一種tft陣列基板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種TFT陣列基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]有源矩陣驅動的LCD顯示技術利用了液晶的雙極性偏振特點，通過施加電場控制液晶分子的排列方向，實現(xiàn)對背光源光路行進方向的開關作用。根據對液晶分子施加電場方向的不同，可以將LCD顯示模式分為TN，VA及IPS系列模式。VA系列模式指對液晶分子施加縱向電場，而IPS系列模式指對液晶分子施加橫向電場。而在IPS系列模式中，對于施加橫向電場的不同，又可分為IPS模式和FFS模式等。其中FFS顯示模式的每一個像素單元含有上下兩層電極，即像素電極和公共電極，且下層的公共電極采用開口區(qū)整面平鋪的方式。FFS顯示模式具有高透過率，廣視角以及較低的色偏等優(yōu)點，是一種廣泛應用的LCD顯示技術。
[0003]在有源陣列顯示裝置中，常采用的是Single-gate TFT(單柵極薄膜晶體管)，但是Dual gate TFT (雙柵極晶體管)與Single-gate TFT (單柵極薄膜晶體管)相比，不僅具有較高的迀移率，較大的開態(tài)電流，更小的亞閾值擺幅，閾值電壓(Vth)穩(wěn)定性和均勻性好等優(yōu)點，還具有更好的柵極偏壓穩(wěn)定性。然而，傳統(tǒng)的FFS顯示模式的Dual-Gate TFT陣列基板制造方法需要更多的光罩次數(shù)，增加了工藝的復雜性以及生產成本。

【發(fā)明內容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及其制作方法，能夠減少光罩次數(shù)，提高生產效率和降低生產成本。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供的一種TFT陣列基板的制作方法，包括:
[0006]提供一基板；
[0007]在基板上形成第一金屬層，并采用第一光罩工藝將第一金屬層蝕刻成底柵電極；
[0008]在基板上進一步形成第一金屬氧化物半導體層，并采用第二光罩工藝將第一金屬氧化物半導體層蝕刻成第一半導體圖案及第二半導體圖案后進行摻雜處理，以將第一半導體圖案的兩端分別處理成間隔設置的第一導體圖案和第二導體圖案且將第二半導體圖案處理成第三導體圖案，其中，處理后剩余的第一半導體圖案位于底柵電極的上方，第三導體圖案作為公共電極；
[0009]在基板上進一步形成第二金屬層，并采用第三光罩工藝將第二金屬層蝕刻成源電極及漏電極，其中漏電極覆蓋在第一導體圖案上，源電極覆蓋在第二導體圖案上；
[0010]在基板上進一步形成第一鈍化層，并采用第四光罩工藝對第一鈍化層進行刻蝕，以形成過孔；
[0011]在基板上進一步形成第二金屬氧化物導體層，并采用第五光罩工藝將第二金屬氧化物導體層蝕刻成頂柵電極和像素電極，其中，頂柵電極位于處理后剩余的第一半導體圖案的上方，像素電極與公共電極至少部分重疊設置且通過過孔與源電極及漏電極中的一者電連接。
[0012]其中，金屬氧化物半導體層為IGZO氧化物半導體層。
[0013]其中，在基板上進一步形成金屬氧化物半導體層，并采用第二光罩工藝將金屬氧化物半導體層蝕刻成第一半導體圖案及第二半導體圖案后進行摻雜處理的步驟包括:
[0014]在金屬氧化物半導體層上形成光阻圖案，其中光阻圖案包括對應于第一半導體圖案的第一光阻圖案以及對應于第二半導體圖案的第二光阻圖案，第一光阻圖案的中間區(qū)域的光阻厚度大于第一光阻圖案兩端的光阻厚度且大于第二光阻圖案的光阻厚度；
[0015]以第一光阻圖案和第二光阻圖案為掩膜將金屬氧化物半導體層蝕刻成第一半導體圖案及第二半導體圖案；
[0016]以第一光阻圖案和第二光阻圖案為掩膜對第一半導體圖案及第二半導體圖案進行等離子處理，進而將第一半導體圖案的兩端分別處理成間隔設置的第一導體圖案和第二導體圖案且將第二半導體圖案處理成第三導體圖案。
[0017]其中，第二光罩工藝采用半色調掩膜、灰色調掩膜或單狹縫掩膜中的任一種形成光阻圖案。
[0018]其中，在基板上進一步形成金屬氧化物半導體層，并采用第二光罩工藝將金屬氧化物半導體層蝕刻成第一半導體圖案及第二半導體圖案后進行摻雜處理的步驟與在基板上進一步形成第二金屬層，并采用第三光罩工藝將第二金屬層蝕刻成源電極及漏電極的步驟之間，制作方法還包括:
