以單個貼裝封裝實現(xiàn)的完整功率管理系統(tǒng)的制作方法

文檔序號：7222782閱讀：985來源：國知局

專利名稱：以單個貼裝封裝實現(xiàn)的完整功率管理系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明諸實施例涉及與功率管理系統(tǒng)相關的集成電路器件和封裝的領域。
背景技術：
市場上可得到許多種集成電路來幫助進行功率管理任務，例如控制 DC到DC電壓轉換或作為恒流控制器。DC/DC轉換器電路常用作負載點(POL)功率源，以從路由于例如中間總線架構(IBA)的系統(tǒng)周圍的單"塊"電壓中驅動許多種半導體器件。通常，POL轉換器電路放置在每個半導體器件旁邊，并且將單個IBA 電壓偏移到每個集成電路所需要的不同電壓電平。典型地，DC/DC轉換器驅動諸如FPGA、；縱處理器、DSP、 ADC、 SDRAM、上/下轉換器等的器件。DC/DC轉換器電路還常用在包括可再充電電池的系統(tǒng)中。這些應用的特點是便攜性(大小、重量等)和從單次充電開始的服務期限。例如， DC/DC轉換器電路的效率直接影響電池充電之間的從蜂窩電話可得到的待機和通話時間。電流控制產品通常可歸為兩類恒流控制器和恒流源。恒流控制器接受恒定DC電壓并將其轉換為恒流輸出。當輸入電壓遭受變化或不穩(wěn)定時，首先使用DC/DC轉換器來穩(wěn)定DC電壓，然后恒流控制器接受該穩(wěn) 定電壓并輸出恒定電流。恒流源通常包括DC/DC轉換器和恒流控制器。許多集成電路(IC )制造商提供的DC/DC轉換器和電流控制器是僅提供電路功能基本工作的硅芯片。于是最終用戶必須選擇圍繞集成電路的多達約22個其它部件以便創(chuàng)建完整的電路方案。電路板布局和這些部件的選擇影響諸如效率、紋波電壓、可靠性等的關鍵領域的最終性能。遺憾的是，集成電路制造商所限定的這些關鍵特征與用戶添加外部部件而完成板上電路時實現(xiàn)的性能特征可能并不相同。因此，由于直到所有部件第一次聚集在例如印刷電路板上時用戶的部件集合才成為完整的電路功能，所以該功能必須作為該板上的子系統(tǒng)功能而被測試。賓夕法尼亞州Malvern的Vishay Intertechnology 7>司當前提供若干版本的FunctionPAK DC/DC轉換器和電流控制模塊。FunctionPAK^產品是單個貼裝(例如BGA)封裝的完整功率管理系統(tǒng)。有利地，這種產品是單個模塊的完整功率管理功能。該單個封裝包含所有電路部件，并且裝進行全面測試。FunctionPAI^功率管理產品通常包括多芯片模塊(MCM )電路封裝。通常，術語MCM指一種包括兩個或更多電路元件的封裝，通常包括至少一個集成電路以及耦合電路元件與封裝接觸件的互連襯底。MCM器件傳統(tǒng)上包括例如疊層襯底(例如FR4印刷電路板)、薄膜沉積、表面層合電路(SLC)和/或陶瓷襯底。圖1A圖示了包括安裝在多層印刷電路板(PCB)上的許多單獨芯片器件、無源部件和其它零件的示例MCM的頂視圖。例如，該示例MCM 包括集成電路器件l、電感器2、多個無源部件(例如電阻器和/或電容器) 3以及多層印刷電路板(PCB) 4。這些器件和印刷電路板可被模制于塑料中從而產生單個封裝。圖1A還示出了被才莫制于塑料包封5中的部件的側截面圖。圖IB圖示了示例MCM的另一頂視圖。圖1C圖示了供利用陣列(BGA)封裝技術的多芯片模塊中使用的示例PCB的底視圖。圖1C圖示了示例艱鼢陣列球6， ^陣列球6用作將多芯片模塊的電路與下一電子組件(例如安裝到處理器"母"板的其它部件)耦合的封裝接觸件。圖1C圖示了用于耦合MCM的各部件與封裝接觸件(例如"球")的示例跡線7。FunctionPAI^或MCM提供了完整方案并且提供了許多優(yōu)點，例如， MCM節(jié)省了空間和重量，簡化了最終產品設計/開發(fā)，減少了部件數，減少了組裝成本并節(jié)省了測試時間，而且加速了上市時間?