一種導(dǎo)電薄膜、其制備方法及其應(yīng)用
【專利摘要】一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的Ag層及L2O3層，其中，L為銪元素，釤元素，釔元素，釓元素，釹元素中的一種。上述導(dǎo)電薄膜通過(guò)在Ag層的表面沉積及高功函的L2O3層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持Ag層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高。本發(fā)明還提供一種導(dǎo)電薄膜的制備方法及應(yīng)用。
【專利說(shuō)明】
一種導(dǎo)電薄膜、其制備方法及其應(yīng)用
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料，特別是涉及導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]導(dǎo)電薄膜電極是有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個(gè)器件的發(fā)光效率。其中，氧化鎘的摻雜半導(dǎo)體是近年來(lái)研究最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見(jiàn)光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜陽(yáng)極具有較高的表面功函數(shù)。而鋁、鎵和銦摻雜的氧化鋅的功函數(shù)一般只有4.3eV，經(jīng)過(guò)UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達(dá)到4.0?4.3eV，與一般的有機(jī)發(fā)光層的LUMO能級(jí)(典型的為2.8?4.2eV)還有比較大的能級(jí)差距，造成載流子注入勢(shì)皇的增加，妨礙發(fā)光效率的提尚O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要針對(duì)導(dǎo)電薄膜功函數(shù)較低的問(wèn)題，提供一種納米線的透明導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0004]—種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的Ag層及L2O3層。
[0005]所述導(dǎo)電薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述L為銪元素，釤元素，釔元素，釓元素，釹元素中的一種。
[0006]所述Ag層的厚度為5nm?20nm，所述L2O3層的厚度為0.5nm?5nm。
[0007]—種導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0008]將Ag靶材及L2O3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為I.0 X 10—3Pa?I.0 X 10—5Pa ；
[0009]在所述襯底表面濺鍍Ag層，濺鍍所述Ag層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為1sccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ；
[0010]在所述Ag層表面濺鍍L2O3層，濺鍍所述L2O3層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為108(3011?408(3011，襯底溫度為250°(^?750°0 ;及
[0011 ]剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
[0012]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，包括依次層疊的襯底、層疊的Ag層及L203層。
[0013]所述基底中的導(dǎo)電薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為5nm?25nm。
[0014]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，包括以下步驟:
[0015]將Ag靶材及L2O3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為I.0 X 10—3Pa?I.0 X 10—5Pa ；[ΟΟ??] 在所述襯底表面派鍍Ag層，派鍍所述Ag層的工藝參數(shù)為:基革E間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為1sccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ；
[0017]在所述Ag層表面濺鍍L2O3層，濺鍍所述L2O3層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為108(3011?408(3011，襯底溫度為250°(^?750°〇。
[0018]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、發(fā)光層以及陰極，所述陽(yáng)極包括層疊的Ag層及L2O3層。
[0019]上述導(dǎo)電薄膜通過(guò)在Ag層的表面沉積L2O3層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持Ag層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高，導(dǎo)電薄膜在300?900nm波長(zhǎng)范圍可見(jiàn)光透過(guò)率80%?95%，方塊電阻范圍10?35 Ω/□，表面功函數(shù)5.3?5.8eV;上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，采用激光燒蝕靶材，使靶材中的材料被燒蝕成原子或離子團(tuán)的粒子，粒子在基底上沉積的過(guò)程中，通過(guò)通入大量的惰性氣體，使粒子鈍化，在基板上分散成核，然后在各個(gè)成核點(diǎn)垂直生長(zhǎng)，形成柱狀的納米線;使用該導(dǎo)電薄膜作為有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)與一般的有機(jī)發(fā)光層的LUMO能級(jí)之間差距較小，降低了載流子的注入勢(shì)皇，可顯著的提高發(fā)光效率。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為一實(shí)施方式的導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0022]圖3為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0023]圖4為實(shí)施例1制備的導(dǎo)電薄膜的透射光譜譜圖；
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步闡明。
[0025]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的導(dǎo)電薄膜100包括層疊的Ag層10及L2O3層30。
[0026]所述導(dǎo)電薄膜100是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為5nm?25nm，優(yōu)選為14nm0
[0027]所述Ag層10的厚度為5nm?20nm，優(yōu)選為12nm，
[0028]所述L2O3層30的厚度為0.5nm?5nm，優(yōu)選為2nm。
[0029]上述導(dǎo)電薄膜100通過(guò)在Ag層10的表面沉積L2O3層30制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持Ag層10的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜100的功函數(shù)得到了顯著的提高，導(dǎo)電薄膜100在300?900nm波長(zhǎng)范圍可見(jiàn)光透過(guò)率80%?95%，方塊電阻范圍10?35 Ω/□，表面功函數(shù)2.8?4.2eV0
