有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法
【專利摘要】提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有與多個像素區(qū)域?qū)?yīng)的多個第一電極、中間層和第二電極。第一電極彼此隔開，第二電極彼此隔開，中間層彼此隔開。導(dǎo)電保護(hù)層被形成在第二電極上方，連接電極層被形成在導(dǎo)電保護(hù)層上方并電連接第二電極。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]2015年2月24日提交的標(biāo)題為“有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法”的韓國專利申請10-2015-0025912通過引用被完整地合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]所描述的一個或多個實施例涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]與其它類型的顯示設(shè)備相比，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備重量上輕并且薄，并具有寬視角、快的響應(yīng)速度和降低的功耗。為了實現(xiàn)全彩顯示器，不同的顏色像素可以具有帶有不同光程的光諧振結(jié)構(gòu)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]根據(jù)一個或多個實施例，一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括:包括多個像素區(qū)域的基底；與像素區(qū)域?qū)?yīng)并彼此隔開的多個第一電極;與像素區(qū)域?qū)?yīng)并彼此隔開的多個中間層；與像素區(qū)域?qū)?yīng)并彼此隔開的多個第二電極;在第二電極上方的導(dǎo)電保護(hù)層；以及在導(dǎo)電保護(hù)層上方并電連接第二電極的連接電極層。
[0006]連接電極層可以針對多個像素區(qū)域形成為一體，以覆蓋像素區(qū)域。第二電極和連接電極層可以包括半透射金屬層。導(dǎo)電保護(hù)層的厚度可以大于第二電極中的每一個的厚度和連接電極層的厚度。導(dǎo)電保護(hù)層可以為半透明層。
[0007]與像素區(qū)域?qū)?yīng)的中間層和第二電極可以具有基本相同的圖案。與像素區(qū)域中的至少一個對應(yīng)的第二電極與連接電極層之間的距離可以對應(yīng)于從像素區(qū)域中的至少一個發(fā)射的光的光學(xué)諧振距離。與像素區(qū)域中的至少一個對應(yīng)的第一電極與第二電極之間的距離和與像素區(qū)域中的至少一個對應(yīng)的第一電極與連接電極層之間的距離中的至少一個可以對應(yīng)于從像素區(qū)域中的至少一個發(fā)射的光的光學(xué)諧振距離。
[0008]像素區(qū)域可以包括與第一顏色的光發(fā)射對應(yīng)的第一像素區(qū)域和與第二顏色的光發(fā)射對應(yīng)的第二像素區(qū)域，與第一像素區(qū)域?qū)?yīng)的第二電極的厚度可以不同于與第二像素區(qū)域?qū)?yīng)的第二電極的厚度。導(dǎo)電保護(hù)層可以針對第二電極形成為一體。顯示設(shè)備可以包括在像素區(qū)域中的相鄰的像素區(qū)域之間的像素限定層，其中像素限定層的頂表面的至少一部分可以與導(dǎo)電保護(hù)層直接接觸。導(dǎo)電保護(hù)層可以具有基于從像素區(qū)域中的一個發(fā)射的光的光學(xué)諧振距離的厚度。
[0009]導(dǎo)電保護(hù)層可以具有與基底的像素區(qū)域?qū)?yīng)的島型圖案。島型圖案中的每一個可以基本上對應(yīng)于第二電極的島型圖案。顯示設(shè)備可以包括在像素區(qū)域中的相鄰的像素區(qū)域之間的像素限定層，其中像素限定層的頂表面的至少一部分可以與連接電極層直接接觸。
[0010]像素區(qū)域可以包括與第一顏色的光發(fā)射對應(yīng)的第一像素區(qū)域和與第二顏色的光發(fā)射對應(yīng)的第二像素區(qū)域，與第一像素區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電保護(hù)層的厚度可以不同于與和第二像素區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電保護(hù)層的厚度。第一電極可以是陽極，且第二電極可以是陰極。顯示設(shè)備可以包括在連接電極層上的保護(hù)層。中間層中的每一個可以包括與第一電極相鄰的第一中間層和在第一中間層上的發(fā)射層。第一中間層可以包括空穴傳輸層。
[0011]根據(jù)一個或多個其它實施例，提供了一種用于制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括:制備包括多個像素區(qū)域的基底;對彼此隔開并與基底的像素區(qū)域?qū)?yīng)的第一電極進(jìn)行圖案化;形成中間層和第二電極，中間層和第二電極中的每一個具有與基底的多個像素區(qū)域?qū)?yīng)并彼此隔開的島型圖案;形成覆蓋第二電極的導(dǎo)電保護(hù)層；以及在導(dǎo)電保護(hù)層上形成與像素區(qū)域形成為一體并電連接第二電極的連接電極層。
[0012]第二電極和連接電極層可以包括半透射金屬層。導(dǎo)電保護(hù)層的厚度可以大于第二電極中的每一個的厚度和連接電極層的厚度。導(dǎo)電保護(hù)層可以為半透明層。
[0013]形成中間層和第二電極可以包括:在基底上形成具有暴露與第一像素區(qū)域?qū)?yīng)的第一電極的開口的掩蔽圖案，第一像素區(qū)域?qū)?yīng)于第一顏色的光發(fā)射;在包括掩蔽圖案的基底的表面上形成中間層;在中間層上形成第二電極；以及除去掩蔽圖案，使得島型圖案中的中間層和第二電極對應(yīng)于第一像素區(qū)域而保留。
[0014]導(dǎo)電保護(hù)層可以被形成為使得導(dǎo)電保護(hù)層的與用于進(jìn)行第一顏色的光發(fā)射的第一像素區(qū)域?qū)?yīng)的一部分具有基于從第一像素區(qū)域發(fā)射的光的光學(xué)諧振距離的厚度。導(dǎo)電保護(hù)層可以針對第二電極形成為一體。導(dǎo)電保護(hù)層可具有基本上對應(yīng)于第二電極中的每一個的島型圖案。
[0015]第一電極可以是陽極，第二電極可以是陰極。中間層中的每一個可以包括與第一電極相鄰的第一中間層和在第一中間層上的發(fā)射層。第一中間層可以包括空穴傳輸層。該方法可包括在連接電極層上形成保護(hù)層。
