專利名稱：一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用pcb載帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微電子半導(dǎo)體封裝技術(shù)、集成電路封裝技術(shù)，特別涉及一種用于封裝微型射頻模塊的PCB載帶。
背景技術(shù)：
隨著集成電路封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，集成電路的集成度日益提高，功能越來(lái)越豐富。對(duì)于不斷出現(xiàn)的新應(yīng)用需求，要求集成電路封裝企業(yè)能設(shè)計(jì)出新型的封裝載帶來(lái)配合新的需求。目前，傳統(tǒng)的電子標(biāo)簽封裝先采用倒裝芯片技術(shù)將射頻芯片安裝在線路中，再將負(fù)載電容以SMT的形式貼附于電子標(biāo)簽線路中，其存在生產(chǎn)工序繁瑣、可靠性差、成本高、 設(shè)備資金投入大、設(shè)備專用性強(qiáng)、產(chǎn)品應(yīng)用和推廣性差等缺點(diǎn)；比如一些超小型要求、高集成度要求、高頻、高速的集成電路，傳統(tǒng)的射頻芯片封裝方式就不能有效發(fā)揮其性能，勢(shì)必需要通過(guò)新的集成度高的封裝形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，高集成度新型封裝形式的開(kāi)發(fā)迫在眉睫。目前，集成電路封裝業(yè)界已經(jīng)推出基于集成電路基礎(chǔ)上的扁平無(wú)引腳封裝形式 (QFN封裝)，這種封裝形式主要應(yīng)用于常規(guī)集成電路的改進(jìn)型封裝，但還存在體積偏大、集成度低、成本偏高的缺點(diǎn)；而對(duì)于帶負(fù)載電容的微型射頻模塊的無(wú)引腳封裝，它要求超小的尺寸、超高的集成度，目前本領(lǐng)域技術(shù)在該方面還處于空白。在封裝射頻模塊時(shí)，載帶的采用對(duì)模塊的封裝、形成模塊的質(zhì)量等方面都起到非常大作用。即若對(duì)帶負(fù)載電容的微型射頻模塊進(jìn)行無(wú)引腳封裝首先必須要有相適應(yīng)的載帶，目前常規(guī)的載帶將無(wú)法實(shí)現(xiàn)該模塊的封裝，為此，設(shè)計(jì)一種能夠用于帶負(fù)載電容的微型射頻模塊無(wú)引腳封裝的載帶，是本領(lǐng)域亟需解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有載帶無(wú)法用于帶負(fù)載電容的微型射頻模塊的無(wú)引腳封裝的問(wèn)題，而提供一種新型載帶，通過(guò)該載帶在沿用大部分生產(chǎn)設(shè)備和工藝的前提下，能夠?qū)崿F(xiàn)高集成度的微型射頻模塊的無(wú)引腳封裝，并達(dá)到超小尺寸、超薄厚度的要求。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明可以采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)—種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，包括載帶體，該載帶體的中間部位由復(fù)數(shù)個(gè)單個(gè)載帶連接排列而成，且所述單個(gè)載帶上分別設(shè)置有芯片承載區(qū)域及芯片焊線區(qū)域；所述單個(gè)載帶上還設(shè)置有負(fù)載電容承載區(qū)域，并與芯片焊線區(qū)域相接；所述載帶體整體為雙面線路板結(jié)構(gòu)，所述雙面線路板由基材層、敷銅箔層及油墨阻焊層覆合而成； 且在單個(gè)載帶區(qū)域內(nèi)的敷銅箔層上刻有相應(yīng)的線路，兩層之間通過(guò)導(dǎo)通孔進(jìn)行連接；所述單個(gè)載帶上的芯片焊線區(qū)域形成于敷銅箔層上，且與負(fù)載電容承載區(qū)域使用串聯(lián)的方式連接，由敷銅箔層上的線路將負(fù)載電容承載區(qū)域與芯片焊線區(qū)域?qū)āＫ龌膶訛镕R4基材層，厚度為60um。所述敷銅箔層的厚度為15um，其上的線路通過(guò)蝕刻的方式蝕刻而成。
