專利名稱：Igbt全橋逆變電源的主電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于一種逆變電源，具體是一種改進IGBT全橋驅(qū)動和相關(guān)變換電源 的主電路。
背景技術(shù)：
IGBT逆變電源作為大功率工業(yè)電源可廣泛應(yīng)用于各種行業(yè)，如電鍍、電解 行業(yè)，焊割行業(yè)等，已成為我們社會發(fā)展的基礎(chǔ)。傳統(tǒng)的工業(yè)電源多為可控硅整 流，或自耦變壓器調(diào)整輸出。與之比較,IGBT逆變電源具有體積小，重量輕，輸出 效率高以及節(jié)能節(jié)材的優(yōu)勢，為傳統(tǒng)的工業(yè)電源行業(yè)帶來了革命性的變化，稱 為"明天的電源"。但是，IGBT逆變電源電路復(fù)雜，各元器件參數(shù)設(shè)計若不合 理，會導(dǎo)致IGBT易誤觸發(fā)而損壞。因此，工作的可靠性是制約目前IGBT逆變電 源推廣應(yīng)用的一個重要因素。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是改進一種IGBT全橋逆變電源的主電路，并合理配合其相關(guān) IGBT柵極驅(qū)動參數(shù)，依據(jù)主變壓器的漏感大小，設(shè)計電容C的參數(shù)?？捎行Ы?低IGBT電應(yīng)力，大大提高了 IGBT觸發(fā)的可靠性，減少了 IGBT在開關(guān)過程失效 的可能。提高了逆變電源的安全性能與使用壽命。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下
IGBT全橋逆變電源的主電路，包括由四個IGBT管Tl、 T2、 T3、 T4構(gòu)成的 四個橋臂，低阻驅(qū)動源ql、 q2、 q3、 q4，輸出主變壓器，IGBT管T1、 T2、 T3、 T4的柵極分別串聯(lián)有驅(qū)動電阻R1、 R2、 R3、 R4，其特征在于所述相鄰或?qū)菢?臂的IGBT驅(qū)動電阻不等，且驅(qū)動電阻較大的2個IGBT管源、漏極兩端旁路有同 等容量的電容C，即Rl二R3二a; R2=R4=b或Rl=R2=a; R3=R4=b;參數(shù)選取a= )b或b二(l+P )a，a= 1 Q 500Q，b= 1 Q 500Q， P =20% 400%; 電容〔=200 pF 10000pF。
所述的驅(qū)動電阻較小的一個或二個IGBT管源、漏極兩端旁路有電容。 本IGBT全橋逆變電源的主電路的發(fā)明適用于IGBT器件，也適用于其他類型 的大功率開關(guān)元器件。
本發(fā)明采用改進全橋驅(qū)動和相關(guān)變換電源的主電路，獨特的參數(shù)設(shè)計，與主 輸出主變壓器電氣性能配合最佳，極大地提高了 IGBT開關(guān)器件工作的可靠性。


圖1為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)之一示意圖。 圖2為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)之二示意圖。 圖3為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)之三示意圖。 圖4為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)之四示意圖。 圖5為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)之五示意圖。 圖6為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)之六示意圖。
具體實施方式
例1:
參見附圖1。
