專利名稱：發(fā)光設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及一種發(fā)光設(shè)備。
背景技術(shù)：
由于其物理和化學(xué)特性，已經(jīng)廣泛使用III-V族氮化物半導(dǎo)體作為用于諸如發(fā)光 二極管(LED)或激光二極管(LD)等的發(fā)光裝置的主要材料。通常，III-V族氮化物半導(dǎo)體 包括具有Μ/Ι^^ΝΟ)彡χ彡1，0彡y彡1，以及O彡x+y彡1)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體 材料。LED是通過(guò)利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為紅外線或者光來(lái)發(fā)送或接收 信號(hào)的半導(dǎo)體器件。LED還用作光源。使用氮化物半導(dǎo)體材料的LED主要用于發(fā)光裝置以提供光。例如，使用氮化物半 導(dǎo)體材料的LED被作為用于諸如蜂窩電話的鍵區(qū)發(fā)光部分、電子標(biāo)識(shí)牌以及發(fā)光裝置等的 各種產(chǎn)品的光源來(lái)使用。通過(guò)以各種形狀加工透鏡或包封構(gòu)件來(lái)將這樣的LED布置在發(fā)光設(shè)備上，以調(diào)節(jié) 從發(fā)光裝置發(fā)出的光的分布特性。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的發(fā)光設(shè)備。實(shí)施例提供一種包括結(jié)構(gòu)新穎的透鏡的發(fā)光設(shè)備。實(shí)施例提供一種具有寬取向角的發(fā)光設(shè)備。根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備可以包括組件本體；第一電極和第二電極；發(fā)光裝置， 該發(fā)光裝置電連接到第一電極和第二電極，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層和有源層，該有源層位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；以及透鏡，該透鏡 被支撐在組件本體上，并且該透鏡的至少一部分包括反射結(jié)構(gòu)，其中，所述組件本體包括第 一空腔，第一電極和第二電極的一端暴露于第一空腔中，且第一電極和第二電極的另一端 在組件本體的橫向側(cè)暴露，并且，在第一電極的暴露于第一空腔中的預(yù)定部分處形成有第 二空腔。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備可以包括襯底；位于該襯底上的發(fā)光裝置組件；以及透 鏡，該透鏡由襯底支撐在發(fā)光裝置組件上方并且包括反射結(jié)構(gòu)，其中，該透鏡包括透鏡本體 和透鏡支撐件，該透鏡本體具有第一凹部，該透鏡支撐件支撐所述透鏡本體使得透鏡本體 與所述襯底隔開。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備可以包括襯底；發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置位于襯底上，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層，該有源層位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；包封物，該包封物位于所述襯底和發(fā)光裝置上，以包圍該發(fā)光裝 置；以及透鏡，該透鏡由襯底支撐在發(fā)光裝置上方并且包括反射結(jié)構(gòu)。
根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光裝置可以包括襯底；發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置位于襯底上，并且 包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層，該有源層位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；包封物，該包封物位于所述襯底和發(fā)光裝置上，以包圍該發(fā)光裝 置；透鏡，該透鏡由襯底支撐在發(fā)光裝置上方并且包括凹部；以及冷光材料，該冷光材料形 成在透鏡和/或包封物中的至少一個(gè)上，以吸收從發(fā)光裝置發(fā)出的光從而將該光轉(zhuǎn)換為另 一類型的光，其中，所述冷光材料包括第一冷光材料和第二冷光材料，該第一冷光材料和第 二冷光材料通過(guò)吸收從發(fā)光裝置發(fā)出的光而發(fā)出具有不同頻帶的光，并且第一冷光材料的 比例高于第二冷光材料的比例。


圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的透視圖； 圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的截面透視圖； 圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的截面透視圖； 圖4是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的透鏡的另一示例的截面透視
圖5是示出圖1和圖2所示的、根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的光分布的視圖； 圖6是示出圖3所示的、根據(jù)第一實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備的光分布的視
圖7至圖13是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的各種示例的截面圖； 圖14是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的發(fā)光裝置的截面圖； 圖15是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的發(fā)光器件的另一示例的截面圖16和圖17是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的視圖18是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另--示例的視圖
圖19是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖20是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖21是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖22是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖23是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖24是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖25是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖26是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖27是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖28是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖29是示出根據(jù)第二二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的又--示例的視圖
圖30和圖31是用于說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的光女
具體實(shí)施例方式在以下實(shí)施例的描述中，應(yīng)理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另 一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一墊或另一圖案“上”或“下”時(shí)，它可以“直接”或“間 接”位于另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、墊或圖案上，或者也可以存在有一個(gè)或多個(gè)中間層。已 經(jīng)參考附圖描述了層的這種位置。為了方便或清楚起見，附圖所示的每一層的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意 性繪出。另外，元件的尺寸并不完全反映實(shí)際尺寸。在下文中，將參考附圖來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)所述實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備。第一實(shí)施例圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的透視圖，并且圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施 例的發(fā)光設(shè)備的截面透視圖。參考圖1和圖2，根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備包括第一電極沈、第二電極27、組件 本體21、發(fā)光裝置22以及透鏡30。能夠通過(guò)使用適于注入成型的聚合物樹脂來(lái)形成組件本體21。例如，該聚合物樹 脂包括PPA(聚鄰苯二甲酰胺)或LCP (液晶聚合物)。用于組件本體21的材料可以不限于 聚合物樹脂，而是諸如硅酮等的各種樹脂材料均能用于組件本體21。另外，組件本體21可 以包括陶瓷材料。根據(jù)該實(shí)施例，組件本體21具有大致矩形六面體結(jié)構(gòu)，在其上部形成有第一空腔 28。第一電極沈與第二電極27電氣隔離。第一電極沈和第二電極27的一端暴露于 第一空腔觀中，并且第一電極沈和第二電極27的另一端在組件本體21的兩個(gè)橫向側(cè)暴
Mo根據(jù)該實(shí)施例，在組件本體的兩個(gè)橫向側(cè)，第一電極沈和第二電極27中的每一個(gè) 電極均被分為三個(gè)部分，但該實(shí)施例不限于此。第一電極沈和第二電極27可以分為兩個(gè) 部分或者可以不進(jìn)行劃分。在組件本體21中，第一電極沈和第二電極27的三個(gè)劃分的部分相互電連接。第一電極沈和第二電極27的底表面的至少一部分布置成與組件本體21的底表 面處于同一平面上。另外，第一電極26的底表面的至少兩個(gè)部分可以布置成與組件本體21 的底表面處于同一平面上。另外，第一電極沈的暴露于第一空腔觀中的中央向下凹陷，從而形成第二空腔 四。第一電極26的與第二空腔四相對(duì)應(yīng)的底表面從組件本體21向下突出。第一電極沈和第二電極27不僅將電力供應(yīng)給發(fā)光裝置22，而且散發(fā)由發(fā)光裝置 22生成的熱并且反射從發(fā)光裝置22發(fā)出的光。 發(fā)光裝置22安裝在第一電極沈上。例如，發(fā)光裝置22可以包括發(fā)光二極管芯片， 該發(fā)光二極管芯片具有η型半導(dǎo)體層、有源層以及ρ型半導(dǎo)體層。發(fā)光裝置22可以包括諸 如藍(lán)光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片或綠光發(fā)光二極管芯片等的彩色發(fā)光二極管 芯片，或者發(fā)出UV光的UV光發(fā)光二極管芯片。能夠?yàn)榘l(fā)光裝置22采用各種發(fā)光二極管芯 片。