所述油墨阻焊層的厚度為25um，其將表面不需要導(dǎo)通的敷銅箔層進(jìn)行阻隔。所述載帶體的上下邊緣設(shè)有定位孔，所述定位孔包括用于單個(gè)載帶中心位置定位的圓形定位孔、用于載帶上下位置定位的橢圓形定位孔。所述雙面線路板正面的敷銅箔層上依次電鍍一層厚度為5um的鎳層和一層厚度為0. 5um的軟金層；所述雙面線路板背面的敷銅箔層上依次電鍍一層厚度為5um的鎳層和一層厚度為0. 5um的軟金層。所述單個(gè)載帶以陣列式的方式連接排布在載帶體的中間部位。所述單個(gè)載帶在載帶體成品后，可通過(guò)切割方式分開(kāi)形成封裝好的帶負(fù)載電容的微型射頻模塊，切割時(shí)的寬度，縱、橫度均為0. 3mm。所述切割形成的微型射頻模塊的尺寸為1. 4mmX 1. 1mm。根據(jù)上述技術(shù)方案得到的本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)能夠?qū)崿F(xiàn)帶負(fù)載電容的微型射頻模塊的無(wú)引腳封裝，并達(dá)到尺寸小、厚度超薄、集成度高的要求。(2)本發(fā)明的實(shí)施可沿用大部分生產(chǎn)設(shè)備和工藝，無(wú)需購(gòu)買或設(shè)計(jì)生產(chǎn)設(shè)備，大大降低了載帶原料成本、生產(chǎn)成本、整體生產(chǎn)時(shí)間。(3)利用本發(fā)明能夠批量的封裝微型射頻模塊，能夠進(jìn)一步降低本低，同時(shí)大大提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。(4)利用本發(fā)明提供的載帶封裝成的產(chǎn)品不僅生產(chǎn)成本極低，而且產(chǎn)品的可靠性
尚ο(5)根據(jù)本發(fā)明制成的微型射頻模塊可以廣泛應(yīng)用于各類有源或無(wú)源通訊產(chǎn)品中，具有通用性強(qiáng)，整體成本低，可靠性高，選擇面廣等優(yōu)點(diǎn)，極大地推動(dòng)全球電子標(biāo)簽的發(fā)展，適合各個(gè)不同使用領(lǐng)域的需求，具有更好的應(yīng)用前景。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為載帶區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為單個(gè)載帶的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為圖3在A-A方向的截面圖。圖5為單個(gè)載帶的頂層敷銅箔層的示意圖。圖6為單個(gè)載帶的底層敷銅箔層的示意圖。圖7為單個(gè)載帶的頂層油墨阻焊層的示意圖。圖8為單個(gè)載帶的底層油墨阻焊層的示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。參見(jiàn)圖1，本發(fā)明提供的可用于封裝帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶， 其主要包括一載帶體100，該載帶體100為條狀，由多個(gè)載帶區(qū)200依次連接而成。載帶區(qū)200整體是由若干個(gè)單個(gè)載帶300按陣列式方式排布連接而成(如圖2所示)。參見(jiàn)圖3，為了能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)帶負(fù)載電容的微型射頻模塊的封裝，整個(gè)載帶體100采用印刷線路板結(jié)構(gòu)，并在載帶體100中的每個(gè)單個(gè)載帶300上凸設(shè)有用于承載芯片的芯片承載區(qū)域301、負(fù)載電容承載區(qū)域302和用于打金線焊接的芯片焊線區(qū)域303?