專利名稱：硅片背面缺陷正面打點的定位裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體集成電路制造領域，屬于一種用于缺陷監(jiān)控的硅片背面缺陷正面打點的定位裝置。
背景技術：
在硅片的生產制造過程中，經常會出現(xiàn)某個die(晶粒)有缺陷，通常發(fā)現(xiàn)硅片背面晶粒有缺陷時，采用對X、Y方向的背面刀痕數進行手動數數來進行定位，這種定位方式不但費時費力，還容易污染UV膜，并且定位的準確率很低。通過現(xiàn)有實驗數據，此種做法通常一個die平均花費5分鐘，同時容易出錯，風險呈幾何級數增加。并且由于現(xiàn)有檢查方法導致硅片翻轉以后正面和凈化紙相接觸，在相對移動中易引起新的劃傷異常。隨著單枚硅片背面缺陷的增加，所耗時間和所產生的風險將遞增。由于當前劃片槽尺寸越來越小，背面崩齒等缺陷對硅片的影響越來越大。為了改變當前較原始的定位打點方式，所以需要一個操作方便的缺陷定位裝置，能精確定位正背面缺陷的同步性，以達到準確對背面缺陷die 進行正面打點。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，可以精確定位背面缺陷在正面的位置，提高正面打點的準確性，并且省時省力。為解決上述技術問題，本實用新型的硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，包括安裝硅片的鐵環(huán)、位于鐵環(huán)四周的方形導軌框架，所述導軌框架包括四個導軌，其中至少兩個相互垂直的導軌上具有刻度尺，所述導軌框架上設有兩根可移動的游尺，其中一根游尺垂直地跨設在平行的兩個導軌上，另一根游尺垂直地跨設在另外兩個平行的導軌上。優(yōu)選的，所述四個導軌都具有刻度尺。進一步地，所述導軌和刻度尺為一體結構?；蛘?，所述導軌和刻度尺為獨立結構， 每個導軌的下方都設有一個刻度尺。進一步地，所述兩根游尺相互垂直。優(yōu)選的，所述刻度尺的最小刻度為1毫米。本實用新型通過對具體缺陷位置的坐標化，改變了現(xiàn)有人為目測計算die位置的費時費力的做法，出錯概率降低，定位時間縮短，正面劃傷概率理論值為零。
以下結合附圖
與具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明附圖是本實用新型的結構示意圖。其中附圖標記說明如下1為硅片；2為導軌；3為游尺；4為鐵環(huán)。
具體實施方式
本實用新型的硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，如附圖所示，包括安裝硅片1 的鐵環(huán)4、位于鐵環(huán)4四周的方形導軌框架，所述導軌框架包括四個導軌2，其中至少兩個相互垂直的導軌上具有刻度尺。導軌框架上設有兩根可移動的游尺3，其中一根游尺3垂直地跨設在平行的兩個導軌2上，另一根游尺3垂直地跨設在另外兩個平行的導軌2上。所述兩根游尺3相互垂直。在本實施例中，為了避免長時間使用中游尺會產生偏差而不能完全垂直于導軌，四個導軌2上均具有刻度尺，只要游尺位置匹配，即可保證使用過程中的精確度。所述導軌2和刻度尺為一體結構，當然，也可以為獨立結構，每個導軌2的下方都設有一個刻度尺。所述刻度尺的最小刻度為1毫米。本裝置的定位打點過程中，硅片中心的坐標定義為(0，0)，經過硅片中心且平行于橫向導軌的軸線定義為X軸，經過硅片中心且平行于縱向導軌的軸線定義為Y軸，包括以下步驟1)將帶鐵環(huán)的硅片背面朝上放入該定位裝置上，并且使硅片缺口位于導軌框架的下方；幻將定位裝置放置于INT外觀機臺上，進行常規(guī)的微觀檢查；3)當發(fā)現(xiàn)某個die有缺陷時，通過顯微鏡觀察，將縱向的游尺沿X軸移動至缺陷位置，再將橫向的游尺沿Y軸移動至缺陷位置；4)根據兩個游尺在刻度尺的位置，記錄缺陷位置的橫坐標和縱坐標，例如 (30,40) ；5)將硅片以Y軸為中心翻轉180°，即使得硅片正面朝上、缺口仍然位于導軌框架的下方放置于定位裝置上；6)將步驟4中測得的坐標值關于Y軸對稱得到一個新的坐標值(-30，40)，將縱向的游尺沿X軸移動至新的坐標值所指位置，此時兩個游尺相交的位置就是硅片背面缺陷所在位置，對此位置進行正面打點即可。所述游尺在移動過程中，始終與所跨設導軌相垂直，即游尺在移動過程中始終同步，不會發(fā)生偏斜，從而保證了定位的準確性。本專利通過對具體缺陷位置的坐標化，解決了現(xiàn)有人為目測去數die這樣一個極為費時費力的做法。通過現(xiàn)有數據可說明，此種做法通常一個die平均花費5分鐘，同時容易出錯，風險呈幾何級數增加。并且由于現(xiàn)有檢查方法導致硅片翻轉以后正面和凈化紙相接觸，在相對移動中易引起新的劃傷異常。隨著單枚硅片背面缺陷的增加，所耗時間和所產生的風險將遞增。而使用此裝置后，缺陷位置被數字化，出錯概率降低，定位時間縮短，正面劃傷概率理論值為零。以上通過具體實施例對本實用新型進行了詳細的說明，但這些并非構成對本實用新型的限制。在不脫離本實用新型原理的情況下，本領域的技術人員還可對本實用新型等做出許多變形和等效置換，這些也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，其特征在于包括安裝硅片(1)的鐵環(huán) G)、位于鐵環(huán)四周的方形導軌框架，所述導軌框架包括四個導軌O)，其中至少兩個相互垂直的導軌上具有刻度尺，所述導軌框架上設有兩根可移動的游尺(3)，其中一根游尺 (3)垂直地跨設在平行的兩個導軌( 上，另一根游尺( 垂直地跨設在另外兩個平行的導軌⑵上。
2.根據權利要求1所述的硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，其特征在于所述四個導軌( 都具有刻度尺。
3.根據權利要求1或2所述的硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，其特征在于所述導軌(2)和刻度尺為一體結構。
4.根據權利要求1或2所述的硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，其特征在于所述導軌( 和刻度尺為獨立結構，每個導軌O)的下方都設有一個刻度尺。
5.根據權利要求1所述的硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，其特征在于所述兩根游尺( 相互垂直。
6.根據權利要求1或2所述的硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，其特征在于所述刻度尺的最小刻度為1毫米。
專利摘要本實用新型公開了一種硅片背面缺陷正面打點的定位裝置，包括安裝硅片的鐵環(huán)、位于鐵環(huán)四周的方形導軌框架，所述導軌框架包括四個帶刻度尺的導軌，導軌框架上設有兩根可移動的游尺，其中一根游尺垂直地跨設在平行的兩個導軌上，另一根游尺垂直地跨設在另外兩個平行的導軌上。本實用新型通過對具體缺陷位置的坐標化，改變了現(xiàn)有人為目測計算die位置的費時費力的做法，提高了工作效率和定位準確率，出錯概率降低，定位時間縮短，正面劃傷概率理論值為零。
文檔編號H01L21/66GK202196760SQ201120305660
公開日2012年4月18日 申請日期2011年8月22日 優(yōu)先權日2011年8月22日
發(fā)明者汪雪鋒, 沈捷, 陳培華, 陳杰 申請人:上海華虹Nec電子有限公司