發(fā)光裝置22通過(guò)電線(未示出)電連接到第一電極沈和第二電極27。例如，發(fā) 光裝置22的一部分通過(guò)電線連接到第二電極27，并且發(fā)光裝置22的其余部分通過(guò)與第一 電極26直接接觸而電連接到第一電極26。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極沈的第二空腔四中。在組件本體21中形成的第一空腔觀和在第一電極沈中形成的第二空腔四被制 備成凹部的形式，當(dāng)從其頂部觀察時(shí)，這些凹部具有圓形形狀或多邊形形狀。另外，第一空 腔觀和第二空腔四的內(nèi)壁可以傾斜，以允許由發(fā)光裝置22產(chǎn)生的光容易地發(fā)射到外部。 此外，還能夠在第一空腔觀的傾斜表面21a上形成有反射材料。透鏡30安裝在發(fā)光裝置22上，以改變從發(fā)光裝置22發(fā)出或者從第一空腔觀和 第二空腔四的內(nèi)周壁反射的光的取向角。例如，透鏡30包括硅酮樹脂或環(huán)氧樹脂。透鏡30的至少一部分可以包括冷光材料。另外，設(shè)置在透鏡30下方的發(fā)光裝置 22的至少一部分可以包括冷光材料。具體地，該冷光材料能夠形成在發(fā)光裝置22的表面 上，或者能夠形成在發(fā)光裝置22與透鏡30之間，同時(shí)與發(fā)光裝置22隔開。透鏡30可以不形成在第一空腔觀和第二空腔四中。在這樣的情況下，透鏡30 由組件本體21支撐，從而透鏡30能夠布置在發(fā)光裝置22上方。此外，在不形成于第二空 腔四中的情況下，透鏡30能夠形成在第一空腔28中，使得透鏡30能夠布置在發(fā)光裝置22 上方并與發(fā)光裝置22隔開。另外，透鏡30能夠形成在第一空腔觀和第二空腔四中，同時(shí) 與發(fā)光裝置22的頂表面接觸。能夠不同地選擇透鏡30的位置，從而透鏡30能夠與發(fā)光裝 置22接觸或者能夠與發(fā)光裝置22隔開。透鏡30在半固化狀態(tài)下被注入到組件本體21中或者在固化狀態(tài)下與組件本體21 聯(lián)接。透鏡30具有凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)，并且在透鏡30的中央形成有向下凹陷的凹部32。例如，暴露 到組件本體21之外的透鏡30可以具有半球形形狀，并且凹部32形成在透鏡30上，同時(shí)沿 豎直方向與發(fā)光裝置22重疊。透鏡30的至少一部分包括反射結(jié)構(gòu)37。例如，該反射結(jié)構(gòu)37能夠形成在凹部32 中。反射結(jié)構(gòu)37的面積相當(dāng)于基于透鏡30的上表面的面積的5%至60%。凹部32可以 被反射結(jié)構(gòu)37完全或部分填充。由于反射結(jié)構(gòu)37形成在凹部32中，所以能夠從反射結(jié)構(gòu) 37反射從發(fā)光裝置22發(fā)出的光、從第一空腔觀的內(nèi)周壁和底表面反射的光、或者在從第一 空腔觀的內(nèi)周壁和底表面反射之后被朝著凹部32定向的光，使得該光沿著透鏡30的側(cè)向 方向行進(jìn)。因此，從發(fā)光裝置22發(fā)出的光以及從第一空腔28和第二空腔四的底表面和內(nèi)周 壁反射的光穿過(guò)透鏡30的外周部分發(fā)射到外部，該外周部分即透鏡30的未形成有反射結(jié) 構(gòu)37的區(qū)域。因此，由于光能夠穿過(guò)透鏡30的外周部分發(fā)射到外部，所以根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā) 光設(shè)備能夠提供具有寬取向角的光。例如，通過(guò)將具有70%或更大透射率的有機(jī)物與能夠?qū)膺M(jìn)行反射或散射的無(wú)機(jī) 物混合，能夠獲得反射結(jié)構(gòu)37。該無(wú)機(jī)物可以包括Ti02、SiO2, Al、Al2O3以及Ag中的至少 一種。根據(jù)該有機(jī)物和無(wú)機(jī)物之間的混合比，反射結(jié)構(gòu)37能夠完全或部分反射光。該有機(jī) 物和無(wú)機(jī)物之間的混合比在1 0.001至1 1的范圍內(nèi)。另外，例如，反射結(jié)構(gòu)37可以包括通過(guò)使用Si02、Ti02、Al、Ag以及Ti中的至少一種而形成的沉積層。該沉積層可以具有大約100A或更大的厚度。根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備，凹部32形成在透鏡30上，同時(shí)沿豎直方向與發(fā)光裝 置22重疊，并且反射結(jié)構(gòu)37形成在凹部32中，從而能夠調(diào)節(jié)從發(fā)光裝置22發(fā)出的光的取 向角。圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的截面透視圖。圖1所示的發(fā) 光設(shè)備包括第一電極26、第二電極27、組件本體21、發(fā)光設(shè)備22以及透鏡30。能夠通過(guò)使用適于注入成型的聚合物樹脂來(lái)形成組件本體21。例如，該聚合物樹 脂包括PPA(聚鄰苯二甲酰胺)或LCP (液晶聚合物)。用于組件本體21的材料可以不限于 聚合物樹脂，而是諸如硅酮等的各種樹脂材料均能用于組件本體21。另外，組件本體21可 以包括陶瓷材料。根據(jù)該實(shí)施例，組件本體21具有大致矩形六面體結(jié)構(gòu)，在其上部形成有第一空腔 28。第一電極沈與第二電極27電氣隔離。第一電極沈和第二電極27的一端暴露于 第一空腔觀中，并且第一電極沈和第二電極27的另一端在組件本體21的兩個(gè)橫向側(cè)暴
Mo根據(jù)實(shí)施例，在組件本體21的兩個(gè)橫向側(cè)，第一電極沈和第二電極27中的每一 個(gè)電極均被分為三個(gè)部分，但該實(shí)施例不限于此。第一電極26和第二電極27可以分為兩 個(gè)部分或者可以不進(jìn)行劃分。在組件本體21中，第一電極沈和第二電極27的三個(gè)劃分的 部分相互電連接。第一電極沈和第二電極27的底表面的至少一部分布置成與組件本體21的底表 面處于同一平面上。另外，第一電極26的底表面的至少兩個(gè)部分可以布置成與組件本體21 的底表面處于同一平面上。另外，第一電極沈的暴露于第一空腔觀中的中央向下凹陷，從而形成第二空腔 四。第一電極26的與第二空腔四相對(duì)應(yīng)的底表面從組件本體21向下突出。第一電極沈和第二電極27不僅將電力供應(yīng)給發(fā)光裝置22，而且發(fā)散由發(fā)光裝置 22生成的熱并且反射從發(fā)光裝置22發(fā)出的光。發(fā)光裝置22安裝在第一電極沈上。例如，發(fā)光裝置22可以包括發(fā)光二極管芯片， 該發(fā)光二極管芯片具有η型半導(dǎo)體層、有源層以及ρ型半導(dǎo)體層。發(fā)光裝置22可以包括諸 如藍(lán)光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片或綠光發(fā)光二極管芯片等的彩色發(fā)光二極管 芯片，或者發(fā)出UV光的UV光發(fā)光二極管芯片。能夠?yàn)榘l(fā)光裝置22采用各種發(fā)光二極管芯 片。發(fā)光裝置22通過(guò)電線(未示出)電連接到第一電極沈和第二電極27。例如，發(fā) 光裝置22的一部分通過(guò)電線連接到第二電極27，并且發(fā)光裝置22的其余部分通過(guò)與第一 電極26直接接觸而電連接到第一電極26。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極沈的第二空腔四中。在組件本體21中形成的第一空腔觀和在第一電極沈中形成的第二空腔四被制 備成凹部的形式，當(dāng)從其頂部觀察時(shí)，這些凹部具有圓形形狀或多邊形形狀。另外，第一空 腔觀和第二空腔四的內(nèi)壁可以傾斜，以允許由發(fā)光裝置22產(chǎn)生的光容易地發(fā)射到外部。此外，還能夠在第一空腔28的傾斜表面21a上形成有反射材料。
透鏡30安裝在發(fā)光裝置22上，以改變從發(fā)光裝置22發(fā)出或者從第一空腔觀和 第二空腔四的內(nèi)周壁反射的光的取向角。例如，透鏡30包括硅酮樹脂或環(huán)氧樹脂。透鏡30的至少一部分可以包括冷光材料。另外，設(shè)置在透鏡30下方的發(fā)光裝置22的至少一部分可以包括冷光材料。具體 地，該冷光材料能夠形成在發(fā)光裝置22的表面上，或者能夠形成在發(fā)光裝置22與透鏡30 之間，同時(shí)與發(fā)光裝置22隔開。透鏡30可以不形成在第一空腔觀和第二空腔四中。在這樣的情況下，透鏡30 由組件本體21支撐，從而透鏡30能夠布置在發(fā)光裝置22上方。此外，在不形成于第二空腔四中的情況下，透鏡30能夠形成在第一空腔觀中，使 得透鏡30能夠布置在發(fā)光裝置22上方并與發(fā)光裝置22隔開。另外，透鏡30能夠形成在第一空腔28和第二空腔四中時(shí)與發(fā)光裝置22的頂表 面接觸。能夠不同地選擇透鏡30的位置，從而透鏡30能夠與發(fā)光裝置22接觸或者能夠與 發(fā)光裝置22隔開。透鏡30在半固化狀態(tài)下被注入到組件本體21中或者在固化狀態(tài)下與組件本體21聯(lián)接。透鏡30具有凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)，并且在透鏡30的中央形成有向下凹陷的凹部32。例如，暴露到組件本體21之外的透鏡30可以具有半球形形狀，并且凹部32形成 在透鏡30上，同時(shí)沿豎直方向與發(fā)光裝置22重疊。透鏡30的至少一部分包括反射結(jié)構(gòu)37。例如，該反射結(jié)構(gòu)37能夠形成在凹部32 中。反射結(jié)構(gòu)37的面積相當(dāng)于基于透鏡30的上表面的面積的5%至60%。凹部32可以 被反射結(jié)構(gòu)37完全或部分填充。由于反射結(jié)構(gòu)37形成在凹部32中，所以能夠從反射結(jié)構(gòu)37反射從發(fā)光裝置22 發(fā)出的光、從第一空腔觀的內(nèi)周壁和底表面反射的光、或者在從第一空腔觀的內(nèi)周壁和底 表面反射之后被朝著凹部32導(dǎo)向的光，使得該光沿著透鏡30的側(cè)向方向行進(jìn)。因此，從發(fā)光裝置22發(fā)出的光以及從第一空腔28和第二空腔四的底表面和內(nèi)周 壁反射的光穿過(guò)透鏡30的外周部分被發(fā)射到外部，該外周部分即透鏡30的未形成有反射 結(jié)構(gòu)37的區(qū)域。因此，由于光能夠穿過(guò)透鏡30的外周部分發(fā)射到外部，所以根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā) 光設(shè)備的另一示例能夠提供具有寬取向角的光。例如，通過(guò)將具有70%或更大透射率的有機(jī)物與能夠?qū)膺M(jìn)行反射或散射的無(wú)機(jī) 物混合，能夠獲得反射結(jié)構(gòu)37。該無(wú)機(jī)物可以包括Ti02、SiO2, Al、A1203、以及Ag中的至少 一種。根據(jù)該有機(jī)物和無(wú)機(jī)物之間的混合比，反射結(jié)構(gòu)37能夠完全或部分反射光。該有機(jī) 物和無(wú)機(jī)物之間的混合比在1 0.001至1 1的范圍內(nèi)。另外，例如，反射結(jié)構(gòu)37可以包括通過(guò)使用Si02、Ti02、Al、Ag以及Ti中的至少一 種而形成的沉積層。該沉積層可以具有大約100A或更大的厚度。根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，凹部32形成在透鏡30上，同時(shí)沿豎直方 向與發(fā)光裝置22重疊，并且反射結(jié)構(gòu)37形成在凹部32中，從而能夠調(diào)節(jié)從發(fā)光裝置22發(fā) 出的光的取向角。
