本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體元件用于多種電子應(yīng)用上，像是個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)字相機(jī)以及其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體元件通常藉由在半導(dǎo)體襯底上依序沉積絕緣層或介電層、導(dǎo)體層以及半導(dǎo)體層或半導(dǎo)體材料，并使用光刻法圖案化多種材料層以于半導(dǎo)體襯底上形成線路組件以及構(gòu)件來(lái)制備。許多集成電路通常被制造在單一個(gè)半導(dǎo)體晶片上。可將所述晶片(wafer)的晶粒(dies)在晶片階段(waferlevel)處理與封裝，且用于晶片級(jí)封裝(waferlevelpackaging)的各種技術(shù)業(yè)已開發(fā)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種具有凹部的接觸墊的半導(dǎo)體封裝，其使得焊膏與焊球或凸塊能被準(zhǔn)確地定位在接觸墊上，進(jìn)而改善落球良率(balldropyield)并提升封裝可靠度。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝具有第一重分布層、第一晶粒、第二重分布層以及表面涂布層。第一晶粒包覆在封膠材料內(nèi)并與第一重分布層耦接。第二重分布層設(shè)置在封膠材料上、第一晶粒上并與第一晶粒耦接。第二重分布層包括具有至少一接觸墊的最頂金屬化層，且至少一接觸墊包括凹部。表面涂布層覆蓋最頂金屬化層的一部分且暴露至少一接觸墊的凹部。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為依照本發(fā)明一些實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖；

圖2至圖13為依照本發(fā)明一些實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝的制造過(guò)程的各種階段的剖面示意圖；

圖14a至圖14c為圖12的半導(dǎo)體封裝的制造過(guò)程的各種階段的部分剖面示意圖；

圖15a為圖1的第二重分布層的放大部分剖面示意圖；

圖15b為圖15a的第二重分布層的上視圖；

圖16a為依照本發(fā)明一些實(shí)施例的一種第二重分布層的放大部分剖面示意圖；

圖16b為圖16a的第二重分布層的上視圖。

附圖標(biāo)記：

100：半導(dǎo)體封裝

110：保護(hù)層

112：載體

114：剝離層

120：第一重分布層

122：第一聚合物介電材料層

124：金屬化層

126：第二聚合物介電材料層

130：第一晶粒

131：接觸窗

132、232：通孔

140：封膠材料

150：第二重分布層

152、156、159、252、256、262、264：聚合物介電材料層

152a：開口

154、158、254、258：金屬化層

154a、254a：接觸墊

154b、254b：表面涂布層

154c、254c：凹部

160、260：導(dǎo)體構(gòu)件

170：第二晶粒

180：導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)

200：膠帶

290：ubm墊

s130：正面

s150：表面

s154：側(cè)壁

s170：頂面

p1、p2：平面

d1：距離

d2：高度

具體實(shí)施方式

以下發(fā)明內(nèi)容提供用于實(shí)施所提供的標(biāo)的不同特征的許多不同實(shí)施例或?qū)嵗Ｒ韵滤枋龅臉?gòu)件及設(shè)置的具體實(shí)例是為了以簡(jiǎn)化的方式傳達(dá)本發(fā)明為目的。當(dāng)然，這些僅僅為實(shí)例而非用以限制。舉例來(lái)說(shuō)，于以下描述中，在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征與第一特征形成為直接接觸的實(shí)施例，且亦可包括第二特征與第一特征之間可形成有額外特征使得第二特征與第一特征可不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明在各種實(shí)例中可使用相同的元件符號(hào)和/或字母來(lái)指代相同或類似的部件。元件符號(hào)的重復(fù)使用是為了簡(jiǎn)單及清楚起見，且并不表示所欲討論的各個(gè)實(shí)施例和/或設(shè)置本身之間的關(guān)系。

另外，為了易于描述附圖中所顯示的一個(gè)構(gòu)件或特征與另一組件或特征的關(guān)系，本文中可使用例如“在...下”、“在...下方”、“下部”、“在…上”、“在…上方”、“上部”及類似術(shù)語(yǔ)的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)。除了附圖中所顯示的定向之外，所述空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意欲涵蓋元件在使用或操作時(shí)的不同定向。設(shè)備可被另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他定向)，而本文所用的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)相應(yīng)地作出解釋。

