專(zhuān)利名稱(chēng)：硅晶片的熱處理方法
硅晶片的熱處理方法技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及對(duì)從利用佐克拉斯基法培養(yǎng)的硅單晶錠切割的硅晶片進(jìn)行熱處理的硅晶片的熱處理方法。
背景技術(shù)：
隨著近年來(lái)的半導(dǎo)體器件的高集成化，對(duì)用作其基板的硅晶片的品質(zhì)要求趨于嚴(yán)格。特別地強(qiáng)烈要求硅晶片的器件活性區(qū)域中的原生微缺陷(Grown-in欠陷Grown-in Defect)的降低化。作為降低這樣的原生微缺陷的方法，通常已知有對(duì)硅晶片實(shí)施高溫的熱處理的技術(shù)。作為一個(gè)實(shí)例，已知有如下技術(shù)(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1):在氫和/或惰性氣體氣氛下在1000°C以上1350°C以下的溫度下進(jìn)行50小時(shí)以下的熱處理之后，在800°C以上1350°C 以下的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行50小時(shí)以下的氧化熱處理。另外，已知有以下技術(shù)(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)2)通過(guò)對(duì)單晶硅晶片在非氧化性氣氛下進(jìn)行一分鐘以上1100 1300°C溫度的熱處理，不冷卻至低于700°C的溫度，連續(xù)在氧化性氣氛下進(jìn)行一分鐘以上700 1300°C溫度的熱處理，制備在表面上形成硅氧化膜的單晶硅
曰曰/To另外，在近年，作為以高生產(chǎn)性且簡(jiǎn)單地制備晶片表層部極低缺陷的硅晶片的技術(shù)，已知有對(duì)硅晶片實(shí)施急速加熱·急速冷卻熱處理(RTP =Rapid Thermal Process)的技術(shù)。作為一個(gè)實(shí)例，已知有以下技術(shù)(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)3)使用從氧濃度為11 17X1017atoms/cm3(ASTMF121-79)的單晶硅采集的基板用素材，在含有90%以上氮的氣氛中升溫，在1100 1280°C下實(shí)施0 600秒的加熱之后，變更為含有10%以上氧的氣氛， 以100 25°C /秒的冷卻速度降溫。作為其他的一個(gè)實(shí)例，已知有以下技術(shù)(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)4)以規(guī)定的第1溫度上升率急速地使RTP裝置內(nèi)的溫度升高至第1溫度(例如1120°C 1180°C )為止，在第1溫度維持一定時(shí)間，接著，以規(guī)定的第1溫度下降率急速地降低至第2溫度(例如800°C )為止，在第2溫度下維持一定時(shí)間之后，以規(guī)定的第2溫度上升率急速地使其升高至高于第1 溫度的第3溫度(例如1200°C 1230°C )為止，在第3溫度下維持一定時(shí)間?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平11-260667號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2001-144275號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2003-115491號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4 日本特開(kāi)2005-86195號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明需要解決的課題然而，就專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2所述的熱處理技術(shù)而言，由于熱處理時(shí)間是長(zhǎng)時(shí)間，因此因?yàn)榇嬖谏a(chǎn)性差并且熱處理時(shí)容易發(fā)生滑移(7 U 7 Slip)的問(wèn)題而不優(yōu)選。