根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，形成在透鏡30上的凹部32的面積大于 形成在圖1和圖2的發(fā)光設(shè)備中的凹部32的面積。圖1和圖2所示的凹部32的面積小于第二空腔四的面積。然而，圖3所示的凹 部32的面積大于第二空腔四的面積。因此，可以與凹部32的面積成比例地放大該反射結(jié) 構(gòu)37的面積。由于圖3所示的發(fā)光設(shè)備的反射結(jié)構(gòu)37比圖1和圖2所示的發(fā)光設(shè)備的反射結(jié) 構(gòu)37大，所以從發(fā)光設(shè)備發(fā)出的光的取向角能夠變得更寬，從而該發(fā)光設(shè)備沿側(cè)向方向可 以呈現(xiàn)優(yōu)異的光效率。圖4是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例中使用的透鏡的截面透視 圖。參考圖4，在透鏡130的上表面上形成有向下凹陷的第一凹部132，并且在第一凹 部132中形成有第一反射結(jié)構(gòu)137。另外，在第一凹部132的周圍形成有向下凹陷的第二凹 部134，并且在第二凹部134中形成有第二反射結(jié)構(gòu)138。例如，第二凹部134被制備成圍繞第一凹部132的環(huán)的形式。另外，第一凹部132 可以比第二凹部134深。第一反射結(jié)構(gòu)37與第二反射結(jié)構(gòu)138隔開一段預(yù)定距離。能夠根據(jù)第一反射結(jié) 構(gòu)137的面積、第二反射結(jié)構(gòu)138的面積以及第一反射結(jié)構(gòu)137和第二反射結(jié)構(gòu)138之間 的間隔來(lái)調(diào)節(jié)該發(fā)光設(shè)備的光分布。圖5是示出圖1和圖2所示的、根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的光分布的視圖，并且 圖6是示出圖3所示的、根據(jù)第一實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備的光分布的視圖。圖4所 示的根據(jù)第一實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備的光分布與圖6所示的發(fā)光設(shè)備類似，因此， 為了避免重復(fù)，在附圖中將其省略。如圖5所示，在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的情況下，峰-峰取向角是90°至 120°。如圖6所示，在根據(jù)第一實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備的情況下，峰-峰取向角是 130° 至 165°。S卩，從發(fā)光設(shè)備發(fā)出的光的分布根據(jù)沿豎直方向與發(fā)光裝置22重疊的凹部32和 形成在該凹部32上的反射結(jié)構(gòu)37的面積而變化。圖7至圖13是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的各種示例的截面圖。圖7至圖 13示出具有各種類型的冷光材料的發(fā)光設(shè)備，并且為了避免重復(fù)，將會(huì)省略已經(jīng)參考圖1 至圖6描述過(guò)的說(shuō)明。參考圖7，該發(fā)光設(shè)備包括第一電極沈、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以 及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極沈上或者通過(guò)電線140電連接到第二電極27?？梢栽诎l(fā)光裝置22與透鏡30之間布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一至第三冷光材料223a至223c，并且包封物2M包括第一 至第四包封物22 至2Md，其中，第一包封物22 包圍發(fā)光裝置22，第一冷光材料223a 形成在第一包封物22 上，第二包封物224b形成在第一冷光材料223a上，第二冷光材料 223b形成在第二包封物224b上，第三包封物22 形成在第二冷光材料22 上，第三冷光 材料223c形成在第三包封物22 上，并且第四包封物224d形成在第三冷光材料223c上。第一至第三冷光材料223a至223c在彼此隔開的同時(shí)與發(fā)光裝置22隔開。例如，第一至第四包封物22 至224d可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂。在該發(fā)光設(shè)備中至少包括兩種類型的冷光材料。根據(jù)該實(shí)施例，描述三種類型的 冷光材料作為第一至第三冷光材料223a至223c。例如，如果發(fā)光裝置22是發(fā)出藍(lán)光的藍(lán)光發(fā)光二極管芯片，那么第一冷光材料 223a和第二冷光材料22 能夠設(shè)置在該發(fā)光設(shè)備中。在這樣的情況下，第一冷光材料223a 和第二冷光材料22 可以分別用作發(fā)出黃光的黃光冷光材料和發(fā)出綠光的綠光冷光材 料，或者分別用作發(fā)出黃光的黃光冷光材料和發(fā)出紅光的紅光冷光材料。另外，第一冷光材 料223a和第二冷光材料22 可以分別用作發(fā)出紅光的紅光冷光材料和發(fā)出綠光的綠光冷 光材料。例如，如果發(fā)光裝置22是發(fā)出藍(lán)光的藍(lán)光發(fā)光二極管芯片，那么第一至第三冷光 材料223a至223c能夠設(shè)置在該發(fā)光設(shè)備中。在這樣的情況下，第一至第三冷光材料223a 至223c可以分別用作發(fā)出黃光的黃光冷光材料、發(fā)出綠光的綠光冷光材料以及發(fā)出紅光 的紅光冷光材料。第一至第三冷光材料223a至223c可以布置在從發(fā)光裝置22發(fā)出的光的光學(xué)路 徑上?？拷l(fā)光裝置22的冷光材料可以發(fā)出具有較短波長(zhǎng)的光。例如，如果發(fā)光裝置22 是藍(lán)光發(fā)光二極管芯片，那么第一冷光材料223a包括綠光冷光材料，第二冷光材料22 包 括黃光冷光材料，并且第三冷光材料223c包括紅光冷光材料。另外，例如，如果發(fā)光裝置22 是UV光發(fā)光二極管芯片，那么第一冷光材料223a包括藍(lán)光冷光材料，第二冷光材料22 包括綠光冷光材料，并且第三冷光材料223c包括紅光冷光材料。綠光冷光材料可以包括基于氧氮化物的冷光材料或者基于硅酸鹽的冷光材料，黃 光冷光材料可以包括YAG冷光材料、TAG冷光材料或者基于硅酸鹽的冷光材料，并且紅光冷 光材料可以包括基于氧氮化物的冷光材料或者基于氮化物的冷光材料。如果第一至第三冷光材料分別用作綠光冷光材料、黃光冷光材料和紅光冷光材 料，那么黃光冷光材料的量最大，而紅光冷光材料的量最小。綠光冷光材料可以包括發(fā)出具有50至lOOnm、優(yōu)選為60至90nm的FWHM (半峰全 寬)的光的冷光材料。例如，綠光冷光材料是發(fā)出具有60至IOOnm的FWHM的光的、基于硅 酸鹽的冷光材料并且包括(Sr，Ba，Mg，Ca)2Si04:EU2+，或者發(fā)出具有50至70nm的FWHM的 光的、基于氧氮化物的冷光材料并且包括Si6_xAlx0xN8_x:EU2+(0 < X < 6)。在基于硅酸鹽的 冷光材料的情況下，如果Ba的摩爾比等于或者大于Sr的摩爾比，那么基于硅酸鹽的冷光材 料可以發(fā)出具有綠光的波段的光。另外，如果Sr的摩爾比大于Ba的，那么基于硅酸鹽的冷 光材料可以發(fā)出具有黃光的波段的光。另外，能夠選擇性地采用Mg和Ca中的至少一種。黃光冷光材料發(fā)出具有50至IOOnm或者120nm或以上的FWHM的光。例如，黃 光冷光材料是包括Y3Al5O12 = Ce3+的YAG冷光材料、包括Tb3Al5O12 = Ce3+的TAG冷光材料、或 者發(fā)出具有60至IOOnm的FWHM 的光的基于硅酸鹽的冷光材料，并且包括(Sr，Ba, Mg， Ca) 2Si04: EU2+O紅光冷光材料可以包括發(fā)出具有80至llOnm、優(yōu)選為90至IOOnm的FWHM的光的、 基于氮化物的冷光材料。例如，紅光冷光材料可以包括發(fā)出具有90至IOOnm的光的冷光材 料并且包括CaAlSiN3:EU2+。
例如，第一冷光材料223a可以包括基于氧氮化物的冷光材料，第二冷光材料22 可以包括YAG冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包括基于氮化物的冷光材料。另外，例如，第一冷光材料223a可以包括基于硅酸鹽的冷光材料，第二冷光材料 22 可以包括基于硅酸鹽的冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包括基于氮化物或者 基于氧氮化物的冷光材料。此外，例如，第一冷光材料223a可以包括基于硅酸鹽的冷光材料，第二冷光材料 223b可以包括YAG冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包括基于氧氮化物的冷光材料。另外，例如，第一冷光材料223a可以包括YAG冷光材料或者基于硅酸鹽的冷光材 料，第二冷光材料22 可以包括基于氧氮化物的冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包 括基于氧氮化物的冷光材料。此外，例如，第一冷光材料223a可以包括基于氧氮化物的冷光材料，第二冷光材 料22 可以包括基于氧氮化物的冷光材料，并且第三冷光材料223c可以包括基于氧氮化 物的冷光材料。因此，圖7所示的發(fā)光設(shè)備能夠通過(guò)使用至少兩種類型的冷光材料來(lái)發(fā)出 白光。參考圖8，發(fā)光設(shè)備包括第一電極沈、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及 透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極沈上或者通過(guò)電線40電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一冷光材料223a，該第一冷光材料223a布置在發(fā)光裝置22 的橫向側(cè)和頂表面周圍以包圍發(fā)光裝置22 ；第二冷光材料22北，該第二冷光材料22 布置 在位于發(fā)光裝置22的橫向側(cè)和頂表面周圍以包圍發(fā)光裝置22的第一冷光材料223a上；以 及第三冷光材料223c，該第三冷光材料223c布置在發(fā)光裝置22的橫向側(cè)和頂表面周圍以 包圍發(fā)光裝置22的第二冷光材料22 上。