圖1顯示為依照本發(fā)明一些實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。參照?qǐng)D1，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝100包括保護(hù)層110、第一重分布層(first redistributionlayer)120、第一晶粒130、第二重分布層150以及至少一導(dǎo)體構(gòu)件160。在一些實(shí)施例中，第一重分布層120與第二重分布層150位于第一晶粒130的相對(duì)兩側(cè)。保護(hù)層110覆蓋第一重分布層120。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層110例如包括玻璃蓋、覆蓋板、硬涂層或任何其他適合的保護(hù)膜。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層110還包括功能層，像是偏光膜、彩色膜、抗反射層或防眩光層。保護(hù)層110可允許特定波長(zhǎng)的光通過(guò)。也就是說(shuō)，依據(jù)允許通過(guò)的波長(zhǎng)，可通過(guò)保護(hù)層110的光可為不可見光、可見光或不同顏色的光。適合的保護(hù)層110是基于設(shè)計(jì)以及產(chǎn)品需求來(lái)選擇。此外，在一些實(shí)施例中，黏著層(未顯示)沉積在保護(hù)層110與第一重分布層120之間。黏著層例如包括紫外光(uv)固化膠、熱固化膠、光學(xué)透明膠或光熱轉(zhuǎn)換(light-to-heatconversion，lthc)膠或類似物，盡管其他類型的膠可被使用。此外，黏著層亦適用于允許光或信號(hào)通過(guò)。

在一些實(shí)施例中，在圖1中，第一晶粒130夾在第一重分布層120與第二重分布層150之間，且第一晶粒130設(shè)置在第一重分布層120上并與第一重分布層120電連接(耦接)。在一些實(shí)施例中，第一重分布層120包括一個(gè)或更多個(gè)金屬化層以及一個(gè)或更多個(gè)聚合物基介電層(polymer-baseddielectriclayers)。如圖1所示，第一重分布層120包括第一聚合物介電材料層122、金屬化層124以及第二聚合物介電材料層126。金屬化層124被夾在第二聚合物介電材料層126與第一聚合物介電材料層122之間。在一些實(shí)施例中，金屬化層124的材料包括鋁、鈦、銅、鎳、鎢以和/或其合金。在一些實(shí)施例中，聚合物介電材料層的材料包括聚酰亞胺(polyimide，pi)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚苯并惡唑(polybenzooxazole，pbo)或任何其他適合的聚合物基介電材料。

參照?qǐng)D1，在一些實(shí)施例中，第一晶粒130的正面s130面向保護(hù)層110。在一實(shí)施例中，金屬化層124與位于第一晶粒130的正面s130上的接觸窗131連接，以與第一晶粒130電連接。在某些實(shí)施例中，由于金屬化層124與設(shè)置在第一晶粒130的正面s130的周邊處的接觸窗131連接，因此，金屬化層124不會(huì)阻擋大部分的第一晶粒130感測(cè)光或信號(hào)，而且第一晶粒130仍能接收和檢測(cè)通過(guò)保護(hù)層110的光或信號(hào)。

在一些實(shí)施例中，第一晶粒130是一種包括一個(gè)或更多個(gè)傳感器元件的 傳感器芯片。在某些實(shí)施例中，第一晶粒130包括至少一種指紋傳感器，像是光學(xué)指紋傳感器、電容式指紋傳感器，或其他適合類型的傳感器。在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝痪Я?30可檢測(cè)或感測(cè)通過(guò)保護(hù)層110的光或信號(hào)，第一晶粒130是一種傳感器芯片且第一重分布層120是正面(front-side)重分布層。然而，第一晶粒130可以是具有不同功能的其他類型的晶粒(dies)或芯片(chips)以配合產(chǎn)品設(shè)計(jì)，在一實(shí)施例中，第一晶粒130經(jīng)設(shè)置以面向下(亦即正面s130面向下并朝向保護(hù)層110)，在如圖1所示的封裝結(jié)構(gòu)中，在此設(shè)置中，重分布層120位于保護(hù)層110上。

在一些實(shí)施例中，在圖1中，第一晶粒130包覆在封膠材料(moldingmaterial)140內(nèi)，而貫穿封膠材料140的通孔132與第一重分布層120以及第二重分布層150連接。封膠材料140例如包括環(huán)氧樹脂或任何其他適合類型的封膠材料。在某些實(shí)施例中，通孔132為層間層通孔(throughinterlayervias，tivs)，且通孔132可還包括位于通孔132與封膠材料140之間的阻擋層(未顯示)。