；贛CM設計的當前FunctionPAK^功率管理產品在某些情況下可能具有如下若干電和熱局限1)薄銅層所導致的非期望寄生電阻；2)封裝引腳所導致的非期望寄生電感；有限的載流能力；3)寄生和不良熱性能的組合效應所導致的非期望的降低的效率；4)由于使用包封在導熱性不良的才莫料中的經封裝珪器件(控制驅動器和功率MOSFET)而導致的非期望功率密度；5 )(限制了額定工作溫度和電流的)高開關損耗所導致的非期望開關頻率；以及6)所用材料的不良導熱性所導致的非期望熱性能。此外，使用多層PCB作為具有BGA重路由連接的襯底的 FunctionPAK MCM的設計可能提供不良的熱效率和不良的熱沉。因此，電路和有源器件的工作和可靠性可能會受影響。如上所述，當MCM被模制于塑料中時，每個獨立部件的熱耗散元件變得低效。圖2A圖示了另一設計，該設計針對MOSFET器件(高邊11和低邊 12 )使用貼裝部件(安裝在銅上)，且針對DC到DC轉換器系統(tǒng)使用驅動器/控制器10。然而，此方案不是完整功率管理系統(tǒng)，因為其不包括這種系統(tǒng)中所需要的無源部件。圖2B圖示了圖2A中的設計的經封裝頂邊20以及同一視角的x射線圖30。圖2C圖示了圖2A和2B中的設計的封裝機喊圖。封裝底視圖34圖示了用作熱沉(31、 32和33)的引線框或金屬底。遺憾的是，由于完整設計所需要的無源部件未被包括，所以此設計未提供完整系統(tǒng)方案。發(fā)明內容因此，在此描述并^^用貼裝封裝來實現(xiàn)一種完整功率管理系統(tǒng)。該系統(tǒng)可被引入DC到DC轉換器系統(tǒng)，且該系統(tǒng)在貼裝封裝中包括驅動器 /控制器、MOSFET晶體管、無源部件(例如電感器、電容器、電阻器) 和任選的二極管。在各種實施例中，MOSFET晶體管可替換為絕,雙極晶體管IGBT。該系統(tǒng)還可以是功率管理系統(tǒng)、智能功率模塊、電流控制器或運動控制系統(tǒng)。無源部件可連接在引線框連接之間?？墒褂媒饘賷A 接合技術將有源部件與引線框耦合。在一個實施例中，暴露的金屬底可充當有效熱沉。使用貼裝封裝的優(yōu)點包括較高的額定電流、減小的寄生效應和較高的效率。此外，本發(fā)明諸實施例提供較高的功率耗散、較低的熱阻以及下一級組件上較小的占地面積。諸實施例還提供較低的組裝成本。根據本發(fā)明諸實施例，標準貼裝封裝(SMP)與暴露的金屬底一起使用。該封裝可采用銅引線框來替代多層FR4襯底材料(PCB )和BGA 連接。因此，筒化了組裝過程并降低了產品成本。此夕卜，大大增強了 DC-DC 轉換器的性能和可靠性。使用SMP具有許多優(yōu)點。該封裝中的銅引線框比MCM FunctionPAK^中所使用的銅引線框厚得多。因此，與傳統(tǒng)FunctionPAK 相比，寄生電阻顯著降低。另一優(yōu)點是在MOSFET的源極和漏極上使用金屬(例如銅)夾，其改善了 MOSFET的熱和電性能。還可在二極管上使用金屬夾。而且，與MCMFunctionPAK^相比，SMP可處理大得多的電流，這是因為較高電流造成較大功率損耗，其不能借助MCM FunctionPAK^構造的高熱阻率來耗散。此外，SMP可產生較高的效率，這是因為其顯著降低了寄生電感和相關的開關損耗，并且其具有良好的熱性能。而且，SMP具有較高的功率密度，這是因為其良好的熱性能可耗散較大功率，并且其由于硅片無封裝而是較緊湊的。而且，SMP可使電路在較高的開關頻率下工作，這是因為其降低了開關損耗并且其具有低得多的熱阻率。SMP消除了電部件的內部封裝要求。沒有內部封裝，棵露的電路部件由于引線框的高熱導率而將具有較好的熱性能，并且由于較小的寄生電感而將具有較好的電性能。此外，因為無需內部封裝，所以SMP可導致較少的成本。可以擴展SMP實施例以為功率MOSFET應用(在一些示例應用中諸如功率管理、智能(智慧型)功率模塊、DC-DC轉換器和運動控制系統(tǒng))提供新的集成平臺。