；谏鲜鲈O(shè)計(jì)原理，本發(fā)明具體實(shí)施如下參見(jiàn)圖1和圖2，本發(fā)明以尺寸為1.4mmXl. Imm的產(chǎn)品為例，該實(shí)施例中的載帶體100為條狀，由四個(gè)載帶區(qū)200依次連接而成。每個(gè)載帶區(qū)200由若干單個(gè)載帶300采用陣列排布方式連接而成。由于每個(gè)單個(gè)載帶300最終形成一產(chǎn)品，故單個(gè)載帶300的尺寸為 1. 4mmX 1. Imm0同時(shí)為了提高產(chǎn)品的可靠性，本發(fā)明中的載帶體100整體采用雙面線路板，繼而單個(gè)載帶300也為雙面線路板結(jié)構(gòu)，具體在FR4基材層400的上下兩面上分別依次覆合敷銅箔層500及油墨阻焊層600而成(如圖4所示)，兩層之間通過(guò)導(dǎo)通孔700進(jìn)行連接。為了控制成品的總厚度，載帶體100中的基材層400的厚度采為60um，敷銅箔層 500的厚度為15um，油墨阻焊層600的厚度為25um。單個(gè)載帶上的芯片焊線區(qū)域303形成于敷銅箔層上，并且與負(fù)載電容承載區(qū)域 302使用串聯(lián)的方式連接，由敷銅箔層上的線路將負(fù)載電容承載區(qū)域與芯片焊線區(qū)域?qū)ā?具體如圖5和圖6所示，在載帶體100中敷銅箔層500上通過(guò)蝕刻方式蝕刻有相應(yīng)的的線路 501。如圖7和圖8所示，整個(gè)載帶體100中敷設(shè)的油墨阻焊層600用于將載帶表面封裝時(shí)不需要導(dǎo)通的敷銅箔層進(jìn)行阻隔，并且防止在生產(chǎn)過(guò)程中意外短路造成產(chǎn)品不良。由上述技術(shù)方案將得到較為完整的載帶，為了方便后續(xù)的加料和切割，載帶體100 中每個(gè)載帶區(qū)200的四周邊蝕刻有切割對(duì)位的圖形。如圖2所示，該切割對(duì)位圖形包括在敷銅層上蝕刻的用于縱向切割位置定位的長(zhǎng)方圖形201、在敷銅層上蝕刻的用于橫向切割位置定位的長(zhǎng)方圖形202。如圖2所示，載帶上開(kāi)設(shè)有用于單個(gè)載帶區(qū)中心位置定位的圓形定位孔203、用于載帶上下位置定位的橢圓形定位孔204。在后道工序中在芯片承載區(qū)域301貼芯片以及焊線區(qū)域303打金線(如圖3所示)，為了能夠提高產(chǎn)品的可靠性，本發(fā)明中的載帶體100最后采用先電鍍鎳，再電鍍金的工藝進(jìn)行加工。具體是對(duì)雙面線路板中敷銅箔層分別進(jìn)行先電鍍鎳再電鍍金的加工工藝，即在雙面線路板正面的敷銅箔層上先電鍍一層厚度為5um的鎳層，再電鍍一層厚度為 0. 5um的軟金層；同時(shí)在雙面線路板背面的敷銅箔層上先電鍍一層厚度為5um的鎳層，再電鍍一層厚度為0. 5um的軟金層。最后載帶體成品后，先在載帶的負(fù)載電容承載區(qū)域貼上電容，再在載帶體上每個(gè)單個(gè)載帶上的芯片承載區(qū)域貼上芯片，并在相應(yīng)的焊線區(qū)域302打金線，再進(jìn)行模塑成型制成成品。在成品后，可使用切割的方式將單個(gè)載帶分開(kāi)，形成最終封裝好的微型射頻模塊。 切割后，使得產(chǎn)品邊緣平整無(wú)毛刺，切割寬度，縱、橫均為0. 3mm,即切割時(shí)切割槽的寬度為 0. 3mmο由上述技術(shù)方案得到的本發(fā)明在具體實(shí)施時(shí)，可沿用大部分生產(chǎn)設(shè)備和工藝，無(wú)需購(gòu)買或設(shè)計(jì)生產(chǎn)設(shè)備，大大降低成本并且提高產(chǎn)品集成度。同時(shí)能夠進(jìn)行批量生產(chǎn)生產(chǎn)效率和成品率極高。 