在一些實(shí)施例中，在圖1中，第二重分布層150設(shè)置在封膠材料140上與第一晶粒130上，并藉由通孔132和第一重分布層120與第一晶粒130電連接。第二重分布層150包括一個(gè)或更多個(gè)金屬化層以及一個(gè)或更多個(gè)聚合物基介電層。在某些實(shí)施例中，第二重分布層150為背面(back-side)重分布層，如圖1所示的封裝結(jié)構(gòu)中，在此設(shè)置中，第二重分布層150位于第一晶粒130上方且第二重分布層150包括至少一個(gè)金屬化層154與一個(gè)聚合物介電材料層152。在一實(shí)施例中，如圖1所示的封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)置中，金屬化層154是最頂(最外)金屬化層，而聚合物介電材料層152是最頂(最外)聚合物介電材料層。在一些實(shí)施例中，第二重分布層150還包括夾在其間的聚合物介電材料層156、聚合物介電材料層159以及金屬化層158。第二重分布層150中的所述層的材料與第一重分布層120中的所述層的材料相似，于此將不再贅述。

圖15a為圖1的第二重分布層150的放大部分剖面示意圖。圖15b為圖15a的第二重分布層150的上視圖，除了導(dǎo)體構(gòu)件160為了描述目的而被省略之外。參照?qǐng)D15a與圖15b，在一些實(shí)施例中，最頂金屬化層154包括一個(gè)或更多個(gè)未被最頂聚合物介電材料層152所覆蓋的接觸墊154a，而導(dǎo)體構(gòu) 件160位于接觸墊154a上。在某些實(shí)施例中，接觸墊154a包括凹部154c，而位于接觸墊154a上的導(dǎo)體構(gòu)件160覆蓋凹部154c。在某些實(shí)施例中，還包括覆蓋金屬化層154一部分并暴露接觸墊154a的凹部154c的表面涂布層154b。在一些實(shí)施例中，金屬化層154的材料包括銅或銅合金，而表面涂布層154b包括鈦層與銅層的復(fù)合層。然而，表面涂布層154b的材料可包括鉭或任何適合的阻擋材料。

圖14c為圖1的第二重分布層150的放大剖面示意圖。參照?qǐng)D14c，接觸墊154a的凹部154c暴露表面涂布層154b的側(cè)壁s154。另外，在平面p1的法線方向上量測(cè)從接觸墊154a的凹部154c的球型表面或橢圓表面到沿著第二重分布層150的頂面s150延伸的平面p1之間具有距離d1。也就是說(shuō)，距離d1是在垂直于平面p1的方向上從凹部154c的最低點(diǎn)到頂面s150的距離。在平面p1的法線方向上，距離d1大于表面涂布層154b被暴露的側(cè)壁s154的高度d2。在一些實(shí)施例中，距離d1大于或等于0.1微米，而高度d2大于或等于0.01微米。因此，如圖14c所示，表面涂布層154b高于接觸墊154a。此外，表面涂布層154b與接觸墊154a皆低于聚合物介電材料層152的頂面s150。因此，在封裝不同類型的集成電路(像是控制ic或高壓芯片)時(shí)，可具有較高的選擇彈性。另外，封裝結(jié)構(gòu)的厚度或是總高度減少，則成本也會(huì)降低。在一些實(shí)施例中，當(dāng)接觸墊154a是凹陷的且低于表面s150，焊膏與焊球或凸塊能被準(zhǔn)確地定位在接觸墊154a上，因此，改善了落球良率并提升封裝可靠度。

