本技術(shù)屬于太陽能電池，具體涉及一種topcon太陽能電池，還涉及一種topcon太陽能電池制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著工業(yè)的飛速發(fā)展，能源問題一直受到廣泛學(xué)者的關(guān)注，其中太陽能作為優(yōu)良的清潔可再生能源從中脫穎而出，太陽能電池因其具有成本低，制備工藝易操作受到了廣泛的研究。

2、目前處在光伏行業(yè)的飛速發(fā)展中，硅電池的效率逐漸增加，已經(jīng)進(jìn)入到一個(gè)瓶頸期。topcon電池的效率目前處在可以量產(chǎn)的階段，但是目前在效率在效率提升方面仍然欠缺一些關(guān)鍵的手段。目前由于正面柵線與硼擴(kuò)層的接觸以及背面柵線與磷擴(kuò)層的接觸問題仍然是一大難點(diǎn)，這兩個(gè)問題制約著topcon電池的發(fā)展。

3、目前在硼擴(kuò)層與金屬柵線的接觸方面，已經(jīng)出現(xiàn)了新的技術(shù)進(jìn)行改善，在硼擴(kuò)之后使用激光se進(jìn)行重?fù)诫s，優(yōu)化金屬柵線與硼擴(kuò)的接觸，極大了增加了電池片的效率。在背面磷擴(kuò)層與金屬柵線的接觸方面，目前使用的還是較厚的磷擴(kuò)層，目前新的技術(shù)就是降低磷擴(kuò)層厚度降低寄生吸收。

4、在金屬柵線的正面硼擴(kuò)層與金屬柵線的問題雖然使用激光se技術(shù)能有效的使硼擴(kuò)層形成輕重?fù)?，形成好的接觸性能，但是硼擴(kuò)重?fù)诫s區(qū)域仍然有著進(jìn)步空間。同時(shí)在磷擴(kuò)層與金屬柵線的接觸方面同樣也存在著接觸的問題，目前使用的還是較厚的磷擴(kuò)層，保證金屬柵線不被刺穿，但是厚的磷擴(kuò)層存在寄生吸收，又會(huì)影響電池載流子的分離，進(jìn)而有人使用較薄的磷擴(kuò)層，減少磷擴(kuò)層本身的寄生吸收，但是較薄的磷擴(kuò)層又會(huì)降低與金屬柵線的接觸性能，同樣也會(huì)損失效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的第一目的是提供一種topcon太陽能電池，解決現(xiàn)有技術(shù)中topcon太陽能電池中硼擴(kuò)層與金屬柵線、磷擴(kuò)層與金屬柵線接觸傳輸性能不佳導(dǎo)致電池效率較低的不足。

2、本技術(shù)的第二目的是提供一種topcon太陽能電池制備方法。

3、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用以下技術(shù)方案：

4、一種topcon太陽能電池，包括硅片、第一柵線電極和第二柵線電極；所述硅片的第一表面依次層疊硼擴(kuò)層、氧化物鈍化層和第一增透膜層，所述硅片的第二表面依次層疊隧穿氧化層、磷擴(kuò)層和第二增透膜層，所述硅片的第一表面設(shè)有第一柵線槽，所述第一柵線槽表面的硼擴(kuò)層上連接有重?fù)诫s層，所述第一柵線電極置于第一柵線槽內(nèi)，且與所述重?fù)诫s層連接；

5、和/或所述硅片的第二表面設(shè)有第二柵線槽，所述第二柵線電極置于第二柵線槽內(nèi)，且與所述磷擴(kuò)層連接。

6、本技術(shù)中，所述第一柵線槽寬度在80～100μm，深度在20～40μm。

7、本技術(shù)中，所述第二柵線槽寬度在80～100μm，深度在20～40μm。

8、進(jìn)一步地，所述第二柵線槽內(nèi)所述磷擴(kuò)層的厚度為100～140μm；所述硅片第二表面非金屬區(qū)域的磷擴(kuò)層的厚度為50～100μm。

9、本技術(shù)中，所述硅片為n型硅基體。

10、本技術(shù)中，所述隧穿氧化層為sio2遂穿層。

11、本技術(shù)中，所述氧化物鈍化層為氧化鋁(alox)層。

12、本技術(shù)中，所述第一增透膜層、第二增透膜層都為氮化硅(sinx)膜層。

13、一種topcon太陽能電池制備方法，包括以下步驟：

14、s1、在硅片第一表面形成第一柵線槽；

15、s2、對(duì)所述硅片第一表面進(jìn)行制絨，然后進(jìn)行硼擴(kuò)處理，得到硼擴(kuò)層，形成pn結(jié)；再對(duì)所述第一柵線槽的區(qū)域進(jìn)行重?fù)诫s；

