專利名稱：：制造基于導(dǎo)電聚合物的低等效串聯(lián)電阻(esr)固體電解電容器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及陰極由本征型導(dǎo)電聚合物形成的固體電解電容器。更具體地說，本發(fā)明涉及處理導(dǎo)電聚合物的單體以延長適用期且提高聚合物涂布性能的方法。
背景技術(shù)：
：以導(dǎo)電聚合物作為陰極材料的固體電解電容器已經(jīng)廣泛用于電子工業(yè)，因?yàn)槠涞刃Т?lián)電阻(ESR)有利地較低且具有"非燃燒/非點(diǎn)燃，，失效模式。當(dāng)例如Ta、Al和Nb等閥金屬以及例如陶瓷NbO等導(dǎo)電氧化物用作陽極時(shí)，包括聚吡咯、聚苯胺和聚(3,4-亞乙基二氧噻喻)(PEDOT)的各種類型的導(dǎo)電聚合物作為陰極材料涂覆于電解電容器。在制造基于導(dǎo)電聚合物的閥金屬電容器的制造過程中，例如機(jī)械擠壓Ta粉以形成Ta金屬顆粒，其隨后在真空下高溫?zé)Y(jié)。在電解質(zhì)溶液中陽極處理燒結(jié)顆粒以在陽極表面形成介電層(Ta205)。隨后通過多次浸漬聚合過程沉積多層導(dǎo)電聚合物，如聚3,4-亞乙二氧基遙吩(PEDOT)。在該聚合過程中，首先涂覆氧化劑溶液(例如溶劑中的對甲苯磺酸鐵(m)溶液)至陽極上。隨后涂覆如DWheeler等人于美國專利第6,136,176號(hào)和R.Hahn等人于美國專利第6,334,966號(hào)中所公開的液態(tài)單體或單體溶液。由于聚合反應(yīng)，故在電介質(zhì)表面將形成聚合物層。洗滌涂有聚合物的陽極以去除過量反應(yīng)物和副產(chǎn)物。此聚合步驟可重復(fù)多次以獲得期望厚度的導(dǎo)電聚合物層。導(dǎo)電聚合物層應(yīng)相當(dāng)堅(jiān)固以便保護(hù)陽極不會(huì)在聚合后過程中遭到可能的機(jī)械損壞且不會(huì)直接接觸隨后涂覆的為在導(dǎo)電聚合物陰極與外部電路之間提供連接的碳和銀層。涂有碳和銀的陽極隨后包埋，老化處理且測試以完成制造過程。圖l說明了基于導(dǎo)電聚合物的電容器的示意性結(jié)構(gòu)。圖1中，電容器具有陽極l,如鉭陽極。例如鉭線等陽極線2從陽極延伸，且通過例如焊點(diǎn)3與引線框8電接觸。電介質(zhì)位于陽極表面。電介質(zhì)表面涂有導(dǎo)電聚合物5。碳涂層4和銀漆7優(yōu)選經(jīng)由銀粘合劑10提供對陰極引線的粘附和傳導(dǎo)。在引線框上提供可焊接的涂層9以增強(qiáng)安裝期間與村底等的粘附。墊圈6在層堆疊期間保護(hù)陽極線。基于導(dǎo)電聚合物的電容器的ESR特征受導(dǎo)電聚合物的質(zhì)量影響很大。非常期望導(dǎo)電聚合物的結(jié)構(gòu)具有高度的電子離域或共軛，如同在交替單鍵與雙鍵結(jié)構(gòu)或芳香結(jié)構(gòu)中那樣，此提供實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)電性的基礎(chǔ)。另外，因?yàn)榈虴SR電容器在經(jīng)由表面安裝法安裝于電路板上時(shí)會(huì)經(jīng)受熱機(jī)械應(yīng)力，所以致密且堅(jiān)固的聚合物層為其所必需。ESR根據(jù)成品電容器中的陽極大小而不同。出于本發(fā)明的目的，ESR依據(jù)尺寸為4.9mmx3.25mmx1.7mm的V形盒陽極(V-caseanode)—皮限定，其中低ESR^^皮限定為小于約50毫歐，優(yōu)選小于約25毫歐且最優(yōu)選小于約10毫歐。非常需要始終如一地產(chǎn)生此種質(zhì)量聚合物的聚合方法。已知導(dǎo)電聚合物的形成遵守氧化偶聯(lián)機(jī)制。用例如鐵鹽等氧化劑氧化單體以形成帶電基團(tuán)，其隨后彼此偶聯(lián)以變成二聚體。這些二聚體經(jīng)由類似步驟經(jīng)進(jìn)一步氧化以形成分子量更大的片段，從而形成聚合物。圖2提供聚合物的一實(shí)例PEDOT。通過深入研究，發(fā)明人已確定單體浴中高水平的非共軛二氫噻吩會(huì)導(dǎo)致成品的性能特征顯著退化。該種退化體現(xiàn)在成品電容器的ESR的增加。該種退化的機(jī)制先前并未得到準(zhǔn)確表征。在努力確保足夠電容器特性的過程中，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐是頻繁更換單體溶液。