[0030]上述導(dǎo)電薄膜100的制備方法，包括以下步驟:
[0031 ] SI 10、將Ag靶材及L2O3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為I.0 X 10—3Pa?I.0 X 10—5Pa。
[0032]襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0033]本實(shí)施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5X 10—4Pa。
[0034]步驟SI 20、在襯底表面濺鍍Ag層1，濺鍍Ag層1的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為108(3011?408(3011，襯底溫度為250°(^?750°〇。
[0035]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，激光的能量為150W，壓強(qiáng)為1Pa，惰性氣體為氬氣，惰性氣體的流量為20SCCm，襯底溫度為500°C ο
[0036]形成的Ag層10的厚度為5nm?20nm，優(yōu)選為12nm。
[0037]步驟S130、在Ag層10表面濺鍍L2O3層30，磁控濺射L2O3層30的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為1sccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ；
[0038]形成L2O3層30的厚度為0.5nm?5nm，優(yōu)選為2nm。
[0039 ]步驟S140、剝離襯底，得到導(dǎo)電薄膜100。
[0040]上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，采用激光燒蝕靶材，使靶材中的材料被燒蝕成原子或離子團(tuán)的粒子，粒子在基底上沉積的過(guò)程中，通過(guò)通入大量的惰性氣體，使粒子鈍化，在基板上分散成核，然后在各個(gè)成核點(diǎn)垂直生長(zhǎng)，形成柱狀的納米線?？梢酝ㄟ^(guò)調(diào)節(jié)惰性氣體壓強(qiáng)的大小來(lái)控制納米線的粗細(xì)和線間距。通入惰性氣體壓強(qiáng)大的，得到的納米線較細(xì)，線間距較大。
[0041 ]請(qǐng)參閱圖2，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200，包括層疊的襯底201、Ag層 202及 L2O3 層203。
[0042]襯底201為玻璃襯底。襯底201的厚度為0.1mm?3.0mm，優(yōu)選為1mm。
[0043]Ag層202及L2O3層203是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為5nm?25nm
[0044]Ag層202的厚度為5nm?20nm，優(yōu)選為12nm。
[0045]L2O3層203的厚度為0.5nm?5nm，優(yōu)選為2nm。
[0046]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200通過(guò)在Ag層202的表面沉積L2O3層203制備多層導(dǎo)電薄膜，既能保持Ag層202的良好的導(dǎo)電性能，又使有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200的功函數(shù)得到了顯著的提高，有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200在300?900nm波長(zhǎng)范圍可見(jiàn)光透過(guò)率80%?95%，方塊電阻范圍10?35 Ω/□，表面功函數(shù)2.8?4.2eV。
[0047]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，包括以下步驟:
[0048]S210、將Ag靶材及L2O3靶材及襯底201裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為I.0 X 10—3Pa?I.0 X 10—5Pa。
[0049]襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0050]本實(shí)施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5X 10—4Pa。
[0051 ] 步驟S220、在襯底表面濺鍍Ag層202，濺鍍AZO層202的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為 108(3011?408(3011，襯底溫度為250°(^?750°〇。
[0052]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，激光的能量為150W，壓強(qiáng)為1Pa，惰性氣體為氬氣，惰性氣體的流量為20SCCm，襯底溫度為500°C ο[OO53 ] 形成的Ag層1的厚度為5nm?20nm，優(yōu)選為12nm。
[0054]步驟S203、在Ag層202表面濺鍍L2O3層203的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為1sccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C
[0055]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，采用激光燒蝕靶材，使靶材中的材料被燒蝕成原子或離子團(tuán)的粒子，粒子在基底上沉積的過(guò)程中，通過(guò)通入大量的惰性氣體，使粒子鈍化，在基板上分散成核，然后在各個(gè)成核點(diǎn)垂直生長(zhǎng)，形成柱狀的納米線?？梢酝ㄟ^(guò)調(diào)節(jié)惰性氣體壓強(qiáng)的大小來(lái)控制納米線的粗細(xì)和線間距。通入惰性氣體壓強(qiáng)大的，得到的納米線較細(xì)，線間距較大，在襯底201上制備Ag層202及L2O3層，工藝較為簡(jiǎn)單。
[0056]請(qǐng)參閱圖3，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件300包括依次層疊的襯底301、陽(yáng)極302、發(fā)光層303以及陰極304。陽(yáng)極302由導(dǎo)電薄膜100制成，包括層疊的Ag層10的L2O3層30。襯底301為玻璃襯底，可以理解，根據(jù)有機(jī)電致發(fā)光器件300具體結(jié)構(gòu)的不同，襯底301可以省略。發(fā)光層303的材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( I，I，7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、4-( 二腈甲烯基)-2-異丙基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4!1-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、雙(4,6-二氟苯基吡啶_N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。陰極304的材質(zhì)為銀(Ag)、金(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)或鎂銀合金。
[0057]所述Ag層10的厚度為5nm?20nm，優(yōu)選為12nm，
[0058]所述L2O3層30的厚度為0.5nm?5nm，優(yōu)選為2nm。
[0059]可以理解，上述有機(jī)電致發(fā)光器件300也可根據(jù)使用需求設(shè)置其他功能層。
[0060]上述有機(jī)電致發(fā)光器件300，使用導(dǎo)電薄膜100作為有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)4.0?4.3eV，與一般的有機(jī)發(fā)光層的LUMO能級(jí)(典型的為2.8?4.2eV)之間差距較小，降低了載流子的注入勢(shì)皇，可提高發(fā)光效率。
[0061 ]下面為具體實(shí)施例。
[0062]實(shí)施例1