另外，就專(zhuān)利文獻(xiàn)3所述的熱處理技術(shù)而言，由于在含90%以上氮的氣氛中進(jìn)行， 因此在硅晶片的表面上形成氮化膜，為了除去其氮化膜，不得不增加新的蝕刻工序等，由于增加了制造工序而不優(yōu)選。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)4所述的熱處理技術(shù)的目的在于硅晶片的表面附近區(qū)域存在的氧析出物的核心的除去、硅晶片的塊體區(qū)域存在的氧析出物的核形成的加速化及其成長(zhǎng)，在硅晶片的器件活性區(qū)域中的原生微缺陷的降低存在限制。本發(fā)明是鑒于以上所述情況而完成的，目的在于提供硅晶片的熱處理方法，該方法能夠在抑制急速加熱·急速冷卻熱處理時(shí)的滑移的發(fā)生的同時(shí)，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，還能夠在急速加熱·急速冷卻熱處理之后改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。解決課題的方法本發(fā)明的硅晶片的熱處理方法的特征在于，具有第1熱處理工序，其中，對(duì)于從利用佐克拉斯基法培養(yǎng)的硅單晶錠切割的硅晶片，在惰性氣體氣氛中以第1升溫速度急速升溫至1300°c以上硅的融點(diǎn)以下的第1溫度為止，在保持所述第1溫度之后，以第1降溫速度急速降溫至400°C以上800°C以下的第2溫度為止；以及第2熱處理工序，其中，在所述第1熱處理工序之后，從所述惰性氣體氣氛轉(zhuǎn)換為含有20vol. %以上100vol. %以下的氧氣的含氧氣氛之后，以第2升溫速度從所述第2溫度急速升溫至1250°C以上硅的融點(diǎn)以下的第3溫度為止，于所述第3溫度保持之后，以第2降溫速度從所述第3溫度急速降溫。上述第1溫度優(yōu)選為1300°C以上1380°C以下，上述第3溫度優(yōu)選為1250°C以上 1380°C 以下。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供硅晶片的熱處理方法，該方法能夠在抑制急速加熱·急速冷卻熱處理時(shí)的滑移的發(fā)生的同時(shí)，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，能夠在急速加熱·急速冷卻熱處理之后改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。因此，實(shí)施了本發(fā)明的熱處理的硅晶片能夠大大有助于器件加工中生產(chǎn)率的提
尚ο


[圖1]是概略表示在本發(fā)明的硅晶片的熱處理方法中使用的RTP裝置的一個(gè)實(shí)例的截面圖。[圖2]是表示適用本發(fā)明的硅晶片的熱處理方法的急速加熱 急速冷卻熱處理的熱處理順序的概念圖。[圖3]是用于說(shuō)明降低本發(fā)明的LSTD密度的機(jī)理的概念圖。[圖4]是試驗(yàn)3的各條件中的微粗糙度的結(jié)果圖。[圖5]是表示試驗(yàn)5中的急速加熱 急速冷卻熱處理之后的各條件下的總滑移長(zhǎng)度的發(fā)生狀況的結(jié)果圖。[圖6]是表示試驗(yàn)6中的急速加熱 急速冷卻熱處理之后的各條件下的總滑移長(zhǎng)度的發(fā)生狀況的結(jié)果圖。
