陣列基板的制作方法及陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法及陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過(guò)通電與否來(lái)控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫(huà)面。
[0004]通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)沖段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動(dòng)IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，顯示圖像。
[0005]低溫多晶娃(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)是廣泛用于中小電子產(chǎn)品中的一種液晶顯示技術(shù)。傳統(tǒng)的非晶硅材料的電子迀移率約0.5-1.0cmVV.S，而低溫多晶硅的電子迀移率可達(dá)30-300cm2/V.S。因此，低溫多晶硅液晶顯示器具有高解析度、反應(yīng)速度快、高開(kāi)口率等諸多優(yōu)點(diǎn)。但是另一方面，由于LTPS半導(dǎo)體器件的體積小、集成度高，所以整個(gè)LTPS陣列基板的制備工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本較高。
[0006]目前，業(yè)界主流的顯示面板的陣列基板的鈍化保護(hù)層(PV)通常采用氮化硅(分子式:SiNx)單層結(jié)構(gòu)組成。氮化硅是一種良好的絕緣材料，其透光度較好，介電常數(shù)大約是6
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[0007]目前流行的LTPS陣列基板的制作流程中，對(duì)平坦層和鈍化保護(hù)層進(jìn)行圖形化處理以形成像素電極與漏極的接觸孔的方法如下:步驟1、如圖1所示，首先形成平坦層(PLN)700，并利用光罩對(duì)平坦層700進(jìn)行曝光顯影處理，形成位于漏極620上方的第一通孔710;步驟2、如圖2所示，在平坦層700上形成圖形化的公共電極層(ΒΙΤ0)810，在公共電極層810上沉積氮化硅材料，形成鈍化保護(hù)層900，利用曝光和蝕刻工藝對(duì)鈍化保護(hù)層900進(jìn)行圖形化處理，在所述鈍化保護(hù)層900上形成位于第一通孔710內(nèi)的第二通孔910;所述第二通孔910用于實(shí)現(xiàn)像素電極與漏極620的接觸。
[0008]然而上述制程需要使用兩道光罩并進(jìn)行一次蝕刻制程，生產(chǎn)成本較高，且工藝流程復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板的制作方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，既節(jié)省一道光罩，又減少一道蝕刻制程，從而簡(jiǎn)化工藝流程、節(jié)約生產(chǎn)成本。
[0010]本發(fā)明的目的還在于提供一種陣列基板，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作成本低，且具有良好的電學(xué)性能。
[0011 ]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟:
[0012]步驟1、提供一基板，在所述基板上沉積第一金屬層，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，得到遮光層；
[0013]步驟2、在所述遮光層、及基板形成緩沖層，在所述緩沖層上形成非晶硅層，并對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化處理，從而形成多晶硅層，采用光刻制程對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于遮光層上方的第一多晶硅段、及與第一多晶硅段間隔設(shè)置的第二多晶硅段；
[0014]步驟3、利用光罩對(duì)所述第一多晶硅段的中間區(qū)域進(jìn)行P型輕摻雜，得到第一溝道區(qū)，之后利用光罩對(duì)所述第一多晶硅段的兩端進(jìn)行N型重?fù)诫s，得到位于兩端的N型重?fù)诫s區(qū)；
[0015]步驟4、在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段、及緩沖層上沉積柵極絕緣層，在柵極絕緣層上沉積第二金屬層，采用光刻制程對(duì)所述柵極絕緣層及第二金屬層進(jìn)行圖形化處理，在柵極絕緣層上得到分別對(duì)應(yīng)于所述第一多晶硅段與第二多晶硅段中間區(qū)域的第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層，在第二金屬層上得到分別位于所述第一、第二柵極絕緣層上方且與所述第一、第二柵極絕緣層對(duì)齊的第一柵極與第二柵極；
[0016]步驟5、利用第一柵極作為光罩對(duì)所述第一多晶硅段上位于第一溝道區(qū)與N型重?fù)诫s區(qū)之間的區(qū)域進(jìn)行N型輕摻雜，得到N型輕摻雜區(qū)，之后利用光罩對(duì)所述第二多晶硅段的兩端進(jìn)行P型重?fù)诫s，得到位于兩端的P型重?fù)诫s區(qū)、及位于兩P型重?fù)诫s區(qū)之間的第二溝道區(qū)；
[0017]步驟6、在所述第一柵極、第二柵極、第一多晶硅段、第二多晶硅段、及緩沖層上沉積層間絕緣層，通過(guò)光刻制程對(duì)所述層間絕緣層進(jìn)行圖形化處理，在所述層間絕緣層上形成對(duì)應(yīng)于N型重?fù)诫s區(qū)上方的第一過(guò)孔、及對(duì)應(yīng)于P型重?fù)诫s區(qū)上方的第二過(guò)孔；
[0018]步驟7、在所述層間絕緣層上沉積第三金屬層，對(duì)所述第三金屬層進(jìn)行圖形化處理，得到間隔設(shè)置的第一源極、第一漏極、第二源極、及第二漏極;所述第一源極、第一漏極分別通過(guò)第一過(guò)孔與N型重?fù)诫s區(qū)相接觸，所述第二源極、第二漏極分別通過(guò)第二過(guò)孔與P型重?fù)诫s區(qū)相接觸；
[0019]步驟8、在所述第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、及層間絕緣層上形成平坦層;在所述平坦層上沉積第一透明導(dǎo)電層，對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，得到公共電極；
[0020]步驟9、在所述公共電極、及平坦層上沉積有機(jī)光阻材料，形成鈍化保護(hù)層；
[0021]步驟10、利用光罩對(duì)所述鈍化保護(hù)層、及平坦層進(jìn)行曝光、顯影，得到對(duì)應(yīng)于第一漏極上方的第三過(guò)孔、及對(duì)應(yīng)于第二漏極上方的第四過(guò)孔；
[0022]步驟11、在所述鈍化保護(hù)層上沉積第二透明導(dǎo)電層，對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，得到像素電極，所述像素電極分別通過(guò)第三過(guò)孔、第四過(guò)孔與第一漏極、及第二漏極相接觸。
[0023]所述步驟2中，利用激光退火方法對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化處理。
[0024]所述步驟6還包括:對(duì)所述層間絕緣層進(jìn)行去氫和活化處理。
[0025]通過(guò)快速熱退火工藝對(duì)所述層間絕緣層進(jìn)行去氫和活化處理。
[0026]所述步驟9中，采用蒸鍍或噴印的方法沉積有機(jī)光阻材料。
[0027]所述步驟9還包括:對(duì)所述鈍化保護(hù)層進(jìn)行紫外光照射處理，使所述鈍化保護(hù)層薄化，以增加其透光性。
[0028]所述平坦層的材料為有機(jī)光阻，所述鈍化保護(hù)層的介電常數(shù)為3?4。
[0029]所述基板為透明基板;所述第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合;所述緩沖層、第一、第二柵極絕緣層、層間絕緣層為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構(gòu)成的復(fù)合層;所述第一透明導(dǎo)電層、第二透明導(dǎo)電層的材料為金屬氧化物。
[0030]本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括基板，位于基板上的遮光層，位于遮光層、及基板上的緩沖層，位于所述緩沖層上的第一多晶硅段與第二多晶硅段，分別位于第一多晶硅段與第二多晶硅段中間區(qū)域上方的第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層，分別位于所述第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層上方且與所述第一、第二柵極絕緣層對(duì)齊的第一柵極