圖1A是現(xiàn)有技術的MCM的未經模制的視圖。圖IB是現(xiàn)有技術的MCM的未經模制的視圖。圖1C是現(xiàn)有技術的MCM的BGA的底視圖。圖2A是現(xiàn)有技術的使用貼裝技術的不完整系統(tǒng)的頂視圖。圖2B是圖2A中的現(xiàn)有技術設計的頂視圖。圖2C是圖2A中的現(xiàn)有技術設計的頂視圖和底視圖。圖3A和圖3B圖示了利用了具有金屬底的無引線貼裝封裝的完整功率管理系統(tǒng)的本發(fā)明諸實施例。圖4圖示了根據本發(fā)明實施例對有源部件使用金屬夾接合以改善系統(tǒng)的電和熱特性。圖5圖示了根據本發(fā)明的器件的制造過程。圖6圖示了根據本發(fā)明實施例使用電隔離襯底來利用內部連接將無源部件組合。圖7A和圖7B圖示了本發(fā)明諸實施例的平面圖。圖8圖示了根據本發(fā)明的器件的底視圖，并且圖示了暴露的引線框構造。圖9A圖示了本發(fā)明的經模制的示例實施例的透視圖。圖9B圖示了本發(fā)明的未經模制的示例實施例的透視圖。圖10A圖示了本發(fā)明的示例實施例的平面圖。圖10B圖示了本發(fā)明的未經模制的示例實施例的透視圖。圖11A圖示了本發(fā)明的示例實施例的透^L圖。圖11B圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構造的透視圖。圖12A圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構造的透視圖。圖12B圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構造的平面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在詳細參考本發(fā)明(以單個貼裝封裝實現(xiàn)的完整功率管理系統(tǒng))的優(yōu)選實施例，其例子在附圖中示出。盡管將結合優(yōu)選實施例描述本發(fā)明但應理解，它們并非旨在將本發(fā)明局限于這些實施例。相反，本發(fā)明旨在覆蓋可被包括在所附權利要求所限定的本發(fā)明精神和范圍內的替選方案、修改和等同設置。此外，在下面的本發(fā)明詳細描述中，闡明了許多特定細節(jié)以便提供本發(fā)明的全面理解。然而，本領域普通技術人員應理解，可以無需這些特定細節(jié)而實踐本發(fā)明。在其它情況下，沒有詳細描述公知方法、過程、部件和電路以免不必要地使本發(fā)明諸方面模糊不清。圖3A和圖3B圖示了利用了具有金屬底的無引線貼裝封裝的完整功率管理系統(tǒng)100的本發(fā)明諸實施例。該系統(tǒng)可以是任何功率管理應用，例如DC到DC轉換器、恒流控制器、運動控制系統(tǒng)或智能功率模塊等。根據圖3中的實施例，該系統(tǒng)包括控制器/驅動器集成電路101(例如Vishay Siliconix的集成電路部分Si91966 "高頻可編程拓樸控制器")、MOSFET 晶體管(HiMOS 103和LoMOS 102 )、以及多個無源部件(其中Cn是電容器，Ln是電感器，Rn是電阻器)。有利地，如Ll等所示，無源部件連接在金屬引線框構造的引線柱之間。例如，示出電感器Ll設置在引線框部分105和引線框部分106之間。應理解，根據本發(fā)明諸實施例，電感器L1可與引線框部分105和引線框部分106電耦合。任選地，可用類似方式連接二極管Dl。引線框可包括銅或適用于引線框的其它材料，例如鋁、金以及其它金屬和合金。根據本發(fā)明諸實施例，引線框可以是多層的。應理解，根據本發(fā)明的諸實施例很適合于對部件使用工業(yè)標準貼裝封裝。例如，可以以美國電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(JEDEC)標準封裝 (例如"0201"或"01005")提供電阻器和/或電容器。