專利名稱：熔斷器電路及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體的技術(shù)，更具體地涉及一種用于通過使用熔斷器 來進(jìn)行各種電路操作的熔斷器電路及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
一般而言，隨著包括雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM (DDR SDRAM)的半導(dǎo)體器件的集成度 迅速增加，在一個(gè)半導(dǎo)體器件內(nèi)提供多于數(shù)千萬的存儲(chǔ)器單元。然而，如果在這些存儲(chǔ)器單 元中的任一存儲(chǔ)器單元中出現(xiàn)故障，對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體器件可能無法進(jìn)行所需操作。隨著半導(dǎo)體 器件工藝的技術(shù)發(fā)展，只在半導(dǎo)體器件的少量存儲(chǔ)器單元中出現(xiàn)故障。即使半導(dǎo)體器件具 有少量有缺陷的存儲(chǔ)器單元，仍然可能丟棄半導(dǎo)體器件，這造成差的成品率。為了應(yīng)對(duì)這一 點(diǎn)，已經(jīng)提出使用冗余存儲(chǔ)器單元即額外的正常存儲(chǔ)器單元。如果在正常存儲(chǔ)器單元中出 現(xiàn)故障，則替換和使用冗余存儲(chǔ)器。下文將由于存在有缺陷的單元而需要用冗余單元來替 代的存儲(chǔ)器單元稱為“待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元”。與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)的地址信息編程在用于冗余的熔斷器電路中。用于冗 余的熔斷器電路包括用于地址信息的編程的多個(gè)熔斷器。換而言之，用于冗余的熔斷器電 路輸出編程的地址信息，并且半導(dǎo)體器件比較輸出信號(hào)與在讀取和寫入操作期間施加的地 址信息，從而如果訪問待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元，則允許訪問冗余存儲(chǔ)器單元而不是待修復(fù)的 存儲(chǔ)器單元。作為參考，一種用于編程熔斷器的方案包括電熔斷器切斷方法、激光切斷方案等。 這里，電熔斷器切斷方法是基于以下事實(shí)即，將過量電流施加到待切斷的熔斷器以便融化 并造成待切斷的熔斷器斷開。激光切斷方案是基于使用激光束來燒斷待切斷的熔斷器造成 待切斷的熔斷器斷開這一事實(shí)。通常，相對(duì)于電熔斷器切斷方法，激光切斷方案使用廣泛， 因?yàn)樗入娙蹟嗥髑袛喾椒ǜ?jiǎn)易。同時(shí)，除了上述用于冗余的熔斷器電路，熔斷器還用于在整個(gè)半導(dǎo)體器件中執(zhí)行 各種操作。例如，熔斷器用于調(diào)節(jié)以工藝敏感方式來工作的恒定電壓生成電路中的電壓。同 樣，熔斷器多樣地用在用于測(cè)試的控制電路、用于選擇各種模式的控制電路等中。下文出于 說明目的將給出對(duì)使用熔斷器的用于冗余的熔斷器電路例子的描述。圖1是圖示了構(gòu)成常規(guī)半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電路的電路圖。參照?qǐng)D1，用于冗余的熔斷器電路包括熔斷器單元110、鎖存單元130、預(yù)充電單元 150和緩沖單元170。熔斷器單元110被配置成響應(yīng)于第零到第三熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0:3>，通過 流過具有熔斷器的電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流來驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)的公共節(jié)點(diǎn)COM。熔斷器單元110包括多個(gè)熔斷器112和多個(gè)開關(guān)單元114。熔斷器112用來編程與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)的地址信息，并且包括第零到第 三熔斷器F0、Fl、F2和F3。開關(guān)單元114用來分別接收熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0:3>，以 便形成具有對(duì)應(yīng)熔斷器的下拉電流路徑。開關(guān)單元114包括第零到第三NM0S晶體管NM0、 NMUNM2 禾口 NM3。鎖存單元130被配置成根據(jù)響應(yīng)于第零到第三熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0:3>而 操作的公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電平來鎖存對(duì)應(yīng)邏輯值。鎖存單元130包括第零和第一反相器 INV0 和 INV1。預(yù)充電單元150被配置成在鎖存單元130中設(shè)置初始邏輯值。預(yù)充電單元150包 括第零PM0S晶體管PM0，該晶體管具有在電源電壓VDD級(jí)與公共節(jié)點(diǎn)COM之間的源極-漏 極路徑，并且通過其柵極接收預(yù)充電信號(hào)PCGB。這里，預(yù)充電信號(hào)PCGB在半導(dǎo)體器件進(jìn)行 激活操作、讀取操作或者寫入操作時(shí)從邏輯‘低’轉(zhuǎn)變成邏輯‘高’。緩沖單元170被配置成接收鎖存單元130的輸出信號(hào)并且輸出熔斷器狀態(tài)信號(hào) INF_ADD，而且包括兩個(gè)反相器。這里，熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD包括編程在多個(gè)熔斷器112 中的待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元的地址信息。