這導(dǎo)致過度浪費(fèi)和人力資源的使用不足。通過深入研究，發(fā)明人已確定退化機(jī)制，且已通過減輕該退化機(jī)制的作用來提供單體溶液、所得聚合物膜的改進(jìn)和所得電容器的驚人改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種可始終如一地制造基于導(dǎo)電聚合物的低ESR電容器的方法。本發(fā)明的另一目的在于提供一種有效控制聚合過程以制造基于導(dǎo)電聚合物的低ESR電容器的方法。本發(fā)明的目的還在于描述一種可用于控制聚合反應(yīng)中的反應(yīng)物(單體)質(zhì)量的方法。本發(fā)明的特定目的在于提供一種改進(jìn)型單體溶液，其中老化得到減輕，從而獲得用氧化劑處理后的改進(jìn)型聚合物。本發(fā)明的具體特征為能夠提供具有改進(jìn)、較低ESR的電容器，且所迷電容器的成本較低，制造效率較高，且在大量成品電容器中測得的ESR保持較高一致性。正如將被實(shí)現(xiàn)的，在經(jīng)處理以保持期望pH水平的含有本征型導(dǎo)電聚合物單體的單體溶液中可提供這些和其他優(yōu)勢。形成電容器的方法提供另一優(yōu)勢。該方法包括形成閥金屬陽極。電介質(zhì)形成于陽極上。通過用包含本征型導(dǎo)電聚合物單體和至少一種堿性物質(zhì)的單體溶液涂布電介質(zhì)將本征型導(dǎo)電聚合物形成于電介質(zhì)上。單體隨后發(fā)生聚合。形成大量電容器的方法提供另一優(yōu)勢。該方法包括形成閥金屬或閥金屬氧化物陽極；在這些陽極的每個(gè)陽極上形成電介質(zhì)；形成包含本征型導(dǎo)電聚合物單體的單體溶液；用堿性物質(zhì)和離子交換物質(zhì)中的至少一種處理單體溶液以達(dá)到至少4至不超過7的第一pH;通過用單體溶液涂布電介質(zhì)在每一該電介質(zhì)上形成本征型導(dǎo)電聚合物；以及使單體發(fā)生聚合。圖l說明具有本征型導(dǎo)電聚合物陰極的固體電解電容器的結(jié)構(gòu)。圖2說明在對甲苯磺酸鐵(ni)存在下3,4-亞乙二氧基p塞吩聚合的步驟。圖3說明在質(zhì)子(布朗斯泰德(Bransted))酸存在下3,4-亞乙二氧基噻吩的聚合。具體實(shí)施例方式本文提供一種改進(jìn)型單體溶液，其被保護(hù)免于老化且因此得到導(dǎo)電性8較高的顯著改進(jìn)型聚合物。的方法。更具體地說，本文提供一種允許始終如一地制造所述電容器的方法。優(yōu)選高達(dá)約1000S/cm的高聚合物導(dǎo)電性為導(dǎo)電聚合物電容器的低ESR應(yīng)用所必需。為實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的ESR降低，人們已付出了大量的努力，包括應(yīng)用各種類型的氧化劑和摻雜劑、摻入各種材料以"穩(wěn)定"導(dǎo)電聚合物和其它正在進(jìn)行的方法優(yōu)化。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)使用pH大于4的單體可實(shí)現(xiàn)聚合物的較高導(dǎo)電性。此外，可通過維持pH大于4來提高單體溶液和所得導(dǎo)電聚合物膜的一致性。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)使用高純度級(jí)單體的低ESR優(yōu)勢會(huì)隨時(shí)間減小，表明高純度單體在使用期間發(fā)生老化。分析"老化"單體發(fā)現(xiàn)單體溶液的pH下降，這顯然是因?yàn)樵陉枠O多次浸漬過程中單體中的酸積累的結(jié)果。pH的下降表明促進(jìn)副反應(yīng)聚合產(chǎn)物的質(zhì)子酸發(fā)生積聚，如圖3所示。尤其要關(guān)注副反應(yīng)聚合中的未共軛環(huán)的摻入。未共輒環(huán)破壞電子的導(dǎo)電通路且因此降低聚合物鏈的導(dǎo)電性。對未共軛環(huán)摻入機(jī)制的這種新穎的理解現(xiàn)在使得潛在退化機(jī)制與成品電容器的ESR變化性相關(guān)聯(lián)。這種相關(guān)性先前未得到解決且因此也未提出解決由此引起的主要問題的機(jī)制。因?yàn)榉撬杂袡C(jī)介質(zhì)的pH無法直接測量，所以本文描述一種實(shí)現(xiàn)此種測量的方法。將等量的水不溶性單體溶液和去離子水置于離心管中且劇烈振蕩2分鐘。然后離心該混合物5分鐘且萃取水層。測量水性萃取物的pH,作為不同使用階段下單體溶液的pH的替代值。