專(zhuān)利名稱(chēng)：一種二極管芯片的酸洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種二極管芯片的酸洗工藝，特別是涉及酸洗工藝中酸洗液配制的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
根據(jù)二極管半導(dǎo)體生產(chǎn)原理，芯片要發(fā)揮作用時(shí)，必須經(jīng)過(guò)酸腐蝕及酸鈍化，二極管芯片的酸洗工藝包括混合酸清洗，酸與雙氧水混合清洗，氨水與雙氧水混合清洗，酸與雙氧水混合清洗液一般用雙氧水、磷酸和水以1:1:3的體積比混合制備。磷酸與雙氧水混合清洗液存在一些缺點(diǎn)磷酸配比比例濃度大，使用后廢酸中含有大量磷離子，廢酸的處理需要較大的投資和嚴(yán)格的廢酸處理措施進(jìn)行解決，工序繁瑣，成本又高。而且難以完全消除磷離子，排放后會(huì)對(duì)土壤造成嚴(yán)重破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種酸與雙氧水混合清洗液，其酸洗能夠達(dá)到符合產(chǎn)品性能要求的酸洗鈍化作用，同時(shí)降低了酸的濃度，既節(jié)約成本，又消除了磷離子的污染。本發(fā)明的技術(shù)方案是
一種二極管芯片的酸洗工藝，依次用混合酸清洗，酸與雙氧水清洗，氨水與雙氧水清洗，其關(guān)鍵在于上述酸與雙氧水的混合清洗液為雙氧水、硫酸和純水，上述雙氧水、硫酸和純水的體積比為1 1 15 30。上述雙氧水，硫酸和純水的體積比為1 :1 :30時(shí)，清洗效果最好。上述酸與雙氧水混合清洗液的配制為先加入純水，在加入雙氧水，最后加入硫酸。上述硫酸的濃度為95% 98%，所述雙氧水的濃度為35% 40%。硫酸與雙氧水混合液和目前所用的磷酸混合清洗液原理相同，主要是通過(guò)氧化作用，去除二極管芯片表面金屬離子。二極管芯片清洗后要進(jìn)行上膠烤和成型烤，再用DW-4813 二極管特性圖示儀或者DS-900測(cè)試箱測(cè)試產(chǎn)品的反向耐壓值，測(cè)試的反向耐壓值在國(guó)家規(guī)定的范圍內(nèi)的，即為良品。上膠烤電性良率是指上膠烤后，經(jīng)過(guò)反向耐壓值的測(cè)試，得出的良品個(gè)數(shù)占總個(gè)數(shù)的比例。成型烤電良率指的是成型烤后經(jīng)過(guò)反向耐壓值的測(cè)試，得出的良品個(gè)數(shù)占總個(gè)數(shù)的比例，比例越高，則說(shuō)明工藝效果越好。下面是改進(jìn)后的酸洗液和磷酸雙氧水混合清洗液清洗的效果比較，分別對(duì)1000個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行反向耐壓值測(cè)試后得出的結(jié)果
權(quán)利要求
1.一種二極管芯片的酸洗工藝，依次為混合酸清洗，酸與雙氧水清洗，氨水與雙氧水清洗，其特征在于所述酸與雙氧水的混合清洗液為雙氧水，硫酸和純水，所述雙氧水，硫酸和純水的體積比為1 1 15 30。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二極管芯片的酸洗工藝，其特征在于所述雙氧水，硫酸和純水的體積比為1 :1 :30。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二極管芯片的酸洗工藝，其特征在于所述酸與雙氧水混合清洗液的配制為先加入純水，再加入雙氧水，最后加入硫酸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二極管芯片的酸洗工藝，其特征在于所述硫酸的濃度為95% 98%，所述雙氧水的濃度為35% 40%。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種二極管芯片的酸洗工藝，依次為混合酸清洗，酸與雙氧水混合清洗，氨水與雙氧水混合清洗，所述酸與雙氧水混合清洗液為雙氧水，硫酸，純水，它們的體積配比是雙氧水∶硫酸∶純水為1∶1∶15～30，混合液具體配制為先加入純水，在加入雙氧水，最后加入硫酸。改進(jìn)后的硫酸混合液能較好的替代磷酸混合液，且配比濃度低，既節(jié)約了成本，又消除了磷離子污染。
文檔編號(hào)H01L21/329GK102569065SQ201110436748
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日
發(fā)明者安國(guó)星, 李述洲, 王艷明 申請(qǐng)人:重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司