半導(dǎo)體器件響應(yīng)于熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD來判斷 待訪問的存儲(chǔ)器單元是否對(duì)應(yīng)于待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元。下文出于說明目的將描述對(duì)于切斷或者沒有切斷第零熔斷器F0的每一種情況， 如何根據(jù)第零熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0>是否激活來操作用于冗余的熔斷器電路。首先，由于響應(yīng)于邏輯‘低’的預(yù)充電信號(hào)PCGB對(duì)公共節(jié)點(diǎn)COM進(jìn)行預(yù)充電，所以 鎖存單元130鎖存邏輯‘高’。隨后在激活操作、讀取操作或者寫入操作時(shí)，預(yù)充電信號(hào)PCGB 從邏輯‘低’轉(zhuǎn)變成邏輯‘高’，并且第零使能信號(hào)EN_ADD<0>被激活成邏輯‘高’，因此接通 第零NM0S晶體管NM0。在這一情況中，當(dāng)沒有切斷第零熔斷器F0時(shí)，由于下拉電流路徑形成于公共節(jié)點(diǎn) COM與接地電壓(VSS)級(jí)之間，所以公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電平低于第零反相器INV0的閾值 電壓，并且熔斷器狀態(tài)信號(hào)為邏輯‘高’?；蛘?，當(dāng)切斷第零熔斷器F0時(shí)，公共節(jié)點(diǎn)COM通過 鎖存單元130來維持邏輯‘高’。也就是說，由于第一驅(qū)動(dòng)單元INV1產(chǎn)生上拉電流路徑，所 以公共節(jié)點(diǎn)COM維持邏輯‘高’，并且熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD為邏輯‘低’。如上所述，熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD根據(jù)對(duì)應(yīng)熔斷器是否被切斷來維持邏輯‘低’ 或者邏輯‘高，。半導(dǎo)體器件基于熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD來接收待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元的地 址f曰息。同時(shí)，隨著半導(dǎo)體器件的工藝技術(shù)發(fā)展，不僅在構(gòu)成電路的部件之間而且在熔斷 器之間的間距減少使半導(dǎo)體器件尺寸縮小。當(dāng)進(jìn)行用于切斷熔斷器的燒斷過程時(shí)，在熔斷 器之間的間距減小可能造成以下問題。也就是說，與待切斷的熔斷器相鄰的熔斷器受到由傳導(dǎo)性副作用所造成的破壞 (例如斷裂)以及在進(jìn)行燒斷過程時(shí)產(chǎn)生的沖擊。當(dāng)然，斷裂可能沒有在進(jìn)行燒斷過程時(shí)出 現(xiàn)，但是也可能由于在熔斷器與覆蓋熔斷器的絕緣層之間的應(yīng)力或者錯(cuò)誤工藝而出現(xiàn)。在 斷裂出現(xiàn)在熔斷器中的情況中，最嚴(yán)重的問題在于可能將沒有打算切斷的熔斷器置于該熔 斷器被確定為‘切斷的熔斷器’的狀態(tài)。這一情形可能造成半導(dǎo)體器件故障。一般而言，在熔斷器中出現(xiàn)的斷裂分類成三類。第一類是由于斷裂本身而造成熔斷器失效的失效斷裂。第二類是根據(jù)環(huán)境和時(shí)間造成熔斷器失效的漸進(jìn)斷裂。第三類是由 于在熔斷器中出現(xiàn)的斷裂程度不大而在半導(dǎo)體器件的壽命內(nèi)不造成失效的無害斷裂(free crack)。在第一類的情況中，由于半導(dǎo)體器件在其裝運(yùn)之前出現(xiàn)故障，所以在測(cè)試模式如探 測(cè)模式或者封裝測(cè)試中可以檢測(cè)到故障，因而能夠防止故障或者將半導(dǎo)體器件確定為“有 缺陷”。然而在第二類的情況中，由于在半導(dǎo)體器件的裝運(yùn)之前進(jìn)行的測(cè)試模式中沒有檢測(cè) 到半導(dǎo)體器件的故障，所以沒有進(jìn)行正確的判斷。此外，由于半導(dǎo)體器件在裝運(yùn)之后故障， 所以使用半導(dǎo)體器件的消費(fèi)者可能遇到故障。圖2是圖示了公共節(jié)點(diǎn)COM以圖1的熔斷器狀態(tài)為根據(jù)的電壓電平改變的波形圖。參照?qǐng)D1和圖2，當(dāng)切斷熔斷器時(shí)，通過流過由第一反相器INV1產(chǎn)生的上拉電流路 徑的驅(qū)動(dòng)電流來驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)COM，并且公共節(jié)點(diǎn)COM維持高電壓電平。也就是說，公共節(jié) 點(diǎn)COM的電壓電平取決于流過上拉電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流。或者，當(dāng)沒有切斷熔斷器時(shí)，通過 流過由對(duì)應(yīng)熔斷器和耦合到熔斷器的NM0S晶體管產(chǎn)生的下拉電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流來驅(qū)動(dòng) 公共節(jié)點(diǎn)COM，并且公共節(jié)點(diǎn)COM維持低電壓電平。在這一情況中，公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電 平取決于流過上拉電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流和流過下拉電壓電路的驅(qū)動(dòng)電流。