數(shù)據(jù)概括在表l中。使用相同程序測量去離子水以作為對照值且也列在表l中。表l:對于比較組合物所獲得的pH值<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>單體中存在酸容易引發(fā)"S吏催化型"副反應(yīng)，其與期望聚合反應(yīng)直接竟?fàn)?。圖3說明所建議的步驟。酸催化型反應(yīng)產(chǎn)生非共軛二氫噻吩分子，其導(dǎo)致不良的導(dǎo)電性，而圖2所示的氧化聚合則產(chǎn)生具有高程度共軛的高導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電聚合物電容器的ESR受存在酸催化型反應(yīng)產(chǎn)物負(fù)面影響，因?yàn)閷?dǎo)電聚合物基體的電阻增加(共軛程度降低)。為了制造高導(dǎo)電聚合物，應(yīng)防止酸催化型反應(yīng)發(fā)生，或至少抑制該反應(yīng)以使其負(fù)面作用降至最低。若沒有得到抑制，則溶液的pH可繼續(xù)下降至pH3及更低，因?yàn)樗釙?huì)進(jìn)一步積累。已作出努力自單體溶液去除積累的酸內(nèi)容物。如上所述，pH是溶液酸度的指標(biāo)，且應(yīng)控制在約4至7、更優(yōu)選約4至6且最優(yōu)選約4.5至5.5的pH范圍內(nèi)。已發(fā)現(xiàn)在液態(tài)單體溶液中用^U生物質(zhì)中和酸可有效控制酸催化型副反應(yīng)，從而防止新鮮單體發(fā)生老化。優(yōu)選的堿性物質(zhì)包括金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機(jī)堿和堿性有機(jī)鹽。實(shí)例包括(但不限于)堿金屬氧化物和氫氧化物、堿土金屬氧化物和氫氧化物、氬氧化鐵、有機(jī)胺(例如二甲胺和二乙胺)、烷醇胺(例如二乙醇胺)、氨基醇(例如2-氨基-2-甲基-1-丙醇，商品名AMP-95，購自AngusChemicals,BuffaloGrove,IL)。已發(fā)現(xiàn)蒸餾老化單體可使來自酸催化型反應(yīng)的不想要的產(chǎn)物的存在降至最低，從而使單體免于老化。此種技術(shù)雖然在分批過程中適用，但在連續(xù)或近連續(xù)制造環(huán)境下無法提供實(shí)用的方法。單體3,4-亞乙二氧基噻吩(EDOT)在室溫下為液體且容易在真空下蒸餾以產(chǎn)生純度極高的精確餾分。已發(fā)現(xiàn)例如水、溶劑和其它污染物等雜質(zhì)在EDOT沸點(diǎn)以下被充分地蒸餾去掉，使得在蒸餾過程結(jié)束時(shí)可獲得純單體。非水單體的新鮮再生溶液可經(jīng)復(fù)原以用于涂布過程。還發(fā)現(xiàn)使液態(tài)單體通過堿性陰離子交換樹脂或膜柱可有效防止單體發(fā)生老4b，例如商用產(chǎn)品Lewatit系歹'J(購自SybronChemicalsInc.,Birmingham,NJ)和Dowex系歹'J(購自DowChemicalCompany,Midland,Michigan)。在一尤其優(yōu)選的實(shí)施方式中，提供一種連續(xù)制造方法，其中單體溶液連續(xù)地或周期性地自浸漬容器，通過純化裝置如堿性陰離子交換柱且返回浸漬容器。這連續(xù)地去除聚合過程中的酸積聚且消除更換單體溶液的需要。在一尤其優(yōu)選的實(shí)施方式中，測定經(jīng)純化單體溶液的pH且隨后予以監(jiān)控。一旦從起始pH達(dá)到預(yù)定降低，比如pH改變0.5，就使溶液通過純化循環(huán)而循環(huán)。測試和純化循環(huán)的頻率取決于在一段時(shí)間內(nèi)制造的電容器的數(shù)量。認(rèn)為單體溶液酸化的主要原因是來自氧化劑或來自聚合反應(yīng)副產(chǎn)物的酸積累。重復(fù)浸漬入單體或單體溶液中的步驟引起系統(tǒng)酸度增加。一種去除這些酸性物質(zhì)的方法是通過在降溫下沉淀，隨后過濾沉淀物。來自單體"老化"的想要和不想要產(chǎn)物的積聚證據(jù)可經(jīng)由氣相色譜測量發(fā)現(xiàn)。以3,4-亞乙二氧基瘞吩作為實(shí)例，單體、非共軛二聚體和共輒二聚體的峰可以區(qū)分。隨著時(shí)間流逝，觀察到非共軛峰強(qiáng)度(二氫噻吩)在使用期間升高。已發(fā)現(xiàn)單體溶液中非共軛二氫噻吩的含量應(yīng)控制在低于IOwt%、更優(yōu)選低于5wt。