16、s3、在所述硅片第二表面形成第二柵線槽；

17、s4、在所述硅片第二表面依次沉積隧穿氧化層、硅鈍化層，然后對(duì)所述硅鈍化層進(jìn)行磷摻雜，得到磷擴(kuò)層；

18、s5、在所述硼擴(kuò)層表面形成氧化物鈍化層，然后沉積增透膜層；在第一柵線槽和第二柵線槽分別印刷柵線電極，燒結(jié)后退火，得到topcon太陽能電池。

19、本技術(shù)中，s1中在硅片第一表面形成第一柵線槽采用激光刻蝕對(duì)硅片進(jìn)行處理實(shí)現(xiàn)。

20、進(jìn)一步地，s3中在所述硅片第二表面形成第二柵線槽采用激光刻蝕對(duì)硅片進(jìn)行處理實(shí)現(xiàn)。

21、本技術(shù)中，激光刻蝕過程中，具體參數(shù)設(shè)置包括：采用波長355nm的激光進(jìn)行刻蝕，激光功率為5w，脈沖頻率為10khz～40khz，掃描速度為30nm/s～100mm/s；

22、其中，所述第一表面的刻蝕厚度為20μmn40μm，所述第二表面的刻蝕厚度為80μm～100μm。

23、本技術(shù)可以做以下改進(jìn)，s2中對(duì)所述第一柵線槽的區(qū)域進(jìn)行重?fù)诫s，采用激光se制備重?fù)诫s層，具體參數(shù)設(shè)置包括：采用355nm～1064nm的激光照射，激光功率為30w～1200w，脈沖寬度為3μs～20μs，掃描速度為10m/s～80m/s，脈沖頻率為50khz～150khz。

24、本技術(shù)可以進(jìn)一步改進(jìn)，s2和s3之間還包括：對(duì)經(jīng)s2處理后硅片的第一表面進(jìn)行氧化處理的步驟和去除硅片的第二表面饒鍍的硼擴(kuò)散層的步驟。

25、本技術(shù)中，s4中在所述硅片第二表面沉積隧穿氧化層，是采用pecvd沉積sio2隧穿層，具體過程包括：n2o、sih4作為通入源通入pecvd，n2o：sih4為2：1n4：1，pecvd管壓為200pa～300pa，溫度為420℃～500℃，功率為8kw～5kw，所述sio2隧穿層厚度為2nm～4nm。

26、進(jìn)一步地，s4中對(duì)硅鈍化層進(jìn)行磷摻雜，得到磷擴(kuò)層，具體過程包括：使用磷烷摻雜，退火溫度控制在800℃～1000℃，摻雜后濃度為1*1018～2*1020。

27、本技術(shù)中，s5中沉積增透膜層是采用pecvd沉積氮化硅，具體過程包括：n2o、sih4作為通入源通入pecvd，n2o：sih4為2：1～5：1，pecvd管壓為230pa～270pa，功率為8kw～15kw，所述增透膜層厚度為70nm～220nm。

28、本技術(shù)中，s5中燒結(jié)的溫度為800℃～940℃，處理時(shí)間為10s～30s。

29、進(jìn)一步地，s5中退火的溫度為400℃～500℃，處理時(shí)間為5s～15s。

30、本技術(shù)具有以下有益效果：

31、(1)本技術(shù)topcon太陽能電池通過對(duì)硅片進(jìn)行開柵線槽，對(duì)于正面而言有助于擴(kuò)散層的重?fù)诫s區(qū)域進(jìn)一步向硅基體的推進(jìn)，使得硼擴(kuò)層的重?fù)诫s區(qū)域具有較深的摻雜位置，金屬柵線能夠向內(nèi)部更快進(jìn)行載流子的提取，同時(shí)能夠增加硼擴(kuò)層與硅基體的接觸面積，增加pn結(jié)的接觸區(qū)域，時(shí)瞬態(tài)電流的收集增加，對(duì)于電池片的背面而言，在硅基體開柵線槽可以進(jìn)一步的優(yōu)化磷擴(kuò)層，使非金屬區(qū)域使用更薄的磷擴(kuò)層，降低寄生吸收，同時(shí)開槽位置制備較厚的磷擴(kuò)層，在高溫?zé)Y(jié)時(shí)金屬柵線與磷擴(kuò)層具有更好的接觸，進(jìn)一步提升效率。

32、(2)本技術(shù)topcon太陽能電池制備方法，采用激光刻蝕對(duì)硅片進(jìn)行開槽處理，無需添置額外的設(shè)備，現(xiàn)有topcon電池工藝設(shè)備就可以滿足生產(chǎn)要求，從而實(shí)現(xiàn)在不明顯增加成本的情況下，提高topcon太陽能電池效率的目的。

33、下面結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本技術(shù)的技術(shù)方案做進(jìn)一步說明。