專利名稱：太陽能電池制造過程中提高電池片少子壽命的擴散方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池制造過程中提高電池片少子壽命的擴散方法，屬于太陽能技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
太陽能電池變溫吸雜擴散方法是指利用金屬雜質(zhì)在二氧化硅的溶解度大于在晶體硅中的溶解度，可以先在800°C左右通氧氣在晶體硅表面形成一層二氧化硅薄膜，再升溫至IOOiTC讓金屬雜質(zhì)擴散至硅表面溶解于二氧化硅中，然后降溫至850°C正常方法擴散， 通過去磷硅玻璃去除溶解在磷硅玻璃中的金屬雜質(zhì)，達到提高少子壽命的目的。由于現(xiàn)在晶體硅特別是多晶硅原硅片內(nèi)存在金屬雜質(zhì)，常規(guī)方法在中溫850°C進行擴散方法，雖然能形成很好的PN結(jié)但除雜效果不理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種太陽能電池制造過程中提高電池片少子壽命的擴散方法。該方法可以降低電池片中金屬雜質(zhì)濃度，從而降低金屬雜質(zhì)對少數(shù)載流子的復(fù)合，提高短路電流，提高電池片的轉(zhuǎn)化效率。太陽能晶體硅具有較高密度的晶界、位錯、微缺陷等結(jié)構(gòu)缺陷和金屬雜質(zhì)，從而影響晶體硅太陽電池效率。變溫擴散對提高電池片的少子壽命有顯著的作用，從而提高開路電壓和短路電流，提高轉(zhuǎn)化效率。本發(fā)明通過較高溫度1000°C，利用金屬雜質(zhì)在二氧化硅的溶解度大于在晶體硅中的溶解度，包括步驟有金屬雜質(zhì)在二氧化硅的溶解度大于在晶體硅中的溶解度，先在800°C左右通氧氣在晶體硅表面形成一層二氧化硅薄膜；再升溫至1000°C讓金屬雜質(zhì)擴散至硅表面溶解于二氧化硅中；然后降溫至850°C正常方法擴散，通過去磷硅玻璃去除溶解在磷硅玻璃中的金屬雜質(zhì)，減少金屬雜質(zhì)對少數(shù)載流子的復(fù)合，達到提高少子壽命的目的。本發(fā)明的內(nèi)容通過采取以下技術(shù)措施予以實現(xiàn)一種太陽能電池制造過程中用于變溫吸雜以提高少子壽命的擴散方法，包括以下步驟(1)將太陽能晶體硅放進爐體，將溫度升至800°C ；通O2氣體時間為600秒；太陽能晶體硅的表面形成二氧化硅薄膜；(2)繼續(xù)升溫至1000°C，時間為900秒，進行高溫吸雜，降溫至850°C通磷源，時間為1200秒；(3)攜磷，850°C推進，時間為900秒，形成PN結(jié)；(4)降溫至800°C出爐；(5)去磷硅玻璃，除去雜質(zhì)；(6)得到處理后的太陽能晶體硅，對太陽能晶體硅測試少子壽命。
與現(xiàn)有技術(shù)比本發(fā)明通過較高溫度(ioocrc )能有效去除金屬雜質(zhì)，減少金屬雜質(zhì)對少數(shù)載流子的復(fù)合，提高少子壽命，提高短路電流和開路電壓，從而提高電池片效率。另外通過磷吸雜方法也能達到去除金屬雜質(zhì)的目的。


當結(jié)合附圖考慮時，通過參照下面的詳細描述，能夠更完整更好地理解本發(fā)明以及容易得知其中許多伴隨的優(yōu)點，但此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解， 構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定，其中圖1是表示作為本發(fā)明的步驟示意圖。
具體實施例方式參照圖1對本發(fā)明的實施例進行說明。實施例如圖1所示；本發(fā)明通過較高溫度(IOOiTC )去除金屬雜質(zhì)，減少金屬雜質(zhì)對少數(shù)載流子的復(fù)合，達到提高少子壽命的目的。顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員基于本發(fā)明的宗旨所做的許多修改和變化屬于本發(fā)明的保護范圍。以下列舉具體實施例對本發(fā)明進行說明。需要指出的是，實施例只用于對本發(fā)明作進一步說明，不代表本發(fā)明的保護范圍。其他人根據(jù)本發(fā)明的提示做出非本質(zhì)的修改和調(diào)整，仍屬于本發(fā)明的保護范圍。實施例1 本發(fā)明實施例1之太陽能電池制造過程中提高電池片少子壽命的擴散方法，包括以下步驟(1)將太陽能晶體硅放進爐體，將溫度升至800°C ；通O2氣體時間為600秒；太陽能晶體硅的表面形成二氧化硅薄膜；(2)繼續(xù)升溫至1000°C 900秒，進行高溫吸雜，降溫至850°C通磷源，時間為1200 秒；(3)攜磷，850°C推進900秒，形成PN結(jié)；