/。且最優(yōu)選低于2wt%。術(shù)語苯胺、聚吡咯和噻吩當(dāng)用于本文中以指代單體或其聚合物時(shí)，除非明確指明特定化合物，否則同等地指代未經(jīng)取代或經(jīng)取代的化合物或衍生物。實(shí)施例比舉交實(shí)施例將大小為4.90mmx3.25mmx1.70mm的470nF4V額定鉭陽極棒浸漬入對曱苯磺酸鐵(m)溶液(氧化劑)中，干燥，且隨后浸漬入新鮮3,4-亞乙二氧基嚷吩(單體)中。在經(jīng)聚合以在陽極電介質(zhì)表面形成導(dǎo)電聚合物(PEDOT)薄層后，洗滌陽極以去除過量單體和反應(yīng)副產(chǎn)物。然后重整陽極，也就是在稀磷酸溶液中經(jīng)受DC電壓以修復(fù)電介質(zhì)的任何損壞且因此減少DC泄漏。重復(fù)此浸漬-重整過程循環(huán)直到形成厚的聚合物層。用常規(guī)方法將碳和銀涂料涂覆于陽極上，且在100KHz下測量電容器的ESR。測試結(jié)果列在表2中。實(shí)施例1將大小為4.90mmx3.25mmx1.70mm的470pF4V額定鉭陽極棒浸漬入對甲苯磺酸鐵(m)溶液(氧化劑)中，千燥，且隨后浸漬入含有5wt%對甲苯磺酸的3,4-亞乙二氧基"羞吩(單體)溶液中。在完成聚合以在陽極電介質(zhì)上形成導(dǎo)電聚合物(PEDOT)薄層后，洗滌陽極以去除過量單體和反應(yīng)副產(chǎn)物。然后使陽極在稀磷酸溶液中經(jīng)受DC電壓或重整以減少DC泄漏。重復(fù)此浸漬-重整過程循環(huán)直到形成厚的聚合物層。將碳和銀涂料涂覆于陽極上。以比較實(shí)施例中所述的相同方式測量電容器的ESR。測試結(jié)果列在表2中。實(shí)施例2將大小為4.90mmx3.25mmx1.70mm的470pF4V額定鉭陽極棒浸漬入對曱苯磺酸鐵(ni)溶液(氧化劑)中，干燥，且隨后浸漬入含有5wt%對甲苯磺酸的3,4-亞乙二氧基喀吩(單體)溶液中，該溶液用Ca(OH)2處理整夜且過濾。在完成聚合以在陽極電介質(zhì)表面形成導(dǎo)電聚合物(PEDOT)薄層后，洗滌陽^l以去除過量單體和反應(yīng)副產(chǎn)物。然后使陽極在稀磷酸溶液中經(jīng)受DC電壓或重整以減少DC泄漏。重復(fù)此浸漬-重整過程循環(huán)直到形成厚的聚合物層。將碳和銀涂料涂覆于陽極上。以比較實(shí)施例中所述的相同方式測量電容器的ESR。測試結(jié)果列在表2中。實(shí)施例3將大小為4.90mmx3.25mmx1.70mm的470pF4V額定鉭陽極棒浸漬入對甲苯磺酸鐵(III)溶液(氧化劑)中，干燥，且隨后浸漬入含有5wt%對甲苯磺酸的單體溶液中，該溶液用無水陰離子交換樹脂(LewatitMP62,SybronChemicals,Birmingham,NJ)處理整夜且過濾。在完成聚合以在陽極電介質(zhì)上形成導(dǎo)電聚合物(PEDOT)薄層后，洗滌陽極以去除過量單體和反應(yīng)副產(chǎn)物。然后使陽極在稀磷酸溶液中經(jīng)受DC電壓或重整以減少DC泄漏。重復(fù)此浸漬-重整過程循環(huán)直到形成厚的聚合物層。將碳和銀涂料涂覆于陽極上。以比較實(shí)施例中所述的相同方式測量電容器的ESR。測試結(jié)果列在表2中。表2:單體質(zhì)量對ESR'的影響<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>*ESR是在100KHz下測量。從表2所列的數(shù)據(jù)顯而易見，單體中存在酸會(huì)使電容器的ESR性能顯著退化。所述ESR退化可通過用堿性物質(zhì)或堿性陰離子交換樹脂處理受酸影響的單體而避免或至少降至最低。已依據(jù)非限制性實(shí)施例描述了本發(fā)明。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所明了的改變包含在所主張的本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)。工業(yè)應(yīng)用本發(fā)明適用于改進(jìn)在電子工業(yè)中普遍使用的電容器的質(zhì)量。1權(quán)利要求1.一種形成電容器的方法，其包含形成閥金屬陽極；在該陽極上形成電介質(zhì)；向容器灌裝本征型導(dǎo)電聚合物的單體溶液；用所述單體溶液涂布所述電介質(zhì)，由此產(chǎn)生用過的單體溶液；使所述單體發(fā)生聚合；和處理所述用過的單體溶液以形成再生單體溶液，其中所述單體溶液包含所述再生單體溶液。