【附圖說明】
[0016]通過參考附圖詳細(xì)描述示例性實施例，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說特征將變得顯而易見，附圖中:
[0017]圖1示出了有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一個實施例；
[0018]圖2示出了沿圖1的剖面線I1-1I的視圖；
[0019]圖3至圖13示出了用于制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的一個實施例的不同階段；
[0020]圖14示出了有機(jī)發(fā)光顯示器的另一實施例；
[0021 ]圖15示出了有機(jī)發(fā)光顯示器的另一實施例；
[0022]圖16至圖22示出了用于制造圖15中的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的一個實施例的不同階段;和
[0023]圖23示出了有機(jī)發(fā)光顯示器的另一實施例。
【具體實施方式】
[0024]在下文中將參考附圖更充分地描述示例性實施例；然而，示例性實施例可以以不同的形式體現(xiàn)，不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為限于本文所提出的實施例。相反，提供這些實施例是為了使得公開全面和完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)示例性實施方式。實施例可以被組合，以形成另外的實施例。
[0025]還將理解的是，當(dāng)層或元件被稱為在另一層或基底“上”時，它可以直接在另一層或基底上，或者也可以存在中間層。此外，將理解的是，當(dāng)層被稱為在另一層“下”時，它可以直接在下面，也可以存在一個或多個中間層。此外，還將理解的是，當(dāng)層被稱為在兩層“之間”時，它可以是兩層之間的唯一層，或者也可以存在一個或多個中間層。貫穿全文，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。
[0026]圖1示出了包括多個像素區(qū)域P1、P2和P3的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一個實施例。像素區(qū)域P1、P2和P3可以被布置成形成矩陣并發(fā)射不同顏色的光。例如，像素區(qū)域P1、P2和?3可以分別發(fā)射藍(lán)光、綠光和紅光。為了方便說明，下面將描述第一像素區(qū)域Pl發(fā)射藍(lán)光、第二像素區(qū)P2發(fā)射綠光和第三像素區(qū)域P3發(fā)射紅光的示例。(在另一實施例中，只要實現(xiàn)全彩顯示器，顯示設(shè)備可以發(fā)射顏色的不同組合。此外，另一實施例可以具有不同數(shù)量的像素區(qū)域，例如，可以包括發(fā)射藍(lán)光、綠光、紅光和白光的四個像素的組合。)
[0027]圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)200在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中。參見例如圖2，堆疊結(jié)構(gòu)200可包括第一電極210、中間層220和第二電極230。堆疊結(jié)構(gòu)200的第二電極230經(jīng)由連接電極層250被電連接，具有預(yù)定厚度的導(dǎo)電保護(hù)層240在堆疊結(jié)構(gòu)200與連接電極層250之間。
[0028]如例如圖1所示，像素區(qū)域P1、P2和P3被布置成形成矩陣。根據(jù)另一示例性實施例，像素區(qū)域P1、P2和P3可被布置成具有各種其它形狀，例如蜂窩狀(Pentile)形狀。
[0029]圖2示出了沿圖1的線I1-1I截取的剖視圖。參考圖2，像素電路PC被形成在基底100上，絕緣層150位于像素電路PC上?；?00可以包括例如玻璃材料、金屬材料或諸如聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亞胺的塑料材料。根據(jù)一個實施例，相比當(dāng)基底100由玻璃材料形成時，當(dāng)基底100由塑料材料或金屬材料形成時，基底100可具有提高的柔性。由例如S12和/或SiNx形成的緩沖層可以在基底100上，以防止雜質(zhì)滲入基底100 內(nèi)。
[0030]像素電路PC包括薄膜晶體管(TFT)和電容器，可以被電連接到在像素區(qū)域P1、P2和P3中的每一個上的第一電極210。像素電路PC的頂表面可由近乎平坦的絕緣層150覆蓋。
[0031]第一電極210在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中。第一電極210被圖案化成與像素區(qū)域P1、P2和P3中的每一個對應(yīng)的島型。第一電極210是用作反射電極的陽極電極。第一電極210可以是包括例如銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au) IS(Pt)、鉻(Cr)或含有這些的合金的單個反射金屬層。根據(jù)一個實施例，第一電極210可以是在上述單個反射金屬層的頂部和/或底部上進(jìn)一步包括例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的雙層或三層。
[0032]像素限定層180包括與像素區(qū)域Pl、P2和P3對應(yīng)的開口0P。第一電極210的頂表面通過像素限定層180的開口 OP被暴露。第一電極210的邊緣可以被像素限定層180覆蓋。像素限定層180可包括由丙烯酸樹脂形成的有機(jī)絕緣層。像素限定層180可以增加第一電極210的端部與第二電極230以及/或第一電極210的端部與連接電極層250之間的距離，從而起到防止在第一電極210的端部產(chǎn)生電弧等的作用。
[0033]中間層220被形成在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中。中間層220可以在像素區(qū)域P1、P2和P3中的每一個中圖案化為島型，并且可以包括順序堆疊的第一中間層221、發(fā)射層222B、222G和222R、以及第二中間層223。
[0034]第一中間層221可以與第一電極210相鄰，并且可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)?shù)谝恢虚g層221包括高分子量材料時，第一中間層221可以是具有單層結(jié)構(gòu)的空穴傳輸層(HTL)，例如可以包括聚-(3，4)_乙烯-二羥基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。當(dāng)?shù)谝恢虚g層221包括低分子量材料時，第一中間層221可以包括空穴注入層(HIL)和HTL。