(4)降溫至800°C出爐；
(5)去磷硅玻璃，除去雜質(zhì)；
(6)得到處理后的太陽能晶體硅，對太陽能晶體硅測試少子壽命。
實施例2
(1)800°C通 02600 秒；
(2)升溫至 IOOO0C 900 秒；
(3)降溫至800°C出爐；
(4)去磷硅玻璃；
(5)800°C通 02600 秒；
(6)升溫至850°C通源1200秒；
(7)850°C推進 900 秒；(8)降溫至800°C出爐；(9)去磷硅玻璃；(10)測試少子壽命。如上所述，對本發(fā)明的實施例進行了詳細地說明，但是只要實質(zhì)上沒有脫離本發(fā)明的發(fā)明點及效果可以有很多的變形，這對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，這樣的變形例也全部包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池制造過程中提高電池片少子壽命的擴散方法，其特征在于含有以下步驟金屬雜質(zhì)在二氧化硅的溶解度大于在晶體硅中的溶解度，先在800°c左右通氧氣在晶體硅表面形成一層二氧化硅薄膜；再升溫至iooo°c讓金屬雜質(zhì)擴散至硅表面溶解于二氧化硅中；然后降溫至850°C正常方法擴散，通過去磷硅玻璃去除溶解在磷硅玻璃中的金屬雜質(zhì)， 減少金屬雜質(zhì)對少數(shù)載流子的復(fù)合，達到提高少子壽命的目的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池制造過程中提高電池片少子壽命的擴散方法，其特征在于含有以下步驟(1)將太陽能晶體硅放進爐體，將溫度升至800°c；通O2氣體時間為600秒；太陽能晶體硅的表面形成二氧化硅薄膜；(2)繼續(xù)升溫至1000°C，時間為900秒，進行高溫吸雜，降溫至850°C通磷源，時間為 1200 秒；(3)攜磷，850°C推進，時間為900秒，形成PN結(jié)；(4)降溫至800°C出爐；(5)去磷硅玻璃，除去雜質(zhì)；(6)得到處理后的太陽能晶體硅，對太陽能晶體硅測試少子壽命。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種太陽能電池制造過程中提高電池片少子壽命的擴散方法，其特征在于上述步驟(5)后含有以下步驟；(6)800°Cffl02600秒；(7)升溫至850°C通源1200秒；(8)850°C推進900 秒；(9)降溫至800°C出爐；(10)去磷硅玻璃；(11)測試少子壽命。
全文摘要
一種太陽能電池制造過程中提高電池片少子壽命的擴散方法。包括步驟有金屬雜質(zhì)在二氧化硅的溶解度大于在晶體硅中的溶解度，先在800℃左右通氧氣在晶體硅表面形成一層二氧化硅薄膜；再升溫至1000℃讓金屬雜質(zhì)擴散至硅表面溶解于二氧化硅中；然后降溫至850℃正常方法擴散，通過去磷硅玻璃去除溶解在磷硅玻璃中的金屬雜質(zhì)，減少金屬雜質(zhì)對少數(shù)載流子的復(fù)合，達到提高少子壽命的目的。與現(xiàn)有技術(shù)比本發(fā)明通過較高溫度(1000℃)能有效去除金屬雜質(zhì)，減少金屬雜質(zhì)對少數(shù)載流子的復(fù)合，提高少子壽命，提高短路電流和開路電壓，從而提高電池片效率。另外通過磷吸雜方法也能達到去除金屬雜質(zhì)的目的。
文檔編號H01L21/22GK102332393SQ20111030209
公開日2012年1月25日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者孫良欣, 梁志新, 郭玉林 申請人:桂林尚科光伏技術(shù)有限責任公司