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連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):11082082閱讀:698來源:國知局
連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)的制造方法與工藝

本實(shí)用新型涉及一種連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu),尤其涉及一種通過框體以及補(bǔ)強(qiáng)件抵靠于連結(jié)器模塊的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)。



背景技術(shù):

一般而言,電腦的主機(jī)板中設(shè)有多個(gè)用于插設(shè)存儲(chǔ)器的連結(jié)器模塊,以供使用者根據(jù)自身的需求插設(shè)存儲(chǔ)器。其中,使用者在插拔存儲(chǔ)器后,經(jīng)常會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器左右搖晃,長(zhǎng)期下來易導(dǎo)致連結(jié)器模塊自主機(jī)板上脫離而損壞,因此,如何強(qiáng)化連結(jié)器模塊成為業(yè)者所欲解決的課題之一。

另外,在如存儲(chǔ)器的工作元件裝設(shè)于連結(jié)器模塊后且電腦開機(jī)時(shí),存儲(chǔ)器在運(yùn)作的過程中會(huì)對(duì)主機(jī)板上的其他元件造成電磁干擾(Electro Magnetic Interference;EMI),進(jìn)而造成其他元件傳遞信號(hào)時(shí)受到噪音的干擾而易出錯(cuò),因此,如何降低存儲(chǔ)器對(duì)其他元件的電磁干擾也成為業(yè)者所欲改善的課題之一。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

有鑒于現(xiàn)有的連結(jié)器模塊中,普遍具有易損壞且在插設(shè)存儲(chǔ)器后易有電磁干擾的問題,本實(shí)用新型主要提供一種連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu),其主要通過框體以及連結(jié)于框體的補(bǔ)強(qiáng)件抵靠于連結(jié)器模塊,以達(dá)到強(qiáng)化連結(jié)器模塊的目的。

基于上述目的,本實(shí)用新型所采用的主要技術(shù)手段是提供一種連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu),用以設(shè)置于多個(gè)位于一電路板的連結(jié)器模塊,任意兩相鄰的多個(gè)連結(jié)器模塊的之間具有一相鄰空間,連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)包含一框體以及至少一補(bǔ)強(qiáng)件??蝮w具有一第一框體端以及一對(duì)應(yīng)于第一框體端的第二框體端,并具有一第一框體側(cè)部與對(duì)應(yīng)于第一框體側(cè)部之一第二框體側(cè)部,第一框體端、第二框體端、第一框體側(cè)部與第二框體側(cè)部圍構(gòu)出一圍繞空間。至少一補(bǔ)強(qiáng)件自第一框體端經(jīng)過圍繞空間而延伸至第二框體端。其中,在連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊時(shí),至少一補(bǔ)強(qiáng)件在至少一相鄰空間中對(duì)應(yīng)地抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊中相鄰的兩個(gè),第一框體側(cè)部與第二框體側(cè)部分別鄰近于多個(gè)連結(jié)器模塊中相距最遠(yuǎn)的兩個(gè)。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)還包含以下的較佳附屬技術(shù)手段??蝮w的第一框體端沿一延伸方向延伸出一第一板體,第二框體端沿延伸方向延伸出一第二板體,在連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊時(shí),第一板體抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊的一端部,第二板體抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊的另一端部。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)還包含以下的較佳附屬技術(shù)手段。各補(bǔ)強(qiáng)件的兩側(cè)部沿一延伸方向分別延伸有一側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu),在連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊時(shí),兩側(cè)部的側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊的側(cè)壁。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,上述連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)還包含以下的較佳附屬技術(shù)手段。第一框體側(cè)部沿一延伸方向延伸出一第一框體壁,第二框體側(cè)部沿延伸方向延伸出一第二框體壁,在連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊時(shí),第一框體壁與第二框體壁分別鄰近于多個(gè)連結(jié)器模塊中相距最遠(yuǎn)的兩個(gè)。此外,第一框體壁沿延伸方向延伸出至少一第一接地腳體,第二框體壁沿延伸方向延伸出至少一第二接地腳體,在連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊時(shí),至少一第一接地腳體與至少一第二接地腳體設(shè)置于電路板之一接地層。

另外,在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,多個(gè)連結(jié)器模塊為一雙列直插式存儲(chǔ)器模塊(Dual In-line Memory Module;DIMM)。

在采用本實(shí)用新型所提供的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)的主要技術(shù)手段后,由于在連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊時(shí),補(bǔ)強(qiáng)件于相鄰空間中抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊中的相鄰的兩個(gè),第一框體側(cè)部與第二框體側(cè)部分別鄰近于多個(gè)連結(jié)器模塊中相距最遠(yuǎn)的兩個(gè),因而可有效地強(qiáng)化連結(jié)器模塊而增加連結(jié)器模塊的使用壽命。