包封物2M包圍第一至第三冷光材料223a至 223c。例如，第一冷光材料223a能夠與發(fā)光裝置22接觸，第二冷光材料22 能夠與第 一冷光材料223a接觸，同時(shí)與發(fā)光裝置22隔開，并且第三冷光材料223c能夠與第二冷光 材料22 接觸，同時(shí)與發(fā)光裝置22隔開。包封物2 可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c 與圖7所示的相同。參考圖9，發(fā)光設(shè)備包括第一電極沈、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以及 透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極沈上或者通過(guò)電線40電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括分布在包封物224中的第一至第三冷光材料223a至223c。包封物2 可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c 與圖7所示的相同。參考圖10，發(fā)光設(shè)備包括第一電極沈、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以 及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極沈上或者通過(guò)電線140電連接到第二電極27。
在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。包封物2 包圍發(fā)光裝置22，并且冷光材料223包括形成在包封物2 上的第一 冷光材料223a、形成在第一冷光材料223a上的第二冷光材料22北、以及形成在第二冷光材 料22 上的第三冷光材料223c。例如，第一冷光材料223a形成在包封物2M上，同時(shí)與發(fā)光裝置22隔開，第二冷 光材料22 與第一冷光材料223a接觸，并且第三冷光材料223c與第二冷光材料22 接 觸。包封物2 可以包括環(huán)氧樹脂或硅樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c 與圖7所示的相同。參考圖11，發(fā)光設(shè)備包括第一電極沈、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以 及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極沈上或者通過(guò)電線140電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一至第三冷光材料223a至223c，并且包封物2M包括第一 至第三包封物22 至22 ，其中，第一包封物22 包圍發(fā)光裝置22，第一冷光材料223a 形成在第一包封物22 上，第二包封物224b形成在第一冷光材料223a上，第二冷光材料 223b形成在第二包封物224b上，第三包封物22 形成在第二冷光材料22 上，并且第三 冷光材料223c形成在第三包封物22如上。例如，第一冷光材料223a與發(fā)光裝置22隔開，第二冷光材料22 與第一冷光材 料223a隔開，并且第三冷光材料223c與第二冷光材料22 隔開。第一至第三包封物22 至22 可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三 冷光材料223a至223c與圖7所示的相同。參考圖12，發(fā)光設(shè)備包括第一電極沈、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以 及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極沈上或者通過(guò)電線140電連接到第二電極27。在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一冷光材料223a，該第一冷光材料223a布置在發(fā)光裝置22 的頂表面的周圍；第二冷光材料22北，該第二冷光材料22 布置在位于發(fā)光裝置22的頂 表面周圍的第一冷光材料223a上；以及第三冷光材料223c，該第三冷光材料223c布置在 發(fā)光裝置22的頂表面周圍的第二冷光材料22 上。包封物2M包圍第一至第三冷光材料 223a 至 223c。例如，第一冷光材料223a能夠與發(fā)光裝置22接觸，第二冷光材料22 能夠與第 一冷光材料223a接觸，同時(shí)與發(fā)光裝置22隔開，并且第三冷光材料223c能夠與第二冷光 材料22 接觸。包封物2 可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三冷光材料223a至223c 與圖7所示的相同。參考圖13，發(fā)光設(shè)備包括第一電極沈、第二電極27、組件本體21、發(fā)光裝置22以 及透鏡30。發(fā)光裝置22可以安裝在第一電極沈上或者通過(guò)電線140電連接到第二電極27。
在發(fā)光裝置22和透鏡30之間可以布置有冷光材料223和包封物224。冷光材料223包括第一至第三冷光材料223a至223c，并且包封物2M包括第一 包封物22 和第二包封物224b，其中，第一冷光材料223a布置在發(fā)光裝置22的頂表面周 圍，第一包封物22 包圍發(fā)光裝置22和第一冷光材料223a，第二冷光材料22 布置在第 一包封物22 上，第二包封物224b布置在第二冷光材料22 上，并且第三冷光材料223c 布置在第二包封物224b上。例如，第一冷光材料223a能夠與發(fā)光裝置22接觸，第二冷光材料22 能夠形成 在第一包封物22 上，同時(shí)與第一冷光材料223a隔開，并且第三冷光材料223c能夠形成 在第二包封物224b上，同時(shí)與第二冷光材料22 隔開。第一 22 和第二包封物224b可以包括環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂，并且第一至第三冷 光材料223a至223c與圖7所示的相同。圖14是示出在根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的發(fā)光裝置的截面圖。根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光裝置22包括生長(zhǎng)襯底2210 ；未摻雜的半導(dǎo)體層2220，該未 摻雜的半導(dǎo)體層2220形成在生長(zhǎng)襯底2210上；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層形成在該未 摻雜的半導(dǎo)體層2220上。所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230 ；有源層2240 ；以 及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250，該第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250形成在未摻雜的半導(dǎo)體層2220上。 在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230上形成有第一電極層2沈0，并且在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250上形 成有第二電極層2270。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230和有源層2240之間可以形成有第一導(dǎo)電hGaN/GaN超 晶格結(jié)構(gòu)或者第一導(dǎo)電InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)2235。另外，還能夠在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250與有源層2240之間形成有第二導(dǎo)電AlGaN 層 2255。生長(zhǎng)襯底2210 可以包括從由 Al203、SiC、Si、GaAs、feiN、Zn0、Si、GaP、InP 以及 Ge 組成的組中選擇的至少一種，并且該實(shí)施例不限于此。例如，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層能夠生長(zhǎng)在包 括Al2O3的生長(zhǎng)襯底2210上。在生長(zhǎng)襯底2210上能夠形成有多個(gè)突出圖案2211。突出圖案2211散射從有源層 2240發(fā)出的光，從而提高光效率。例如，突出圖案2211可以具有半球形形狀、多邊形形狀、三角錐形形狀以及納米 柱形形狀中的一種形狀。盡管第一導(dǎo)電雜質(zhì)沒(méi)有被有意注入到未摻雜的半導(dǎo)體層2220中，但是未摻雜的 半導(dǎo)體層2220是具有第一導(dǎo)電傳導(dǎo)性的氮化物層。例如，未摻雜的半導(dǎo)體層2220可以包 括未摻雜的GaN層。在未摻雜的半導(dǎo)體層2220和生長(zhǎng)襯底2210之間可以形成有緩沖層。 另外，未摻雜的半導(dǎo)體層2220不是必須需要的。即，可以省略未摻雜的半導(dǎo)體層2220。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括η型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230 可以包括具有化/明 ！力⑴彡X彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體 材料。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括從由IniUGaN、GaN、AUnN、hGaN、AlN、以及 InN組成的組中選擇的一個(gè)并且可以摻雜有諸如Si、Ge或者Sn的η型摻雜物。在有源層2240處，通過(guò)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230注入的電子(或者空穴)與通過(guò) 第二半導(dǎo)體層2250注入的空穴(或者電子)復(fù)合，從而有源層2240發(fā)出具有根據(jù)有源層2240的本征材料的能帶確定的波長(zhǎng)的光。 有源層2240可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、MQW(多量子阱)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)或者量子 線結(jié)構(gòu)，但該實(shí)施例不限于此。 有源層2240可以包括具有hxAlfamN (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的 復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。如果有源層2240具有MQW結(jié)構(gòu)，那么有源層2240可以包括多 個(gè)阱層和阻擋層。