回頭參照?qǐng)D1，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝100還包括位于最頂金屬化層154的接觸墊154a上的一個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)體構(gòu)件160以及一個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)(electricalconnectors)180。雖然圖1呈現(xiàn)4個(gè)導(dǎo)體構(gòu)件160以及4個(gè)導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180，但導(dǎo)體構(gòu)件160以及導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180的數(shù)量與設(shè)置可依布局或布線需求來(lái)調(diào)整。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)體構(gòu)件160可例如是放置在被第二重分布層150的最頂聚合物介電材料層152所暴露的接觸墊154a的凹部154c上的焊球或是球柵陣列(ballgridarray，bga)，而導(dǎo)體構(gòu)件160下方的接觸墊154a的功能像是焊球墊(ballpads)。另外，設(shè)置在被暴露的部分最頂金屬化層154上的導(dǎo)體構(gòu)件160以及導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180與第二重分布層150電連接。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180可例如是凸塊， 而導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180下方的接觸墊154a的功能如凸塊墊(bumppads)。第二晶粒170設(shè)置在導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180上以及第二重分布層150的上方，以通過(guò)導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180與第二重分布層150電連接。在某些實(shí)施例中，相較于位于平坦的接觸墊上的導(dǎo)體構(gòu)件與導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)而言，當(dāng)接觸墊154a凹陷如碗狀的凹部154c時(shí)，位于凹陷的接觸墊154a上的導(dǎo)體構(gòu)件160與導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180的高度變得較低。在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝100的總高度變得更小。在一些實(shí)施例中，依據(jù)第二晶粒170的厚度，導(dǎo)體構(gòu)件160稍高于或?qū)嵸|(zhì)上共水平(co-levelled)于第二晶粒170的頂面s170。在一實(shí)施例中，從第二晶粒170的頂面s170延伸的平面p2高于導(dǎo)體構(gòu)件160的最高點(diǎn)。因此，半導(dǎo)體封裝100的總高度減少。在一些實(shí)施例中，第二晶粒170為高壓芯片或電壓模塊芯片(voltagemodulationchip)。然而，本發(fā)明不限于此，而且取決于產(chǎn)品需求，第二晶粒170可以是任何適合的芯片。

貫穿封膠材料140的通孔132與第一重分布層120以及第二重分布層150電連接。在某些實(shí)施例中，通孔132與第一重分布層120以及第二重分布層150中的金屬化層在一起可構(gòu)成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(interconnectstructure)，其與第一晶粒130以及導(dǎo)體構(gòu)件160電連接。在一些實(shí)施例中，第二晶粒170藉由導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180與所述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電連接，而且第一晶粒130可與第二晶粒170電連接。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝100可進(jìn)一步地被上下翻轉(zhuǎn)并藉由導(dǎo)體構(gòu)件160連接至并安裝至線路板或系統(tǒng)板(未顯示)上。在此設(shè)置中，保護(hù)層110面向上，而第一晶粒130檢測(cè)或感測(cè)光或信號(hào)。

在替代實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝100可更包括設(shè)置在第一晶粒130上與第二晶粒170旁的額外晶粒，而內(nèi)連線結(jié)構(gòu)可被調(diào)整以與所述額外晶粒電連接。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不限于只包括第一晶粒130與第二晶粒170。

圖2至圖12為依照本發(fā)明一些實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝的制造過(guò)程的各種階段的剖面示意圖。在圖1中所敘述的相同構(gòu)件將使用相同標(biāo)號(hào)，且相同構(gòu)件的某些細(xì)節(jié)與敘述于此將不再贅述。在例示性實(shí)施例中，此半導(dǎo)體制造過(guò)程為晶片級(jí)封裝工藝的一部分。在一些實(shí)施例中，晶?？杀硎緸榫亩鄠€(gè)晶粒，而單一個(gè)封裝可表示為由后續(xù)的半導(dǎo)體制造過(guò)程所獲得的多個(gè)半導(dǎo)體封裝。參照?qǐng)D2，在一些實(shí)施例中，提供載體112，載體112可以是玻璃載體或任何適合用于半導(dǎo)體封裝的制造過(guò)程的載體。在一些實(shí)施例中，載體112 可涂布一剝離層(debondlayer)114。剝離層114的材料可以是任何材料，其適用于將載體112從設(shè)置于其上的上述層剝離。接著，于載體112上形成聚合物介電材料層152，且圖案化聚合物介電材料層152，以形成暴露出剝離層114的多個(gè)開口152a。

參照?qǐng)D3，在聚合物介電材料層152上依序形成表面涂布層154b與金屬化層154，接著圖案化。在某些實(shí)施例中，在圖案化之后，表面涂布層154b共形地(conformally)覆蓋開口152a的輪廓，而金屬化層154填入開口152a且覆蓋部分聚合物介電材料層152。金屬化層154包括至少大于一個(gè)接觸墊154a。在某些實(shí)施例中，表面涂布層154b可藉由沉積法、濺鍍法、電鍍法或任何其他適合的方法形成。在某些實(shí)施例中，金屬化層154可藉由電鍍法或沉積法形成。如圖3所示，在形成金屬化層154之前，于聚合物介電材料層152上形成表面涂布層154b，且表面涂布層154b覆蓋開口152a。表面涂布層154b共形地覆蓋金屬化層154的底面。