標準部件的這種使用提供了許多優(yōu)點，包括例如多個源和容易獲得的拾放技術。根據Tsui等人的于2000年5月23日授權的標題為"Separate Circuit Devices in an Intra-Package Configuration and Assembly Techniques"的美國專利號6,066,8卯(其通過引用結合于此)中所描述的技術，本發(fā)明諸實施例可將無源部件連接到引線框。無源部件可連接在引線框的元件之間，以便減小寄生效應(例如電感和/或電容)并且節(jié)省器件空間(例如允許減小系統(tǒng)尺寸)。根據本發(fā)明的諸實施例可利用金屬(例如銅)夾掩^ 110來將有源部件連接到引線框。這改善了系統(tǒng)的熱和電特性。所述有源部件包括驅動器 /控制器和MOSFET驅動器。應理解，根據本發(fā)明諸實施例，使用具有金屬底的無引線貼裝封裝來安裝圖3A和圖3B中的完整功率管理系統(tǒng)100。如下面進一步所述，金屬底可提儉使系統(tǒng)100的熱量耗散的有效熱沉。應進一步理解，MOSFET 晶體管可替換為可用于移動控制系統(tǒng)的絕,雙極晶體管(IGBT )。圖4圖示了系統(tǒng)的頂視圖，并且圖示了根據本發(fā)明實施例使用金屬夾接合以改善系統(tǒng)的電和熱特性。如上所述，系統(tǒng)的有源部件例如驅動器/ 控制器(例如圖3B中的驅動器/控制器101)和MOSFET晶體管(例如圖3B中的LoMOS 102和/或圖3B中的HiMOS 103 )可使用金屬(例如銅)夾齡連接到引線框以便改善器件的電和熱特性。圖4圖示了金屬夾 111、 112、 113、 114、 115和116的頂部。應理解，被圖示為經由金屬夾接合連接的部件被模糊。圖5圖示了根據本發(fā)明的器件的制造的示例過程120。過程120開始于在121形成引線框。引線框可通過傳統(tǒng)手段形成，例如沖壓并彎曲。在 122，放置包括集成電路和無源部件的部件。根據本發(fā)明諸實施例，一些部件(例如集成電路)可利用線M耦合到引線框和/或其它部件。在123，貼，合例如通過汽相或紅外工藝進行回流。在124,器件和引線框被外模制有塑料包封，形成單個封裝。在125，對該封裝進行激光打標以便標識。在126，去除例如模制縫的"飛邊(flash)"或注塑機澆口的"口 (gate)"的模制過程的過多塑料。在127，對引線框的暴露部分進行電鍍，以獲得環(huán)境穩(wěn)定性并提高它們對于下一級組件的可焊接性。在128,單切(singulate)封裝。在129，測試器件。然后將通過測試的那些器件封裝在例如帶和巻軸中130。圖6圖示了根據本發(fā)明實施例使用電隔離襯底來利用內部連接將無源部件組合。在此實施例中，電隔離襯底131 (例如陶瓷)可利用內部連接將若干無源部件組合。然后這種隔離襯底可與引線框的部分和/或其它部件耦合。圖7A和圖7B圖示了根據本發(fā)明諸實施例的完整功率管理系統(tǒng)700 的平面圖。示出MOSFET 701在右上角。示出電感器702直接安裝到引線框的"跨越"部分。在本例中，還使用了二極管Dl 703。可使用金屬 (例如銅)夾接合技術將該二極管連接到引線框。圖7B圖示了具有示例尺寸的示例設計。圖8圖示了根據本發(fā)明的完整系統(tǒng)(其使用無引線貼裝封裝)的底視圖，并且圖示了暴露的引線框構造140。在本發(fā)明的此實施例中，位于器件底上的暴露的引線框充當熱耗散的有效熱沉。圖9A圖示了本發(fā)明的經模制的示例實施例的透視圖。在本實施例中，器件300包括具有覆蓋模制塑料封裝的系統(tǒng)100。示出了該塑料模的略圖，圖示了內部部件。圖9B圖示了本發(fā)明的未經模制的示例實施例的透視圖。示出完整系統(tǒng)100具有驅動器/控制器50、 MOSFET晶體管以及無源部件R， L和C。