日韩成人黄色,透逼一级毛片,狠狠躁天天躁中文字幕,久久久久久亚洲精品不卡,在线看国产美女毛片2019,黄片www.www,一级黄色毛a视频直播

封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法與流程

文檔序號(hào):39726544發(fā)布日期:2024-10-22 13:26閱讀:2來(lái)源:國(guó)知局
封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法與流程

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法。


背景技術(shù):

1、隨著科學(xué)技術(shù)和電子工業(yè)的高速發(fā)展,各種數(shù)字化和高頻化的電子元器件在工作時(shí)向空間輻射了大量不同頻率和波長(zhǎng)的電磁波。電磁輻射和電磁波不僅干擾電子元器件性能的實(shí)現(xiàn),同時(shí)會(huì)對(duì)人類(lèi)和其他生物造成嚴(yán)重的危害。隨著5g技術(shù)的發(fā)展,在通訊及消費(fèi)類(lèi)電子方面對(duì)電磁屏蔽器件的需求持續(xù)增長(zhǎng),同時(shí)也對(duì)電磁屏蔽要求越來(lái)越高。因此電磁屏蔽已經(jīng)成為電子元器件的必要制程,

2、封裝結(jié)構(gòu)在塑封完成后,會(huì)繼續(xù)貼裝電磁屏蔽金屬蓋覆蓋封裝結(jié)構(gòu)起到電磁屏蔽的作用。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實(shí)施例解決的問(wèn)題是提供一種封裝方法以及封裝結(jié)構(gòu),提高了封裝結(jié)構(gòu)的性能。

2、為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu),包括:引線(xiàn)框架,所述引線(xiàn)框架包括第一面,所述引線(xiàn)框架包括基座和位于所述其四側(cè)的第一管腳;第一芯片,設(shè)置于所述基座的第一面上;第一導(dǎo)電線(xiàn),位于所述引線(xiàn)框架的第一面上且橫跨所述第一芯片,所述第一導(dǎo)電線(xiàn)的兩端分別與所述第一管腳電連接。

3、相應(yīng)的,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種封裝方法,包括:提供引線(xiàn)框架,所述引線(xiàn)框架包括第一面,所述引線(xiàn)框架包括基座和位于其兩側(cè)的第一管腳;在所述基座的第一面上設(shè)置第一芯片;在所述引線(xiàn)框架的第一面上形成橫跨所述第一芯片的多根第一導(dǎo)電線(xiàn),所述第一導(dǎo)電線(xiàn)的兩端分別與所述第一管腳相電連接。

4、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):

5、本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝方法中,提供引線(xiàn)框架,所述引線(xiàn)框架包括第一面,所述引線(xiàn)框架包括基座和位于其兩側(cè)的第一管腳,在所述基座的第一面上設(shè)置第一芯片,在所述引線(xiàn)框架的第一面上形成橫跨所述第一芯片的多根第一導(dǎo)電線(xiàn),所述第一導(dǎo)電線(xiàn)的兩端分別與基島相對(duì)兩側(cè)的所述第一管腳相電連接,本發(fā)明實(shí)施例在引線(xiàn)框架的第一面上形成橫跨所述第一芯片的多根第一導(dǎo)電線(xiàn),多根第一導(dǎo)電線(xiàn)近似形成了一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)電表面,該連續(xù)的導(dǎo)電表面具有能夠阻擋電磁波穿透的作用,降低了第一芯片受到電磁干擾的概率,同時(shí),在后續(xù)形成塑封層之后,塑封層能夠覆蓋多根第一導(dǎo)電線(xiàn),相較于在塑封層的外圍設(shè)置電磁屏蔽蓋的方案,本發(fā)明實(shí)施例塑封層覆蓋多根第一導(dǎo)電線(xiàn),使多根第一導(dǎo)電線(xiàn)位于塑封層中,多根第一導(dǎo)電線(xiàn)在起到電磁屏蔽效果的同時(shí),還能降低封裝結(jié)構(gòu)的厚度,有利于封裝結(jié)構(gòu)的體積小型化,從而提高了封裝結(jié)構(gòu)的性能。



技術(shù)特征:

1.一種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基座的第一面低于所述第一管腳的第一面;

3.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述引線(xiàn)框架還包括第二管腳,所述第二管腳位于相鄰兩個(gè)所述第一管腳之間;

4.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線(xiàn)或電連接柱。

5.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,封裝結(jié)構(gòu)還包括:第一塑封層,位于所述引線(xiàn)框架的第一面上且覆蓋所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一芯片。

6.如權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二管腳的一端露出于第一塑封層。

7.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電線(xiàn)包括沿第一方向延伸的第一子導(dǎo)電線(xiàn)和沿第二方向延伸的第二子導(dǎo)電線(xiàn),所述第一方向與所述第二方向相垂直。

8.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述引線(xiàn)框架還包括與所述第一面相背的第二面,所述基座的第二面高于所述第一管腳的第一面;或者,所述基座的第二面與所述第一管腳的第二面相齊平;