以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，包括載帶體，該載帶體的中間部位由復(fù)數(shù)個(gè)單個(gè)載帶連接排列而成，且所述單個(gè)載帶上分別設(shè)置有芯片承載區(qū)域及芯片焊線區(qū)域；其特征在于，所述單個(gè)載帶上還設(shè)置有負(fù)載電容承載區(qū)域，并與芯片焊線區(qū)域相接；所述載帶體整體為雙面線路板結(jié)構(gòu)，所述雙面線路板由基材層、敷銅箔層及油墨阻焊層覆合而成；且在單個(gè)載帶區(qū)域內(nèi)的敷銅箔層上刻有相應(yīng)的線路，兩層之間通過(guò)導(dǎo)通孔進(jìn)行連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，其特征在于，所述單個(gè)載帶上的芯片焊線區(qū)域形成于敷銅箔層上，且與負(fù)載電容承載區(qū)域使用串聯(lián)的方式連接，由敷銅箔層上的線路將負(fù)載電容承載區(qū)域與芯片焊線區(qū)域?qū)ā?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，其特征在于，所述基材層為FR4基材層，厚度為60um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，其特征在于，所述敷銅箔層的厚度為15um，其上的線路通過(guò)蝕刻的方式蝕刻而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，其特征在于，所述油墨阻焊層的厚度為25um，其將表面不需要導(dǎo)通的敷銅箔層進(jìn)行阻隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，其特征在于，所述載帶體的上下邊緣設(shè)有定位孔，所述定位孔包括用于單個(gè)載帶中心位置定位的圓形定位孔、用于載帶上下位置定位的橢圓形定位孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，其特征在于，所述雙面線路板正面的敷銅箔層上依次電鍍一層厚度為5um的鎳層和一層厚度為 0. 5um的軟金層；所述雙面線路板背面的敷銅箔層上依次電鍍一層厚度為5um的鎳層和一層厚度為0. 5um的軟金層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，其特征在于，所述單個(gè)載帶以陣列式的方式連接排布在載帶體的中間部位。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，其特征在于，所述單個(gè)載帶在載帶體成品后，可通過(guò)切割方式分開(kāi)形成封裝好的帶負(fù)載電容的微型射頻模塊，切割時(shí)的寬度，縱、橫度均為0. 3mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，其特征在于，所述切割形成的微型射頻模塊的尺寸為1.4mmXl. 1mm。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種帶負(fù)載電容的微型射頻模塊封裝用PCB載帶，該載帶體的中間部位由復(fù)數(shù)個(gè)單個(gè)載帶連接排列而成，且所述單個(gè)載帶上分別設(shè)置有芯片承載區(qū)域、負(fù)載電容承載區(qū)域及焊線區(qū)域；所述載帶體為雙面線路板結(jié)構(gòu)，所述雙面線路板由基材層、敷銅箔層及阻焊層覆合而成，并在表面涂覆阻焊油墨，且單個(gè)載帶上的敷銅箔上刻有相應(yīng)的線路，兩層之間通過(guò)導(dǎo)通孔進(jìn)行連接。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)帶負(fù)載電容的微型射頻模塊的無(wú)引腳封裝，并達(dá)到尺寸小、厚度超薄的要求，并可沿用大部分生產(chǎn)設(shè)備和工藝，無(wú)需購(gòu)買或設(shè)計(jì)生產(chǎn)設(shè)備，大大降低了載帶原料成本、生產(chǎn)成本、整體生產(chǎn)時(shí)間。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102237323SQ20101015719
公開(kāi)日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月27日
發(fā)明者唐榮燁, 楊輝峰, 蔣曉蘭 申請(qǐng)人:上海長(zhǎng)豐智能卡有限公司