示出驅動器/控制器50與電感器Ll耦合。示出其它無源部件與引線框連接。圖10A圖示了本發(fā)明的示例實施例的平面圖。如圖所示，完整系統(tǒng) 100包括跨引線框而連接的無源部件(Cn、 Ln、 Rii )，并且還包括驅動器 /控制器50和MOSFET晶體管。圖10B圖示了本發(fā)明的未經模制的示例實施例的透視圖。如圖所示，完整系統(tǒng)100包括跨引線框而連接的無源部件(Cn、 Ln、 Rn )，并且還包括驅動器/控制器50和MOSFET晶體管。圖11A圖示了本發(fā)明的示例實施例的透^L圖。如圖所示，完整系統(tǒng) 100包括跨引線框而連接的無源部件(Cn、 Ln、 Rn ),并且還包括驅動器 /控制器50和MOSFET晶體管。圖11B圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構造的透視圖。這圖示了系統(tǒng)的底部。引線框是金屬。引線框被用作熱耗散的有效熱沉。圖12A圖示了部件露的本發(fā)明的示例實施例的引線框構造的透視圖。圖12B圖示了本發(fā)明的示例實施例的引線框構造的平面圖。這圖示了系統(tǒng)的底部。引線框是金屬。引線框被用作熱耗散的有效熱沉。為了說明和描述的目的而提供了本發(fā)明(以單個貼裝封裝實現(xiàn)的完整功率管理系統(tǒng))特定實施例的以上描述。其并非旨在為窮舉性的或將本發(fā) 明局限于所公開的精確形式，顯然根據上述教導可以作出許多修改和變化。選擇并描述實施例以便最佳地解釋本發(fā)明的原理及其實際應用，從而使本領域的技術人員能夠最佳地利用本發(fā)明以及適合于所考慮的特定應用的帶有各種修改的各種實施例。本發(fā)明的范圍旨在由所附權利要求及其等同設置來限定。
權利要求
1.一種設備，包括控制器集成電路；與所述控制器集成電路耦合的功率MOSFET晶體管；多個無源部件，其中包括至少一個電感器；其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件在功能上耦合以實現(xiàn)完整功率管理系統(tǒng)；其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件被安裝到金屬引線框；并且其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件被包封在塑料中以形成單個封裝。
2. 如權利要求l所述的設備，其中，所述金屬引線框的一部分暴露于所述封裝的背面。
3. 如權利要求2所述的設備，其中，所述金屬引線框的所述部分被設置成與印刷電路板熱耦合。
4. 如權利要求l所述的設備，其中，所述金屬引線框包括銅。
5. 如權利要求l所述的設備，進一步包括金屬夾接合。
6. 如權利要求4所述的設備，進一步包括金屬夾接合。
7. 如權利要求l所述的設備，其中，所述多個無源部件包括二極管。
8. 如權利要求l所述的設備，其中，所述至少一個電感器的端子直接安裝到并且電連接到所述引線框的部分。
9. 如權利要求l所述的設備，其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件通過非襯底耦合在功能上耦合。
10. 如權利要求l所述的設備，其中，所述引線框的一部分提供將所述多個無源部件中的至少兩個單獨無源部件的端子耦合的電路徑。
11. 如權利要求10所述的設備，其中，所述至少兩個單獨無源部件直接安裝到所述引線框的所述部分。
12. —種i殳備，包括完整功率管理系統(tǒng)，其包括控制器集成電路；與所述控制器集成電路耦合的功率MOSFET晶體管；多個無源部件，其中包括至少一個電感器；且其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件在功能上耦合以實現(xiàn)所述完整功率管理系統(tǒng)；并且其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件被設置在無引線貼裝封裝上。
