專利名稱：：高光束質量集成固體激光器的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種高光束質量集成固體激光器(簡稱VRR)，屬于固體激光器
技術領域：
?，F有的固體激光器，用變反射率鏡作為輸出鏡組成諧振腔。參見雜志Opt.Communications，1990，77(2)，179；作者s.Desilvestri，題目ComparativeanalysisofNdYAGunstableresonatorwithsuper-gaussianVRM。變反射率鏡諧振腔的調整，要求變反射率鏡的最大反射率Ro點必須要在諧振腔光軸上，并與晶體的軸線重合，如圖5所示。否則將無法滿足變反射率鏡組成諧振腔的基本原理，從而達不到良好效果。這一要求對于工程激光器顯得更加困難了。本發(fā)明的任務是提供一種高光束質量集成固體激光器，采用變反射率膜和集成技術，大大減小了調整難度，特別適用于小型測距機、牙科激光機等工程小型測距機、牙科激光機等工程小型激光系統(tǒng)。完成本發(fā)明的上述任務的技術方案如下。高光束質量集成固體激光器，包括光泵，激光介質晶體(1)，其特征在于，激光諧振腔是由直接鍍在激光介質晶體(1)輸出端的變反射率膜(2)和鍍在激光介質晶體(1)另一端的全反膜(3)組成。以下通過實施例，結合附圖對本發(fā)明作進一步詳細說明。圖1是本發(fā)明高光束質量集成固體激光器的示意圖；圖2是本發(fā)明另一實施例的示意圖；圖3是本發(fā)明又一實施例的示意圖；圖4是變反射率膜2的徑向反射率分布曲線示意圖；圈5是已有技術固體激光器示意圖。圖1所示本發(fā)明高光束質量集成固體激光器，其激光介質晶體1輸出端鍍有變反射率膜2，另一端鍍全反膜3，組成激光諧振腔。激光介質晶體1可用NdYAG晶體，Cr，NdYAG或NdCrGSGG或GSAG或GGG晶體，兩端鍍膜后組成非穩(wěn)腔或穩(wěn)定腔。所謂變反射率膜，是指沿該膜的徑向或二維方向的反射率從中心到邊緣逐漸遞減，是非均勻膜。反射率曲線一般為軸對稱曲線，例如高斯形，準高斯形，超高斯形或拋物線形等。如圖4所示，橫坐標為徑向距高，縱坐標為反射率R，膜中心的反射率為R。最大，將變反射率膜2直接鍍在激光介質晶體的輸出端表面，并使變反射率膜2的最大反射率處R。幾乎與晶體的幾何中心重合，離心精度≤0.3毫米。諧振腔為非穩(wěn)腔，例如晶體的輸出端為凹面，另一端為平面。當變反射率膜2的反射率曲線為高斯形時，變反射率膜底寬2a與該方向的晶體尺寸2b的關系為b＝(Mn-1)1/n·aM是非穩(wěn)腔的橫向放大率(M＞1)N是高斯形變反射率膜的階數。如果設計的諧振腔為穩(wěn)定腔，例如晶體的輸出端為凸面，另一端為平面，則a＜b，那么變反射率膜同時可起到軟光欄的作用，對提高激光光束質量仍然有所貢獻。圖2是本發(fā)明的另一實施例，在激光介質晶體1輸出端與變反射率膜2之間以及晶體另一端與全反膜3之間分別都鍍增透膜4和5，更可提高本發(fā)明高光束質量集成固體激光器的性能。圖3是本發(fā)明的又一實施例，與圖2實施例不同處是用分離的全反鏡6替代全反膜3。圖4是變反射率膜2的徑向反射率分布曲線示意圖，膜中心的反射率為Ro，高膜中心O徑向距離為γ或-γ時反射率為最小。圖5是已有技術固體激光器示意圖，7為光泵，1為激光介質晶體，6為全反鏡，8為變反射率鏡。本發(fā)明的效果是由于采用了變反射率膜和集成技術，提高了光束質量，減小了調整難度，這樣特別適用于小型測距機，牙科激光機等工程小型激光系統(tǒng)，可減小整機體積，減輕重量，調整方便，節(jié)省了裝校工時，降低了生產成本。權利要求1.高光束質量集成固體激光器，包括光泵，激光介質晶體(1)，其特征在于，激光諧振腔是由直接鍍在激光介質晶體(1)輸出端的變反射率膜(2)和鍍在激光介質晶體(1)另一端的全反膜(3)組成。2.根據權利要求1的集成固體激光器，其特征在于，變反射率膜中心(Ro)與諧振腔光軸偏高度≤0.3毫米。3.根據權利要求1或2的集成固體激光器，其特征在于，在晶體(1)輸出端與變反射率膜(2)之間以及晶體另一端與全反膜(3)之間分別鍍有增透膜(4，5)。4.根據權利要求3的集成固體激光器，其特征在于，全反膜用分離的全反鏡(6)替代。5.根據權利要求3的集成固體激光器，其特征在于，晶體為NdYAG晶體。全文摘要本發(fā)明涉及一種高光束質量集成固體激光器
技術領域：
。其包括光泵，激光介質晶體1，激光諧振腔是由直接鍍在晶體1輸出端的變反射率膜2和鍍在激光介質晶體1另一端的全反膜3組成。由于采用了變反射率膜和集成技術，提高了光束質量，減小了調整難度，特別適用于小型測距機、牙科激光機等工程小型激光系統(tǒng)，減小整機體積，減輕重量，節(jié)省裝校工時，降低生產成本。文檔編號H01S3/08GK1134052SQ9610031公開日1996年10月23日申請日期1996年1月19日優(yōu)先權日1996年1月19日發(fā)明者張放,張平雷申請人:電子工業(yè)部第十一研究所