例如，有源層2240可以具有InGaN阱/GaN阻擋層的堆疊結(jié)構(gòu)。在有源層2240上和/或下方能夠形成被摻雜有η型或ρ型摻雜物的包覆層(未 示出)。該包覆層可以包括MGaN層或IniUGaN層。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以包括ρ型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層 2250 可以包括諸如 InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN 或者 hN 的具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。另外，第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的ρ型摻雜物。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括ρ型半導(dǎo)體層并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以 包括η型半導(dǎo)體層。另外，包括η型或ρ型半導(dǎo)體層的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層(未示出)能夠 形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250上。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以具有ΝΡ、ΡΝ、ΝΡΝ以及PNP結(jié)結(jié)構(gòu) 中的一種。另外，雜質(zhì)能夠均勻或不均勻地?fù)诫s在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230和第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層2250中。即，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以具有各種結(jié)構(gòu)而沒(méi)有限制。第一電極層2260形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230上，并且第二電極層2270形成在 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250上以將電力供應(yīng)給有源層2240。發(fā)光裝置22可以包括GaN基發(fā)光二極管，其產(chǎn)生具有位于450nm至480nm、優(yōu)選為 465nm的波段的中心波長(zhǎng)和具有15nm至40nm的FWHM的藍(lán)光。圖15是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備中使用的發(fā)光裝置的另一示例的截面 圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不會(huì)進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖14描述過(guò)的元件和結(jié) 構(gòu)。發(fā)光裝置22包括導(dǎo)電支撐襯底2280 ；發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層形成在導(dǎo)電支 撐襯底2280上并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230、有源層2240和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250 ； 以及第一電極層2沈0，該第一電極層2260形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230上。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230和有源層2240之間可以形成第一導(dǎo)電hGaN/GaN超晶 格結(jié)構(gòu)或第一導(dǎo)電hGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)2235。另外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250和有源層2240之間能夠形成有第二導(dǎo)電AKiaN 層 2255。能夠在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230上形成具有柱狀或孔狀形狀的光提取結(jié)構(gòu)2231。 第一提取結(jié)構(gòu)2231允許從有源層2240產(chǎn)生的光被有效發(fā)射到外部。例如，光提取結(jié)構(gòu)2231可以具有半球形形狀、多邊形形狀、三角錐形形狀以及納 米柱形形狀中的一種形狀。另外，光提取結(jié)構(gòu)2231可以包括光子晶體。導(dǎo)電支撐襯底2280支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)層并且與第一電極層2260協(xié)作將電力供應(yīng)給發(fā) 光結(jié)構(gòu)層。導(dǎo)電支撐襯底2280可以包括支撐層、歐姆接觸層以及位于該支撐層與歐姆接觸 層之間的結(jié)合層。該支撐層可以包括從由Cu、Ni、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Pd、Pt、Si、Ge、GaAs,ZnO以及SiC組成的組中選擇的至少一種。另外，通過(guò)使用包括Ag或Al的金屬形成 歐姆接觸層，以使其與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250歐姆接觸同時(shí)用作反射結(jié)構(gòu)。該歐姆接觸層 可以包括具有歐姆接觸功能的第一層和具有反射功能的第二層。例如，具有歐姆接觸功能 的第一層可以包括與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250歐姆接觸的材料。例如，通過(guò)使用從由ITO(銦 錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁錫氧化物)、IGZO (銦鎵 鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (銻鋅氧化物)、GZO (鎵鋅氧化 物)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni、Ag、Ni/Ir0x/Au 以及 Ni/Ir0x/Au/IT0 組成的組中選擇的至少 一種能夠以單層或多層制備具有歐姆接觸功能的第一層。該結(jié)合層可以包括從由Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt、Si、 Al-Si、Ag-Cd, Au-Sb, Al-Zn, Al-Mg, Al-Ge, Pd-Pb, Ag-Sb, Au-In, Al-Cu-Si, Ag-Cd-Cu, Cu-Sb> Cd-Cu> Al-Si-Cu> Ag-Cu> Ag-Zn> Ag-Cu-Zn> Ag-Cd-Cu-Zn> Au-Si> Au-Ge> Au-Ni> Au-Cu、Au-Ag-Cu、Cu-Cu2O、Cu-Zn、Cu-P、Ni-P、Ni-Mn-PcUNi-P 以及 Pd-Ni 組成的組中選擇 的至少一種或至少兩種。該發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以包括化合物半導(dǎo)體層，其包括多個(gè)III-V族元素。在發(fā)光結(jié)構(gòu) 的橫向側(cè)和頂表面上能夠形成有絕緣層。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括η型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230 可以包括具有化/明 ！力⑴彡X彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體 材料。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括從由IniUGaN、GaN、AUnN、hGaN、AlN、以及 InN組成的組中選擇的一種，并且可以被摻雜有諸如Si、Ge或Sn等的η型摻雜物。在有源層2240處，通過(guò)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230注入的電子(或者空穴)與通過(guò) 第二半導(dǎo)體層2250注入的空穴(或者電子)復(fù)合，從而有源層2240發(fā)出具有根據(jù)有源層 2240的本征材料的能帶確定的波長(zhǎng)的光。有源層2240可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、MQW(多量子阱)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)或者量子 線結(jié)構(gòu)，但該實(shí)施例不限于此。有源層2240可以包括具有hxAlfamN (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的 復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。如果有源層2240具有MQW結(jié)構(gòu)，那么有源層2240可以包括多 個(gè)阱層和阻擋層。例如，有源層2240可以具有InGaN阱/GaN阻擋層的堆疊結(jié)構(gòu)。在有源層2240上和/或下方能夠形成被摻雜有η型或ρ型摻雜物的包覆層(未 示出)。該包覆層可以包括MGaN層或IniUGaN層。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以包括ρ型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層 2250 可以包括諸如 InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN 或 hN 等的具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的復(fù)合化學(xué)式的半導(dǎo)體材料。另外，第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250可以摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba等的ρ型摻雜物。同時(shí)，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230可以包括ρ型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 2250可以包括η型半導(dǎo)體層。另外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250上能夠形成有包括η型或ρ 型半導(dǎo)體層的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層(未示出)。