參照?qǐng)D4，在一些實(shí)施例中，可形成額外的聚合物介電材料層156、聚合物介電材料層159以及額外的金屬化層158。在某些實(shí)施例中，于金屬化層154與聚合物介電材料層152上形成聚合物介電材料層156，于聚合物介電材料層156上形成金屬化層158，接著，于金屬化層158與聚合物介電材料層156上形成聚合物介電材料層159。在一實(shí)施例中，聚合物介電材料層156、聚合物介電材料層159也具有圖案以容納或暴露金屬化層158，而金屬化層158與金屬化層154連接。在某些實(shí)施例中，藉由聚合物介電材料層152、聚合物介電材料層156、159與金屬化層154、金屬化層158以逐層形成第二重分布層150。也就是說(shuō)，參照?qǐng)D2至圖4，在一些實(shí)施例中，藉由將第二重分布層150的表面s150與剝離層114接觸并面向載體112以在載體112上形成第二重分布層150。在一些實(shí)施例中，第二重分布層150可包括大于或小于如圖4所示的3個(gè)聚合物介電材料層152、聚合物介電材料層156、聚合物介電材料層159。在替代實(shí)施例中，第二重分布層150可包括大于或小于2個(gè)金屬化層。金屬化層的數(shù)量與聚合物介電材料層的數(shù)量可依個(gè)別半導(dǎo)體封裝的布線需求來(lái)調(diào)整。

參照?qǐng)D5，在一些實(shí)施例中，于第二重分布層150上形成通孔132且通孔132與第二重分布層150電連接。詳細(xì)地說(shuō)，在一些實(shí)施例中，在聚合物 介電材料層159上形成通孔132且通孔132藉由聚合物介電材料層159的開口與金屬化層158連接。在一些實(shí)施例中，通孔132藉由電鍍法、沉積法或任何其他適合的方法來(lái)形成。

參照?qǐng)D6，在一些實(shí)施例中，于第二重分布層150上設(shè)置第一晶粒130。在例示性實(shí)施例中，第一晶粒130為包括一個(gè)或更多個(gè)傳感器元件的傳感器芯片。在某些實(shí)施例中，第一晶粒130包括至少一種指紋傳感器，像是光學(xué)指紋傳感器、電容式指紋傳感器，或包括電荷耦合元件(charge-coupleddevices，ccds)的其他適合類型的傳感器。在一些實(shí)施例中，第一晶粒130為傳感器芯片且第一晶粒130設(shè)置在第二重分布層150上，使得第一晶粒130的正面s130面向遠(yuǎn)離第二重分布層150(即圖6中的面向上)。如圖6的階段所示，第一晶粒130設(shè)置在聚合物介電材料層159上，而第一晶粒130的背面接觸第二重分布層150的聚合物介電材料層159。第一晶粒130不與通孔132接觸。

參照?qǐng)D7，在一些實(shí)施例中，將位于第二重分布層150上的第一晶粒130與通孔132密封(molded)在封膠材料140中。在一些實(shí)施例中，將封膠材料140填入第一晶粒130與通孔132之間的空隙，并覆蓋第二重分布層150。在一些實(shí)施例中，封膠材料140形成在第一晶粒130上并覆蓋第一晶粒130的正面s130。

參照?qǐng)D8，在一些實(shí)施例中，平坦化封膠材料140與通孔132直到暴露出第一晶粒130的正面s130。在一些實(shí)施例中，研磨過(guò)度密封(over-molded)的封膠材料140與通孔132直到暴露出第一晶粒130的接觸窗131。在一實(shí)施例中，通孔132、封膠材料140以及第一晶粒130被處理為實(shí)質(zhì)上共平面。在一些實(shí)施例中，封膠材料140、通孔132以及第一晶粒130藉由研磨工藝或化學(xué)機(jī)械研磨(chemicalmechanicalpolishing，cmp)工藝平坦化。在研磨工藝之后，可選擇性地進(jìn)行清潔步驟，例如是清潔并且移除從研磨步驟產(chǎn)生的殘留物。然而，本發(fā)明不限于此，平坦化步驟可藉由其他適合的方法來(lái)進(jìn)行。

參照?qǐng)D9，于封膠材料140上、第一晶粒130上以及通孔132上形成第一重分布層120。在一些實(shí)施例中，第一重分布層120與通孔132以及第一晶粒130電連接。第一重分布層120的形成包括依序逐層形成第二聚合物介 電材料層126、金屬化層124以及第一聚合物介電材料層122。第一重分布層120的形成方法與第二重分布層150的形成方法相似，于此便不再贅述。在一些實(shí)施例中，金屬化層124與第一晶粒130被暴露的接觸窗131連接并與第一晶粒130電連接。在一些實(shí)施例中，金屬化層124與通孔132的頂面連接并藉由通孔132與第二重分布層150電連接。

