一種封裝基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種封裝基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品不斷朝著小型化、薄型化、多功能化的方向發(fā)展，從而要求集成電路封裝也朝著薄型化、高密度方向發(fā)展，作為集成電路封裝的載體，封裝基板的布線線密度也不斷提聞。
[0003]目前很多集成電路封裝采用弓丨線結(jié)合工藝，要求基板打線手指采用電鍍鎳金表面處理，由于布線密度的提高，很多基板已經(jīng)沒有空間去單獨設(shè)計電金引線，因此需要采用無引線電金工藝，無引線電金工藝通常是在阻焊前進行打線手指的電鍍鎳金處理。
[0004]在對現(xiàn)有技術(shù)的研究和實踐過程中，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，以上制作工藝有以下缺陷:
[0005]在后續(xù)去除金屬銅層和阻焊前超粗化過程中，容易在一些酸性溶液中產(chǎn)生銅線路被快速腐蝕，也就是賈凡尼效應(yīng)，賈凡尼效應(yīng)具體是指兩種不同電極電位的金屬同處一個酸性電解質(zhì)溶液中時，由于電位差的緣故，電極電位高的將從電位低的金屬奪取電子，從而使電位低的金屬溶解在酸性溶液中，進而使電位低的金屬產(chǎn)生快速腐蝕。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施例提供一種封裝基板的制作方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生賈凡尼效應(yīng)的問題。
[0007]本發(fā)明第一方面提供一種封裝基板的制作方法，包括:制作出封裝基板的外層圖形，所述外層圖形至少包括第一圖形，第二圖形，以及介于所述第一圖形和所述第二圖形之間的絕緣凹槽；對所述封裝基板整板金屬化，使得所述封裝基板的表面形成金屬化層；在所述封裝基板上設(shè)置抗蝕膜，所述抗蝕膜覆蓋所述第一圖形和所述第二圖形的打線區(qū)域以外的區(qū)域；去除所述打線區(qū)域的所述金屬化層，并在所述打線區(qū)域鍍鎳金層；在所述鎳金層的表面鍍保護層；去除所述抗蝕膜和所述金屬化層；在所述封裝基板上設(shè)置阻焊層，再去除所述保護層，完成所述封裝基板的制作。
[0008]由上可見，本發(fā)明實施例采用制作出封裝基板的外層圖形，外層圖形至少包括第一圖形，第二圖形，以及介于第一圖形和第二圖形之間的絕緣凹槽；對封裝基板整板金屬化，使得封裝基板的表面形成金屬化層；在封裝基板上設(shè)置抗蝕膜，抗蝕膜覆蓋第一圖形和第二圖形的打線區(qū)域以外的區(qū)域；去除打線區(qū)域的金屬化層，并在打線區(qū)域鍍鎳金層；在鎳金層的表面鍍保護層；去除抗蝕膜和金屬化層；在封裝基板上設(shè)置阻焊層，再去除保護層，完成封裝基板的制作的技術(shù)方案，取得了以下技術(shù)效果:由于在打線區(qū)域鍍鎳金層后并沒有直接進行阻焊，而是在鎳金層的表面進一步鍍保護層，從而達到了保護金屬化層的目的，即鎳金層和金屬化層的結(jié)合處不會出現(xiàn)化學反應(yīng)，進而不會導(dǎo)致被鎳金覆蓋的銅線路被腐蝕，阻止了賈凡尼效應(yīng)的發(fā)生，在封裝基板上設(shè)置阻焊層后，再去除該保護層，完成封裝基板的制作，解決了現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生賈凡尼效應(yīng)的問題。
【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例技術(shù)方案，下面將對實施例和現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0010]圖1是本發(fā)明實施例中封裝基板的制作方法的一個實施例示意圖；
[0011]圖2是本發(fā)明實施例中制作外層圖形的一個剖面圖；
[0012]圖3是本發(fā)明實施例中對封裝基板金屬化的一個剖面圖；
[0013]圖4是本發(fā)明實施例中設(shè)置抗蝕膜的一個剖面圖；
[0014]圖5是本發(fā)明實施例中鍍鎳金層的一個剖面圖；
[0015]圖6是本發(fā)明實施例中設(shè)置抗蝕膜的另一個剖面圖；
[0016]圖7是本發(fā)明實施例中鍍導(dǎo)電層的一個剖面圖；
[0017]圖8是本發(fā)明實施例中去除抗蝕膜后的一個剖面圖；
[0018]圖9是本發(fā)明實施例中去除金屬化層后的一個剖面圖；
[0019]圖10是本發(fā)明實施例中設(shè)置阻焊層的一個剖面圖。
【具體實施方式】
[0020]本發(fā)明實施例提供一種封裝基板的制作方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生賈凡尼效應(yīng)的問題。
[0021 ] 為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0022]下面通過具體實施例，分別進行詳細的說明。
[0023]實施例一、
[0024]請參考圖1，本發(fā)明實施例提供一種封裝基板的制作方法，可包括:
[0025]101、制作出封裝基板的外層圖形，外層圖形至少包括第一圖形，第二圖形，以及介于第一圖形和第二圖形之間的絕緣凹槽；
[0026]請參考圖2，制作出封裝基板的外層圖形，該外層圖形附著在基材100上，該外層圖形至少包括第一圖形110，第二圖形111，以及介于第一圖形110和第二圖形111之間的絕緣凹槽112。
[0027]需要說明的是，該基材可以是由樹脂玻纖維組成的基材，此處不做具體限定。
[0028]102、對封裝基板整板金屬化，使得封裝基板的表面形成金屬化層；
[0029]請參考圖3，制作出封裝基板的外層圖形之后，對封裝基板整板金屬化，使得封裝基板的表面形成金屬化層120。
[0030]可選的，對封裝基板整板金屬化，使得封裝基板的表面形成金屬化層120包括:
[0031]采用化學電鍍或者物理濺射的方法對封裝基板整板金屬化，使得封裝基板的表面形成金屬化層120,金屬化層120的厚度在0.2um?lum之間。
[0032]103、在封裝基板上設(shè)置抗蝕膜，抗蝕膜覆蓋第一圖形和第二圖形的打線區(qū)域以外的區(qū)域；
[0033]請參考圖4，對封裝基板整板金屬化之后，在封裝基板上設(shè)置抗蝕膜130，抗蝕膜130覆蓋第一圖形110和第二圖形111的打線區(qū)域113以外的區(qū)域。
[0034]可選的，在封裝基板上設(shè)置抗蝕膜130，抗蝕膜130覆蓋第一圖形110和第二圖形111的打線區(qū)域113以外的區(qū)域包括:
[0035]對封裝基板貼抗蝕膜130，并通過曝光顯影進行圖形轉(zhuǎn)移，使得抗蝕膜130覆蓋第一圖形110和第二圖形111的打線區(qū)域113以外的區(qū)域。
[0036]104、去除打線區(qū)域的金屬化層，并在打線區(qū)域鍍鎳金層；
[0037]請參考圖5，在封裝基板上設(shè)置抗蝕膜130之后，去除打線區(qū)域113的金屬化層120，并在打線區(qū)域113鍍鎳金層140。
[0038]可選的，去除打線區(qū)域113的金屬化層120之后包括:
[0039]去除抗蝕膜130 ；
[0040]請參閱圖6，再次在封裝基板上設(shè)置抗蝕膜130，抗蝕膜130覆蓋第一圖形110和第二圖形111的打線區(qū)域113以外的區(qū)域。
[0041]可選的，去除抗蝕膜130包括:
[0042]采用氫氧化鈉溶液去除