[0063]選用純度為99.9%的金屬銀粉末和Eu2O3粉末分別置入兩個(gè)瓷舟內(nèi)，再將瓷舟裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機(jī)械栗和分子栗把腔體的真空度抽到5.0 X 10—4Pa，氬氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為10Pa，襯底溫度為500°C，激光能量為150W。先后濺射Ag革巴材和E112O3革El材，分別沉積12nm和2nm薄膜的薄膜，得到Ag—E112O3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0064]測(cè)試結(jié)果:采用四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得方塊電阻10 Ω/□，表面功函數(shù)測(cè)試儀測(cè)得表面功函數(shù)2.8eV。
[0065]請(qǐng)參閱圖4，圖4所示為得到的透明導(dǎo)電薄膜的透射光譜，使用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)試，測(cè)試波長(zhǎng)為300?900nm。由圖4可以看出薄膜在可見(jiàn)光470?790nm波長(zhǎng)范圍平均透過(guò)率已經(jīng)達(dá)到90 %。
[0066]選用Ag—Eu2O3多層的透明導(dǎo)電薄膜作為有機(jī)半導(dǎo)體器件的陽(yáng)極，在上面蒸鍍發(fā)光層Alq3,以及陰極采用Ag，制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0067]實(shí)施例2
[0068]選用純度為99.9%的金屬銀粉末和Eu2O3粉末分別置入兩個(gè)瓷舟內(nèi)，再將瓷舟裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機(jī)械栗和分子栗把腔體的真空度抽到1.0 X 10—5Pa，氬氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量為300W。先后濺射Ag革E材和E112O3革E材，分別沉積20nm和0.5nm薄膜的薄膜，得到Ag—E112O3多層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0069]測(cè)試結(jié)果:采用四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得方塊電阻15 Ω/□，表面功函數(shù)測(cè)試儀測(cè)得表面功函數(shù)2.9eV。
[0070]使用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)試，測(cè)試波長(zhǎng)為300?900nm。薄膜在可見(jiàn)光470?790nm波長(zhǎng)范圍平均透過(guò)率已經(jīng)達(dá)到88%。
[0071]實(shí)施例3
[0072]選用純度為99.9%的金屬金粉體和CaO粉末分別置入兩個(gè)瓷舟內(nèi)，再將瓷舟裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機(jī)械栗和分子栗把腔體的真空度抽到1.0 X 10—3Pa，氬氣的工作氣體流量為40SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為30Pa，襯底溫度為750°C，激光能量為80W。先后濺射Ag革巴材和E112O3革El材，分別沉積1nm和5nm薄膜的薄膜，得到Ag-Eu203多層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0073]測(cè)試結(jié)果:采用四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得方塊電阻330 Ω/□，表面功函數(shù)測(cè)試儀測(cè)得表面功函數(shù)3.1eV。
[0074]使用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)試，測(cè)試波長(zhǎng)為300?900nm。薄膜在可見(jiàn)光470?790nm波長(zhǎng)范圍平均透過(guò)率已經(jīng)達(dá)到90%。
[0075]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于，包括層疊的Ag層及L2O3層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述L為銪元素，釤元素，釔元素，釓元素，釹元素中的一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述Ag層的厚度為5nm?20nm，所述L2O3層的厚度為0.5nm?5nm。4.一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 將Ag靶材及L2O3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為I.0 X 10—3Pa?I.0 X 10—5Pa ； 在所述襯底表面濺鍍Ag層，濺鍍所述Ag層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為1sccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ； 在所述Ag層表面派鍍L2O3層，派鍍所述L2O3層的工藝參數(shù)為:基革E間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為1sccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ;及 剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。5.—種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，其特征在于，包括依次層疊的襯底、Ag層及L2O3層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，其特征在于，所述基底中的導(dǎo)電薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為5nm?25nm。7.—種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 將Ag靶材及L2O3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為I.0 X 10—3Pa?I.0 X 10—5Pa ； 在所述襯底表面濺鍍Ag層，濺鍍所述Ag層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為1sccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ； 在所述Ag層表面派鍍L2O3層，派鍍所述L2O3層的工藝參數(shù)為:基革E間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強(qiáng)為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為1sccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C。8.—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、發(fā)光層以及陰極，其特征在于，所述陽(yáng)極包括層疊的Ag層及L2O3層。
【文檔編號(hào)】B82Y40/00GK106098960SQ201610417775
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月13日 公開(kāi)號(hào)201610417775.8, CN 106098960 A, CN 106098960A, CN 201610417775, CN-A-106098960, CN106098960 A, CN106098960A, CN201610417775, CN201610417775.8
【發(fā)明人】鄭甘裕
【申請(qǐng)人】鄭甘裕