Oled面板反射層及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種OLED面板反射層及其制作方法，制作方法包括：提供一OLED面板；于所述OLED面板上形成一第一ITO層；于所述第一ITO層上涂覆一銀漿層，并烘干所述銀漿層以形成銀膜；于所述銀膜上形成一第二ITO層；以及蝕刻所述第一ITO層、所述銀膜和所述第二ITO層，蝕刻后的所述第一ITO層、所述銀膜和所述第二ITO層形成反射層。本發(fā)明的OLED面板反射層及其制作方法采用涂覆的方式直接在第一ITO層上涂覆一層銀漿，待銀漿烘干后形成膜層結(jié)構(gòu)的銀膜，代替原來(lái)以濺鍍方式在第一ITO層上成形金屬銀層的傳統(tǒng)方式，避免了濺鍍金屬銀層，簡(jiǎn)化制程，降低了制程成本。
【專利說(shuō)明】
OLED面板反射層及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)，尤其涉及一種OLED面板反射層及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]首先參閱圖1所示，有機(jī)發(fā)光(Organic Light-Emitting D1de，簡(jiǎn)稱0LED)顯示面板20主要由硅晶片基底201及依次設(shè)于硅晶片基底201上的有源層202、平坦化層203和反射層構(gòu)成，反射層一般為“三明治”結(jié)構(gòu)，由上至下依次包括一頂層ITO層211、一金屬層212和一底層ITO層213，其中，頂層ITO層211使用材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxides，簡(jiǎn)稱ITO)，金屬層212使用材料為金屬單質(zhì)銀(Ag)、底層ITO層213使用材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxides，簡(jiǎn)稱ITO)，三層膜層結(jié)構(gòu)共同構(gòu)成OLED顯示面板的IT0/Ag/IT0反射層結(jié)構(gòu)。其中，位于最上層的頂層ITO層211具有導(dǎo)電性好、透明度高、功函數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，被用作像素電極的陽(yáng)極，可有效提高顯示效率。位于中間層的金屬層212具有優(yōu)良的反射率和延展性，因此，在該反射層中起到反射和導(dǎo)電的作用。位于最下層的底層ITO層213用于隔離下方的平坦化層203或者有源層202和上方的金屬層212，避免金屬層212與平坦化層203或者有源層202接觸，防止金屬層212發(fā)生形變或被氧化。
[0003]配合圖2?5所示，傳統(tǒng)的IT0/Ag/IT0反射層的制作方法是:采用濺鍍的方式在OLED顯示面板20的平坦化層203和有源層202上依次濺鍍底層ITO層213、金屬層212和頂層ITO層211，如圖1所示；然后在最上層的頂層ITO層211上涂覆光阻層214，如圖2所示；再對(duì)光阻層進(jìn)行圖案化得到需要蝕刻的圖案，如圖3所示；對(duì)頂層ITO層211、金屬層212和底層ITO層213進(jìn)行濕蝕刻制程，得到濕蝕刻后的頂層ITO層211、金屬層212和底層ITO層213，如圖4所示；最后在濕蝕刻制程完成后去除光阻層，完成IT0/Ag/IT0反射層的制作，如圖5所示。但是，在濺鍍反射層的過(guò)程中，由于金屬層的濺鍍制程成本較高，操作不便，不利于施工和經(jīng)濟(jì)效益，因此有待改善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種操作簡(jiǎn)單、無(wú)需對(duì)Ag層進(jìn)行濺鍍蝕刻的OLED面板反射層及其制作方法。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)效果，本發(fā)明公開(kāi)了一種OLED面板反射層的制作方法，包括:
[0006]提供一 OLED面板；
[0007]于所述OLED面板上形成一第一 ITO層；
[0008]于所述第一 ITO層上涂覆一銀漿層，并烘干所述銀漿層以形成銀膜；
[0009]于所述銀膜上形成一第二 ITO層；以及
[0010]蝕刻所述第一 ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層，蝕刻后的所述第一 ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層形成反射層。
[0011 ] 所述OLED面板反射層的制作方法進(jìn)一步的改進(jìn)在于，所述第一 ITO層透過(guò)濺鍍方式形成于所述OLED面板上。
[0012]所述OLED面板反射層的制作方法進(jìn)一步的改進(jìn)在于，所述第二 ITO層提供濺鍍方式形成于所述銀膜上。