具體實(shí)施例方式下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是概略表示在本發(fā)明的硅晶片的熱處理方法的RTP裝置中使用的一個(gè)實(shí)例的截面圖。如圖1所示，在本發(fā)明的硅晶片的熱處理方法中使用的RTP裝置10具有具有氣氛氣體導(dǎo)入口 20a以及氣氛氣體排出口 20b的反應(yīng)管20、在反應(yīng)管20的上部間隔配置的多個(gè)燈30和在反應(yīng)管20內(nèi)的反應(yīng)空間25中支持晶片W的晶片支持部40。晶片支持部40 具有支持晶片W的外周部的環(huán)狀基座40a和支持基座40a的載物臺(tái)40b。反應(yīng)管20例如可以由石英構(gòu)成。燈30例如可以由鹵素?zé)魳?gòu)成?；?0a例如可以由硅構(gòu)成。載物臺(tái)40b 例如可以由石英構(gòu)成。使用圖1所示的RTP裝置10對(duì)晶片W進(jìn)行RTP的情況如下進(jìn)行從設(shè)置于反應(yīng)管 20的未圖示的晶片導(dǎo)入口將晶片W導(dǎo)入反應(yīng)空間25內(nèi)，將晶片W支持在晶片支持部40的基座40a上，在從氣氛氣體導(dǎo)入口 20a導(dǎo)入后述的氣氛氣體的同時(shí)，一邊通過(guò)未圖示的旋轉(zhuǎn)裝置使晶片W旋轉(zhuǎn)，一邊通過(guò)利用燈30對(duì)晶片W表面進(jìn)行燈照射。需要說(shuō)明的是，該RTP 裝置10中的反應(yīng)空間25內(nèi)的溫度控制利用埋入晶片支持部40的載物臺(tái)40b的多個(gè)輻射溫度計(jì)50測(cè)定晶片W的下部的晶片直徑方向的晶片面內(nèi)多點(diǎn)(例如9個(gè)點(diǎn))的平均溫度， 根據(jù)該測(cè)定的溫度進(jìn)行多個(gè)鹵素?zé)?0的控制(各燈的單獨(dú)開(kāi)-關(guān)(ON-OFF)控制或發(fā)光的光發(fā)光強(qiáng)度的控制等)。接著，參照附圖對(duì)本發(fā)明的硅晶片的熱處理方法進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的硅晶片的熱處理方法是對(duì)從通過(guò)佐克拉斯基法培養(yǎng)的硅單晶錠切割的硅晶片，通過(guò)規(guī)定的制造條件進(jìn)行RTP。采用佐克拉斯基法的硅單晶錠的培養(yǎng)使用公知的方法來(lái)進(jìn)行。S卩，將填充于石英坩堝的多晶硅加熱形成硅熔液，從該硅熔液的液面上方使晶種接觸，使晶種與石英坩堝一邊旋轉(zhuǎn)一邊拉伸，通過(guò)擴(kuò)徑至所希望的直徑為止來(lái)培養(yǎng)直胴部 (直胴部straight cylindrical portion)來(lái)制造硅單晶錠。這樣得到的硅單晶錠可以利用公知的方法加工成硅晶片。S卩，利用內(nèi)徑刀片(內(nèi)周刃)或鋼絲鋸等將硅單晶錠切割為晶片狀之后，經(jīng)過(guò)外周部的倒角(面取D )、拋光、蝕刻、研磨等的加工工序，制造硅晶片。需要說(shuō)明的是，此處記載的加工工序?yàn)槔?，本發(fā)明并不限定為僅該加工工序。接著，對(duì)制造的硅晶片在規(guī)定的制造條件下進(jìn)行RTP。圖2是表示適用于本發(fā)明的硅晶片的熱處理方法的RTP的熱處理順序的概念圖。適用于本發(fā)明的硅晶片的熱處理方法的RTP中的熱處理順序包括第1熱處理工序，其中，在所希望的溫度Ttl(例如500°C )保持的如圖1所示的RTP裝置10的反應(yīng)管20 內(nèi)設(shè)置所述制造的硅晶片，在第1氣體氣氛中以第1升溫速度Δ Tu1急速升溫至第1溫度T1 為止，在保持所述第1溫度T1規(guī)定時(shí)間、之后，以第1降溫速度ATd1急速降溫至第2溫度T2為止，保持第2溫度T2 ；以及第2熱處理工序，其中，是在該第1熱處理工序之后，在所述第2溫度T2下從所述第1氣體氣氛轉(zhuǎn)換為第2氣體氣氛，并且，在保持第2溫度T2之后， 以第2升溫速度Δ Tu2從第2溫度T2急速升溫至第3溫度T3為止，在保持第3溫度T3規(guī)定時(shí)間t2之后，以第2降溫速度Δ Td2從第3溫度T3急速降溫。于所述第2溫度T2的保持進(jìn)行規(guī)定時(shí)間t3。上述第1熱處理工序中的第1氣體氣氛優(yōu)選為惰性氣體。在使用氮?dú)庾鳛樯鲜龅?氣體氣氛的時(shí)候，在RTP時(shí)由于硅晶片的表面上形成氮化膜而不優(yōu)選。另外，在使用氫氣作為上述第1氣體氣氛的時(shí)候，在后述的氣體氣氛的轉(zhuǎn)換時(shí)，由于有與第2氣體氣氛所含的氧氣混合的可能性、有爆炸的危險(xiǎn)性而不優(yōu)選。