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半導(dǎo)體集成電路的制作方法

文檔序號:9221771閱讀:501來源:國知局
半導(dǎo)體集成電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本技術(shù)涉及半導(dǎo)體集成電路。更具體地,本技術(shù)涉及具有接收并且輸出信號和電源的輸入/輸出單元的半導(dǎo)體集成電路。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來,存在對更小并且更輕的電子裝置的需求。例如,為了減少電子裝置的大小,已經(jīng)嘗試了增加電子裝置中包括的半導(dǎo)體集成電路的集成度。半導(dǎo)體集成電路的更高的集成度伴隨著輸入至半導(dǎo)體集成電路以及從半導(dǎo)體集成電路輸出的信號或者電力的數(shù)量的增加。因此,半導(dǎo)體封裝用于有效地分配這些信號或者電力。
[0003]半導(dǎo)體芯片被設(shè)置在半導(dǎo)體封裝的基板上,并且電源環(huán)、接地環(huán)、引線框架等被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片周圍。半導(dǎo)體芯片包括用于接收和輸出電源或者信號的多個輸入/輸出(I/O)單元,其沿著半導(dǎo)體芯片的周邊布置。在此,I/o單元被分成用于供應(yīng)電力的電力單元以及用于接收和輸出信號的信號單元。電力單元通過配線連接至電源環(huán)或者接地環(huán),同時信號單元通過配線連接至引線框架。
[0004]至于布置I/O單元的方式,已經(jīng)提出了其中至少設(shè)置兩行I/O單元并且電力單元被設(shè)置在第一行的半導(dǎo)體集成電路,其中,行方向是沿著半導(dǎo)體芯片的周邊的方向,并且第一行是更靠近周邊的行(例如,參見專利文獻I)。這是因為如果電力單元被設(shè)置在更遠離半導(dǎo)體芯片的周邊的第二行中,則由于通過配線接合安裝,導(dǎo)致難以在第一行的相同列中提供信號單元。具體地,如果信號單元被設(shè)置在第一行的相同列中,連接至電力單元的配線和連接至信號單元的配線會互相交叉。因此,電力單元通常被設(shè)置在第一行中。
[0005]然而,在上述傳統(tǒng)技術(shù)中,可能難以減少電壓降的增加。電壓降的值通過流過互連的電流I和互連的電阻R的乘積計算,并且因此,電壓降也被稱為IR壓降。由于IR壓降增加,供應(yīng)給半導(dǎo)體集成電路中的電路塊的電壓可能低于或者等于操作電壓,從而導(dǎo)致故障。
[0006]在上述半導(dǎo)體集成電路中,電力單元被設(shè)置在第一行中。因此,如果電源互連從半導(dǎo)體芯片中的電力單元連接至電路塊,則必須布置電源互連,使得電源互連通過第二行中的I/o單元之間的間隙。因此,難以增加電源互連的寬度,可能導(dǎo)致IR壓降增加。
[0007]為了增加電源互連的寬度,與第一行中的電力單元的電勢具有相同電勢的電力單元可被設(shè)置在第二行的相同列中。然而,在該配置中,每個列中的電力單元的數(shù)量增加,并且因此,在電源環(huán)和接地環(huán)中的配線接合需要較大的空間。因此,必須增加電源環(huán)或者接地環(huán)的寬度。因此,半導(dǎo)體集成電路的大小可能增加。因此,在減少半導(dǎo)體集成電路的大小時難以減少IR壓降的增加。
[0008]考慮到這些情況,已經(jīng)提出了本技術(shù)。本技術(shù)的目標(biāo)是減少半導(dǎo)體集成電路中的電壓降的增加。
[0009]參考文獻列表
[0010]專利文獻
[0011]專利文獻1:JP 2006-52036A

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]為了解決上述問題提出了本技術(shù)。根據(jù)本技術(shù)的第一方面,提供了半導(dǎo)體集成電路,包括:多個第一輸入/輸出單元,布置在半導(dǎo)體集成電路基板上;多個第二輸入/輸出單元,沿著多個第一輸入/輸出單元布置在半導(dǎo)體集成電路基板上;以及電勢供應(yīng)部,形成在半導(dǎo)體封裝基板上,電勢供應(yīng)部的一部分在半導(dǎo)體封裝基板的表面中突出,并且被配置為通過包括突出部分的區(qū)域?qū)㈩A(yù)定電勢供應(yīng)給作為多個第一輸入/輸出單元中的一個的目標(biāo)單元以及多個第二輸入/輸出單元中的鄰近目標(biāo)單元的單元。這提供了通過包括突出部分的區(qū)域?qū)㈩A(yù)定電勢供應(yīng)給多個第一輸入/輸出單元中的一個的目標(biāo)單元以及多個第二輸入/輸出單元中的鄰近目標(biāo)單元的單元的優(yōu)勢。
