電子器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實(shí)用新型涉及電子器件的領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]—些電子器件包括板，該板包括厚的襯底后層、薄的襯底前層以及在襯底后層與襯底前層之間的薄的電介質(zhì)中間層。電子結(jié)構(gòu)在襯底前層上并且包括電子部件和電氣連接。
[0003]通常，襯底由硅制成并且隱埋的電介質(zhì)中間層由二氧化硅制成。隱埋的電介質(zhì)中間層由離子注入獲得。
[0004]在這樣的電子器件中，電容親合存在于后層與電子結(jié)構(gòu)之間。該電容親合引起電子結(jié)構(gòu)的操作干擾，特別是當(dāng)電子結(jié)構(gòu)使用振蕩信號時(shí)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型有待解決的技術(shù)問題在于提供一種能夠減小電容耦合引起的干擾的電子器件。
[0006]本實(shí)用新型的一個(gè)方面公開了一種電子器件，其包括:后板，所述后板包括襯底后層、襯底前層以及在所述襯底后層與所述襯底前層之間的電介質(zhì)中間層；電子結(jié)構(gòu)，所述電子結(jié)構(gòu)在所述襯底前層上并且包括電子部件和電氣連接；以及所述襯底后層包括至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域以及至少一個(gè)空心的局部區(qū)域，其中所述至少一個(gè)空心的局部區(qū)域在所述襯底后層的整個(gè)厚度上延伸，使得所述襯底后層并不覆蓋所述電介質(zhì)中間層的后面的至少一個(gè)局部區(qū)帶，其中所述至少一個(gè)局部區(qū)帶對應(yīng)于所述至少一個(gè)空心的局部區(qū)域。
[0007]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述電子結(jié)構(gòu)可以包括至少一個(gè)外部電氣接觸焊盤；并且其中所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域在所述后板的整個(gè)厚度上延伸并且置于所述至少一個(gè)外部電氣接觸焊盤之上。
[0008]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)空心的局部區(qū)域可以置于所述電子結(jié)構(gòu)的所述電子部件的至少一個(gè)電子部件之上。
[0009]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，可以進(jìn)一步包括填充所述至少一個(gè)空心的局部區(qū)域的至少一種電介質(zhì)填充材料。
[0010]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域可以具有后面;并且其中所述至少一種電介質(zhì)填充材料具有與所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域的所述后面對準(zhǔn)的后面。
[0011]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域可以具有后面;其中所述電介質(zhì)填充材料覆蓋所述至少一個(gè)實(shí)心的區(qū)域的所述后面;并且其中所述電介質(zhì)填充材料具有與所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域的所述后面平行的后面。
[0012]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，可以進(jìn)一步包括在所述至少一種電介質(zhì)填充材料和所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域與所述電介質(zhì)中間層之間的中間層。
[0013]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域可以包括多個(gè)柱以及蜂巢形分區(qū)中的至少一者。
[0014]本實(shí)用新型的一個(gè)方面公開了一種電子器件，其包括:后板，所述后板包括襯底后層、襯底前層以及在所述襯底后層與所述襯底前層之間的電介質(zhì)中間層;在所述襯底前層上的電子結(jié)構(gòu)，所述電子結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)外部電氣接觸焊盤、電子部件以及電氣連接；以及所述襯底后層包括至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域以及至少一個(gè)空心的局部區(qū)域，其中所述至少一個(gè)空心的局部區(qū)域在所述襯底后層的整個(gè)厚度上延伸，使得所述襯底后層并不覆蓋所述電介質(zhì)中間層的至少一個(gè)局部區(qū)帶，所述至少一個(gè)空心的局部區(qū)域置于所述電子部件的至少一個(gè)電子部件之上，并且其中所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域在所述后板的整個(gè)厚度上延伸并且置于所述至少一個(gè)外部電氣接觸焊盤之上。
[0015]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，可以進(jìn)一步包括填充所述至少一個(gè)空心的局部區(qū)域的至少一種電介質(zhì)填充材料。