[0013]所述OLED面板反射層的制作方法進(jìn)一步的改進(jìn)在于，蝕刻所述第一 ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層的步驟包括:
[0014]于所述第二 ITO層上設(shè)定一蝕刻區(qū)域和一非蝕刻區(qū)域，
[0015]于所述非蝕刻區(qū)域上涂覆光阻層；
[0016]蝕刻所述蝕刻區(qū)域內(nèi)的所述第一 ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層，而保留所述非蝕刻區(qū)域內(nèi)的所述第一 ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層；以及
[0017]去除所述光阻層。
[0018]所述OLED面板反射層的制作方法進(jìn)一步的改進(jìn)在于，采用光阻液去除所述光阻層。
[0019]所述OLED面板反射層的制作方法進(jìn)一步的改進(jìn)在于，所述蝕刻步驟為濕法蝕刻。
[0020]本發(fā)明還公開(kāi)了一種OLED面板反射層，包括依次設(shè)于所述OLED面板上的一第一ITO層、一銀膜和一第二 ITO層，其中所述銀膜是由涂覆于所述第一 ITO層的一銀漿層經(jīng)烘干形成的。
[0021]本發(fā)明由于采用了以上技術(shù)方案，使其具有以下有益效果是:采用涂覆的方式直接在第一 ITO層上涂覆一層銀漿，待銀漿烘干后形成膜層結(jié)構(gòu)的銀膜，代替原來(lái)以濺鍍方式在第一 ITO層上成形金屬銀層的傳統(tǒng)方式，避免了濺鍍金屬銀層，簡(jiǎn)化制程，降低了制程成本。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1是傳統(tǒng)OLED顯示面板的反射層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2?圖5是傳統(tǒng)OLED顯示面板的反射層的制作方法示意圖；
[0024]圖6是本發(fā)明OLED面板反射層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖7?圖12是本發(fā)明OLED面板反射層的制作方法示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖以及【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0027]首先參閱圖6所示，OLED面板10主要由玻璃基板101及依次設(shè)于玻璃基板101上的多晶硅層102、絕緣層103和平坦化層104構(gòu)成。配合圖7?12所示，為本發(fā)明OLED面板反射層的制作方法，在絕緣層103和平坦化層104上依次形成有一第一 ITO層11、一銀膜12和一第二 ITO層13，該第一 ITO層11、銀膜12及第二 ITO層13構(gòu)成了“三明治”結(jié)構(gòu)的OLED面板的IT0/Ag/IT0反射層。
[0028]其中，第一 ITO層11采用濺鍍的方式制作于OLED面板10的絕緣層103和平坦化層104上。第一 ITO層11采用的材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxides，簡(jiǎn)稱ITO)，用于隔離下方的絕緣層103和平坦化層104和上方的銀漿層12，避免銀漿層12與絕緣層103或平坦化層104接觸，防止銀漿層12發(fā)生形變或被氧化。
[0029]銀膜12采用涂覆銀漿的方式涂覆于第一 ITO層11上，并通過(guò)烘干銀漿形成膜層結(jié)構(gòu)的銀漿層12。銀漿為銀粒子與溶劑的混和物，經(jīng)網(wǎng)版印刷后可成形有圖案的銀膜12，以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的通過(guò)濺鍍方式制作銀金屬層的方法，簡(jiǎn)化制程，降低了成本，有利于市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。同時(shí)，銀膜12具有優(yōu)良的反射率和延展性，因此，在反射層中起到反射和導(dǎo)電的作用。
[0030]第二 ITO層13采用濺鍍的方式成形于銀膜12上。第二 ITO層13采用的材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxides，簡(jiǎn)稱ITO)，具有導(dǎo)電性好、透明度高、功函數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，被用作像素電極的陽(yáng)極，可有效提高顯示效率。
[0031]本發(fā)明的OLED面板反射層的制作方法主要包括以下步驟:
