薄的堆疊封裝的制作方法
【專利說明】薄的堆疊封裝
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
[0002]本申請(qǐng)主張2014年3月28日于韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局所提交的韓國(guó)申請(qǐng)第10-2014-0036526號(hào)的優(yōu)先權(quán)，通過引用將該韓國(guó)專利申請(qǐng)整體并入本文中，如同在本文進(jìn)行了完整的闡述。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本案實(shí)施例涉及封裝技術(shù)，更具體地說，涉及薄的堆疊封裝。
【背景技術(shù)】
[0004]在許多電子系統(tǒng)中使用的半導(dǎo)體裝置可以包括各種電子電路組件。電子電路組件可以被集成在半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體基板中及/或半導(dǎo)體基板上。半導(dǎo)體裝置也可稱為半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體小片(die)。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片可以用在各種電子系統(tǒng)中。在電子系統(tǒng)中使用諸如存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置之前，半導(dǎo)體裝置可以被囊封以創(chuàng)建半導(dǎo)體封裝。半導(dǎo)體封裝可以在電子系統(tǒng)中使用，其中該電子系統(tǒng)可以例如包括計(jì)算機(jī)、移動(dòng)系統(tǒng)或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0005]由于諸如智能手機(jī)的移動(dòng)系統(tǒng)日益更輕且更小，在移動(dòng)系統(tǒng)中使用的半導(dǎo)體封裝已在尺寸上縮小。此外，隨著多功能移動(dòng)系統(tǒng)的發(fā)展，對(duì)相對(duì)大容量的半導(dǎo)體封裝的需求在增加。在許多情況下，一直朝著將多個(gè)半導(dǎo)體芯片放置在單個(gè)封裝中努力，以試圖提供相對(duì)大容量的半導(dǎo)體封裝。這樣的半導(dǎo)體封裝的一個(gè)例子是堆疊封裝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]薄的堆疊封裝的一實(shí)施例包括:基板，其包括第一電路圖案和位于與所述第一電路圖案不同水平高度的第二電路圖案；第一半導(dǎo)體芯片，其包括電耦接到所述第一電路圖案的第一凸塊；以及第二半導(dǎo)體芯片，其包括電耦接到所述第二電路圖案的第二凸塊。所述第二半導(dǎo)體芯片被堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片的與所述基板相反的表面上，并且所述第二凸塊延伸經(jīng)過所述第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁。
[0007]在一實(shí)施例中，薄的堆疊封裝包括:基板本體層，其具有上表面和下表面；第一電路圖案，其設(shè)置在所述基板本體層的下表面上；第二電路圖案，其設(shè)置在所述基板本體層的上表面上；第一半導(dǎo)體芯片，其包括第一凸塊；以及第二半導(dǎo)體芯片，其包括第二凸塊。所述第一凸塊延伸穿過所述基板本體層以電耦接到所述第一電路圖案，并且所述第二凸塊延伸經(jīng)過所述第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁以電耦接到所述第二電路圖案。所述第二半導(dǎo)體芯片被堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上，其中沿著所述第二半導(dǎo)體芯片的長(zhǎng)度的中心線大致垂直于沿著所述第一半導(dǎo)體芯片的長(zhǎng)度的中心線。