作為上述惰性氣體更優(yōu)選不含其他氣體的氣體氣氛(惰性氣體100% )。例如，在上述惰性氣體氣氛中不含氧的時(shí)候，在第1熱處理工序中，由于硅晶片表面的氧濃度增加，因此在該表面上存在的COP的內(nèi)壁上形成的內(nèi)壁氧化膜所含的氧難以溶解于硅晶片內(nèi)，所以難以使硅晶片表面的原生微缺陷的降低能力提高。在上述惰性氣體氣氛中優(yōu)選使用氬氣。第1溫度T1優(yōu)選為1300°C以上硅的融點(diǎn)以下。需要說(shuō)明的是，在此所謂的第1溫度T1是指在如圖1所示的RTP裝置10內(nèi)設(shè)置晶片W的情況下晶片W的下部的晶片直徑方向中的晶片面內(nèi)多點(diǎn)(本實(shí)施方式中為9個(gè)點(diǎn))的平均溫度。在上述第1溫度T1低于1300°C的時(shí)候，難以使RTP中的原生微缺陷的降低能力提
尚ο從裝置壽命的觀點(diǎn)出發(fā)，上述第1溫度T1更優(yōu)選為1300°C以上1380°C以下。第2溫度T2優(yōu)選為400°C以上800°C以下。在此所謂的第2溫度T2與第1溫度T1同樣是指在如圖1所示的RTP裝置10內(nèi)設(shè)置晶片W的情況下，晶片W的下部的晶片直徑方向中的晶片面內(nèi)多點(diǎn)(本實(shí)施方式中為9 點(diǎn))的平均溫度。在上述第2溫度T2低于400°C的時(shí)候，作為RTP的生產(chǎn)性惡化，因而不優(yōu)選。在上述第2溫度T2超過(guò)800°C的時(shí)候，硅晶片的表面粗糙度增大而不優(yōu)選。上述第2熱處理工序中的第2氣體氣氛優(yōu)選使用含有20vol. %以上100vol. %以下的氧氣的含氧氣氛。需要說(shuō)明的是，在此所謂的“含有vol. 使用圖1進(jìn)行說(shuō)明是指向反應(yīng)管20內(nèi)供給時(shí)的含氧氣氛中所含的氧氣的含有率(vol. % )。在上述氧氣的含有率低于20vol. %的時(shí)候，難以使RTP中的原生微缺陷的降低能力提高。上述含氧氣氛中所含的氧氣以外的氣體優(yōu)選為惰性氣體。另外，所述惰性氣體可以?xún)?yōu)選使用氬氣。由上述第1氣體氣氛轉(zhuǎn)換為上述第2氣體氣氛的時(shí)間優(yōu)選在上述第2溫度T2進(jìn)行。即，如果在超過(guò)800°C的溫度下進(jìn)行上述氣體的轉(zhuǎn)換，則存在硅晶片的表面粗糙度增大的問(wèn)題，因而不優(yōu)選。需要說(shuō)明的是，如果在800°C以下進(jìn)行上述氣體的轉(zhuǎn)換，則可以在第1熱處理工序中的降溫時(shí)進(jìn)行或者還可以在第2熱處理工序中的升溫時(shí)進(jìn)行。需要說(shuō)明的是，上述氣體的轉(zhuǎn)換即使是在800°C以下，在第1熱處理工序的升溫時(shí)或在第2熱處理工序的降溫時(shí)進(jìn)行的時(shí)候，也難以使原生微缺陷的降低能力提高(由于在前者的情況下硅晶片表面的氧濃度增加，在后者的情況下導(dǎo)入的間隙硅(以下稱(chēng)為i-Si)少)。第3溫度T3優(yōu)選為1250°C以上硅的融點(diǎn)以下。需要說(shuō)明的是，在此所謂的第3溫度T3與第1溫度T1同樣是指在如圖1所示的RTP 裝置10內(nèi)設(shè)置的晶片W的情況下，晶片W的下部的晶片直徑方向中的晶片面內(nèi)多點(diǎn)(本實(shí)施方式中為9個(gè)點(diǎn))的平均溫度。在上述第3溫度T3低于1250°C的時(shí)候難以使RTP中的原生微缺陷的降低能力提