[0035]第一像素區(qū)域Pl的發(fā)射層222B可以對應(yīng)于藍(lán)色光發(fā)射，并被圖案化為與第一像素區(qū)域Pl對應(yīng)的島型。根據(jù)一個實施例，第一像素區(qū)域Pl的發(fā)射層222B可包括選自由DPVB1、螺環(huán)DPVB1、螺-6P、二苯乙稀基苯(DSB: distyryIbenzene )、二苯乙稀基芳香族(DSA:distyryIaryIene)、PF0類聚合物、PPV類聚合物組成的組中的焚光材料。根據(jù)另一實施例，發(fā)射層222B可以包括作為主體材料的蒽衍生物或咔唑系化合物，并且可以包括作為摻雜劑材料的磷光材料，該磷光材料包括F2 Irp i c、( F2ppy) 2 Ir (TMD)或Ir (dfppz) 3。
[0036]第二像素區(qū)域P2的發(fā)射層222G可以對應(yīng)于綠色光發(fā)射，并被圖案化為與第二像素區(qū)P2對應(yīng)的島型。根據(jù)一個實施例，第二像素區(qū)域P2的發(fā)射層222G可以包括作為主體材料的蒽衍生物或咔唑系化合物，并且可以包括作為摻雜劑材料的磷光材料，該磷光材料包括Ir(PPY)3(面式-三(2-苯基卩比啶)銥(fac tris(2-phenylpyridine) iridium))。根據(jù)另一實施例，發(fā)射層222G可以包括諸如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)的熒光材料。
[0037]第三像素區(qū)域P3的發(fā)射層222R可以對應(yīng)于紅色光發(fā)射，并被圖案化為與第三像素區(qū)域P3對應(yīng)的島型。根據(jù)一個實施例，第三像素區(qū)域P3的發(fā)射層222R可以包括作為主體材料的蒽衍生物或咔唑系化合物，并且可以包括作為摻雜劑材料的磷光材料，該磷光材料包括選自由PIQIr(acac) (二( 1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr(acac(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr (三(1-苯基喹啉)銥)、PtPEP(八乙基卟啉鉑)組成的組中的一種或多種材料。根據(jù)另一實施例，發(fā)射層222R可以包括諸如PED:Eu(DBM)3(Phen)或二萘嵌苯的熒光材料。
[0038]第二中間層223被圖案化為與發(fā)射層222B、222G和222R中的每一個對應(yīng)，以覆蓋發(fā)射層222B、222G和222R中的每一個。在替代實施例中，第二中間層223可被省略。例如，當(dāng)?shù)谝恢虚g層221以及發(fā)射層222B、222G和222R包括高分子量材料時，第二中間層223可被省略。當(dāng)?shù)谝恢虚g層221以及發(fā)射層2228、2226和2221?包括低分子量材料時，為了實現(xiàn)優(yōu)異的發(fā)光特性，可以形成第二中間層223。在這種情況下，第二中間層223可具有單層或多層結(jié)構(gòu)，并且可以包括電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)。
[0039]第二電極230被形成在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中。第二電極230位于中間層220上，并被圖案化為與像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個對應(yīng)的島型。第二電極230是同時具有半透明性和反射性的陰極電極。例如，第二電極230可包括半透射金屬層。第二電極230可通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整半透射金屬層的厚度來透射或反射從發(fā)射層222B、222G和222R發(fā)射的光的一部分。根據(jù)一個不例性實施例，第二電極230可與第一電極210和/或連接電極層250形成微腔結(jié)構(gòu)，從而提高有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的光效率。
[0040]根據(jù)一個實施例，第二電極230可以包括例如Ag和Mg。例如，第二電極230可以由Ag的量大于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根據(jù)另一實施例，第二電極230可以包括從鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、li(Ca)、鎖(Sr)和它們的合金中選擇的任意一種。
[0041 ] 導(dǎo)電保護(hù)層240可以在第二電極230上。導(dǎo)電保護(hù)層240將在像素區(qū)域Pl、P2和P3*的每一個中圖案化的第二電極230電連接到連接電極層250，并具有透光性，使得從發(fā)射層222B、222G和222R發(fā)射的光可以被發(fā)射到外部。導(dǎo)電保護(hù)層240可以例如包括諸如ΙΤ0、ΙΖ0、W0x、Mo0x和InOx的氧化物或諸如PEDOT的導(dǎo)電聚合物，并且可以被形成為單層或多層。
[0042]導(dǎo)電保護(hù)層240可以形成為一體，以覆蓋像素區(qū)域P1、P2和P3中的每一個的第二電極230。導(dǎo)電保護(hù)層240可以覆蓋顯示區(qū)域。顯示區(qū)域例如與有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以發(fā)射光的所有區(qū)域?qū)?yīng)，例如，與除了有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的設(shè)置有控制器的邊緣之外的所有區(qū)域?qū)?yīng)。當(dāng)在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的整個表面上不存在死區(qū)時，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的整個表面可以是顯示區(qū)域。
[0043]連接電極層250可針對像素區(qū)域P1、P2和P3形成為一體，以覆蓋顯示區(qū)域，并電連接被圖案化為與像素區(qū)域P1、P2和P3對應(yīng)的島型的第二電極230。