[0008]在一實(shí)施例中，薄的堆疊封裝包括:第一半導(dǎo)體芯片，其包括第一凸塊；以及第二半導(dǎo)體芯片，其堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上。所述第二半導(dǎo)體芯片包括第二凸塊。基板包括第一電路圖案和第二電路圖案，其中所述第二電路圖案被設(shè)置在與所述第一電路圖案不同的水平高度處。所述第一電路圖案電耦接至所述第一凸塊，并且所述第二電路圖案電耦接至所述第二凸塊。所述第一電路圖案由第一介電層覆蓋，以及所述第二電路圖案由第二介電層覆蓋。第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片由保護(hù)層覆蓋。
[0009]在一實(shí)施例中，存儲(chǔ)卡包括存儲(chǔ)器和被配置為控制所述存儲(chǔ)器的操作的存儲(chǔ)器控制器。所述存儲(chǔ)器和所述存儲(chǔ)器控制器中的至少一個(gè)包括:基板，其包括第一電路圖案和設(shè)置在與所述第一電路圖案不同的水平高度處的第二電路圖案；第一半導(dǎo)體芯片，其包括電耦接到所述第一電路圖案的第一凸塊；以及第二半導(dǎo)體芯片，其包括電耦接到所述第二電路圖案的第二凸塊。所述第二半導(dǎo)體芯片被堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片的與所述基板相反的表面上，并且所述第二凸塊延伸經(jīng)過所述第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁。
[0010]在一實(shí)施例中，存儲(chǔ)卡包括存儲(chǔ)器和被配置為控制所述存儲(chǔ)器的操作的存儲(chǔ)器控制器。所述存儲(chǔ)器和所述存儲(chǔ)器控制器中的至少一個(gè)包括:基板本體層，其具有上表面和下表面；第一電路圖案，其設(shè)置在所述基板本體層的下表面上；第二電路圖案，其設(shè)置在所述基板本體層的上表面上；第一半導(dǎo)體芯片，其包括第一凸塊；以及第二半導(dǎo)體芯片，其包括第二凸塊。所述第一凸塊延伸穿過所述基板本體層以電耦接到所述第一電路圖案，并且所述第二凸塊延伸經(jīng)過所述第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁以電耦接到所述第二電路圖案。所述第二半導(dǎo)體芯片被堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上，并且沿著所述第二半導(dǎo)體芯片的長(zhǎng)度的中心線大致垂直于沿著所述第一半導(dǎo)體芯片的長(zhǎng)度的中心線。
[0011]在一實(shí)施例中，存儲(chǔ)卡包括存儲(chǔ)器和控制所述存儲(chǔ)器的操作的存儲(chǔ)器控制器。所述存儲(chǔ)器和所述存儲(chǔ)器控制器中的至少一個(gè)包括:第一半導(dǎo)體芯片，其包括第一凸塊；以及第二半導(dǎo)體芯片，其堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上。所述第二半導(dǎo)體芯片包括第二凸塊?；灏ǖ谝浑娐穲D案和第二電路圖案，其中所述第二電路圖案被設(shè)置在與所述第一電路圖案不同的水平高度處。所述第一電路圖案電耦接至所述第一凸塊，并且所述第二電路圖案電耦接至所述第二凸塊。所述第一電路圖案由第一介電層覆蓋，以及所述第二電路圖案由第二介電層覆蓋。所述第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片由保護(hù)層覆蓋。
[0012]在一實(shí)施例中，電子系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器和經(jīng)由總線耦接到所述存儲(chǔ)器的控制器。所述存儲(chǔ)器和所述控制器中至少一個(gè)包括:基板，其包括第一電路圖案和位于與所述第一電路圖案不同的水平高度處的第二電路圖案；第一半導(dǎo)體芯片，其包括電耦接到所述第一電路圖案的第一凸塊；以及第二半導(dǎo)體芯片，其包括電耦接到所述第二電路圖案的第二凸塊。所述第二半導(dǎo)體芯片被堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片的與所述基板相反的表面上，使得所述第二凸塊延伸經(jīng)過所述第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁。