[0019]在基板上進一步形成刻蝕阻擋層，并采用第六光罩工藝對刻蝕阻擋層進行蝕刻形成分別位于第一導體圖案和第二導體圖案上方的刻蝕阻擋層過孔。
[0020]其中，刻蝕阻擋層的材料為氧化硅。
[0021]為解決上述問題，本發(fā)明提供的一種陣列基板，包括:基板；形成在基板上的底柵電極；形成于基板上的半導體圖案、位于半導體圖案兩端且間隔設置的第一導體圖案和第二導體圖案以及公共電極，其中半導體圖案、第一導體圖案、第二導體圖案以及公共電極由同一金屬氧化物半導體層形成。
[0022]其中，金屬氧化物半導體層為IGZO氧化物半導體層。
[0023]其中，陣列基板進一步包括位于第一導體圖案上方的漏電極、位于第二導體圖案上方的源電極。
[0024]其中，陣列基板進一步包括刻蝕阻擋層，刻蝕阻擋層上分別形成有對應于第一導體圖案和第二導體圖案的過孔，漏電極和源電極通過過孔與半導體圖案電連接。
[0025]通過上述方案，本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術，本發(fā)明的采用同一道光罩工藝將第一金屬氧化物半導體層蝕刻成第一半導體圖案及第二半導體圖案后進行摻雜處理，以將第一半導體圖案的兩端分別處理成間隔設置的第一導體圖案和第二導體圖案且將第二半導體圖案處理成公共電極，并且處理后剩余的第一半導體圖案位于底柵電極上方，因此，本發(fā)明的TFT陣列基板的制造可減少光罩的次數(shù)，提高生產效率和降低生產成本。
【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本發(fā)明實施方式中的技術方案，下面將對實施方式描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。其中:
[0027]圖1是本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法的第一實施方式的流程示意圖；
[0028]圖2A至圖2G是圖1中TFT陣列基板的第一實施方式中制備底柵電極、公共電極、第一導體圖案和第二導體圖案的工藝流程圖；
[0029]圖3是圖1中TFT陣列基板的第三光罩工藝形成源電極及漏電極的工藝示意圖；
[0030]圖4是圖1中TFT陣列基板的第四光罩工藝形成過孔的工藝示意圖；
[0031]圖5是由圖1中TFT陣列基板的制作方法的第一實施方式制得的TFT陣列基板的結構示意圖；
[0032]圖6是本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法的第二實施方式的流程示意圖；
[0033]圖7是圖6中TFT陣列基板的制作方法的第二實施方式制得的TFT陣列基板的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0034]下面將結合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施方式僅僅是本發(fā)明一部分實施方式，而不是全部實施方式?；诒景l(fā)明中的實施方式，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性的勞動前提下所獲得的所有其他實施方式，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0035]請參看圖1，圖1是本發(fā)明TFT陣列基板的制作方法的第一實施方式的流程示意圖，如圖1所示，本實施方式的TFT陣列基板的制作方法包括:
[0036]Sll:提供一基板。
[0037]S12:在基板上形成第一金屬層，并采用第一光罩工藝將第一金屬層蝕刻成底柵電極。
[0038]請參看圖2A，圖2A為圖1中TFT陣列基板的第一實施方式中制得的底柵電極結構示意圖。其中，基板100作為襯底基板，其可以為玻璃基板、塑料基板或其他合適材質的基板。在本實施方式中，基板100優(yōu)選為具有透光的特性的玻璃基板。
[0039]其中，采用物理氣相沉積法(簡稱PVD)在基板100上沉積第一金屬層(圖未示)，第一金屬層的材料包括但不限于為鉻、鋁、鈦或其他金屬材料。圖2A中所示的是由第一金屬層經第一光罩曝光顯示蝕刻后制得的底柵電極11的結構示意圖。
[0040]S13:在基板上進一步