[0013]在該第一方面中,電勢供應(yīng)部可包括第一供應(yīng)部,形成在沿著多個第一或者第二輸入/輸出單元的帶狀中,并且被配置為供應(yīng)第一電勢;以及第二供應(yīng)部,形成在沿著第一供應(yīng)部的帶狀中,并且被配置為供應(yīng)第二電勢。第一供應(yīng)部可在預(yù)定位置斷開。第二供應(yīng)部的一部分可朝向其中第一供應(yīng)部被斷的位置突出。這提供了從第二供應(yīng)部供應(yīng)第二電勢,第二供應(yīng)部的一部分朝向其中第一供應(yīng)部被斷開的位置突出的優(yōu)勢。
[0014]在該第一方面中,突出部分可形成為在遠離除了該突出部分之外的部分的位置處突出。這提供了在電勢供應(yīng)部的突出部分與除了電勢供應(yīng)部的突出部分之外的部分之間設(shè)置空間的優(yōu)勢。
[0015]在該第一方面中,與多個第二輸入/輸出單元相比,多個第一輸入/輸出單元的位置可更靠近電勢供應(yīng)部而定位。電勢供應(yīng)部可通過配線將不同電勢供應(yīng)給多個第一輸入/輸出單元中的兩個相鄰單元中的每一個。這提供了不同電勢通過配線被供應(yīng)給多個第一輸入/輸出單元中的兩個相鄰單元的優(yōu)勢。
[0016]在該第一方面中,電路塊形成在半導(dǎo)體集成電路基板上;電源互連,形成在從被供應(yīng)預(yù)定電勢的第一和第二輸入/輸出單元至電路塊的路線中;多個接合墊,形成在被供應(yīng)預(yù)定電勢的各個第一和第二輸入/輸出單元中,并且通過配線連接至電勢供應(yīng)部;以及被按壓測試探針的測試墊,形成在第一和第二輸入/輸出單元和電路塊之間的位置處的電源互連上。這提供了測試墊被形成在第一和第二輸入/輸出單元和電路塊之間的位置處的電源互連上的優(yōu)勢。
[0017]在該第一方面中,可進一步包括電源互連,形成在從被供應(yīng)預(yù)定電勢的第一和第二輸入/輸出單元至電路塊的路線中。多個第一輸入/輸出單元和多個第二輸入/輸出單元可布置為交錯排列方式。與當(dāng)輸入/輸出單元被布置為二維網(wǎng)格方式時相比,這提供了具有更大的線寬的電源互連被形成在從以交錯排列方式布置的第一輸入/輸出單元和第二輸入/輸出單元至電路塊的路線中的優(yōu)勢。
[0018]發(fā)明效果
[0019]根據(jù)本技術(shù),可以展示可減少半導(dǎo)體集成電路中的電壓降增加的良好效果。
【附圖說明】
[0020]圖1是第一實施方式中的半導(dǎo)體集成電路的示例性頂視圖。
[0021]圖2是示出了第一實施方式中的電源環(huán)、接地環(huán)和半導(dǎo)體芯片的示例性配置的示圖。
[0022]圖3是第一實施方式中的半導(dǎo)體封裝的示例性頂視圖。
[0023]圖4是示出了第一實施方式的第一變形例中的電源環(huán)部分、接地環(huán)部分和突出部分的示例性配置的示圖。
[0024]圖5是示出了第一實施方式的第二變形例中的電源環(huán)部分、接地環(huán)部分和突出部分的示例性配置的示圖。
[0025]圖6是示出了第一實施方式的第三變形例中的半導(dǎo)體芯片的示例性配置的示圖。
[0026]圖7是示出了第二實施方式中的電源環(huán)部分、接地環(huán)部分和突出部分的示例性配置的示圖。
[0027]圖8是示出了第三實施方式中的電源環(huán)部分、接地環(huán)部分和突出部分的示例性配置的示圖。
[0028]圖9是示出了第三實施方式的變形例中的電源環(huán)部分、接地環(huán)部分和突出部分的示例性配置的示圖。
【具體實施方式】
[0029]現(xiàn)在將描述執(zhí)行本技術(shù)的形式(以下簡稱實施方式)。將按照以下順序進行描述。
[0030]1.第一實施方式(導(dǎo)致電源環(huán)的一部分和接地環(huán)的一部分突出的實例)
[0031]2.第二實施方式(具有不同電勢的電力單元被彼此相鄰布置,并且導(dǎo)致電源環(huán)的一部分和接地環(huán)的一部分突出的實例)
[0032]3.第三實施方式(測試墊與I/O單元分離,并且導(dǎo)致電源環(huán)的一部分和接地環(huán)的一部分突出的實例)
[0033]〈1.第一實施方式>
[0034][半導(dǎo)體集成電路的示例性配置]
[0035]圖1是第一實施方式中的半導(dǎo)體集成電路的示例性頂視圖。半導(dǎo)體集成電路包括半導(dǎo)體封裝100和半導(dǎo)體芯片200。
[0036]半導(dǎo)體封裝100是保護半導(dǎo)體芯片200的部分,并且還將信號和電力分配至半導(dǎo)體芯片200。半導(dǎo)體封裝100包括接地環(huán)
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