具有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格的制作方法
【專利摘要】揭示一種具有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格。具體實(shí)施例包括：經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)、電源線結(jié)構(gòu)及位線結(jié)構(gòu)中的第一者的第一結(jié)構(gòu)；經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第二者的第二結(jié)構(gòu)；以及經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)線、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第三者的第三結(jié)構(gòu)。
【專利說明】具有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本揭示內(nèi)容是有關(guān)于微型化靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)位格(bit cell)的制造。本揭示內(nèi)容尤其可應(yīng)用于可超越20奈米(nm)技術(shù)節(jié)點(diǎn)(例如，14奈米及其它技術(shù)節(jié)點(diǎn))的SRAM位格。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)進(jìn)步，以及持續(xù)縮減晶體管裝置的尺寸，越來越難以維持用于制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)的微影可印性。例如，圖1A中的現(xiàn)有SRAM位格100包含用于字符線的金屬I接著墊101，用于接地線的金屬I接著墊103，以及金屬I位線結(jié)構(gòu)105，以及金屬2層結(jié)構(gòu)107。此外，位格100包含主動區(qū)觸點(diǎn)109，金屬觸點(diǎn)111，以及用于完成與金屬I層結(jié)構(gòu)101、103及105關(guān)連的各種互連的通孔I結(jié)構(gòu)113，以及金屬2層結(jié)構(gòu)107。不過，位格100可能難以印在晶圓上，因?yàn)槲桓?00中顏色相同(或圖案化)的金屬結(jié)構(gòu)彼此太接近。如圖標(biāo)，例如，字符線接著墊101可能太靠近接地線接著墊103，以及接著墊101、103可能太靠近位線結(jié)構(gòu)105。因此，變成越來越難以進(jìn)一步縮小位格100的設(shè)計(jì)。此外，如圖1B所示的另一現(xiàn)有SRAM位格130，單一圖案化金屬線(例如，金屬I層結(jié)構(gòu)131及133)占據(jù)重要的空間。不過，如果減少位格130的高度(例如，以減少占用空間)，金屬I層結(jié)構(gòu)133之間的端邊至端邊間距(tip-to-tip spacing,其中端邊為結(jié)構(gòu)的短邊),特別是在相同的顏色空間中，會變成太靠近，這對位格130的微影可印性有不利影響。
[0003]因此，亟須一種有改良微影可印性的微型化SRAM位格及致能方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本揭示內(nèi)容的一方面為一種用于實(shí)現(xiàn)具有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格的方法。
[0005]本揭示內(nèi)容的另一方面為一種用有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格實(shí)現(xiàn)的裝置。
[0006]本揭示內(nèi)容的其它方面及特征會在以下說明中提出以及部分在本技藝一般技術(shù)人員審查以下內(nèi)容或?qū)W習(xí)本揭示內(nèi)容的實(shí)施后會明白。按照隨附權(quán)利要求書所特別提示，可實(shí)現(xiàn)及得到本揭示內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)。
[0007]根據(jù)本揭示內(nèi)容，一些技術(shù)效果的達(dá)成部分可通過一種方法，其包含:經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)、電源線結(jié)構(gòu)及位線結(jié)構(gòu)中的第一者的第一結(jié)構(gòu)；經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第二者的第二結(jié)構(gòu)；以及經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第三者的第三結(jié)構(gòu)。
[0008]本揭示內(nèi)容的數(shù)個(gè)方面包括:提供具有該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)及該第三結(jié)構(gòu)的位格。附加方面包括:經(jīng)由該第一圖案化制程，提供該位格的該字符線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)、或其組合；經(jīng)由該第二圖案化制程，提供該位格的該位線結(jié)構(gòu)；以及經(jīng)由該第三圖案化制程，提供該位格的該接地線結(jié)構(gòu)。不同的方面包括:提供該位線結(jié)構(gòu)于該字符線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、于該接地線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、或其組合。其它方面包括:該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
[0009]某些方面包括:提供具有第一邊緣以及比該第一邊緣長0至10百分比的第二邊緣的該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)、該第三結(jié)構(gòu)、或其組合。一些方面包括:提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。其它方面包括:提供與該電源線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該位線結(jié)構(gòu)；以及提供與該位線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。其它方面包括:提供與該接地線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該字符線結(jié)構(gòu)。
[0010]本揭示內(nèi)容的一附加方面為一種裝置，其包含:字符線結(jié)構(gòu)；接地線結(jié)構(gòu)；電源線結(jié)構(gòu)；以及位線結(jié)構(gòu)，其中該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該位線結(jié)構(gòu)、或其組合都有第一邊緣以及鄰接該第一邊緣而且比該第一邊緣長0至10百分比的第二邊緣。
[0011]數(shù)個(gè)方面包括:一種裝置，其具有包含該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)的位格。附加方面包含:有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。一些方面包括:該位線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離，以及該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合與該位線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離。某些方面包括:該字符線結(jié)構(gòu)與該接地線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離。其它方面包括:該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
[0012]本揭示內(nèi)容的另一方面包括:經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為位格的字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)及電源線結(jié)構(gòu)中的一者的第一結(jié)構(gòu)；經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供該位格的位線結(jié)構(gòu)；以及經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)及該接地線結(jié)構(gòu)線中的一者的第二結(jié)構(gòu)。
[0013]附加方面包含:提供該位線結(jié)構(gòu)于該字符線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、于該接地線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、或其組合。一些方面包括:提供具有第一邊緣及第二邊緣的該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)、或其組合，該等第二邊緣是鄰接該等第一邊緣而且比該等第一邊緣長0至10百分比。不同的方面包括:提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。其它方面包括:該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