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成電容器的方法，其進(jìn)一步包含使所述單體與氧化劑反應(yīng)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成電容器的方法，其包含浸漬于氧化劑中。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成電容器的方法，其中所述浸漬在所述用所述單體溶液涂布所述電介質(zhì)后進(jìn)行。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成電容器的方法，其中所述單體溶液為非水溶液。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成電容器的方法，其中所述本征型導(dǎo)電聚合物的單體包含至少一種選自聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩的聚合物的單體。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成電容器的方法，其中所述本征型導(dǎo)電聚合物的單體包含聚瘞吩的單體。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成電容器的方法，其中所述本征型導(dǎo)電聚合物的單體基本上由所述聚喀吩的單體組成。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成電容器的方法，其中所述單體溶液具有至少4至不超過7的pH。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成電容器的方法，其中所述單體溶液具有至少4至不超過6的pH。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成電容器的方法，其中所述單體溶液具有至少4.5至不超過5.5的pH。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成電容器的方法，其中所述處理選自添加堿性物質(zhì)至所述用過的單體溶液中和使所述用過的單體通過離子交換柱。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成電容器的方法，其中所述堿性物質(zhì)包含至少一種選自由以下組成的群組的物質(zhì)金屬氧化物、金屬氫氧化物、石咸金屬氧化物、》威金屬氫氧化物、；成土金屬氧化物、-喊土金屬氫氧化物、有機(jī)胺和有機(jī)胺醇。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的形成電容器的方法，其進(jìn)一步包含自所述用過的單體溶液去除所述堿性物質(zhì)。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的形成電容器的方法，其中所述離子交換柱包含樹脂。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的形成電容器的方法，其中所述使所述用過的單體通過離子交換柱在所述形成電容器期間連續(xù)進(jìn)行。17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的形成電容器的方法，其中所述離子交換柱包含膜。18.—種形成大量電容器的方法，其包含形成閥金屬陽極；在所述陽極的每個(gè)陽極上形成電介質(zhì)；形成包含本征型導(dǎo)電聚合物單體的單體溶液；用^s威性物質(zhì)和離子交換物質(zhì)中的至少一種處理所述單體溶液以達(dá)到至少4至不超過7的第一pH;通過用所述單體溶液涂布所述電介質(zhì)在每個(gè)所述電介質(zhì)上形成本征型導(dǎo)電聚合物；和使所述單體發(fā)生聚合。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成電容器的方法，其中所述單體溶液為非水溶液。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成電容器的方法，其中所述本征型導(dǎo)電聚合物的單體包含至少一種選自聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩的聚合物的單體。