[0044]連接電極層250可以同時是半透明的和反射的。例如，連接電極層250可包括半透射金屬層。連接電極層250可通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整半透射金屬層的厚度來透射或反射從發(fā)射層222B、222G和222R發(fā)射的光的一部分。連接電極層250可以與第一電極210和/或第二電極230形成微腔結(jié)構(gòu)，從而提高有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的光效率。
[0045]根據(jù)一個實施例，連接電極層250可包括例如Ag和Mg。例如，連接電極層250可包括Ag的量大于Mg的量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一實施例，連接電極層250可以包括從鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、li(Ca)、鎖(Sr)和它們的合金中選擇的任意一種。
[0046]中間層220和第二電極230被圖案化為與像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個對應(yīng)的島型，而導(dǎo)電保護(hù)層240和連接電極層250針對像素區(qū)域P1、P2和P3形成為一體。因此，像素區(qū)域P1、P2和P3之間的像素限定層180的頂表面的一部分可以與導(dǎo)電保護(hù)層240直接接觸。
[0047]像素區(qū)域Pl、P2和P3中的至少一個可以具有光學(xué)諧振結(jié)構(gòu)，例如微腔。
[0048]根據(jù)一個實施例，像素區(qū)域Pl、P2和P3中的一個可以具有第二電極230與連接電極層250之間(例如從第二電極230到連接電極層250)的第一光學(xué)諧振距離。例如，導(dǎo)電保護(hù)層240可以具有與在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的一個(例如第一像素區(qū)域Pl)中實現(xiàn)的光的光學(xué)諧振距離對應(yīng)的厚度。
[0049]中間層220和第二電極230可以在制造期間在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中獨立地圖案化。因此，像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個的中間層220的厚度以及第二電極230的厚度可被獨立地選擇，例如，厚度可以具有不同的值。
[0050]通過調(diào)節(jié)中間層220和/或第二電極230的厚度，像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個可以具有從第一電極210到第二電極230的第二光學(xué)諧振距離和/或從第一電極210到連接電極層250的第三光學(xué)諧振距離。
[0051 ]第二電極230和連接電極層250的厚度可具有比導(dǎo)電保護(hù)層240的厚度更小的值。例如，導(dǎo)電保護(hù)層240的厚度可以大于第二電極230和連接電極層250的厚度。當(dāng)由金屬形成的第二電極230和連接電極層250的厚度大(例如大于一個或多個對應(yīng)的預(yù)定值)時，特別是，當(dāng)針對像素區(qū)域Pl、P2和P3形成為一體的連接電極層250的厚度大時，連接電極層250的電阻可以降低，透光性可能會降低，因而有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的光效率可能劣化。然而，根據(jù)一個實施例，導(dǎo)電保護(hù)層240的厚度相對厚，第二電極230和連接電極層250的厚度相對薄，從而在降低電阻的同時提高了半透明性。
[0052]圖3至圖13示出了用于制造例如圖2中的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的一個實施例的不同階段的剖視圖。
[0053]參考圖3，包括像素區(qū)域P1、P2和P3的基底100被制備。緩沖層被設(shè)置在基底100上，以防止雜質(zhì)滲入基底100中。包括TFT和電容器的像素電路PC被形成在緩沖層上。像素電路PC被形成在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中，并可以具有由近乎平坦的絕緣層150覆蓋的頂表面。
[0054]此后，通過在絕緣層150上形成并圖案化金屬層，第一電極210被形成在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中。第一電極210被圖案化為與像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個對應(yīng)的島型。第一電極210是反射電極。根據(jù)一個實施例，第一電極210可以是包括銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鉻(Cr)或含有它們的合金的單個反射金屬層。根據(jù)另一實施例，第一電極210可以被形成為在上述單個反射金屬層的頂部和/或底部上進(jìn)一步包括ITO或IZO的雙層或二層。
[0055]通過在第一電極210被形成在其上的基底100上形成并圖案化有機(jī)絕緣層來形成像素限定層180。像素限定層180包括暴露第一電極210的頂表面的至少一部分的開口 0P。
[0056]參考圖4，第一掩蔽圖案Ml被形成為覆蓋除了第一像素區(qū)域Pl之外的像素區(qū)域P2和P3。第一掩蔽圖案Ml可以包括聚合物材料。第一掩蔽圖案Ml的材料的類型在另一實施例中可以不同，只要該材料在后面將要描述的剝離工藝期間可以很好地溶于溶劑并且可以減少或最小化對中間層220的影響。
[0057]參考圖5，中間層220和第二電極230被順序地形成在第一掩蔽圖案Ml被提供在其上的基底100上。中間層220可以包括第一中間層221、實現(xiàn)藍(lán)色的發(fā)射層222B和第二中間層223。
[0058]第一中間層221可以是具有單層結(jié)構(gòu)的HTL。根據(jù)另一實施例，第一中間層221可以包括與第一電極210相鄰的HIL和位于HIL上的HTL。
[0059]作為與藍(lán)色光發(fā)射對應(yīng)的材料，發(fā)射層222B可包括包含從DPVB1、螺環(huán)DPVBiJf-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基芳香族(DSA)、PF0類聚合物、PPV類聚合物所組成的組中選擇的材料的熒光材料。根據(jù)另一實施例，發(fā)射層222B可以包括作為主體材料的蒽衍生物或咔唑系化合物，并且可以包括作為摻雜劑材料的磷光材料，該磷光材料包括F2 Irp i c、(F2ppy)2Ir(TMD)或Ir(dfppz)3。
[0060]第二中間層223可包括ETL和/或EIL。當(dāng)?shù)谝恢虚g層221和發(fā)射層222B包括聚合物材料時，第二中間層223可被省略。