[0014]熟諳此藝者由以下詳細(xì)說明可明白本揭示內(nèi)容的其它方面及技術(shù)效果，其中僅以預(yù)期可實(shí)現(xiàn)本揭示內(nèi)容的最佳模式舉例描述本揭示內(nèi)容的具體實(shí)施例。應(yīng)了解，本揭示內(nèi)容能夠做出其它及不同的具體實(shí)施例，以及在各種明顯的方面，能夠修改數(shù)個(gè)細(xì)節(jié)而不脫離本揭示內(nèi)容。因此，附圖及說明內(nèi)容本質(zhì)上應(yīng)被視為圖解說明用而不是用來限定。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]在此用附圖舉例說明而不是限定本揭示內(nèi)容，圖中類似的組件用相同的組件符號表不。
[0016]圖1A及圖1B示意圖標(biāo)有單一圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的SRAM位格；
[0017]圖2根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格；
[0018]圖3根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格的電路圖；
[0019]圖4根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)與有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格關(guān)連的n型阱區(qū)及主動區(qū)；
[0020]圖5根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)與有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格關(guān)連的多晶娃結(jié)構(gòu)及多晶娃切割區(qū)；
[0021]圖6根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)與有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格關(guān)連的主動區(qū)觸點(diǎn)、柵極觸點(diǎn)及通孔0結(jié)構(gòu)；以及
[0022]圖7根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)與有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格關(guān)連的通孔0結(jié)構(gòu)及金屬I層結(jié)構(gòu)。
[0023]符號說明
[0024]
【權(quán)利要求】
1.一種方法，其包含: 經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)、電源線結(jié)構(gòu)及位線結(jié)構(gòu)中的第一者的第一結(jié)構(gòu)； 經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第二者的第二結(jié)構(gòu)；以及 經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)線、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第三者的第三結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 提供具有該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)及該第三結(jié)構(gòu)的位格。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括: 經(jīng)由該第一圖案化制程，提供該位格的該字符線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)、或彼等的組合； 經(jīng)由該第二圖案化制程，提供該位格的該位線結(jié)構(gòu)；以及 經(jīng)由該第三圖案化制程，提供該位格的該接地線結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括: 提供該位線結(jié)構(gòu)于該字符線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、于該接地線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、或其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 提供具有第一邊緣以及比該第一邊緣長O至10百分比的第二邊緣的該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)、該第三結(jié)構(gòu)、或其組合。`
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 提供與該電源線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該位線結(jié)構(gòu)；以及 提供與該位線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組入口 o
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 提供與該接地線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該字符線結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
10.一種裝置，其包含: 字符線結(jié)構(gòu)； 接地線結(jié)構(gòu)； 電源線結(jié)構(gòu)；以及 位線結(jié)構(gòu)，其中該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該位線結(jié)構(gòu)、或其組合具有第一邊緣以及鄰接該第一邊緣而且比該第一邊緣長0至10百分比的第二邊緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，還包含: 具有該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)的位格。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合具有該第一邊緣與該第二邊緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該位線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離，以及該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合與該位線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該字符線結(jié)構(gòu)與該接地線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
16.—種方法,其包含: 經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為位格的字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)及電源線結(jié)構(gòu)中的一者的第一結(jié)構(gòu)； 經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供該位格的位線結(jié)構(gòu)；以及 經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)及該接地線結(jié)構(gòu)線中的一者的第二結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括: 提供該位線結(jié)構(gòu)于該字符線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、于該接地線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、或其組合。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括: 提供具有第一邊緣及第 二邊緣的該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)、或其組合，該等第二邊緣是鄰接該等第一邊緣且比該等第一邊緣長0至10百分比。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括: 提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L23/528GK103681472SQ201310410551
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月14日
【發(fā)明者】J·金, J·桂 申請人:格羅方德半導(dǎo)體公司