[0013]在一實(shí)施例中，電子系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器和經(jīng)由總線耦接到所述存儲(chǔ)器的控制器。所述存儲(chǔ)器和所述控制器中至少一個(gè)包括:基板本體層，其具有上表面和下表面；第一電路圖案，其設(shè)置在所述基板本體層的下表面上；第二電路圖案，其設(shè)置在所述基板本體層的上表面上；第一半導(dǎo)體芯片，其包括第一凸塊；以及第二半導(dǎo)體芯片，其包括第二凸塊。所述第一凸塊延伸穿過所述基板本體層以電耦接到所述第一電路圖案，并且所述第二凸塊延伸經(jīng)過所述第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁以電耦接到所述第二電路圖案。所述第二半導(dǎo)體芯片被堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上，其中沿著所述第二半導(dǎo)體芯片的長(zhǎng)度的中心線大致垂直于沿著所述第一半導(dǎo)體芯片的長(zhǎng)度的中心線。
[0014]在一實(shí)施例中，電子系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器和經(jīng)由總線耦接到所述存儲(chǔ)器的控制器。所述存儲(chǔ)器和所述控制器中至少一個(gè)包括:第一半導(dǎo)體芯片，其包括第一凸塊；以及第二半導(dǎo)體芯片，其堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上。所述第二半導(dǎo)體芯片包括第二凸塊。基板包括第一電路圖案和第二電路圖案，其中所述第二電路圖案被設(shè)置在與所述第一電路圖案不同的水平高度處。所述第一電路圖案電耦接至所述第一凸塊，并且所述第二電路圖案電耦接至所述第二凸塊。所述第一電路圖案由第一介電層覆蓋，以及所述第二電路圖案由第二介電層覆蓋。所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片由保護(hù)層覆蓋。
[0015]附記:
[0016]附記1、一種堆疊封裝，該堆疊封裝包括:
[0017]基板，該基板包括第一電路圖案和位于與所述第一電路圖案不同水平高度的第二電路圖案；
[0018]第一半導(dǎo)體芯片，該第一半導(dǎo)體芯片包括電耦接到所述第一電路圖案的第一凸塊；以及
[0019]第二半導(dǎo)體芯片，該第二半導(dǎo)體芯片包括電耦接到所述第二電路圖案的第二凸塊，
[0020]其中，所述第二半導(dǎo)體芯片被堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片的與所述基板相反的表面上，并且所述第二凸塊延伸經(jīng)過所述第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁。
[0021]附記2、如附記I所述的堆疊封裝，
[0022]其中，所述基板包括具有上表面和下表面的基板本體層；以及
[0023]其中，所述第一電路圖案被設(shè)置在所述基板本體層的下表面上，并且所述第二電路圖案被設(shè)置在所述基板本體層的上表面上。
[0024]附記3、如附記2所述的堆疊封裝，該堆疊封裝進(jìn)一步包括至少一個(gè)導(dǎo)電貫孔，該導(dǎo)電貫孔延伸穿過所述基板本體層，以將所述第一電路圖案中的一個(gè)電路圖案與所述第二電路圖案中的一個(gè)電路圖案電耦接。
[0025]附記4、如附記2所述的堆疊封裝，其中，所述第二電路圖案被設(shè)置在所述基板本體層和所述第一半導(dǎo)體芯片之間。
[0026]附記5、如附記4所述的堆疊封裝，
[0027]其中，所述第一電路圖案的至少一部分經(jīng)由延伸穿過所述基板本體層的第一開口露出；并且
[0028]其中，所述第一凸塊延伸到所述第一開口內(nèi)。
[0029]附記6、如附記5所述的堆疊封裝，其中，所述第一開口中的每個(gè)開口具有大致狹縫形狀，并且所述第一凸塊中的至少兩個(gè)第一凸塊延伸到所述第一開口中的相應(yīng)開口內(nèi)。
[0030]附記7、如附記5所述的堆疊封裝，其中，所述第一開口中的每個(gè)開口具有通孔形狀，并且所述第一凸塊中的每個(gè)第一凸塊延伸到所述第一開口中的相應(yīng)開口內(nèi)。
[0031]附記8、如附記5所述的堆疊封裝，
[0032]其中，所述基板進(jìn)一步包括第一介電層，所述第一介電層與所述基板本體層的下表面相鄰設(shè)置并且露出所述第一電路圖案中的至少一個(gè)電路圖案；并且
[0033]其中，外部連接端子電耦接至所露出的第一電路圖案。
[0034]附記9、如附記5所述的堆疊封裝，
[0035]其中，所述基板進(jìn)一步包括第二介電層，所述第二介電層與所述基板本體層的上表面相鄰設(shè)置并且