此外,在采用本實(shí)用新型所提供的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)的附屬技術(shù)手段后,由于至少一第一接地腳體與至少一第二接地腳體設(shè)置于電路板之一接地層,因而在存儲(chǔ)器插設(shè)于連結(jié)器模塊時(shí),可通過接地層降低電磁干擾,進(jìn)而有效降低其他元件的出錯(cuò)率,因而可大幅增加使用上的便利性。

本實(shí)用新型所采用的具體實(shí)施例,將通過以下的實(shí)施例及附圖作進(jìn)一步的說明。

附圖說明

圖1顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)與電路板的立體示意圖。

圖2顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)與電路板的剖面示意圖。

圖3顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊的立體示意圖。

圖4顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊的剖面示意圖。

圖5顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊的側(cè)視圖。

其中,附圖標(biāo)記說明如下:

1 連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)

11 框體

111 圍繞空間

112 第一框體端

1121 第一板體

113 第二框體端

1131 第二板體

114 第一框體側(cè)部

1141 第一框體壁

11411 第一接地腳體

115 第二框體側(cè)部

1151 第二框體壁

11511 第二接地腳體

12、12a、12b 補(bǔ)強(qiáng)件

121、121a、121b 側(cè)部

1211、1211a、1211b 側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)

2 電路板

21、21a、21b、21c 連結(jié)器模塊

22 接地層

100、100a、100b 相鄰空間

L 延伸方向

具體實(shí)施方式

由于本實(shí)用新型所提供的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)中,其組合實(shí)施方式不勝枚舉,故在此不再一一贅述,僅列舉一個(gè)較佳實(shí)施例加以具體說明。

請(qǐng)一并參閱圖1至圖5,圖1顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)與電路板的立體示意圖,圖2顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)與電路板的剖面示意圖,圖3顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊的立體示意圖,圖4顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊的剖面示意圖,圖5顯示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)設(shè)置于連結(jié)器模塊的側(cè)視圖。

如圖所示,本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)1用以設(shè)置于多個(gè)位于一電路板2的連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c(圖中僅為示意,并非為完整的結(jié)構(gòu)),電路板2例如為主機(jī)板,任意兩相鄰的多個(gè)連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c之間具有一相鄰空間100、100a與100b,且多個(gè)連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c為一雙列直插式存儲(chǔ)器模塊(Dual In-line Memory Module;DIMM),但其他實(shí)施例中不限于此。具體來說,連結(jié)器模塊21與21a之間具有相鄰空間100,連結(jié)器模塊21a與21b之間具有相鄰空間100a,連結(jié)器模塊21b與21c之間具有相鄰空間100b(如圖2所示)。

連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)1包含一框體11以及至少一補(bǔ)強(qiáng)件12、12a與12b??蝮w11可為金屬材質(zhì),并圍構(gòu)出一圍繞空間111,框體11具有一第一框體端112以及一對(duì)應(yīng)于第一框體端112的第二框體端113,并具有一第一框體側(cè)部114與對(duì)應(yīng)于第一框體側(cè)部114之一第二框體側(cè)部115,具體來說,第一框體端112、第二框體端113、第一框體側(cè)部114與第二框體側(cè)部115圍構(gòu)出圍繞空間111。

框體11的第一框體端112沿一延伸方向L延伸出一第一板體1121,第二框體端113沿延伸方向L延伸出一第二板體1131。第一框體側(cè)部114沿延伸方向L延伸出一第一框體壁1141,第一框體壁1141沿延伸方向L延伸出至少一第一接地腳體11411(圖中示出三個(gè)),第二框體側(cè)部115沿延伸方向L延伸出一第二框體壁1151,第二框體壁1151沿延伸方向L延伸出至少一第二接地腳體11511(圖中示出兩個(gè))。

需要一提的是,第一框體側(cè)部114與第二框體側(cè)部115雖然同樣沿延伸方向L分別延伸出第一框體壁1141與第二框體壁1151,但其他實(shí)施例中可為沿相反于延伸方向L的方向或是其他方向分別延伸出第一框體壁1141與第二框體壁1151,其視實(shí)務(wù)上的設(shè)計(jì)而定。另外,第一接地腳體11411與第二接地腳體11511的數(shù)量可視實(shí)務(wù)上電路板2上的布線而定,且在其他實(shí)施例中,第一板體1121與第二板體1131也可延伸有上述的接地腳體。