[0032]提供一 OLED面板10，如圖6所示，該OLED面板10由玻璃基板101及依次設(shè)于玻璃基板101上的多晶硅層102、絕緣層103和平坦化層104構(gòu)成；
[0033]采用濺鍍的方式于OLED面板10上制作形成第一 ITO層11，如圖7所示；
[0034]于第一 ITO層11上涂覆一層銀漿，如圖8所示，將該銀漿烘干后形成膜層結(jié)構(gòu)的銀膜12，由于銀漿是銀粒子與溶劑的混和物，經(jīng)網(wǎng)版印刷后便可成形有圖案的銀膜12，可代替?zhèn)鹘y(tǒng)的通過(guò)濺鍍方式制作形成銀金屬層的方法，簡(jiǎn)化制程，降低生產(chǎn)成本；
[0035]采用濺鍍的方式于銀膜12上制作形成第二 ITO層13，如圖9所示，形成未經(jīng)蝕刻的IT0/Ag/IT0 “三明治”結(jié)構(gòu)。
[0036]而后，對(duì)未經(jīng)蝕刻的IT0/Ag/IT0 “三明治”結(jié)構(gòu)進(jìn)行蝕刻，采用濕蝕刻的方式蝕刻第一 ITO層11、銀膜12和第二 ITO層13，具體步驟如下:
[0037]首先于第二 ITO層13上設(shè)定一蝕刻區(qū)域和一非蝕刻區(qū)域，
[0038]于非蝕刻區(qū)域上涂覆光阻層14，如圖10所示；
[0039]濕蝕刻上述蝕刻區(qū)域內(nèi)的第一 ITO層11、銀膜12和第二 ITO層13，而保留非蝕刻區(qū)域內(nèi)的第一 ITO層11、銀膜12和第二 ITO層13，形成IT0/Ag/IT0 “三明治”結(jié)構(gòu)的OLED面板反射層，如圖11所示；
[0040]待濕蝕刻完成后，采用光阻液去除非蝕刻區(qū)域內(nèi)的光阻層14，如圖12所示，完成OLED面板反射層的濕蝕刻制程，蝕刻后的第一 ITO層11、銀膜12和第二 ITO層13形成ITO/Ag/ΙΤΟ “三明治”結(jié)構(gòu)的OLED面板反射層，簡(jiǎn)化了制程、制程良率高、經(jīng)濟(jì)效益高。
[0041]以上結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根據(jù)上述說(shuō)明對(duì)本發(fā)明做出種種變化例。因而，實(shí)施例中的某些細(xì)節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定，本發(fā)明將以所附權(quán)利要求書(shū)界定的范圍作為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED面板反射層的制作方法，其特征在于包括: 提供一 OLED面板； 于所述OLED面板上形成一第一 ITO層； 于所述第一 ITO層上涂覆一銀漿層，并烘干所述銀漿層以形成銀膜； 于所述銀膜上形成一第二 ITO層；以及 蝕刻所述第一 ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層，蝕刻后的所述第一 ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層形成反射層。2.如權(quán)利要求1所述的OLED面板反射層的制作方法，其特征在于:所述第一ITO層透過(guò)濺鍍方式形成于所述OLED面板上。3.如權(quán)利要求1所述的OLED面板反射層的制作方法，其特征在于:所述第二ITO層透過(guò)濺鍍方式形成于所述銀膜上。4.如權(quán)利要求1所述的OLED面板反射層的制作方法，其特征在于，蝕刻所述第一ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層的步驟包括: 于所述第二 ITO層上設(shè)定一蝕刻區(qū)域和一非蝕刻區(qū)域， 于所述非蝕刻區(qū)域上涂覆光阻層； 蝕刻所述蝕刻區(qū)域內(nèi)的所述第一 ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層，而保留所述非蝕刻區(qū)域內(nèi)的所述第一 ITO層、所述銀膜和所述第二 ITO層；以及 去除所述光阻層。5.如權(quán)利要求4所述的OLED面板反射層的制作方法，其特征在于:采用光阻液去除所述光阻層。6.如權(quán)利要求1或4所述的OLED面板反射層的制作方法，其特征在于:所述蝕刻步驟為濕法蝕刻。7.—種OLED面板反射層，其特征在于:所述反射層包括依次設(shè)于所述OLED面板上的一第一 ITO層、一銀膜和一第二 ITO層，其中所述銀膜是由涂覆于所述第一 ITO層的一銀漿層經(jīng)烘干形成的。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK106033764SQ201510106881
【公開(kāi)日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2015年3月11日
【發(fā)明人】林信安, 林志明, 譚莉, 曾瑞軒, 劉峻承
【申請(qǐng)人】上海和輝光電有限公司