[0061]第二電極230可以用作半透射金屬層。根據(jù)一個實施例，第二電極230可以包括例如Ag和Mg。例如，第二電極230可以包含Ag的量大于Mg的量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一實施例，第二電極230可以包括從鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、鈣(Ca)、鍶(Sr)和它們的合金中選擇的任意一種。
[0062]根據(jù)一個實施例，第一掩蔽圖案Ml的厚度可大于中間層220和第二電極230的厚度的總和。因此，第一像素區(qū)域Pl上的中間層220和第二電極230可以與第一掩蔽圖案Ml上的中間層220和第二電極230不連續(xù)地形成。
[0063]參考圖6，第一掩蔽圖案Ml通過剝離工藝被除去。當(dāng)?shù)谝谎诒螆D案Ml被除去時，被圖案化為島型的中間層220和第二電極230保留在第一像素區(qū)域Pl上。
[0064]參考圖7，第二掩蔽圖案M2被形成為覆蓋除了第二像素區(qū)域P2之外的像素區(qū)域Pl和P3。第二掩蔽圖案M2可以包括聚合物材料。然而，第二掩蔽圖案M2的材料的類型可以在另一實施例中不同，只要該材料在后面將要描述的剝離工藝期間可以很好地溶于溶劑并且可以減少或最小化對中間層220的影響。
[0065]參考圖8，中間層220和第二電極230被順序地形成在第二掩蔽圖案M2被提供在其上的基底100上。中間層220可以包括第一中間層221、實現(xiàn)綠色的發(fā)射層222G和第二中間層223。
[0066]第一中間層221可以被形成為具有單層結(jié)構(gòu)的HTL。根據(jù)另一實施例，第一中間層221可以包括與第一電極210相鄰的HIL和位于HIL上的HTL。第二中間層223可以包括或省略ETL和/或 EIL。
[0067]發(fā)射層222G可以包括作為主體材料的蒽衍生物或咔唑系化合物，并且可以包括作為摻雜劑材料的磷光材料，該磷光材料包括Ir(PPY)3(面式-三(2-苯基吡啶)銥)。根據(jù)另一實施例，發(fā)射層222G可以包括諸如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)的熒光材料。
[0068]第二電極230可以被形成為半透射金屬層。根據(jù)一個實施例，第二電極230可以包括例如Ag和Mg。例如，第二電極230可以包括Ag的量大于Mg的量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一實施例，第二電極230可以包括從鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、|丐(Ca)、鍶(Sr)和它們的合金中選擇的任意一種。
[0069]根據(jù)一個實施例，第二掩蔽圖案M2的厚度可大于中間層220和第二電極230的厚度的總和。因此，第二像素區(qū)域P2上的中間層220和第二電極230可以與第二掩蔽圖案M2上的中間層220和第二電極230不連續(xù)地形成。
[0070]參考圖9，第二掩蔽圖案M2可以通過剝離工藝被除去。當(dāng)?shù)诙诒螆D案M2被除去時，被圖案化為島型的中間層220和第二電極230保留在第二像素區(qū)域P2上。
[0071]參考圖10，第三掩蔽圖案M3被形成為覆蓋除了第三像素區(qū)域P3之外的像素區(qū)域Pl和P2。第三掩蔽圖案M3可以包括聚合物材料。然而，第三掩蔽圖案M3的材料的類型可以在另一實施例中不同，只要該材料在后面將要描述的剝離工藝期間可以很好地溶于溶劑并且可以減少或最小化對中間層220的影響。
[0072]參考圖11，中間層220和第二電極230被順序地形成在第三掩蔽圖案M3被提供在其上的基底100上。中間層220可以包括第一中間層221、實現(xiàn)紅色的發(fā)射層222R和第二中間層223。
[0073]第一中間層221可以被形成為具有單層結(jié)構(gòu)的HTL。根據(jù)另一實施例，第一中間層221可以包括與第一電極210相鄰的HIL和位于HIL上的HTL。第二中間層223可以包括或省略ETL和/或 EIL。
[0074]發(fā)射層222R可以包括作為主體材料的蒽衍生物或咔唑系化合物，并且可以包括作為摻雜劑材料的磷光材料，該磷光材料包括選自由PIQIr(acac) (二(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr(acac(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr(三(1-苯基喹啉)銥)、PtPEP(八乙基卟啉鉑)組成的組中的一種或多種材料。根據(jù)另一實施例，發(fā)射層222R可以包括諸如PED:Eu(DBM)3(Phen)或二萘嵌苯的熒光材料。
[0075]第二電極230可以被形成為半透射金屬層。根據(jù)一些實施例，第二電極230可以包括例如Ag和Mg。例如，第二電極230可以包括其中Ag的量大于Mg的量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一實施例，第二電極230可以包括從鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、鈣(Ca)、鍶(Sr)和它們的合金中選擇的任意一種。
[0076]根據(jù)一個實施例，第三掩蔽圖案M3的厚度可大于中間層220和第二電極230的厚度的總和。因此，被形成在第三像素區(qū)域P3上的中間層220和第二電極230可以與被形成在第三掩蔽圖案M3上的中間層220和第二電極230不連續(xù)地形成。
[0077]參考圖12，第三掩蔽圖案M3可以通過剝離工藝被除去。當(dāng)?shù)谌诒螆D案M3被除去時，被圖案化為島型的中間層220和第二電極230保留在第三像素區(qū)域P3上。
[0078]參考圖13，形成為一體以覆蓋像素區(qū)域P1、P2和P3的導(dǎo)電保護(hù)層240和連接電極層250被形成在中間層220和第二電極230上，中間層220和第二電極230在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中被圖案化為島型。
[0079]導(dǎo)電保護(hù)層240包括透明材料，使得從發(fā)射層222B、222G和222R發(fā)射的光可以行進(jìn)。例如，導(dǎo)電保護(hù)層240可以包括諸如IT0、IZ0、W0x、Mo0x和In0x的氧化物或諸如PED0T的導(dǎo)電聚合物。
[0080]連接電極層250可被形成為半透射金屬層。根據(jù)一個實施例，連接電極層250可包括例如Ag和Mg。例如，連接電極層250可包括例如Ag的量大于Mg的量的Ag-Mg合金。根據(jù)另一實施例，連接電極層250可以包括從鎂(Mg)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈉(Na)、!丐(Ca)、鍶(Sr)和它們的合金中選擇的任意一種。