尚ο從裝置壽命的觀點(diǎn)出發(fā)，上述第3溫度T3更優(yōu)選為1300°C以上1380°C以下。接著，對(duì)本發(fā)明的LSTD密度降低的機(jī)理使用圖3進(jìn)行考察。在第1熱處理工序中，如在惰性氣體氣氛中進(jìn)行RTP，則硅晶片的表面的氧在向外部擴(kuò)散的同時(shí)，在1300°C以上硅的融點(diǎn)以下的高溫下，COP的內(nèi)壁氧化膜所含的氧溶解于硅晶片內(nèi)部(圖3(a))。在該狀態(tài)下，在第2熱處理工序中，通過(guò)將氣氛氣體轉(zhuǎn)換為含有20vol. %以上100vol. %以下的氧氣的含氧氣氛，氧急劇固溶于硅晶片內(nèi)，并且大量導(dǎo)入i-Si (圖3(b))。通過(guò)該i-Si埋入除去所述內(nèi)壁氧化膜的COP內(nèi)而COP消失，即形成 DZ(Denuted Zone)層(圖 3(c))。需要說(shuō)明的是，在所形成的DZ層中，形成上述固溶氧(Oi)殘留的狀態(tài)(圖3 (c))。 因而，由于在上述DZ層中的固溶氧濃度增高，在RTP后的熱處理(例如器件工序中的熱處理)中，由于從晶片背面等發(fā)生的位錯(cuò)(転位dislocation)被上述固溶氧束縛，能夠抑制位錯(cuò)的伸張。另外，上述DZ層由于通過(guò)i-Si的導(dǎo)入而成為間隙硅過(guò)度飽和的狀態(tài)，所以在RTP 后的熱處理(例如器件工序的熱處理)中能夠防止在上述DZ層內(nèi)再次析出固溶氧。第1升溫速度ATu1優(yōu)選為10°C /sec以上150°C /sec以下。在上述第1升溫速度ATu1低于10°C /sec的時(shí)候，存在生產(chǎn)性差的問(wèn)題。另外， 上述第1升溫速度超過(guò)150°C /sec的時(shí)候，存在著在不能耐受過(guò)于急劇的溫度變化而在硅晶片上發(fā)生滑移的問(wèn)題。保持第1溫度T1的時(shí)間、優(yōu)選為Isec以上60sec以下。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)性高的RTP。第1降溫速度Δ Td1優(yōu)選為20°C /sec以上150°C /sec以下。在第1降溫速度ATd1低于20°C /sec的時(shí)候，難以使RTP中的原生微缺陷的降低能力提高。在第1降溫速度ATd1超過(guò)150°C /sec的時(shí)候，存在著在不能耐受過(guò)于急劇的溫度變化而在硅晶片上發(fā)生滑移的問(wèn)題。保持第2溫度T2的時(shí)間t3優(yōu)選為Isec以上60sec以下。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)性高的RTP。第2升溫速度Δ Tu2優(yōu)選為20°C /sec以上150°C /sec以下。在所述第2升溫速度Δ Tu2低于20°C /sec的時(shí)候，難以使RTP中的原生微缺陷的降低能力提高。另外，在所述第2升溫速度Δ Tu2超過(guò)150°C/sec的時(shí)候，存在著在不能耐受過(guò)于急劇的溫度變化而在硅晶片上發(fā)生滑移的問(wèn)題。
保持第3溫度T3的時(shí)間t2優(yōu)選為Isec以上60sec以下。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)性高的RTP。第2降溫速度Δ Td2優(yōu)選為10°C /sec以上150°C /sec以下。在第2降溫速度ATd2低于10°C/sec的時(shí)候，存在著生產(chǎn)性差的問(wèn)題。在第2降溫速度ATd2超過(guò)150°C /sec的時(shí)候，存在著在不能耐受急劇的溫度變化而在硅晶片上發(fā)生滑移的問(wèn)題。實(shí)施例接著，通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的效果進(jìn)行具體說(shuō)明，但本發(fā)明并不被下述實(shí)施例所限定。(試驗(yàn)1)通過(guò)佐克拉斯基法制備P型、結(jié)晶面方位(001)、固溶氧濃度
1. 2X 1018atoms/ cm (根據(jù)1970-1979年度版OldASTM的換算系數(shù)的計(jì)算值)、電阻23 25 Ω /cm的硅單晶