13. 如權利要求12所述的設備，其中，所述無引線貼裝封裝進一步包括暴露的金屬底。
14. 如權利要求12所述的設備，其中，所述暴露的金屬底起到熱耗散的熱沉的作用。
15. 如權利要求12所述的設備，其中，所述多個無源部件進一步包括電阻器和電容器。
16. 如權利要求12所述的設備，其中，所述多個無源部件中的每個部件被耦合在金屬引線框的引線柱之間，所述金屬引線框耦合所述控制器集成電路與所述功率MOSFET晶體管。
17. 如權利要求16所述的設備，其中，所述金屬引線框包括銅。
18. 如權利要求12所述的設備，進一步包括二極管。
19. 如權利要求12所述的設備，其中，使用金屬夾接合將所述控制器集成電路和功率MOSFET晶體管連接到引線框。
20. 如權利要求19所述的設備，其中，所述金屬夾包括銅。
21. 如權利要求18所述的設備，其中，使用金屬夾^連接所述二極管。
22. 如權利要求12所述的設備，其中，所述完整功率管理系統(tǒng)是DC 到DC轉換器。
23. 如權利要求22所述的設備，其中，所述無引線貼裝封裝包括用于接受DC輸入電壓的第一封裝接觸件和用于供給經調節(jié)的DC輸出電壓的第二封裝接觸件。
24. 如權利要求12所述的設備，其中，所述完整功率管理系統(tǒng)是運動控制電路。
25. 如權利要求12所述的設備，其中，所述完整功率管理系統(tǒng)是智能功率模塊。
26. 如權利要求12所述的設備，其中，所述完整功率管理系統(tǒng)包括恒流控制器。
27. 如權利要求26所述的設備，其中，所述無引線貼裝封裝包括用于接受DC輸入電壓的第一封裝接觸件和用于供給恒定輸出電流的第二封裝接觸件。
28. 如權利要求12所述的設備，其中，所述控制器集成電路和所述功率MOSFET晶體管通過非襯底耦合在功能上耦合。
29. —種DC到DC轉換器系統(tǒng)，包括控制器集成電路；與所述控制器集成電路耦合的功率MOSFET晶體管；以及多個無源部件，包括電感器、電阻器和電容器；且其中，所述控制器集成電路、所述功率MOSFET晶體管和所述多個無源部件被設置在具有暴露的金屬底的無引線貼裝封裝上。
30. 如權利要求29所述的系統(tǒng)，其中，所^露的金屬底起到熱耗散的熱沉的作用。
31. 如權利要求29所述的系統(tǒng)，其中，所述多個無源部件中的每個部件被耦合在引線框的引線柱之間，所述引線框耦合所述控制器集成電路與所述功率MOSFET晶體管。
32. 如權利要求29所述的系統(tǒng)，進一步包括二極管。
33. 如權利要求29所述的系統(tǒng)，其中，使用金屬夾接合將所述驅動器集成電路、控制器集成電路和功率MOSFET晶體管連接到引線框。
34. 如權利要求33所述的系統(tǒng)，其中，所述金屬是銅。
全文摘要
一種以單個貼裝封裝實現(xiàn)的完整功率管理系統(tǒng)。該系統(tǒng)可被引入DC到DC轉換器系統(tǒng)，且該系統(tǒng)在無引線貼裝封裝中包括驅動器/控制器、MOSFET晶體管、無源部件(例如電感器、電容器、電阻器)和任選的二極管。在各種實施例中，MOSFET晶體管可替換為絕緣柵雙極晶體管IGBT。該系統(tǒng)還可以是功率管理系統(tǒng)、智能功率模塊或運動控制系統(tǒng)。無源部件可連接在引線框連接之間?？墒褂媒饘賷A接合技術將有源部件與引線框耦合。在一個實施例中，暴露的金屬底可充當有效熱沉。
文檔編號H01L23/31GK101283449SQ200680027240
公開日2008年10月8日申請日期2006年6月30日優(yōu)先權日2005年7月1日
發(fā)明者弗蘭克·郭, 森毛, 白宇明, 穆罕默德·卡塞姆, 薩姆·郭, 金·沃揚申請人:金·沃揚;弗蘭克·郭;薩姆·郭;穆罕默德·卡塞姆;毛森;白宇明

完整全部詳細技術資料下載