[0081 ]第二電極230和連接電極層250的厚度可以小于導(dǎo)電保護(hù)層240的厚度。
[0082]導(dǎo)電保護(hù)層240可具有與像素區(qū)域Pl、P2和P3中的一個的光學(xué)諧振距離對應(yīng)的厚度。根據(jù)一個實施例，導(dǎo)電保護(hù)層240可具有與藍(lán)光的光學(xué)諧振距離對應(yīng)的厚度，從而微腔可以被形成在第一像素區(qū)域Pl的第二電極230與連接電極層250之間。
[0083]如參考圖4至圖12所述，像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個的中間層220和第二電極230通過單獨的工藝來形成。因此，像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個的中間層220和第二電極230的厚度可以獨立地形成。中間層220和/或第二電極230的厚度被不同地形成在像素區(qū)域P1、P2和P3中的每一個中。因此，與將要在對應(yīng)的像素區(qū)域中實現(xiàn)的顏色對應(yīng)的光學(xué)諧振距離可以被形成在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中。
[0084]根據(jù)一個非限制性實施例，實現(xiàn)具有相對低的效率的藍(lán)色的第一像素區(qū)域Pl可以通過控制導(dǎo)電保護(hù)層240的厚度來具有第二電極230與連接電極層250之間的第一光學(xué)諧振距離，并且可以通過控制中間層220和/或第二電極230的厚度來具有分別形成在第一電極210與第二電極230之間以及第一電極210與連接電極層250之間的第二光學(xué)諧振距離和第三光學(xué)諧振距離。第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3可以通過控制第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3中的每一個的中間層220和/或第二電極230的厚度來具有分別在第一電極210與第二電極230之間以及第一電極210與連接電極層250之間的光學(xué)諧振距離。
[0085]圖14示出了有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的另一實施例的剖視圖。參考圖14，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以包括在連接電極層250上的保護(hù)層260。當(dāng)被形成為半透射金屬層的連接電極層250在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造工藝期間被暴露于氧氣時，由于連接電極層250被氧化，因此其半透明性可能劣化。為了防止這種情況，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以包括:可包含具有半透明性的有機(jī)材料和/或無機(jī)材料的保護(hù)層260。
[0086]圖15示出了有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的另一實施例的剖視圖。參考圖15，導(dǎo)電保護(hù)層240’可以被圖案化為與像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個對應(yīng)的島型。導(dǎo)電保護(hù)層240’可以與中間層220和第二電極230—起被圖案化，使得中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’可以具有基本相同的圖案。因此，包括第一電極210、中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240 ’的堆疊結(jié)構(gòu)200 ’位于像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中。
[0087]中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’被圖案化為與像素區(qū)域Pl、P2和P3*的每一個對應(yīng)的島型。連接電極層250針對像素區(qū)域Pl、P2和P3形成為一體。因此，像素區(qū)域P1、P2和P3之間的像素限定層180的頂表面的一部分可以與連接電極層250直接接觸。
[0088]在參考圖2描述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，導(dǎo)電保護(hù)層240針對像素區(qū)域P1、P2和P3形成為一體。因此，通過調(diào)整導(dǎo)電保護(hù)層240的厚度而形成在第二電極230與連接電極層250之間的第一光學(xué)諧振距離可以考慮到將從像素區(qū)域P1、P2和P3中的一個發(fā)射的光來確定。
[0089]然而，根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一個或多個實施例，導(dǎo)電保護(hù)層240’在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中被圖案化。因此，導(dǎo)電保護(hù)層240’的厚度可以在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中被獨立地控制。因此，像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個可以通過調(diào)整與對應(yīng)的像素對應(yīng)圖案化的導(dǎo)電保護(hù)層240’的厚度來設(shè)置從第二電極230到連接電極層250的光學(xué)諧振距離。
[0090]圖16至圖22示出了用于制造圖15的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的一個實施例的不同階段的剖視圖。
[0091]參考圖16，第一掩蔽圖案Ml被形成在像素電路PC和第一電極210被形成在其上的基底100上。第一掩蔽圖案Ml覆蓋除了第一像素區(qū)域Pl之外的像素區(qū)域P2和P3。
[0092]中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’被順序地形成在第一掩蔽圖案Ml被形成在其上的基底100上。中間層220可以包括第一中間層221、發(fā)射藍(lán)光的發(fā)射層222B以及第二中間層223。中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’的具體構(gòu)造可以與如上所述相同。