Iio此時(shí)，進(jìn)行投入以氮化硅膜被膜的硅晶片的氮摻雜處理，在調(diào)整拉伸速度為平均1.2mm/min的同時(shí)，以在培養(yǎng)單晶硅時(shí)不產(chǎn)生位錯(cuò)簇(転位夕7 ^ ^ dislocation cluster)的方式，通過(guò)控制拉伸速度V和1300°C下的結(jié)晶軸方向的溫度梯度G，邊控制V/G 邊進(jìn)行拉伸。接著，通過(guò)鋼絲鋸將得到的硅單晶錠切斷為晶片狀，實(shí)施倒角、拋光、蝕刻、研磨， 制備兩面研磨的直徑為300mm的硅晶片。接著，使用如圖1所示的RTP裝置10，以如圖2所示的熱處理順序分別變更第1溫度1\以及第3溫度T3，進(jìn)行上述制備的硅晶片的RTP。其他的共同條件如下所述?！さ?氣體氣氛氬100vol. %·第2氣體氣氛氧100vol. %· T0 500 "C· T2 600 "C· ATu1 :50°C /sec‘ ATd1 :50°C /sec· ATu2 :25°C /sec· ATd2 :25°C/sec· ti :15sec· t2 :15sec· t3 :15sec接著，對(duì)進(jìn)行了 RTP的硅晶片測(cè)定LSTD密度。LSTD密度使用日本raytex公司制 M0601，將激光波長(zhǎng)調(diào)整至680nm、進(jìn)入深度為5 μ m進(jìn)行測(cè)定。另外對(duì)沒(méi)有進(jìn)行RTP的研磨后的硅晶片的LSTD密度也進(jìn)行測(cè)定，將此作為參考例。并且，對(duì)進(jìn)行了 RTP的硅晶片評(píng)價(jià)總滑移長(zhǎng)度。該評(píng)價(jià)用X射線(xiàn)局部圖像(X線(xiàn)卜求m人X-ray topography)(日本rigaku公司制XRT300、004衍射)測(cè)定晶片整體，測(cè)定晶片整體中確認(rèn)的多個(gè)滑移的每一個(gè)的長(zhǎng)度，將所有的滑移長(zhǎng)度的合計(jì)值作為總滑移長(zhǎng)度進(jìn)行評(píng)價(jià)。試驗(yàn)1的各條件下的LSTD密度的結(jié)果圖示于表1。表 權(quán)利要求
1.硅晶片的熱處理方法，其特征在于，具有第1熱處理工序，其中，對(duì)于從利用佐克拉斯基法培養(yǎng)的硅單晶錠切割的硅晶片，在惰性氣體氣氛中以第1升溫速度急速升溫至1300°c以上硅的融點(diǎn)以下的第1溫度為止，在保持所述第1溫度之后，以第1降溫速度急速降溫至400°C以上800°C以下的第2溫度為止；第2熱處理工序，其中，在所述第1熱處理工序之后，從所述惰性氣體氣氛轉(zhuǎn)換為含有 20vol. %以上100vol. %以下的氧氣的含氧氣氛之后，以第2升溫速度從所述第2溫度急速升溫至1250°C以上硅的融點(diǎn)以下的第3溫度為止，于所述第3溫度保持之后，以第2降溫速度從所述第3溫度急速降溫。
2.權(quán)利要求1的硅晶片的熱處理方法，其特征在于，所述第1溫度為1300°C以上 1380°C以下，所述第3溫度為1250°C以上1380°C以下。
全文摘要
本發(fā)明提供硅晶片的熱處理方法，該方法能夠在抑制RTP時(shí)的滑移發(fā)生的同時(shí)，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，在RTP之后，能夠改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。對(duì)硅晶片，在惰性氣體氣氛中，以第1升溫速度急速升溫至1300℃以上硅的融點(diǎn)以下的第1溫度T1為止，在保持第1溫度T1之后，以第1降溫速度急速降溫至400℃以上800℃以下的第2溫度T2為止，接著，從惰性氣體氣氛轉(zhuǎn)換為含有20vol.％以上100vol.％以下的氧氣的含氧氣氛之后，以第2升溫速度從第2溫度T2急速升溫至1250℃以上硅的融點(diǎn)以下的第3溫度T3為止，于第3溫度T3保持之后，以第2降溫速度從第3溫度T3急速降溫。
文檔編號(hào)H01L21/26GK102473614SQ20108003382
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月27日
發(fā)明者豐田英二, 仙田剛士, 前田進(jìn), 村山久美子, 泉妻宏治, 磯貝宏道, 荒木浩司, 青木龍彥, 須藤治生, 鹿島一日兒 申請(qǐng)人:科發(fā)倫材料株式會(huì)社