[0016]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域可以具有后面;并且其中所述至少一種電介質(zhì)填充材料具有與所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域的所述后面對準(zhǔn)的后面。
[0017]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域可以具有后面;其中所述電介質(zhì)填充材料覆蓋所述至少一個(gè)實(shí)心的區(qū)域的所述后面;并且其中所述電介質(zhì)填充材料具有與所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域的所述后面平行的后面。
[0018]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，可以進(jìn)一步包括在所述至少一種電介質(zhì)填充材料和所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域與所述電介質(zhì)中間層之間的中間層。
[0019]根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，所述至少一個(gè)實(shí)心的局部區(qū)域可以包括多個(gè)柱以及蜂巢形分區(qū)中的至少一者。
[0020]通過本實(shí)用新型的各個(gè)實(shí)施例，其實(shí)現(xiàn)的技術(shù)效果主要在于通過對電子器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)而使得其屏蔽效果得到增強(qiáng)。
【附圖說明】
[0021]電子器件和制作的對應(yīng)方法現(xiàn)在將通過由附圖圖示的非限制性的示例實(shí)施例進(jìn)行描述，在附圖中：
[0022]圖I表示在初始狀態(tài)中的穿過電子器件的部分截面；
[0023]圖2表示根據(jù)方法步驟的穿過圖I的電子器件的截面；
[0024]圖3表示根據(jù)另一方法步驟的穿過圖I的電子器件的截面；
[0025]圖4表不圖3的電子器件的后視圖；
[0026]圖5表示根據(jù)另一方法步驟的穿過圖I的電子器件的截面；
[0027]圖6表示根據(jù)另一方法步驟的穿過圖I的電子器件的截面；
[0028]圖7表示根據(jù)另一方法步驟的穿過圖I的電子器件的截面；
[0029]圖8表示根據(jù)方法變化的穿過圖I的電子器件的截面；
[°03°]圖9表不圖8的電子器件的后視圖；以及
[0031]圖10表示根據(jù)另一方法變化的圖I的電子器件的后視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]在圖I中圖示了處于初始狀態(tài)的電子器件I的一部分。電子器件I通常包括晶片2，該晶片2包括隨后將從晶片單獨(dú)切下的多個(gè)相鄰電子器件。
[0033]電子器件I包括后板2，其包括襯底后層4、薄的襯底前層5以及在后層與前層之間的薄的電介質(zhì)中間層6。
[0034]板3由硅制成并且隱埋，電介質(zhì)中間層6由二氧化硅制成。中間層6可以通過在后板3中的深度上的離子注入獲得。
[0035]電子器件I進(jìn)而包括在襯底前層5上產(chǎn)生的電子結(jié)構(gòu)7。電子結(jié)構(gòu)7包括在襯底前層5上產(chǎn)生的多個(gè)電子部件8，以及作為在多個(gè)金屬級上的層10形成的電氣連接網(wǎng)絡(luò)9。
[0036]在最后的金屬級中，電氣連接網(wǎng)絡(luò)9包括用于外部電氣接觸的多個(gè)前焊盤11。電子部件8可以是晶體管、開關(guān)、電阻器、二極管、存儲器、電容器或其它電子部件。
[0037]通常，電子部件8被置于電子器件I的中間區(qū)帶中，并且前焊盤11被置于該中間區(qū)帶與電子器件I的邊緣之間的周界區(qū)帶中。但是，前焊盤9可以被置于電子器件I的中間區(qū)帶中而優(yōu)選地沒有任何部件在這些焊盤之下。
[0038]將被應(yīng)用至電子器件I的處理貨方法現(xiàn)在將進(jìn)行描述。如圖2中所示，電子器件I被安裝在支撐晶片12上。這通過以臨時(shí)方式將電子結(jié)構(gòu)9的前面13通過粘合層12a固定到支撐晶片12上而完成。
[0039]接下來，通過光刻，掩膜15被產(chǎn)生在電子器件I的后面14上，掩膜15因而例如展現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)通過開口 16。換言之，在后板3的襯底后層4的后面上。
[0040]接下來，如圖3所示，通過掩膜15的開口 16對襯底后層4采取化學(xué)侵蝕或處理，下至電介質(zhì)中間層6。電介質(zhì)中間層6形成待處理的屏障。
[0041]由此，其接下來的是后層4隨后包括一個(gè)或多個(gè)實(shí)心局部區(qū)域17和一個(gè)或多個(gè)空心局部區(qū)域18。每個(gè)空心局部區(qū)域18可以在襯底后層4的整個(gè)或全部厚度上被塑造。關(guān)于電子器件I的表面，實(shí)心局部區(qū)域或多個(gè)區(qū)域17以及空心局部區(qū)域或多個(gè)區(qū)域18是互補(bǔ)的。
[0042]以該方式，被挖空的襯底后層4因而不再覆蓋電介質(zhì)中間層6的后面的一個(gè)或多個(gè)局部區(qū)帶19。這對應(yīng)于中空局部區(qū)域或多個(gè)區(qū)域18。
[0043]根據(jù)圖3和圖4中所示的示例性實(shí)施例，襯底