至少一補(bǔ)強(qiáng)件12、12a與12b也可為金屬材質(zhì),并自第一框體端112經(jīng)過圍繞空間111中延伸至第二框體端113,也就是說,至少一補(bǔ)強(qiáng)件12、12a與12b連結(jié)于第一框體端112與第二框體端113,且各補(bǔ)強(qiáng)件12、12a與12b的兩側(cè)部121、121a與121b(圖中僅各標(biāo)示一個(gè))沿延伸方向L分別延伸有一側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)1211、1211a與1211b,使得側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)1211、1211a與1211b分別與補(bǔ)強(qiáng)件12、12a與12b形成類似n字型結(jié)構(gòu)。同樣地,兩側(cè)部121、121a與121b可分別沿相反于延伸方向L的方向或是其他方向延伸出側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)1211、1211a與1211b,其視實(shí)務(wù)上的設(shè)計(jì)而定。

其中,實(shí)務(wù)上使用時(shí),使用者將連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)1設(shè)置于連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c,具體來說是連結(jié)于電路板2上,而在連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)1設(shè)置于連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c時(shí),第一板體1121抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c的端部,第二板體1131抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c的另一端部,至少一補(bǔ)強(qiáng)件12、12a與12b在至少一相鄰空間100、100a與100b中對(duì)應(yīng)地抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c中相鄰的兩個(gè),各補(bǔ)強(qiáng)件12、12a與12b的兩側(cè)部121、121a與121b的側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)1211、1211a與1211b抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c的側(cè)壁,通過上述抵靠方式可防止連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c左右搖晃或是前后活動(dòng)。

具體來說,補(bǔ)強(qiáng)件12在相鄰空間100對(duì)應(yīng)地抵靠于連結(jié)器模塊21與21a的側(cè)壁,兩側(cè)部121的側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)1211抵靠于連結(jié)器模塊21與21a,補(bǔ)強(qiáng)件12a在相鄰空間100a對(duì)應(yīng)地抵靠于連結(jié)器模塊21a與21b,兩側(cè)部121a的側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)1211a抵靠于連結(jié)器模塊21a與21b的側(cè)壁,補(bǔ)強(qiáng)件12b在相鄰空間100b對(duì)應(yīng)地抵靠于連結(jié)器模塊21b與21c,兩側(cè)部121c的側(cè)面補(bǔ)強(qiáng)結(jié)構(gòu)1211c抵靠于連結(jié)器模塊21b與21c的側(cè)壁。

此外,在連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)1設(shè)置于連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c時(shí),第一框體側(cè)部114與第二框體側(cè)部115分別鄰近于多個(gè)連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c中相距最遠(yuǎn)的兩個(gè),第一框體壁1141與第二框體壁1151分別鄰近于多個(gè)連結(jié)器模塊21、21a、21b與21c中相距最遠(yuǎn)的兩個(gè),也就是說,本實(shí)用新型較佳實(shí)施例中,第一框體側(cè)部114與第一框體壁1141鄰近于連結(jié)器模塊21(其他實(shí)施例中,第一框體側(cè)部114與第一框體壁1141抵靠于連結(jié)器模塊21),第二框體側(cè)部115與第二框體壁1151鄰近于連結(jié)器模塊21c(其他實(shí)施例中,第二框體側(cè)部115與第二框體壁1151抵靠于連結(jié)器模塊21c)。

另外,至少一第一接地腳體11411與至少一第二接地腳體11511設(shè)置于電路板2之一接地層22,其中,至少一第一接地腳體11411與至少一第二接地腳體11511以雙列直插封裝(Dual In-line Package;DIP)的工藝設(shè)置于接地層22,其他實(shí)施例中可以表面貼焊技術(shù)(Surface Mount Technology;SMT)設(shè)置于接地層22,其視實(shí)務(wù)上的設(shè)計(jì)而定。

綜合以上,在采用本實(shí)用新型所提供的連結(jié)器強(qiáng)化結(jié)構(gòu)后,由于補(bǔ)強(qiáng)件抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊之間,第一框體側(cè)部與第二框體側(cè)部分別抵靠于多個(gè)連結(jié)器模塊中相距最遠(yuǎn)的兩個(gè),因而可有效地強(qiáng)化連結(jié)器模塊的使用壽命,且通過接地腳體設(shè)置于接地層的方式可在存儲(chǔ)器插設(shè)于連結(jié)器模塊時(shí),可通過接地層降低電磁干擾,進(jìn)而有效降低其他元件的出錯(cuò)率,因而可大幅增加使用上的便利性。

通過以上較佳具體實(shí)施例的詳述,希望能更加清楚描述本實(shí)用新型的特征與精神,而并非以上述所公開的較佳具體實(shí)施例來對(duì)本實(shí)用新型的范疇加以限制。相反地,其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本實(shí)用新型所欲申請(qǐng)的專利范圍的范疇內(nèi)。

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