因此，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以具有NP、PN、NPN及 PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種。另外，雜質(zhì)能夠均勻或不均勻地?fù)诫s在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層2230和第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250中。即，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層可以具有各種結(jié)構(gòu)而沒(méi)有限制。在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250和導(dǎo)電支撐襯底2280之間能夠形成有電流阻擋區(qū)域(未示出)，使得該電流阻擋區(qū)域的至少一部分能夠與第一電極層2260重疊。該電流阻擋 區(qū)域可以包括具有低于導(dǎo)電支撐襯底2280的導(dǎo)電性的材料，或者電絕緣材料。另外，能夠 通過(guò)將等離子體損傷應(yīng)用于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層2250來(lái)形成該電流阻擋區(qū)域。由于該電流 阻擋區(qū)域使得電流能夠被廣泛地?cái)U(kuò)散，從而能夠提高有源層2240的光效率。發(fā)光裝置22可以包括GaN基發(fā)光二極管，其產(chǎn)生具有位于450nm至480nm、優(yōu)選為 465nm的波段的中心波長(zhǎng)和具有15nm至40nm的FWHM的藍(lán)光。第二實(shí)施例圖16和圖17是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考第一實(shí)施例描述的 元件和結(jié)構(gòu)。參考圖16和圖17，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備包括襯底210 ；發(fā)光裝置組件 220，該發(fā)光裝置組件220安裝在襯底210上；以及透鏡230，該透鏡230安裝在發(fā)光裝置組 件220的上方，同時(shí)由襯底210支撐。襯底210可以包括PCB(印制電路板)并且在襯底210上形成有電路圖案(未示 出)。所述電路圖案電連接到發(fā)光裝置組件220。另外，襯底210可以包括MCPCB(金屬核印制電路板)。能夠不同地選擇襯底210 的材料和結(jié)構(gòu)。發(fā)光裝置組件220包括組件本體221、安裝在組件本體221上的至少一個(gè)發(fā)光裝 置222、包圍發(fā)光裝置222的冷光材料223、以及包圍組件本體221上的冷光材料223的包 封物2M。組件本體221中設(shè)置有電極(未示出)。所述電極形成為穿過(guò)組件本體221或者 形成在組件本體221的表面上，以將發(fā)光裝置222和襯底210的電路圖案電連接。能夠通 過(guò)使用各種材料來(lái)形成組件本體221。例如，能夠通過(guò)使用陶瓷材料、樹脂材料以及硅酮材 料中的一種材料來(lái)形成組件本體221。能夠以發(fā)光二極管芯片的形式來(lái)制備發(fā)光裝置222。多個(gè)發(fā)光裝置222能夠安裝 在組件本體221上。根據(jù)該實(shí)施例，三個(gè)發(fā)光裝置222安裝在組件本體221上。發(fā)光裝置222彼此并聯(lián)或串聯(lián)連接。另外，通過(guò)倒裝芯片方案或引線鍵合方案，能 夠?qū)l(fā)光裝置222與所述電極電連接。例如，發(fā)光裝置222是包括η型半導(dǎo)體層、有源層以及ρ型半導(dǎo)體層的發(fā)光二極管芯片。發(fā)光裝置222可以包括諸如藍(lán)光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片或綠光發(fā) 光二極管芯片等的彩色發(fā)光二極管芯片。另外，發(fā)光裝置222可以包括發(fā)出UV光的UV(紫 外線)光發(fā)光二極管芯片。能夠不同地選擇所述芯片的類型。根據(jù)該實(shí)施例，發(fā)出藍(lán)光的 藍(lán)光發(fā)光二極管芯片可以用作發(fā)光裝置222。冷光材料223包圍組件本體221上的發(fā)光裝置222。例如，冷光材料223可以包括 黃光冷光材料。能夠不同地選擇在冷光材料223中包括的冷光材料的類型。冷光材料223 的頂表面被平坦化，從而冷光材料223在組件本體221上具有預(yù)定高度。包封物2Μ形成在組件本體221上并且包圍冷光材料223。包封物2Μ可以包括 諸如環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂等的透明樹脂材料。
包封物224的頂表面的中央是凸起的，并且包封物224的上表面的中央周圍的外 圍部分被平坦化。透鏡230包括透鏡本體231和支撐該透鏡本體231的透鏡支撐件231a。通過(guò)注入 成型使透鏡本體231和透鏡支撐件231a彼此形成一體，或者使其形成為彼此分離并然后通 過(guò)使用粘合劑來(lái)相互粘合。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，透鏡本體231具有大致圓形形狀。另外，在透鏡本體231的 底表面上能夠形成凹凸部分或粗糙部。多個(gè)透鏡支撐件231a能夠設(shè)置在透鏡本體231的底表面上。盡管在圖16和圖17 中僅示出兩個(gè)透鏡支撐件231a，但是能夠設(shè)置有至少三個(gè)透鏡支撐件231a，同時(shí)使它們相 互隔開以穩(wěn)定地支撐透鏡本體231?？梢愿鶕?jù)該發(fā)光設(shè)備的設(shè)計(jì)來(lái)更改透鏡支撐件231a的 數(shù)目和形狀。透鏡本體231包括透明樹脂材料并且通過(guò)透鏡支撐件231a與襯底210隔開。通 過(guò)使用粘合劑能夠?qū)⑼哥R支撐件231a穩(wěn)固地附接到襯底210。透鏡本體231的上表面通常是凸起的，并且在透鏡本體231的上表面的中央形成 有向下凹陷的第一凹部232。在第一凹部232中能夠形成有反射結(jié)構(gòu)237。第一凹部232 可以被反射結(jié)構(gòu)237完全或部分填充。例如，通過(guò)將具有70%或更大透射率的有機(jī)物與能夠?qū)膺M(jìn)行反射或散射的無(wú)機(jī) 物混合，能夠獲得反射結(jié)構(gòu)237。該無(wú)機(jī)物可以包括Ti02、Si02、Al、Al2O3以及Ag中的至少 一種。根據(jù)該有機(jī)物和無(wú)機(jī)物之間的混合比，反射結(jié)構(gòu)237能夠完全或部分反射光。該有 機(jī)物和無(wú)機(jī)物之間的混合比在1 0.001至1 1的范圍內(nèi)。另外，例如，反射結(jié)構(gòu)237可以包括通過(guò)使用Si02、TiO2, Al、Ag以及Ti中的至少 一種而形成的沉積層。該沉積層可以具有大約100A或更大的厚度。另外，透鏡本體231具有平的底表面，并且在透鏡本體231的底表面的中央形成有 向上凹陷的第二凹部233。第一凹部232沿豎直方向與第二凹部233重疊。由于第一凹部232和第二凹部233位于透鏡本體231的中央，所以透鏡本體231 的中央部分具有薄的厚度。具體地，透鏡本體231的厚度從透鏡本體231的中央向外圍部 分逐漸增加，然后在透鏡本體231的外周部分再次減少。另外，透鏡本體231的上表面的外周部分可以被平坦化，并且透鏡本體231的橫向 側(cè)可以與透鏡本體231的底表面垂直。第一凹部232的最大深度a在0.3至0.4mm的范圍內(nèi)，并且第二凹部233的最大 深度b在2. 5至3mm的范圍內(nèi)。另外，第一凹部232的最大深度c在3. 5至4mm的范圍內(nèi)， 并且第二凹部233的最大深度d在2. 5至3mm的范圍內(nèi)。透鏡支撐件231a的最大厚度e在0. 5至0. 8mm的范圍內(nèi)。透鏡本體231的最大厚度h在4至5mm的范圍內(nèi)，從底表面到透鏡本體231的上 表面的平坦部分的最大厚度f(wàn)在1. 8至2. 2mm的范圍內(nèi)，并且從透鏡本體231的上表面的 平坦部分到最上部分的最大厚度g在2. 2至2. 8mm的范圍內(nèi)。透鏡本體231的最大寬度j在13至19mm的范圍內(nèi)，并且透鏡本體231的彎曲部 分的最大寬度I在12至18mm的范圍內(nèi)。同時(shí)，從發(fā)光裝置組件220到組件本體221的最大厚度在0. 3至0. 4mm的范圍內(nèi)，并且從組件本體231的上表面到包封物224的最上表面的高度在1. 1至1. 5mm的范圍內(nèi)。根據(jù)第二實(shí)施例，第一凹部232的最大深度a與透鏡本體231的最大厚度h的比 率在0. 06至0. 1的范圍內(nèi)，并且第二凹部233的最大深度b與透鏡本體231的最大厚度h 的比率在0. 5至0. 75的范圍內(nèi)。另外，第二凹部233的最大深度b與第一凹部232的最大 深度a的比率在6. 25至10的范圍內(nèi)。此外，第一凹部232的最大寬度c與透鏡本體231的最大寬度j的比率在0. 18至 0. 3的范圍內(nèi)，第二凹部233的最大寬度d與透鏡本體231的最大寬度j的比率在0. 14至 0. 25的范圍內(nèi)，并且第二凹部233的最大寬度d與第一凹部232的最大寬度c的比率在0. 7 至0. 94的范圍內(nèi)。另外，包封物224的至少一部分被提供在第二凹部233中。組件本體221的最大 厚度小于透鏡支撐件231a的最大厚度，并且透鏡本體231的底表面布置成與發(fā)光裝置222、 冷光材料2M或包封物2M處于同一平面上。因此，具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光設(shè)備可以沿側(cè)向方向呈現(xiàn)優(yōu)異的光效率。由發(fā)光裝置 222生成的光被反射并且被從包封物2M和第二凹部233折射，然后從反射結(jié)構(gòu)237反射， 從而能夠沿側(cè)向方向發(fā)出更大量的光。特別地，形成在第一凹部232和第二凹部233中的 反射結(jié)構(gòu)237可以減少沿向上方向發(fā)出的光的量。圖18是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖18，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括與襯 底210相鄰的包封物224。包封物2M形成在襯底210、組件本體221以及冷光材料223上。由于包封物2 與組件本體221和襯底210的橫向側(cè)接觸，所以接觸面積擴(kuò)大了， 從而包封物2M能夠更加穩(wěn)固地接合到襯底210和組件本體221。圖19是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖19中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖19，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括以預(yù) 定厚度形成在發(fā)光裝置222上的冷光材料223和組件本體221。冷光材料223沿著發(fā)光裝置222的輪廓以波紋形狀布置。即，形成在組件本體221 上的冷光材料223的高度低于形成在發(fā)光裝置222上的冷光材料223的高度。根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，具有預(yù)定厚度的冷光材料223包圍發(fā)光 裝置222，因此能夠減小從發(fā)光設(shè)備發(fā)出的光的色偏。圖20是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖20中，透鏡被省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述參考已經(jīng)圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖20，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括以凸 起形狀形成在發(fā)光裝置222上的冷光材料223和組件本體221。