9.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)還包括:第二塑封層,位于所述引線(xiàn)框架的第二面上,且覆蓋所述第三導(dǎo)電線(xiàn)、第四導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二芯片,并暴露出所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二管腳的一端。

10.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線(xiàn)或電連接柱。

11.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第三導(dǎo)電線(xiàn)包括沿第一方向延伸的第三子導(dǎo)電線(xiàn)和沿第二方向延伸的第四子導(dǎo)電線(xiàn),所述第一方向與所述第二方向相垂直。

12.一種封裝方法,其特征在于,包括:

13.如權(quán)利要求12所述的封裝方法,其特征在于,提供所述引線(xiàn)框架的步驟中,所述基座的第一面低于所述第一管腳的第一面;

14.如權(quán)利要求12所述的封裝方法,其特征在于,提供所述引線(xiàn)框架的步驟中,所述引線(xiàn)框架還包括第二管腳,所述第二管腳位于所述基座和第一管腳的側(cè)部;

15.如權(quán)利要求14所述的封裝方法,其特征在于,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線(xiàn)或電連接柱。

16.如權(quán)利要求15所述的封裝方法,其特征在于,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電線(xiàn)時(shí),所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在同一步驟中形成;

17.如權(quán)利要求14所述的封裝方法,其特征在于,封裝方法還包括:在所述引線(xiàn)框架的第一面上形成覆蓋所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一芯片的第一塑封層;

18.如權(quán)利要求12所述的封裝方法,其特征在于,在形成所述第一導(dǎo)電線(xiàn)的步驟中,所述第一導(dǎo)電線(xiàn)包括沿第一方向延伸的第一子導(dǎo)電線(xiàn)和沿第二方向延伸的第二子導(dǎo)電線(xiàn),所述第一方向與所述第二方向相垂直。

19.如權(quán)利要求14所述的封裝方法,其特征在于,提供所述引線(xiàn)框架的步驟中,所述引線(xiàn)框架還包括與所述第一面相背的第二面,所述基座的第二面高于所述第一管腳的第二面;或者,所述基座的第二面與所述第一管腳的第二面相齊平;

20.如權(quán)利要求19所述的封裝方法,其特征在于,在形成所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之后,在所述基座的第二面上設(shè)置第二芯片之前,還包括:在所述引線(xiàn)框架的第一面上形成覆蓋所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一芯片的第一塑封層;

21.如權(quán)利要求19所述的封裝方法,其特征在于,在形成所述第三導(dǎo)電線(xiàn)、第四導(dǎo)電線(xiàn)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之后,封裝方法還包括:在所述第一面和第二面形成第三塑封層,所述第三塑封層覆蓋所述第一面上的第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一芯片、以及覆蓋所述第二面上的第三導(dǎo)電線(xiàn)、第四導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二芯片。

22.如權(quán)利要求19所述的封裝方法,其特征在于,所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線(xiàn)或電連接柱。

23.如權(quán)利要求22所述的封裝方法,其特征在于,所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電線(xiàn)時(shí),所述第三導(dǎo)電線(xiàn)、第四導(dǎo)電線(xiàn)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在同一步驟中形成;

24.如權(quán)利要求19所述的封裝方法,其特征在于,在形成所述第三導(dǎo)電線(xiàn)的步驟中,所述第三導(dǎo)電線(xiàn)包括沿第一方向延伸的第三子導(dǎo)電線(xiàn)和沿第二方向延伸的第四子導(dǎo)電線(xiàn),所述第一方向與所述第二方向相垂直。


技術(shù)總結(jié)
一種封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法,封裝結(jié)構(gòu)包括:引線(xiàn)框架,引線(xiàn)框架包括第一面,引線(xiàn)框架包括基座和位于其兩側(cè)的第一管腳;第一芯片,設(shè)置于基座的第一面上;第一導(dǎo)電線(xiàn),位于引線(xiàn)框架的第一面上且橫跨第一芯片,第一導(dǎo)電線(xiàn)的兩端分別與第一管腳電連接。多根第一導(dǎo)電線(xiàn)近似形成了一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)電表面,該連續(xù)的導(dǎo)電表面具有能夠阻擋電磁波穿透的作用,降低了第一芯片受到電磁干擾的概率,同時(shí),在后續(xù)形成塑封層之后,塑封層能夠覆蓋多根第一導(dǎo)電線(xiàn),使多根第一導(dǎo)電線(xiàn)位于塑封層中,多根第一導(dǎo)電線(xiàn)在起到電磁屏蔽效果的同時(shí),還能降低封裝結(jié)構(gòu)的厚度,有利于封裝結(jié)構(gòu)的體積小型化,從而提高了封裝結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)研發(fā)人員:俞開(kāi)源,周昊,殷嘉鳴
受保護(hù)的技術(shù)使用者:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/10/21
網(wǎng)友詢(xún)問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1