[0093]根據(jù)一個實施例，第一掩蔽圖案Ml的厚度可大于中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’的厚度的總和。因此，第一像素區(qū)域Pl上的中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’可以與被形成在第一掩蔽圖案Ml上的中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’不連續(xù)地形成。
[0094]參考圖17，第一掩蔽圖案Ml通過剝離工藝被除去。當(dāng)?shù)谝谎诒螆D案Ml被除去時，被圖案化為島型的中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’保留在第一像素區(qū)域Pl上。
[0095]參考圖18，第二掩蔽圖案M2被形成為覆蓋除了第二像素區(qū)域P2之外的像素區(qū)域Pl和P3。此后，中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240 ’被順序形成在第二掩蔽圖案M2被形成在其上的基底100上。中間層220可以包括第一中間層221、實現(xiàn)綠色的發(fā)射層222G以及第二中間層223。中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’的具體構(gòu)造可以與如上所述相同。
[0096]根據(jù)一個實施例，第二掩蔽圖案M2的厚度可以大于中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’的厚度的總和。因此，第二像素區(qū)域P2上的中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’可以與被形成在第二掩蔽圖案M2上的中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’不連續(xù)地形成。
[0097]參考圖19，第二掩蔽圖案M2通過剝離工藝被除去。當(dāng)?shù)诙诒螆D案M2被除去時，被圖案化為島型的中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’保留在第二像素區(qū)域P2上。
[0098]參考圖20，第三掩蔽圖案M3被形成為覆蓋除了第三像素區(qū)域P3之外的像素區(qū)域Pl和P2。此后，中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240 ’被順序形成在第三掩蔽圖案M3被形成在其上的基底100上。中間層220可以包括第一中間層221、實現(xiàn)紅色的發(fā)射層222R以及第二中間層223。中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’的具體構(gòu)造可以與如上所述相同。
[0099]根據(jù)一個實施例，第三掩蔽圖案M3的厚度可以大于中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’的厚度的總和。因此，第三像素區(qū)域P3上的中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’可以與被形成在第三掩蔽圖案M3上的中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’不連續(xù)地形成。
[0100]參考圖21，第三掩蔽圖案M3通過剝離工藝被除去。當(dāng)?shù)谌诒螆D案M3被除去時，被圖案化為島型的中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’保留在第三像素區(qū)域P3上。
[0101]參考圖22，形成為一體以覆蓋像素區(qū)域Pl、P2和P3的連接電極層250被形成在中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’上。連接電極層250針對像素區(qū)域Pl、P2和P3形成為一體。因此，像素區(qū)域P1、P2和P3之間的像素限定層180的頂表面的一部分可以與連接電極層250直接接觸。
[0102]根據(jù)參考圖16至圖21所描述的工藝，第二電極230被圖案化同時導(dǎo)電保護(hù)層240’被形成在其上，從而有效地防止了由于在進(jìn)行剝離的工藝或其它工藝期間被形成為半透射金屬層的第二電極230被暴露于氧氣并且被氧化而導(dǎo)致的透射率的劣化。
[0103]由于中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’在像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個中被圖案化，因此根據(jù)本實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以在像素區(qū)域P1、P2和P3中的每一個中單獨地設(shè)置各種諧振距離。例如，像素區(qū)域P1、P2和P3中的每一個可以獨立地設(shè)置中間層220、第二電極230和導(dǎo)電保護(hù)層240’的厚度。例如，像素區(qū)域Pl、P2和P3中的每一個可以包括從第二電極230到連接電極層250的第一光學(xué)諧振距離、從第一電極210到第二電極230的第二光學(xué)諧振距離、以及從第一電極210到連接電極層250的第三光學(xué)諧振距離中的至少一個。
[0104]圖23示出了有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的另一實施例的剖視圖。參考圖23，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以包括被形成在連接電極層250上的保護(hù)層260。當(dāng)被形成為半透射金屬層的連接電極層250在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造工藝期間被暴露于氧氣時，由于連接電極層250被氧化，其半透明性可能劣化。為了防止這種情況，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以包括包含具有半透明性的有機(jī)材料和/或無機(jī)材料的保護(hù)層260。
[0105]如上所述，根據(jù)上述示例性實施例中的一個或多個的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和用于制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，光效率可以得到改進(jìn)。
