一種單向高壓可控硅的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公布了一種單向高壓可控硅，包括P型陽(yáng)極區(qū)，所述P型陽(yáng)極區(qū)上表面形成有N型長(zhǎng)基區(qū)，所述P型陽(yáng)極區(qū)下表面形成有陽(yáng)電極；所述N型長(zhǎng)基區(qū)上表面形成有P型短基區(qū)；所述P型短基區(qū)上表面局部依次形成有2個(gè)N+型發(fā)射區(qū)和3個(gè)N-型發(fā)射區(qū)，并且局部還設(shè)置有門級(jí)電極；所述N+型發(fā)射區(qū)和N-型發(fā)射區(qū)上表面設(shè)置有陽(yáng)級(jí)電極；所述N型長(zhǎng)基區(qū)和P型短基區(qū)上設(shè)置有內(nèi)溝槽，所述內(nèi)溝槽布置在所述門級(jí)電極、N+型發(fā)射區(qū)、N-型發(fā)射區(qū)和陽(yáng)級(jí)電極的外圍上。本實(shí)用新型的可控硅能在高電壓、大電流條件下工作，其具有耐高壓、容量大、體積小的特點(diǎn)?？蓮V泛應(yīng)用于漏電保護(hù)，固態(tài)繼電器，家電控制器等眾多領(lǐng)域。
【專利說(shuō)明】—種單向高壓可控硅
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種單向高壓可控硅。
【背景技術(shù)】
[0002]自然界的靜電放電(ESD)現(xiàn)象對(duì)集成電路的可靠性構(gòu)成嚴(yán)重的威脅。在工業(yè)界，集成電路產(chǎn)品的失效30%都是由于遭受靜電放電現(xiàn)象所引起的，而且越來(lái)越小的工藝尺寸，更薄的柵氧厚度都使得集成電路受到靜電放電破壞的幾率大大增加。因此，改善集成電路靜電放電防護(hù)的可靠性對(duì)提高產(chǎn)品的成品率具有不可忽視的作用。
[0003]目前，生產(chǎn)可控硅芯片的廠家由于技術(shù)瓶頸，工藝只能做到600-800V，其他性能也達(dá)不到國(guó)際水平?，F(xiàn)有技術(shù)中，可控硅的控制極觸發(fā)電流只能做到10-60mA，反向重復(fù)峰值電壓為600V，額定正向平均電流為1.0A，其耐壓低、容量小、體積過(guò)大，成本過(guò)高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種單向高壓可控硅。
[0005]本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種單向高壓可控硅，包括P型陽(yáng)極區(qū)，所述P型陽(yáng)極區(qū)上表面形成有N型長(zhǎng)基區(qū)，所述P型陽(yáng)極區(qū)下表面形成有陽(yáng)電極；所述N型長(zhǎng)基區(qū)上表面形成有P型短基區(qū)；所述P型短基區(qū)上表面局部依次形成有2個(gè)N+型發(fā)射區(qū)和3個(gè)N-型發(fā)射區(qū)，并且局部還設(shè)置有門級(jí)電極；所述N+型發(fā)射區(qū)和N-型發(fā)射區(qū)上表面設(shè)置有陽(yáng)級(jí)電極；所述N型長(zhǎng)基區(qū)和P型短基區(qū)上設(shè)置有內(nèi)溝槽，所述內(nèi)溝槽布置在所述門級(jí)電極、N+型發(fā)射區(qū)、N-型發(fā)射區(qū)和陽(yáng)級(jí)電極的外圍上。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型的可控硅能在高電壓、大電流條件下工作，其具有耐高壓、容量大、體積小的特點(diǎn)?？蓮V泛應(yīng)用于漏電保護(hù)，固態(tài)繼電器，家電控制器等眾多領(lǐng)域。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]圖1所示，為一種單向高壓可控硅，包括P型陽(yáng)極區(qū)2，所述P型陽(yáng)極區(qū)2上表面形成有N型長(zhǎng)基區(qū)3，所述P型陽(yáng)極區(qū)2下表面形成有陽(yáng)電極I ;所述N型長(zhǎng)基區(qū)3上表面形成有P型短基區(qū)6 ;所述P型短基區(qū)6上表面局部依次形成有2個(gè)N+型發(fā)射區(qū)8和3個(gè)N-型發(fā)射區(qū)9，并且局部還設(shè)置有門級(jí)電極7 ;所述N+型發(fā)射區(qū)8和N-型發(fā)射區(qū)9上表面設(shè)置有陽(yáng)級(jí)電極10 ;所述N型長(zhǎng)基區(qū)3和P型短基區(qū)6上設(shè)置有內(nèi)溝槽5，所述內(nèi)溝槽5布置在所述門級(jí)電極7、N+型發(fā)射區(qū)8、N-型發(fā)射區(qū)9和陽(yáng)級(jí)電極10的外圍上。
[0009]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單向高壓可控硅，其特征在于，包括P型陽(yáng)極區(qū)(2)，所述P型陽(yáng)極區(qū)(2)上表面形成有N型長(zhǎng)基區(qū)(3)，所述P型陽(yáng)極區(qū)(2)下表面形成有陽(yáng)電極(I);所述N型長(zhǎng)基區(qū)(3)上表面形成有P型短基區(qū)(6);所述P型短基區(qū)(6)上表面局部依次形成有2個(gè)N+型發(fā)射區(qū)(8)和3個(gè)N-型發(fā)射區(qū)(9)，并且局部還設(shè)置有門級(jí)電極(7);所述N+型發(fā)射區(qū)(8)和N-型發(fā)射區(qū)(9)上表面設(shè)置有陽(yáng)級(jí)電極(10);所述N型長(zhǎng)基區(qū)(3)和P型短基區(qū)(6)上設(shè)置有內(nèi)溝槽(5)，所述內(nèi)溝槽(5)布置在所述門級(jí)電極(7)、N+型發(fā)射區(qū)(8)、N-型發(fā)射區(qū)(9)和陽(yáng)級(jí)電極(10)的外圍上。
【文檔編號(hào)】H01L29/06GK203491262SQ201320595332
【公開(kāi)日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】王國(guó)新 申請(qǐng)人:無(wú)錫市宏矽電子有限公司