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根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，能夠通過(guò)點(diǎn)膠方案來(lái)形成冷光材料223， 從而能夠簡(jiǎn)化制造工藝。圖21是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖21中，透鏡被 省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖21，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括在其 頂表面上形成有狹槽221a的組件本體221和填充在該狹槽221a中的包封物224。因此，可 以擴(kuò)大包封物2M與組件本體221之間的接觸面積，并且包封物2M能夠穩(wěn)固地與組件本 體221接合。盡管圖21示出了形成在組件本體221的頂表面上的狹槽221a，但該狹槽221a能 夠形成在組件本體221的橫向側(cè)。另外，還能夠形成突起來(lái)替代狹槽221a。圖22是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖22中，透鏡被 省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖22，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括在其 頂表面上形成有雙狹槽221b的組件本體221和填充在所述雙狹槽221b中的包封物224。 雙狹槽221b從組件本體221的頂表面垂直向下延伸，然后水平延伸。因此，可以擴(kuò)大包封物2 與組件本體221之間的接觸面積，并且，填充在雙狹槽 221b中的包封物2 可以用作鎖定單元，從而包封物2 可以與組件本體221穩(wěn)固地接合。圖23是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在圖23中，透鏡被 省略。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖23，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā)光裝置組件220包括組件 本體221和形成在該組件本體221的頂表面上的反射結(jié)構(gòu)225。反射結(jié)構(gòu)225可以包括具 有高反射率的墨或金屬。反射結(jié)構(gòu)225可以減少在組件本體221中吸收的光的量，從而能 夠提高該發(fā)光設(shè)備的光效率。圖M是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖M，通過(guò)COB (板上芯片貼裝)方案來(lái)形成根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā) 光設(shè)備。即，發(fā)光裝置222直接安裝在襯底210上，并且冷光材料223形成在襯底210上以 包圍發(fā)光裝置222。另外，包封物2M形成在襯底210上以包圍冷光材料223上。包封物224與襯底210接觸并且包封物224的一部分被填充在第二凹部233中。與圖16和圖17所示的發(fā)光裝置不同，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，發(fā) 光裝置222直接安裝在襯底210上，而沒(méi)有通過(guò)使用組件本體221進(jìn)行封裝。因此，由發(fā)光裝置222產(chǎn)生的光能夠以較寬的取向角發(fā)出，并且由發(fā)光裝置222產(chǎn)生的熱能夠通過(guò)襯底210有效散發(fā)到外部。圖25是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。在圖25中，透鏡230被省略。參考圖25，通過(guò)COB (板上芯片貼裝)方案來(lái)形成根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā) 光設(shè)備。即，發(fā)光裝置222直接安裝在襯底210上，并且冷光材料223形成在襯底210和發(fā) 光裝置222上以包圍發(fā)光裝置222。另外，包封物2M形成在襯底210和冷光材料223上以包圍冷光材料223。包封物 224的一部分設(shè)置在第二凹部233中。在襯底210上形成有狹槽231a并且包封物2M被填充在該狹槽231a中。因此， 能夠擴(kuò)大包封物2M與襯底210之間的接觸面積，并且包封物2M能夠與襯底210和冷光 材料223穩(wěn)固地接合。圖沈是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。在圖沈中，透鏡被省略。參考圖沈，通過(guò)COB (板上芯片貼裝)方案來(lái)形成根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的 發(fā)光設(shè)備。即，發(fā)光裝置222直接安裝在襯底210上，并且冷光材料包封物2 形成在襯底 210和發(fā)光裝置222上以包圍發(fā)光裝置222。通過(guò)對(duì)其內(nèi)分布有冷光材料的包封物進(jìn)行點(diǎn)膠來(lái)以凸起形狀形成冷光材料包封 物226。因此，冷光材料包封物2 可以具有冷光材料和包封物的功能。根據(jù)第二實(shí)施例的 另一示例，能夠簡(jiǎn)化制造工藝。圖27是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。在圖27中，透鏡被省略。參考圖27，通過(guò)COB (板上芯片貼裝)方案來(lái)形成根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā) 光設(shè)備。即，發(fā)光裝置222直接安裝在襯底210上，并且，具有預(yù)定厚度的冷光材料223形 成在襯底210和發(fā)光裝置222上以包圍發(fā)光裝置222。另外，包封物2M形成在襯底210和冷光材料223上以包圍冷光材料223。包封物 224的一部分設(shè)置在第二凹部233中。冷光材料223沿著發(fā)光裝置222的輪廓以波紋形狀布置。即，形成在襯底210上 的冷光材料223的高度低于形成在發(fā)光裝置222上的冷光材料223的高度。根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例，具有預(yù)定厚度的冷光材料223包圍發(fā)光 裝置222，因此能夠減少?gòu)陌l(fā)光設(shè)備發(fā)出的光的色偏。圖觀是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖觀，根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備包括透鏡230，該透鏡230具有 透鏡本體231和支撐該透鏡本體231的透鏡支撐件231a，在該透鏡本體231內(nèi)形成有間隙 235。
當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，透鏡本體231具有大致圓形形狀。另外，能夠在透鏡本體 231的底表面上形成凹凸部分或粗糙部。能夠在透鏡本體231的底表面上設(shè)置有多個(gè)透鏡支撐件231a。盡管在圖觀中僅 示出兩個(gè)透鏡支撐件231a，但是能夠設(shè)置有至少三個(gè)透鏡支撐件231a，同時(shí)使它們相互隔 開以穩(wěn)固地支撐透鏡本體231?？梢愿鶕?jù)該發(fā)光設(shè)備的設(shè)計(jì)來(lái)更改透鏡支撐件231a的數(shù)目 和形狀。透鏡本體231包括透明樹脂材料并且通過(guò)透鏡支撐件231a與襯底210隔開。通 過(guò)使用粘合劑能夠?qū)⑼哥R支撐件231a穩(wěn)固地附接到襯底210。透鏡本體231的上表面通常是凸起的，并且在透鏡本體231的上表面的中央形成 有向下凹陷的第一凹部232。在第一凹部232中能夠形成有反射結(jié)構(gòu)237。第一凹部232 可以被反射結(jié)構(gòu)237完全或部分填充。另外，透鏡本體231具有平坦的底表面，并且在透鏡本體231的底表面的中央形成 有向上凹陷的第二凹部233。第一凹部232與第二凹部233沿豎直方向重疊，并且在第一凹 部232和第二凹部233之間形成有間隙235。另外，透鏡本體231的上表面的外周部分可以被平坦化，并且透鏡本體231的橫向 側(cè)可以與透鏡本體231的底表面垂直。在穿過(guò)第二凹部233和間隙235朝著第一凹部232的反射結(jié)構(gòu)237行進(jìn)的同時(shí)， 由發(fā)光裝置222生成的光被反射和折射。因此，可以減少沿向上方向?qū)虻墓獾牧?，從而?夠沿側(cè)向方向發(fā)出更大量的光。圖四是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的另一示例的視圖。在下面的描述中，為了避免重復(fù)，將不再進(jìn)一步描述已經(jīng)參考圖16和圖17描述過(guò) 的元件和結(jié)構(gòu)。參考圖四，根據(jù)第二實(shí)施例的另一示例的發(fā)光設(shè)備包括襯底20 ；發(fā)光裝置組件 220，該發(fā)光裝置組件220安裝在襯底210上；以及透鏡230，該透鏡230安裝在發(fā)光裝置組 件220上方，同時(shí)由襯底210支撐。發(fā)光裝置組件220包括組件本體221、安裝在組件本體221上的至少一個(gè)發(fā)光裝置 222、包圍發(fā)光裝置222的冷光材料223。透鏡230包括包封物部分230a，該包封物部分230a形成在襯底210和發(fā)光裝置 組件220上以包圍發(fā)光裝置組件220 ；透鏡部分230c，該透鏡部分230c設(shè)置在包封物部分 230a上；以及支撐部分230b，該支撐部分230b在支撐所述透鏡部分230c的同時(shí)將包封物 部分230a連接到透鏡部分230c。透鏡230可以包括諸如環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂等的透明樹脂材料?？