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一種防放反的半導(dǎo)體貼片料盒的制作方法

文檔序號:39713993發(fā)布日期:2024-10-22 13:00閱讀:2來源:國知局
一種防放反的半導(dǎo)體貼片料盒的制作方法

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體貼片設(shè)備領(lǐng)域,尤其涉及一種防放反的半導(dǎo)體貼片料盒。


背景技術(shù):

1、在半導(dǎo)體芯片的貼片工序中包含上料步驟,上料步驟由料盒實現(xiàn),料盒不管怎么放置都可以放進下料架,每次上料都需要人為確認(rèn)料盒方向。上料過程的人工確認(rèn)容易發(fā)生疏漏,料盒經(jīng)常因放反而導(dǎo)致后工序上料時材料反向,造成錯焊,易造成品質(zhì)異常。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種防放反的半導(dǎo)體貼片料盒,在下料架上增加凸起部,在料盒底部增加凹陷部,通過凹凸重合方式驗證料盒的安裝方向,從而在上料階段能即時發(fā)現(xiàn)放反問題,提高上料工序的可靠性。

2、為解決上述技術(shù)問題,本實用新型采用的一個技術(shù)方案是:提供一種防放反的半導(dǎo)體貼片料盒,包括下料架、線性底槽、聯(lián)排底架、第一凸起部、第二凸起部、料盒、第一凹陷部、第二凹陷部,所述下料架表面開設(shè)有若干線性底槽,相鄰線性底槽平行排列并形成聯(lián)排底架,所述聯(lián)排底架上設(shè)置有第一凸起部和第二凸起部,所述聯(lián)排底架上承托有料盒,所述料盒底面開設(shè)有第一凹陷部和第二凹陷部,所述第一凸起部與第一凹陷部大小形狀匹配吻合,所述第二凸起部與第二凹陷部大小形狀匹配吻合。

3、在本實用新型一個較佳實施例中,所述聯(lián)排底架平鋪在整個下料架上,所述第一凸起部、第二凸起部分別設(shè)置在處于下料架兩端位置處的聯(lián)排底架上。

4、在本實用新型一個較佳實施例中,所述料盒呈長方體結(jié)構(gòu)且在一對對側(cè)面整面開放有取料口,所述對側(cè)面與聯(lián)排底架平行。

5、在本實用新型一個較佳實施例中,所述料盒的頂面為平面。

6、本實用新型的有益效果是:本實用新型提供的一種防放反的半導(dǎo)體貼片料盒,在下料架上增加凸起部,在料盒底部增加凹陷部,通過凹凸重合方式驗證料盒的安裝方向,從而在上料階段能即時發(fā)現(xiàn)放反問題,提高上料工序的可靠性。



技術(shù)特征:

1.一種防放反的半導(dǎo)體貼片料盒,其特征在于,包括下料架、線性底槽、聯(lián)排底架、第一凸起部、第二凸起部、料盒、第一凹陷部、第二凹陷部,所述下料架表面開設(shè)有若干線性底槽,相鄰線性底槽平行排列并形成聯(lián)排底架,所述聯(lián)排底架上設(shè)置有第一凸起部和第二凸起部,所述聯(lián)排底架上承托有料盒,所述料盒底面開設(shè)有第一凹陷部和第二凹陷部,所述第一凸起部與第一凹陷部大小形狀匹配吻合,所述第二凸起部與第二凹陷部大小形狀匹配吻合。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1?所述的防放反的半導(dǎo)體貼片料盒,其特征在于,所述聯(lián)排底架平鋪在整個下料架上,所述第一凸起部、第二凸起部分別設(shè)置在處于下料架兩端位置處的聯(lián)排底架上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防放反的半導(dǎo)體貼片料盒,其特征在于,所述料盒呈長方體結(jié)構(gòu)且在一對對側(cè)面整面開放有取料口,所述對側(cè)面與聯(lián)排底架平行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防放反的半導(dǎo)體貼片料盒,其特征在于,所述料盒的頂面為平面。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開一種防放反的半導(dǎo)體貼片料盒,包括下料架、線性底槽、聯(lián)排底架、第一凸起部、第二凸起部、料盒、第一凹陷部、第二凹陷部,所述下料架表面開設(shè)有若干線性底槽,相鄰線性底槽平行排列并形成聯(lián)排底架,所述聯(lián)排底架上設(shè)置有第一凸起部和第二凸起部,所述聯(lián)排底架上承托有料盒,所述料盒底面開設(shè)有第一凹陷部和第二凹陷部,所述第一凸起部與第一凹陷部大小形狀匹配吻合,所述第二凸起部與第二凹陷部大小形狀匹配吻合。通過上述方式,本技術(shù)提供一種防放反的半導(dǎo)體貼片料盒,在下料架上增加凸起部,在料盒底部增加凹陷部,通過凹凸重合方式驗證料盒的安裝方向,從而在上料階段能即時發(fā)現(xiàn)放反問題,提高上料工序的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員:方成應(yīng),徐明廣,趙輝,許歡
受保護的技術(shù)使用者:蘇州泓冠半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240304
技術(shù)公布日:2024/10/21
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