本發(fā)明屬于顯示面板制作技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，尤其涉及一種用于制作陣列基板的方法。

背景技術(shù)：

隨著人們對顯示器的要求逐漸提高，近年來，窄邊框成為顯示行業(yè)追求的新方向，尤其在商顯領(lǐng)域，拼接屏的興起正在逐漸挑戰(zhàn)窄邊框工藝，從而催生了無邊框產(chǎn)品。在無邊框產(chǎn)品中，陣列基板和彩膜基板仍是按照現(xiàn)行工藝進行貼合，只是，傳統(tǒng)顯示是彩膜基板位于出光側(cè)，而在無邊框產(chǎn)品中，是采用陣列基板位于出光側(cè)，以方便實現(xiàn)更細(xì)致的外接電路設(shè)計，實現(xiàn)真正的無邊框。然而，出光側(cè)的陣列基板由于其金屬信號線容易反射外界環(huán)境光，容易出現(xiàn)鏡面效果，降低了顯示對比度，影響了顯示效果。

為了避免反射，通常采用在基板和信號線之間增加一層減反層來吸收外界環(huán)境光，常用的減反層包括銦錫氧化物、黑色樹脂材料，或者制作黑色電極如鈦金屬、鈦金屬合金、鉻金屬、鉻金屬合金，石墨電極或其他反射性較弱的金屬、合金、非金屬或混合物電極。但是減反層的加入不僅增加了膜層厚度，改變了信號線與基板的接觸，從而影響了附著力，在后續(xù)制程中有剝離的風(fēng)險。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決以上問題，本發(fā)明提供了一種用于制作陣列基板的方法，用于可以有效地降低環(huán)境光的反射，提升顯示器的品質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種用于制作陣列基板的方法，包括：

在玻璃基底上形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案；

在所述第一金屬圖案上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成有源層；

在所述有源層和裸露的絕緣層上形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用脫合金法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；

將預(yù)定體積石墨烯溶液涂布至所述預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用脫合金法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；

將預(yù)定體積氧化石墨烯溶液涂布至所述預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干；

采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；

將預(yù)定體積石墨烯溶液涂布至所述預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；

將預(yù)定體積氧化石墨烯溶液涂布至所述預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干；

采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用3D打印法，按照預(yù)定程序在玻璃基底上形成由多孔三維金屬制成的預(yù)定圖案；

將預(yù)定體積石墨烯溶液涂布至所述預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用3D打印法，按照預(yù)定程序在玻璃基底上形成由多孔三維金屬制成的預(yù)定圖案；

將預(yù)定體積氧化石墨烯溶液涂布至所述預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干；

采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除，以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用脫合金法在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述銅金屬多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；

采用氣相沉積法在所述預(yù)定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述銅金屬多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；

采用氣相沉積法在所述預(yù)定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用3D打印法，按照預(yù)定程序在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬制成的預(yù)定圖案；

采用氣相沉積法在所述預(yù)定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

本發(fā)明的有益效果：

(1)、采用多孔三維金屬作電極，降低光反射，并且石墨烯可以有效的包覆在其表面；

(2)、三維多孔銅電極是石墨烯的天然催化劑，可以直接在銅表面生長石墨烯；

(3)、導(dǎo)電性優(yōu)異的石墨烯構(gòu)建的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)可以傳導(dǎo)電子，不影響信號傳輸；

(4)、多層石墨烯結(jié)構(gòu)可以有效地吸收外環(huán)境光，減少信號線的反射，提升顯示品質(zhì)。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于制作陣列基板的方法流程圖。

具體實施方式

以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

如圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的方法流程圖，包括：在步驟S110中，在玻璃基底上形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案；在步驟S120中，在第一金屬圖案上形成絕緣層；在步驟S130中，在絕緣層上形成有源層；在步驟S140中，在有源層和裸露的絕緣層上形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第二金屬圖案。以下參考圖1來對本發(fā)明進行詳細(xì)說明。

首先，在步驟S110中，在玻璃基底上形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案。

多孔三維金屬主要有3種制備方法：脫合金法，溶膠凝膠法和3D打印法。其中，脫合金法采用與易揮發(fā)合金元素的合金，如鋅、鎘、鉍、硒、鎂、鍶、銻等具有較高蒸汽壓的元素，同時合金中易揮發(fā)元素的含量需要控制在原子百分比20％-80％之間，以形成不同的孔隙率。溶膠凝膠法采用金屬的前驅(qū)體在基板上形成膜層，然后在高溫下煅火制備出金屬的三維多孔結(jié)構(gòu)。3D打印法利用程序，直接在基底生成金屬的三維多孔結(jié)構(gòu)。

