專利名稱：一種單管全橋逆變電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種單管全橋逆變電路，屬于IGBT技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的感應(yīng)加熱電源全橋逆變方案普遍采用IGBT模塊的形式，IGBT模塊不僅體積大，而且成本高，對(duì)于小功率的感應(yīng)加熱而言，在裝配空間小，成本相對(duì)又受限的情況下無法滿足用戶的需求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為解決傳統(tǒng)的感應(yīng)加熱電源全橋逆變技術(shù)中，采用IGBT模塊的成本較高、體積較大的問題，進(jìn)而提供一種單管全橋逆變電路。本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種單管全橋逆變電路，包括四個(gè)IGBT組成的逆變橋和一個(gè)諧振回路，其中的第一個(gè)IGBT和第三個(gè)IGBT組成上橋臂，其中的第二個(gè)IGBT和第四個(gè)IGBT組成下橋臂，所述上橋臂和下橋臂分別串聯(lián)在諧振回路的兩端。本實(shí)用新型需通過四個(gè)IGBT逆變橋組成全橋逆變回路，使全橋逆變回路的結(jié)構(gòu)變得簡單，并減少了制造成本。

圖1為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
提供的單管全橋逆變電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本具體實(shí)施方式
提供了一種單管全橋逆變電路，如圖1所示，包括四個(gè)IGBT和一個(gè)諧振回路，其中的第一個(gè)IGBT和第三個(gè)IGBT組成上橋臂，其中的第二個(gè)IGBT和第四個(gè) IGBT組成下橋臂，所述上橋臂和下橋臂分別串聯(lián)在諧振回路的兩端。具體的，在圖1中，四個(gè)IGBT單管組逆變橋，其中Ql和Q3為上橋臂，Q2和Q4為下橋臂，在正半周，Ql和Q4同時(shí)導(dǎo)通，母線電壓加在電感和電容組成的串聯(lián)諧振回路上，在負(fù)半周，Q2和Q3同時(shí)導(dǎo)通，母線電壓反方向加在串聯(lián)諧振回路上。圖中的R1、R2、R3、和R4 為驅(qū)動(dòng)電阻，R5、R6、R7和R8為驅(qū)動(dòng)回路的下拉電阻，確保IGBT在加有母線電壓而沒有驅(qū)動(dòng)信號(hào)的情況下不導(dǎo)通。C1、C2、C3和C4為緩沖電容，用于吸收在IGBT開關(guān)過程中因雜散電感產(chǎn)生的尖峰電壓，電阻R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15和R16為緩沖電容的放電電阻。 電容C5和電感INDUCT0R2組成串聯(lián)諧振回路。以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1. 一種單管全橋逆變電路，其特征在于，包括四個(gè)IGBT組成的逆變橋和一個(gè)諧振回路，其中的第一個(gè)IGBT和第三個(gè)IGBT組成上橋臂，其中的第二個(gè)IGBT和第四個(gè)IGBT組成下橋臂，所述上橋臂和下橋臂分別串聯(lián)在諧振回路的兩端。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種單管全橋逆變電路，屬于IGBT技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型包括四個(gè)IGBT組成的逆變橋和一個(gè)諧振回路，其中的第一個(gè)IGBT和第三個(gè)IGBT組成上橋臂，其中的第二個(gè)IGBT和第四個(gè)IGBT組成下橋臂，所述上橋臂和下橋臂分別串聯(lián)在諧振回路的兩端。本實(shí)用新型需通過四個(gè)IGBT組成全橋逆變回路，使全橋逆變回路的結(jié)構(gòu)變得簡單，并減少了制造成本。
文檔編號(hào)H02M7/48GK202221968SQ20112030945
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2011年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月22日
發(fā)明者陽勇 申請(qǐng)人:陽春麗