梢酝ㄟ^(guò)注入成 型來(lái)使包封物部分230a、透鏡部分230c以及支撐部分230b彼此形成一體，或者使其形成為 相互分離并然后通過(guò)使用粘合劑將其相互粘合。透鏡部分230c的上表面是凸起的，并且在透鏡部分230c的上表面的中央形成有 第一凹部232。在第一凹部232中形成有反射結(jié)構(gòu)237。透鏡部分230c與包封物部分230a隔開，從而在透鏡部分230c和包封物部分230a 之間形成間隙236。包封物部分230a可以提高從發(fā)光裝置222發(fā)出的光的提取效率，同時(shí)保護(hù)發(fā)光裝置 222。在穿過(guò)包封物部分230a、間隙236以及透鏡部分230c行進(jìn)的同時(shí)，從發(fā)光裝置 222發(fā)出的光被反射和折射，從而能夠減少沿向上方向?qū)虻墓獾牧俊Ｒ虼?，發(fā)光設(shè)備能夠 沿側(cè)向方向發(fā)出更大量的光。圖30和圖31是用于說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的光分布特性的視圖。如圖30和圖31所示，當(dāng)與襯底210垂直的方向被設(shè)定為0°時(shí)，圖16和圖17所 示的根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備以70°至85°或者-70°至-85°的角度發(fā)出峰值光。即， 從發(fā)光設(shè)備產(chǎn)生的光主要沿側(cè)向方向發(fā)出。同時(shí)，圖18至圖四所示的發(fā)光設(shè)備可以具有與圖30和圖31所示的光分布特性。在本說(shuō)明書中對(duì)于“一個(gè)實(shí)施例”、“一實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的引用意味著 結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說(shuō)明書 中，在各處出現(xiàn)的這類短語(yǔ)不必都表示相同實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特 征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，都認(rèn)為結(jié)合實(shí)施例中的其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也是本 領(lǐng)域技術(shù)人員所能夠想到的。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的 技術(shù)人員可以想到多個(gè)其它修改和實(shí)施例，這將落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)。更具體 地，在本說(shuō)明書、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置結(jié)構(gòu)的組成部件和/或布 置結(jié)構(gòu)中，能夠進(jìn)行各種變化和修改。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，除了對(duì)組成部件和/或 布置結(jié)構(gòu)的變化和修改之外，替代用途也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光設(shè)備，包括組件本體；第一電極和第二電極；發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置電連接到所述第一電極和所述第二電極，并且包括第一導(dǎo)電 半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層，所述有源層位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；以及透鏡，所述透鏡被支撐在所述組件本體上，并且所述透鏡的至少一部分包括反射結(jié)構(gòu)，其中，所述組件本體包括第一空腔，所述第一電極和所述第二電極的一端暴露于所述第一空腔中，且所述第一電極和所述 第二電極的另一端在所述組件本體的橫向側(cè)暴露，并且在所述第一電極的暴露于所述第一空腔中的預(yù)定部分處形成有第二空腔。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述第一電極和所述第二電極的底表面的至 少一部分布置成與所述組件本體的底表面處于同一平面上。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述反射結(jié)構(gòu)的至少一部分沿豎直方向與所 述發(fā)光裝置重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述反射結(jié)構(gòu)包括1102、3102、4131203、48和 Ti中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述透鏡包括向下凹陷的凹部，并且所述反射 結(jié)構(gòu)形成在所述凹部中。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光設(shè)備，其中，在所述透鏡的上表面上，所述凹部包括第一凹 部和與所述第一凹部隔開的第二凹部。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述第二凹部環(huán)繞所述第一凹部。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述第一凹部布置在所述透鏡的上表面的中 央，并且所述第一凹部的深度比所述第二凹部的深度深。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光設(shè)備，還包括位于所述發(fā)光裝置與所述透鏡之間的冷光材 料和包封物。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述冷光材料包括至少兩種類型的冷光材 料，并且所述發(fā)光裝置包括發(fā)出藍(lán)光的藍(lán)光發(fā)光二極管芯片。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述冷光材料包括第一冷光材料、第二冷光 材料和第三冷光材料，其中，所述第一冷光材料發(fā)出具有50至IOOnm的FWHM(半峰全寬) 的綠光，所述第二冷光材料發(fā)出具有50至IOOnm或120nm或者更大的FWHM的黃光，并且所 述第三冷光材料發(fā)出具有70至120nm的FWHM的紅光。
12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述藍(lán)光發(fā)光二極管芯片發(fā)出具有15至 40nm的FWHM的藍(lán)光。
13.一種發(fā)光設(shè)備，包括襯底；位于所述襯底上的發(fā)光裝置組件；以及透鏡，所述透鏡由所述襯底支撐在所述發(fā)光裝置組件上方并且包括反射結(jié)構(gòu)，其中，所述透鏡包括透鏡本體和透鏡支撐件，所述透鏡本體具有第一凹部，所述透鏡支撐件支撐所述透鏡本體使得所述透鏡本體與所述襯底隔開。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光設(shè)備，包括反射結(jié)構(gòu)，所述反射結(jié)構(gòu)形成在所述透鏡的第一凹部中。
15.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述透鏡本體包括位于所述透鏡本體的底表面上的第二凹部。
16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述發(fā)光裝置組件的至少一部分布置在所 述第二凹部中。
17.一種發(fā)光設(shè)備，包括 襯底；發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置位于所述襯底上，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層和有源層，所述有源層位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間； 包封物，所述包封物位于所述襯底和所述發(fā)光裝置上，以包圍所述發(fā)光裝置；以及 透鏡，所述透鏡由所述襯底支撐在所述發(fā)光裝置上方并且包括反射結(jié)構(gòu)。
18.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述透鏡包括透鏡本體和透鏡支撐件，所述 透鏡本體具有第一凹部，所述透鏡支撐件形成在所述透鏡本體上，以支撐所述透鏡本體使 得所述透鏡本體與所述襯底隔開。
19.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述反射結(jié)構(gòu)布置在所述透鏡的第一凹部中。
20.一種發(fā)光設(shè)備，包括 襯底；發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置位于所述襯底上，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層和有源層，所述有源層位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間； 包封物，所述包封物位于所述襯底和所述發(fā)光裝置上，以包圍所述發(fā)光裝置； 透鏡，所述透鏡由所述襯底支撐在所述發(fā)光裝置上方并且包括凹部；以及 冷光材料，所述冷光材料形成在所述透鏡和/或所述包封物中的至少一個(gè)上，以吸收 從所述發(fā)光裝置發(fā)出的光從而將該光轉(zhuǎn)換為另一類型的光，其中，所述冷光材料包括第一冷光材料和第二冷光材料，所述第一冷光材料和所述第 二冷光材料通過(guò)吸收從所述發(fā)光裝置發(fā)出的光而發(fā)出具有不同頻帶的光，并且所述第一冷 光材料的比例高于所述第二冷光材料的比例。
全文摘要
公開了一種發(fā)光設(shè)備。該發(fā)光設(shè)備包括組件本體；第一電極和第二電極；發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置電連接到第一電極和第二電極，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層，該有源層位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；以及透鏡，該透鏡被支撐在組件本體上，并且該透鏡的至少一部分包括反射結(jié)構(gòu)。所述組件本體包括第一空腔，第一電極和第二電極的一端暴露于第一空腔中，且第一電極和第二電極的另一端在所述組件本體的橫向側(cè)暴露，并且在第一電極的暴露于第一空腔中的預(yù)定部分處形成有第二空腔。
文檔編號(hào)H01L33/54GK102088054SQ201010513380
公開日2011年6月8日 申請(qǐng)日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月15日
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