IGBT全橋逆變電源的主電路包括由四個IGBT管Tl、 T2、 T3、 T4構(gòu)成的四 個橋臂，低阻驅(qū)動源ql、 q2、 q3、 q4，輸出主變壓器，IGBT管Tl、 T2、 T3、 T4 的柵極分別串聯(lián)有驅(qū)動電阻R1、 R2、 R3、 R4，兩個IGBT管源漏極旁路電容C。 即Rl二R3二a; R2=R4=b;參數(shù)選取a=l. 2 5b， a=1.2Q 500Q， b= 1 Q 100Q, 2個IGBT管T1、 T3的源、漏極分別旁路電容C，電容C= 200 pF 10000pF。
例2:
參見圖2。
即Rl=R3=a; R2=R4=b;參數(shù)選取b = l. 2 5 a， a= 1 Q 100Q， b= 1 . 2 Q 500 Q, 2個IGBT管T2、 T4的源、漏極分別旁路電容C，電容C= 200 pF 10000pF。 例3:
參見圖3。
即Rl=R2=a; R3=R4=b;參數(shù)選取a=l. 2 5b， a= 1 .2Q 500Q， b= 1 Q 100 Q, 2個IGBT管Tl、T2的源、漏極分別旁路電容C，電容C:200pF 10000pF。 例4:
參見圖4。
即Rl=R2=a; R3=R4=b;參數(shù)選取b二1.2 5 a， a=lQ 100Q， b=1.2 Q 500Q， 2個IGBT管T3、 T4的源、漏極分別旁路電容C，電容C= 200 pF 10000pF。 例5:
即Rl二R3:a; R2=R4=b;參數(shù)選取a二1.2 5 b， a=1.2Q 500Q， b = 1 Q 100Q， 2個IGBT管T1、 T3的源、漏極分別旁路電容C， IGBT管T2的源、 漏極接旁路電容C1，電容C: 200 pF 10000pF。 例6:
即Rl=R2=a; R3=R4=b;參數(shù)選取a二1.2 5 b， a二1.2Q 500Q， b= 1 Q 100Q， 2個IGBT管T1、 T2的源、漏極分別旁路電容C, 2個IGBT管T3、 T4的源、漏極分別旁路電容C2、 C3，電容〔=200 pF 10000pF。
權(quán)利要求
1、IGBT全橋逆變電源的主電路，包括由四個IGBT管T1、T2、T3、T4構(gòu)成的四個橋臂，低阻驅(qū)動源q1、q2、q3、q4，輸出主變壓器，IGBT管T1、T2、T3、T4的柵極分別串聯(lián)有驅(qū)動電阻R1、R2、R3、R4，其特征在于所述相鄰或?qū)菢虮鄣腎GBT驅(qū)動電阻不等，且驅(qū)動電阻較大的2個IGBT管源、漏極兩端旁路有同等容量的電容C，即R1＝R3＝a；R2＝R4＝b或R1＝R2＝a；R3＝R4＝b；參數(shù)選取a＝(1+β)b或b＝(1+β)a，a＝1Ω～500Ω，b＝1Ω～500Ω，β＝20％～400％；電容C＝200 pF～10000pF。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT全橋逆變電源的主電路，其特征在于所述的驅(qū)動 電阻較小的一個或二個IGBT管源、漏極兩端旁路有電容。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種IGBT全橋逆變電源的主電路，包括由四個IGBT管T1、T2、T3、T4構(gòu)成的四個橋臂，低阻驅(qū)動源q1、q2、q3、q4，輸出主變壓器，IGBT管T1、T2、T3、T4的柵極分別串聯(lián)有驅(qū)動電阻R1、R2、R3、R4，其特征在于所述相鄰或?qū)菢虮鄣腎GBT驅(qū)動電阻不等，且驅(qū)動電阻較大的2個IGBT管源、漏極兩端旁路有同等容量的電容C，即R1＝R3＝a；R2＝R4＝b或R1＝R2＝a；R3＝R4＝b；參數(shù)選取a＝(1+β)b或b＝(1+β)a，β＝20％～400％；電容C＝200pF～10000pF。本發(fā)明采用全橋逆變電源的主電路結(jié)構(gòu)，獨特的參數(shù)設(shè)計，與主輸出主變壓器，電氣性能配合最佳，極大地提高了IGBT開關(guān)器件工作的可靠性。
文檔編號H02M7/5387GK101102087SQ200710024040
公開日2008年1月9日 申請日期2007年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月14日
發(fā)明者袁忠杰 申請人:袁忠杰