專利名稱：發(fā)光二極管晶片、測試探針組結(jié)構及其掩模的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體照明器件技術領域，具體涉及一種發(fā)光二極管晶片 (wafer)、測試探針組結(jié)構及其掩模(mask)。
背景技術：
半導體發(fā)光二極管簡稱為LED。由鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二極管，當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發(fā)光二極管。發(fā)光二極管 (LED)作為光源以其功耗低、壽命長、可靠性高等特點，在日常生活中的許多領域得到了普遍的認可，在電子產(chǎn)品中得到廣泛應用，例如顯示器背光等。以基于寬禁帶半導體材料氮化稼(GaN)和銦氮化稼(InGaN)的發(fā)光二極管為代表的近紫外線、藍綠色和藍色等短波長發(fā)光二極管在1990年代后期得到廣泛應用，在基礎研究和商業(yè)應用上取得了很大進步。目前普遍應用的GaN基發(fā)光二極管包括藍寶石襯底，η 型GaN層和ρ型GaN層，以及兩者中間由ρ型摻雜的AWaN層、發(fā)光層InGaN和η型摻雜的 AlGaN層組成的發(fā)光單元，此外包括透明導電接觸(TCO)層，ρ型電極和η型電極。GaN基發(fā)光二極管的制造工藝主要采用半導體制造工藝，首先是外延片 (epi-wafer)的制造，然后利用多道(通常為5至6道)的掩模光刻工藝、刻蝕和金屬沉積 (metal deposition)等工藝來制造ρ型電極和η型電極。然后再經(jīng)過半切、點測、全切、檢測、目檢等工序，最后成品入庫?，F(xiàn)有技術中，點測是通過測試探針點壓在每片二極管芯片的P型電極和η型電極上進行的，測試完一個芯片后在將測試探針移動到下一個芯片上繼續(xù)測試。圖1為現(xiàn)有技術中晶片上每個芯片的ρ型電極和η型電極分布示意圖，圖加至圖 2d為逐片探針點測過程示意圖。如圖1所示，圖中以四個芯片為例，在半切工序后，所分隔出的四個芯片分別用芯片100、200、300、400表示，當然還有很多芯片，在此僅以四個芯片來說明。芯片100、200、300、400分別具有ρ型電極和η型電極，分別用P和N表示。每個芯片的P型電極和η型電極位于對角線的位置。在測試時，一對測試探針A和B要分別點壓在P型電極和η型電極上。例如，要對芯片100、200、300、400進行點測，首先將探針對(一對探針)Α和B點壓在芯片100的ρ型電極和η型電極表面，如圖加所示；要測試芯片200 時，需要將探針對A和B移動到芯片200上方，然后落下點壓在芯片200的ρ型電極和η型電極表面，如圖2b所示；以此類推，要測試芯片300和400時，需要將探針對A和B移動到芯片300上方，然后點壓在芯片300的ρ型電極和η型電極上，如圖2c所示；再將探針對A 和B移動到芯片400上方后并落下點壓在芯片400的ρ型電極和η型電極表面，如圖2d所示。由此可知，要測試四片芯片需要移動四次探針對。由于探針很細小精密，移動和落下的次數(shù)越多，損壞的概率也越高。而且，每測試一個芯片需要移動一次探針，測試多少個芯片便需要移動多少次探針，勢必會影響測試效率的提高。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種發(fā)光二極管晶片、測試探針組結(jié)構及其掩模，能夠減少探針移動的次數(shù)，降低了探針的損壞幾率，提高了測試效率。本實用新型提供了一種發(fā)光二極管晶片結(jié)構，所述晶片結(jié)構以四個芯片作為一個測試單元，所述測試單元以位于中部的第一電極作為共用測試電極，其余四個第二電極位于角部?？蛇x的，所述第一電極為η型電極，所述第二電極為P型電極。可選的，所述第一電極為ρ型電極，所述第二電極為η型電極。本實用新型提供了還提供了一種測試探針組結(jié)構，所述測試探針組結(jié)構包括五支探針，并呈中央一支探針、其余四支位于角部的“X”形排列?？蛇x的，所述與測試設備相連，所述測試設備依次讀取中央探針與四支角部探針獲得的數(shù)據(jù)。本實用新型提供了又提供了一種用于形成發(fā)光二極管晶片結(jié)構的掩模，所述掩模的圖形為以四個芯片組成的測試圖形的重復圖形，所述測試圖形包括位于四個芯片中部的第一區(qū)域和位于角部的四個第二區(qū)域?？蛇x的，所述第一區(qū)域為η型電極區(qū)，所述第二區(qū)域為P型電極區(qū)?？蛇x的，所述第一區(qū)域為ρ型電極區(qū)，所述第二區(qū)域為η型電極區(qū)。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有以下優(yōu)點本實用新型的技術方案將晶片上芯片的ρ型電極和η型電極的排列設計為四個芯片共用一個P型電極或η型電極，亦即，將四個芯片共用的P型電極或η型電極設置在四個芯片的中央，其它四個η型電極或ρ型電極設置在角部。將探針設計為X形五探針組結(jié)構， 測試時五個探針同時落下，中間探針點壓在共用電極表面，其它四個探針分別點壓在四個角部電極上，依次讀取四個芯片的數(shù)據(jù)。這樣，探針點壓一次可測試四個芯片，再移動一次探針組，測試下四個芯片。因此能夠減少探針移動的次數(shù)，降低了探針的損壞幾率，提高了測試效率。