[0106]在本文中已經(jīng)公開了示例實施例，盡管使用了特定的術(shù)語，但它們僅以一般和描述性的意思被使用和解釋，而不是為了限制的目的。在某些情況下，如對遞交本申請的領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員來說將是顯而易見的那樣，結(jié)合特定實施例描述的特征、特性和/或元件可以單獨使用，也可以與結(jié)合其它實施例描述的特征、特性和/或元件組合起來使用，除非另有明確說明。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在不脫離如以下權(quán)利要求中提出的發(fā)明的精神和范圍的情況下進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【主權(quán)項】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備，包括: 包括多個像素區(qū)域的基底； 與所述多個像素區(qū)域?qū)?yīng)并彼此隔開的多個第一電極； 與所述多個像素區(qū)域?qū)?yīng)并彼此隔開的多個中間層； 與所述多個像素區(qū)域?qū)?yīng)并彼此隔開的多個第二電極； 在所述多個第二電極上方的導(dǎo)電保護(hù)層;和 在所述導(dǎo)電保護(hù)層上方并電連接所述多個第二電極的連接電極層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述連接電極層針對所述多個像素區(qū)域形成為一體，以覆蓋所述多個像素區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個第二電極和所述連接電極層包括半透射金屬層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述導(dǎo)電保護(hù)層的厚度大于所述多個第二電極中的每一個的厚度和所述連接電極層的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述導(dǎo)電保護(hù)層為半透明層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中與所述多個像素區(qū)域?qū)?yīng)的所述多個中間層和所述多個第二電極具有相同的圖案。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中與所述多個像素區(qū)域中的至少一個對應(yīng)的第二電極與所述連接電極層之間的距離對應(yīng)于從所述多個像素區(qū)域中的所述至少一個發(fā)射的光的光學(xué)諧振距離。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中與所述多個像素區(qū)域中的至少一個對應(yīng)的第一電極與第二電極之間的距離和與所述多個像素區(qū)域中的至少一個對應(yīng)的第一電極與所述連接電極層之間的距離中的至少一個對應(yīng)于從所述多個像素區(qū)域中的所述至少一個發(fā)射的光的光學(xué)諧振距離。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中: 所述多個像素區(qū)域包括與第一顏色的光發(fā)射對應(yīng)的第一像素區(qū)域和與第二顏色的光發(fā)射對應(yīng)的第二像素區(qū)域，并且 與所述第一像素區(qū)域?qū)?yīng)的第二電極的厚度不同于與所述第二像素區(qū)域?qū)?yīng)的第二電極的厚度。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述導(dǎo)電保護(hù)層針對所述多個第二電極形成為一體。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 在所述多個像素區(qū)域中的相鄰的像素區(qū)域之間的像素限定層， 其中所述像素限定層的頂表面的至少一部分與所述導(dǎo)電保護(hù)層直接接觸。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述導(dǎo)電保護(hù)層具有基于從所述多個像素區(qū)域中的一個發(fā)射的光的光學(xué)諧振距離的厚度。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述導(dǎo)電保護(hù)層具有與所述基底的所述多個像素區(qū)域?qū)?yīng)的島型圖案。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述島型圖案中的每一個對應(yīng)于所述多個第二電極的島型圖案。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 在所述多個像素區(qū)域中的相鄰的像素區(qū)域之間的像素限定層， 其中所述像素限定層的頂表面的至少一部分與所述連接電極層直接接觸。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中: 所述多個像素區(qū)域包括與第一顏色的光發(fā)射對應(yīng)的第一像素區(qū)域和與第二顏色的光發(fā)射對應(yīng)的第二像素區(qū)域，和 與所述第一像素區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電保護(hù)層的厚度不同于與所述第二像素區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電保護(hù)層的厚度。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個第一電極是陽極，且所述多個第二電極是陰極。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 在所述連接電極層上的保護(hù)層。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個中間層中的每一個包括與第一電極相鄰的第一中間層和在所述第一中間層上的發(fā)射層。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一中間層包括空穴傳輸層。
【文檔編號】H01L51/52GK105914220SQ201610044555
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年1月22日
【發(fā)明人】鄭知泳, 樸正善, 房賢圣, 李德重
【申請人】三星顯示有限公司