針對不同的基底，石墨烯可以由以下幾種方法制備，石墨烯的厚度一般控制在10～100nm。當(dāng)金屬信號線是銅金屬時，可以采用直接氣相沉積法制備石墨烯，由于銅是氣相生長石墨烯的天然催化劑，石墨烯可以均勻的在銅金屬層表面生長，實現(xiàn)石墨烯的定向生長。

對于所有的金屬信號線如鋁、鉬、銅、鈦等，都可以采用溶液法制備。具體來說，采用浸涂、滴涂、刮涂等方法，在金屬信號線表面上涂敷一層石墨烯溶液或者氧化石墨烯溶液(溶液濃度為0.1～10mg/ml，其中，溶液為溶質(zhì)和溶劑的混合物，在本發(fā)明中溶質(zhì)為石墨烯或氧化石墨烯，溶劑為水、乙醇、丙醇等)。當(dāng)涂敷氧化石墨烯時，需繼續(xù)采用物理或者化學(xué)方法(如激光加熱、熱沖擊、氫還原、無機液體還原劑還原等)將氧化石墨烯還原成導(dǎo)電性更優(yōu)的石墨烯。

根據(jù)以上所述的多孔三維金屬制備方法和石墨烯制備方法，本發(fā)明提供了以下幾種制備第一金屬圖案的方法。

根據(jù)本發(fā)明的第一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用脫合金法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜，此處的多孔三維金屬薄膜可為鋁、鉬、銅、鈦等。然后采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案，此處將薄膜晶體管的柵極作為第一金屬圖案、薄膜晶體管的源漏極和數(shù)據(jù)線為第二金屬圖案為例來進行說明。然后將預(yù)定體積石墨烯溶液涂布至預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應(yīng)的第一金屬圖案。此處的預(yù)定體積根據(jù)第一金屬圖案的大小及溶液濃度等情況確定。

根據(jù)本發(fā)明的第二個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用脫合金法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜，此處的多孔三維金屬薄膜可為鋁、鉬、銅、鈦等；然后，采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；然后，將預(yù)定體積氧化石墨烯溶液涂布至預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干；采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除以得到對應(yīng)的第一金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第三個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；然后，采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；最后，將預(yù)定體積石墨烯溶液涂布至預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應(yīng)的第一金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第四個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；然后，采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；然后，將預(yù)定體積氧化石墨烯溶液涂布至預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干；最后，采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除以得到對應(yīng)的第一金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第五個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用3D打印法，按照預(yù)定程序在玻璃基底上形成由多孔三維金屬制成的預(yù)定圖案；然后，將預(yù)定體積石墨烯溶液涂布至預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第六個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用3D打印法，按照預(yù)定程序在玻璃基底上形成由多孔三維金屬制成的預(yù)定圖案；將預(yù)定體積氧化石墨烯溶液涂布至預(yù)定圖案上，去除溶劑并烘干；最后，采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除，以得到對應(yīng)的第一金屬圖案。

以上的六個具體實施例均對應(yīng)多孔三維金屬薄膜可為鋁、鉬、銅、鈦等，將薄膜晶體管的柵極作為第一金屬圖案、薄膜晶體管的源漏極和數(shù)據(jù)線為第二金屬圖案為例來進行說明的，但本發(fā)明不限于此。

根據(jù)本發(fā)明的第七個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用脫合金法在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬薄膜；然后，采用光刻制程將銅金屬多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；最后，采用氣相沉積法在預(yù)定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應(yīng)的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第八個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成銅金屬的多孔三維金屬薄膜；然后，采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預(yù)定圖案；采用氣相沉積法在預(yù)定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應(yīng)的第一金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第九個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用3D打印法按照預(yù)定程序在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬制成的預(yù)定圖案；采用氣相沉積法在預(yù)定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應(yīng)的第一金屬圖案。

接下來，在步驟S120中，在第一金屬圖案上形成絕緣層。在將第一金屬圖案作為薄膜晶體管的柵極、將第二金屬圖案作為薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線時，該絕緣層為柵極絕緣層。

接下來，在步驟S130中，在絕緣層上形成有源層。即在絕緣層上形成溝道層。

最后，在步驟S140中，在有源層和裸露的絕緣層上形成由多孔三維金屬和石墨烯構(gòu)成的第二金屬圖案。該第二金屬圖案的形成過程與第一金屬圖案相同，此處不將贅述。

采用以上所述的多孔三維金屬信號線為基礎(chǔ)，制作陣列基板，按照正常流程與彩膜基板對組后，在制作模組時，將陣列基板作為出光側(cè)，面對觀眾，由于黑色石墨烯的吸收反射光，可以有效地降低環(huán)境光的反射，提升顯示器的品質(zhì)。

雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。