接著，參照?qǐng)D10，在一些實(shí)施例中，于第一重分布層120上設(shè)置保護(hù)層110，而保護(hù)層110與第一聚合物介電材料層122接觸。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層110例如包括玻璃蓋、覆蓋板、硬涂層或任何其他適合的保護(hù)膜。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層110更包括功能層，像是偏光膜、彩色膜、抗反射層或防眩光層。在某些實(shí)施例中，保護(hù)層110至少允許某些波長(zhǎng)的特定信號(hào)或光通過(guò)。在一些實(shí)施例中，先在第一重分布層120或保護(hù)層110上設(shè)置黏著層(未顯示)，接著，將保護(hù)層110設(shè)置在第一重分布層120上以附著第一重分布層150。

參照?qǐng)D11，在一些實(shí)施例中，將載體112從第二重分布層150剝離。由于剝離層114(如圖10所示)，使得封裝結(jié)構(gòu)100與載體112容易分離。在一些實(shí)施例中，從第二重分布層150剝離的封裝結(jié)構(gòu)100接著倒置(上下翻轉(zhuǎn))并設(shè)置在膠帶200上。在一些實(shí)施例中，膠帶200可例如是載體膠帶，但膠帶200亦可以是另一適合類型的載體，其用以攜帶從載體112剝離的封裝結(jié)構(gòu)100。如圖11所示，從載體112剝離的剩余結(jié)構(gòu)被倒置(flipped)，使得保護(hù)層110直接設(shè)置在膠帶200上且面向膠帶200，而第二重分布層150的表面s150面向上變成頂面，金屬化層154變成第二重分布層150的最頂金屬化層。最頂金屬化層154的表面涂布層154b被聚合物介電材料層152所暴露。

參照?qǐng)D12，在一些實(shí)施例中，藉由蝕刻聚合物介電材料層152以暴露最頂金屬化層154。在某些實(shí)施例，最頂金屬化層154的接觸墊154a被蝕刻。圖14a至圖14c為圖12的半導(dǎo)體封裝的制造過(guò)程的各種階段的部分剖面示意圖。詳細(xì)地說(shuō)，如圖14a所示，在剝離及倒置之后，包括接觸墊154a以及覆蓋接觸墊154a的表面涂布層154b的最頂金屬化層154被暴露且易于蝕刻。在圖14b中，進(jìn)行干式蝕刻工藝以蝕刻表面涂布層154b的一部分。在一實(shí)施例中，表面涂布層154b包括鈦以及銅。在另一實(shí)施例中，表面涂布層154b 為鈦/銅的復(fù)合層。在一些實(shí)施例中，干式蝕刻工藝包括至少進(jìn)行鈦干式蝕刻工藝以部分移除被聚合物介電材料層152所暴露的表面涂布層154b。如圖14b所示，在藉由干式蝕刻工藝以部分移除表面涂布層154b之后，表面涂布層154b暴露金屬化層154的接觸墊154a的一部分。在一實(shí)施例中，干式蝕刻工藝可藉由例如是使用氟碳系蝕刻劑(fluorocarbon-basedetchants)，以部分移除表面涂布層154b。接著，在圖14c中，向被暴露的接觸墊154a進(jìn)行濕式蝕刻工藝，以于接觸墊154a中形成凹部154c。在一些實(shí)施例中，濕式蝕刻工藝包括鈦濕式蝕刻工藝，而濕式蝕刻工藝移除被暴露的接觸墊154a的一部分，以于接觸墊154a中形成凹部154c并更移除表面涂布層154b的一部分。在一些實(shí)施例中，濕式蝕刻工藝藉由使用例如是磷酸與過(guò)氧化氫來(lái)進(jìn)行。然而，本發(fā)明不限于此，而用于干式或濕式蝕刻法的化學(xué)品或反應(yīng)劑可以是任何其他適合類型的根據(jù)配方所選擇的化學(xué)品。如圖14c所示，在一些實(shí)施例中，可進(jìn)一步地蝕刻接觸墊154a以形成凹部154c并暴露出表面涂布層154b的側(cè)壁s154。在一實(shí)施例中，濕式蝕刻工藝期間移除較多的接觸墊154a材料，而移除較少或小的表面涂布層154b材料。因此，如圖14c所示，在某些實(shí)施例中，表面涂布層154b高于接觸墊154a，且表面涂布層154b與接觸墊154a皆低于聚合物介電材料層152的頂面s150。由于接觸墊154a具有凹部154c，因此，于其上隨后形成的焊膏與焊球或凸塊能被準(zhǔn)確地定位在接觸墊154a上，藉此改善了落球良率以及封裝可靠度。接觸墊154a的結(jié)構(gòu)與凹部154c已在上述說(shuō)明提及，而相同內(nèi)容于此不再贅述。在一些實(shí)施例中，形成具有凹部154c的接觸墊154a，而接觸墊154a為金屬化層154的一部分，以當(dāng)作凸塊墊或焊球墊。