通過附圖中所示的本實用新型的優(yōu)選實施例的更具體說明，本實用新型的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按比例繪制附圖，重點在于示出本實用新型的主旨。圖1為現(xiàn)有技術中晶片上每個芯片的ρ型電極和η型電極分布示意圖；圖加至圖2d為逐片探針點測過程示意圖；圖3為根據(jù)本實用新型實施例的發(fā)光二極管ρ型電極和η型電極分布示意圖；圖4為根據(jù)本實用新型實施例的測試探針組結(jié)構示意圖；圖5為根據(jù)本實用新型實施例的逐片探針點測示意圖；圖6為根據(jù)本實用新型實施例的發(fā)光二極管掩模示意圖。所述示圖是說明性的，而非限制性的，在此不能過度限制本實用新型的保護范圍。
具體實施方式
為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本實用新型。但是本實用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本實用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。圖3為根據(jù)本實用新型實施例的發(fā)光二極管P型電極和η型電極分布示意圖。 如圖3所示，本實用新型的晶片結(jié)構以四個芯片作為一個測試單元，四個芯片分別為芯片 100、200、300、400。當然在晶片上分布著眾多這樣的芯片。測試單元以位于中部的第一電極作為共用測試電極，其余四個第二電極位于角部。本實施例中，中部的第一電極為N型電極，其余四個第二電極為P型電極，位于角部。在其它實施例中，也可以是中部的第一電極為P型電極，其余四個第二電極為η型電極位于角部。圖4為根據(jù)本實用新型實施例的測試探針組結(jié)構示意圖。如圖4所示，本實用新型的測試探針組結(jié)構包括五支探針Α、B、C、D、Ε。其中，探針B位于中央，四支探針Α、C、D、 E位于四角，五支探針呈“X”形排列。圖5為根據(jù)本實用新型實施例的逐片探針點測示意圖。如圖5所示，在點測時，五支探針A、B、C、D、E落下點壓在電極表面，中央電極B點壓在共用電極N型電極的表面，其余四支探針A、C、D、E分別點壓在四個ρ型電極上。該測試探針組與測試設備相連，測試設備能夠依次讀取中央探針B與四支角部探針A、C、D、E獲得的數(shù)據(jù)，例如，可以先讀取AB探針數(shù)據(jù)，然后讀取BC之間的數(shù)據(jù)，接著讀取BE數(shù)據(jù)，最后讀取 BD數(shù)據(jù)。這樣依次讀取，探針組落下一次，便可測試四個芯片。抬起探針組，再移動到下一個測試單元，可繼續(xù)對下四個芯片進行測試。圖6為根據(jù)本實用新型實施例的發(fā)光二極管晶片掩模示意圖。如圖6所示，該圖形為用于形成發(fā)光二極管晶片結(jié)構的掩模圖形，所述掩模的圖形為以四個芯片組成的測試圖形的重復圖形，所述測試圖形包括位于四個芯片中部的第一區(qū)域600和位于角部的四個第二區(qū)域501、502、503和504。所述第一區(qū)域600為η型電極區(qū)，所述第二區(qū)域501、502、 503和504為ρ型電極區(qū)。在其它實施例中，也可以是第一區(qū)域600為ρ型電極區(qū)，第二區(qū)域501,502,503和504為η型電極區(qū)。以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制。任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本實用新型技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術內(nèi)容對本實用新型技術方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本實用新型技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本實用新型的技術實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的保護范圍內(nèi)。
權利要求1.一種發(fā)光二極管晶片結(jié)構，其特征在于所述晶片結(jié)構以四個芯片作為一個測試單元，所述測試單元以位于中部的第一電極作為共用測試電極，其余四個第二電極位于角部。
2.根據(jù)權利要求1所述的結(jié)構，其特征在于所述第一電極為η型電極，所述第二電極為P型電極。
3.根據(jù)權利要求1所述的結(jié)構，其特征在于所述第一電極為ρ型電極，所述第二電極為η型電極。
4.一種測試探針組結(jié)構，其特征在于所述測試探針組結(jié)構包括五支探針，并呈中央一支探針、其余四支位于角部的“X”形排列。
5.根據(jù)權利要求4所述的結(jié)構，其特征在于所述與測試設備相連，所述測試設備依次讀取中央探針與四支角部探針獲得的數(shù)據(jù)。
6.一種用于形成發(fā)光二極管晶片結(jié)構的掩模，其特征在于所述掩模的圖形為以四個芯片組成的測試圖形的重復圖形，所述測試圖形包括位于四個芯片中部的第一區(qū)域和位于角部的四個第二區(qū)域。
7.根據(jù)權利要求6所述的掩模，其特征在于所述第一區(qū)域為η型電極區(qū)，所述第二區(qū)域為P型電極區(qū)。
8.根據(jù)權利要求6所述的掩模，其特征在于所述第一區(qū)域為ρ型電極區(qū)，所述第二區(qū)域為η型電極區(qū)。
專利摘要本實用新型公開了一種發(fā)光二極管晶片、測試探針組結(jié)構及其掩模，能夠減少探針移動的次數(shù)，降低了探針的損壞幾率，提高了測試效率。
文檔編號H01L33/38GK201966213SQ201120012370
公開日2011年9月7日 申請日期2011年1月17日 優(yōu)先權日2011年1月17日
發(fā)明者林朝暉 申請人:泉州市金太陽電子科技有限公司