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的形成電容器的方法，其中所述本征型導(dǎo)電聚合物的單體包含聚嘻吩的單體。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的形成電容器的方法，其中所述本征型導(dǎo)電聚合物的單體基本上由所述聚噻吩的單體組成。23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成電容器的方法，其中所述單體溶液具有至少4至不超過7的pH。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的形成電容器的方法，其中所述單體溶液具有至少4至不超過6的pH。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的形成電容器的方法，其中所述單體溶液具有至少4.5至不超過5.5的pH。26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成電容器的方法，其中所述堿性物質(zhì)包含至少一種選自由以下組成的群組的物質(zhì)金屬氧化物、金屬氫氧化物、石成金屬氧化物、堿金屬氫氧化物、》威土金屬氧化物、^喊土金屬氫氧化物、有機(jī)胺和有機(jī)胺醇。27.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成電容器的方法，其進(jìn)一步包含測量所迷單體溶液的第二pH，且當(dāng)所述第二pH低于所述第一pH達(dá)到預(yù)定量時(shí)，處理所述單體溶液。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的形成電容器的方法，其中所述預(yù)定量為0.5。29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的形成電容器的方法，其中所述處理所述單體溶液包含使所述單體溶液通過離子交換柱。30.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成電容器的方法，其中所述處理所述單體溶液包含使所述單體溶液通過離子交換柱。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的形成電容器的方法，其中所述處理所述單體溶液包含使所述單體溶液通過離子交換柱在所述形成電容器期間是連續(xù)的過程。32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的形成電容器的方法，其中所述離子交換柱包含樹脂。33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的形成電容器的方法，其中所述離子交換柱包含膜。34.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成電容器的方法，其中所述電容器的每個(gè)電容器都具有小于50毫歐的ESR。35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的形成電容器的方法，其中所述電容器的每個(gè)電容器都具有小于20毫歐的ESR。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的形成電容器的方法，其中所述電容器的每個(gè)電容器都具有小于10毫歐的ESR。37.根據(jù)權(quán)利要求27所述的形成電容器的方法，其中所述處理所述單體溶液包含蒸餾和再結(jié)晶中的至少一種。38.根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成電容器的方法，其中所述處理所述單體溶液是在所述形成本征型導(dǎo)電聚合物后進(jìn)行。全文摘要本發(fā)明涉及一種在本征型導(dǎo)電聚合物的涂布過程中維持單體質(zhì)量以抑制不想要的副產(chǎn)物的方法。本發(fā)明還涉及一種使用堿性或陰離子交換樹脂的中和方法，其是分批或連續(xù)使用。文檔編號(hào)H01G9/028GK101663719SQ200880012036公開日2010年3月3日申請日期2008年4月16日優(yōu)先權(quán)日2007年4月16日發(fā)明者蘭迪·S·哈恩,基恩·R·布倫尼曼,菲力普·M·萊森納,辛西婭·L·普恩斯,邱永堅(jiān),陳清平申請人:凱米特電子公司