參照?qǐng)D13，在一些實(shí)施例中，導(dǎo)體構(gòu)件160設(shè)置在頂金屬化層154的接觸墊154a上，而第二晶粒170設(shè)置在第二重分布層150的頂面s150上。在一些實(shí)施例中，將第二晶粒170設(shè)置到金屬化層154之前，導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180設(shè)置在接觸墊154a上，然后，第二晶粒170才設(shè)置在金屬化層154上并與導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180連接。在一些實(shí)施例中，在設(shè)置導(dǎo)體構(gòu)件160與導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180之前，焊膏(未顯示)或助焊劑(flux)施加在接觸墊154a的凹部154c上，使得導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180與導(dǎo)體構(gòu)件160更好固定到接觸墊154a。在一些實(shí)施例中，由于接觸墊154a的凹部154c，因此，導(dǎo)體構(gòu)件160以及導(dǎo)電連接 結(jié)構(gòu)180可更準(zhǔn)確地定位在接觸墊154a上且更好地固定在接觸墊154a上。在一些實(shí)施例中，當(dāng)導(dǎo)體構(gòu)件160與導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)180設(shè)置在較低的接觸墊154a的凹部154c上，可降低封裝結(jié)構(gòu)100的高度并且使得封裝結(jié)構(gòu)100變得更薄。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)體構(gòu)件160與第二重分布層150、第一重分布層120以及第一晶粒130電連接。在一些實(shí)施例中，第二晶粒170與第二重分布層150電連接，并且可與第一晶粒130電連接。雖然如上述所獲得的半導(dǎo)體封裝100設(shè)置在膠帶200上，但半導(dǎo)體封裝100將與膠帶200分離并在后續(xù)工藝中切割。在一些實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體制造過(guò)程為晶片級(jí)封裝工藝的一部分，在晶片切割工藝之后可得到多個(gè)半導(dǎo)體封裝100。在一些實(shí)施例中，在晶片切割之前，分離膠帶200與半導(dǎo)體封裝100。

圖15a為圖1的第二重分布層的放大部分剖面示意圖。圖15b為圖15a的第二重分布層的上視圖，而導(dǎo)體構(gòu)件160為了描述目的而未顯示于圖15b中。參照?qǐng)D15a與圖15b，在一些實(shí)施例中，導(dǎo)體構(gòu)件160主要設(shè)置在接觸墊154a的凹部154c上。如圖15b所示，接觸墊154a的凹部154c被第二重分布層150的聚合物介電材料層152所暴露，頂金屬化層154的其余部分未被聚合物介電材料層152暴露而被聚合物介電材料層152覆蓋。在一些實(shí)施例中，被聚合物介電材料層152所覆蓋頂金屬化層154的部分可包括線路、跡線(traces)或其他布線以與其他金屬化層或通孔132電連接。

