種。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的陶瓷制造裝置，前述活性粒子及前述電磁波中至少一種可在相對(duì)移動(dòng)狀態(tài)下對(duì)前述基體供給。
48.根據(jù)權(quán)利要求43所述的陶瓷制造裝置，前述成膜裝置是用涂布法，SMCD法，CVD法或?yàn)R射法實(shí)施成膜。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的陶瓷制造裝置，前述成膜裝置用LSMCD法CVD法實(shí)施成膜。
50.半導(dǎo)體器件，具有包含由權(quán)利要求1-40所述的制法形成的介電體膜的電容器。
51.壓電元件，包含由權(quán)利要求1-40所述的制法形成的介電體膜。
全文摘要
陶瓷的制法包含在預(yù)定區(qū)域邊供給至少成為陶瓷原材料一部分的物質(zhì)的活性粒子(100A)和電磁波(200A),邊形成陶瓷膜的工序。也可以在前述規(guī)定區(qū)域上形成由陶瓷原材料一部分的物質(zhì)構(gòu)成的膜。還包含在第1陶瓷膜(20a)上供給活性粒子(100A)和電磁波(200A),形成與第1陶瓷膜(20a)的結(jié)晶構(gòu)造不同的第2陶瓷膜的工序。
文檔編號(hào)H01L21/314GK1365400SQ01800706
公開日2002年8月21日 申請(qǐng)日期2001年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月29日
發(fā)明者名取榮治 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社