圖16a為依照本發(fā)明一些實(shí)施例的一種第二重分布層的放大部分剖面示意圖。圖16b為圖16a的第二重分布層的上視圖，而導(dǎo)體構(gòu)件260為了描述目的而未顯示于圖15b中。參照?qǐng)D16a與圖16b，與圖15a與圖15b的實(shí)施例相似，圖16a與圖16b的第二重分布層250與圖1的半導(dǎo)體封裝100的第二重分布層150類似。圖16a的第二重分布層250與圖1的第二重分布層150的不同之處在于：第二重分布層250還包括夾于聚合物介電材料層252、聚合物介電材料層256之間的凸塊下方金屬化(underbumpmetallurgies，ubm)墊290。在一些實(shí)施例中，當(dāng)形成第二重分布層250時(shí)，ubm墊290早于金屬化層254形成。在一些實(shí)施例中，形成表面涂布層254b以共形地覆蓋ubm墊290。逐層形成的聚合物介電材料層252、聚合物介電材料層256、聚合物介電材料層262、聚合物介電材料層264與金屬化層254、金屬化層258與第二重分布層150的形成過(guò)程相似。在某些實(shí)施例中，ubm墊290可視為接觸 墊與最頂金屬化層。相似地，通孔232的形成與通孔132的形成類似。在一些實(shí)施例中，ubm墊290與金屬化層254的接觸墊254a連接。與圖14a至圖14c的描述相似，表面涂布層254b與ubm墊290可遭遇干式蝕刻工藝與濕式蝕刻工藝，以于ubm墊290中形成凹部254c。凹部254c、ubm墊290以及表面涂布層254b的相對(duì)設(shè)置以及尺寸與圖14c中所述的凹部154c、接觸墊154a以及表面涂布層154b的相對(duì)設(shè)置以及尺寸相似，于此將不再贅述。參照?qǐng)D16b，在一些實(shí)施例中，上視圖中顯示ubm墊290的凹部254c被聚合物介電材料層252所暴露，而ubm墊290的剩余部分被聚合物介電材料層252所覆蓋。因此，在某些實(shí)施例，導(dǎo)體構(gòu)件260主要設(shè)置在ubm墊290的凹部254c上。由于ubm墊290具有凹部254c，因此，焊膏與焊球或凸塊能被準(zhǔn)確地定位ubm墊290上以提供較好固定，進(jìn)而改善了封裝結(jié)構(gòu)的落球良率以及可靠度。

根據(jù)一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝具有第一重分布層、第一晶粒、第二重分布層以及表面涂布層。第一晶粒包覆在封膠材料內(nèi)且設(shè)置在第一重分布層上并與第一重分布層電連接。第二重分布層設(shè)置在封膠材料上、第一晶粒上并與第一晶粒電連接。第二重分布層包括具有至少一接觸墊的最頂金屬化層，而至少一接觸墊包括凹部。表面涂布層覆蓋最頂金屬化層的一部分且暴露至少一接觸墊的凹部。

根據(jù)一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝包括第一晶粒、內(nèi)連線結(jié)構(gòu)以及至少一導(dǎo)體構(gòu)件。第一晶粒密封在封膠材料中。內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)置在封膠材料旁，且內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括多個(gè)通孔、第一重分布層以及第二重分布層。通孔貫穿封膠材料。第一重分布層設(shè)置在第一晶粒的第一側(cè)并與通孔連接。第二重分布層設(shè)置在第一晶粒的第二側(cè)、封膠材料上以及第一重分布層上方并與通孔連接。第一重分布層與第二重分布層藉由通孔連接。第二重分布層包括具有至少一接觸墊的最頂金屬化層以及表面涂布層。表面涂布層覆蓋最頂金屬化層的一部分，而至少一接觸墊包括被表面涂布層暴露的凹部。至少一導(dǎo)體構(gòu)件設(shè)置在至少一接觸墊的凹部上。

根據(jù)一些實(shí)施例，一種制造過(guò)程包括下列步驟。提供載體。于載體上形成第一重分布層，其中第一重分布層包括位于載體上的具有至少一接觸墊的金屬化層。于第一重分布層上形成多個(gè)通孔，其中通孔與第一重分布層電連 接。于第一重分布層上設(shè)置第一晶粒。將第一晶粒與通孔包覆在封膠材料中。于封膠材料上以及第一晶粒的正面上形成第二重分布層，其中第二重分布層與通孔以及第一晶粒電連接。于第二重分布層上設(shè)置保護(hù)層。將載體從第一重分布層剝離，以暴露金屬化層。蝕刻第一重分布層的金屬化層，以于至少一接觸墊中形成凹部。

以上概述了數(shù)個(gè)實(shí)施例的特征，使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可更佳了解本發(fā)明的態(tài)樣。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，其可輕易地使用本發(fā)明作為設(shè)計(jì)或修改其他工藝與結(jié)構(gòu)的依據(jù)，以實(shí)行本文所介紹的實(shí)施例的相同目的和/或達(dá)到相同優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員還應(yīng)理解，這種等效的設(shè)置并不悖離本發(fā)明的精神與范疇，且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不悖離本發(fā)明的精神與范疇的情況下可對(duì)本文做出各種改變、置換以及改變。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的改動(dòng)與潤(rùn)飾，均在本發(fā)明范圍內(nèi)。