圖2圖示了其中公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電平基于熔斷器的電阻值(例如60KQ)而 變?yōu)楦唠娖交虻碗娖降睦?。也就是說，當(dāng)熔斷器的電阻值低于例如60KQ時(shí)，因?yàn)轭A(yù)充電 的電荷被放電，公共節(jié)點(diǎn)COM具有低電壓電平。當(dāng)熔斷器的電阻值高于60KQ時(shí)，公共節(jié)點(diǎn) COM通過流過上拉電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流來維持高電壓電平。然后，公共節(jié)點(diǎn)COM的電壓電平 確定熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF-ADD的邏輯電平。換而言之，根據(jù)熔斷器是否被切斷來確定熔斷 器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD的邏輯電平。同時(shí)如上所述，斷裂可能在任何熔斷器中出現(xiàn)。這時(shí)，沒有切斷的熔斷器的電阻值 根據(jù)環(huán)境和時(shí)間變得越來越高。換而言之，在沒有切斷的狀態(tài)中的正常熔斷器應(yīng)當(dāng)具有低 于例如60KQ的電阻值。如果斷裂在熔斷器中出現(xiàn)，則熔斷器可能具有比沒有出現(xiàn)斷裂的 熔斷器的電阻值更高的電阻值，但是出現(xiàn)斷裂的熔斷器也可能具有低于60KQ的電阻值。 因此，在測(cè)試模式中檢測(cè)結(jié)果表明出現(xiàn)斷裂的熔斷器沒有被切斷，并且因此被確定為“正常 熔斷器”。然而，出現(xiàn)斷裂的熔斷器的電阻值根據(jù)環(huán)境和時(shí)間變得高于60KQ。這時(shí)，因?yàn)閷?沒有打算切斷的熔斷器識(shí)別為切斷的熔斷器，半導(dǎo)體器件出現(xiàn)故障。因此，對(duì)于沒有打算切斷的熔斷器，應(yīng)為邏輯‘高’的熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD由 于斷裂而為邏輯‘低’，并且半導(dǎo)體器件的可靠性由于這一故障而降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及提供一種半導(dǎo)體器件，其用于控制流過具有熔斷器的電 流路徑的驅(qū)動(dòng)電流、由此檢測(cè)出現(xiàn)斷裂的熔斷器。本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及提供一種用于確定在切斷熔斷器時(shí)將向熔斷器施加的 適當(dāng)力的半導(dǎo)體器件，其按照通過調(diào)整流過具有熔斷器的電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流而獲得的測(cè) 試結(jié)果來確定所述適當(dāng)?shù)牧Α８鶕?jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種熔斷器電路，該熔斷器電路包括熔斷器單元， 配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)形成電流路徑；驅(qū)動(dòng)電流控制器，配置成響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)來控制第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)電平；以及輸出單元，配置成響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)電 平來輸出熔斷器狀態(tài)信號(hào)。驅(qū)動(dòng)電流控制器可以在接收熔斷器狀態(tài)信號(hào)的反饋之后驅(qū)動(dòng)第一節(jié)點(diǎn)。熔斷器電路還可以包括配置成響應(yīng)于預(yù)充電信號(hào)對(duì)第一節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充 電單元。驅(qū)動(dòng)電流控制器可以允許第一節(jié)點(diǎn)在測(cè)試模式中的電勢(shì)大于在正常模式中的電勢(shì)。驅(qū)動(dòng)電流控制器可以包括第一驅(qū)動(dòng)單元，配置成接收測(cè)試信號(hào)，并且響應(yīng)于測(cè)試 信號(hào)來驅(qū)動(dòng)第一節(jié)點(diǎn)；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，配置成接收測(cè)試信號(hào)，并且響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)來驅(qū) 動(dòng)第一節(jié)點(diǎn)，其中第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元各自具有互不相同的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。第一驅(qū)動(dòng)單元可以在正常模式期間被使能，第二驅(qū)動(dòng)單元可以在測(cè)試模式期間被 使能，并且第二驅(qū)動(dòng)單元可以具有比第一驅(qū)動(dòng)單元的電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大的電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。驅(qū)動(dòng)電流控制器可以包括基本驅(qū)動(dòng)單元，配置成接收熔斷器狀態(tài)信號(hào)并且驅(qū)動(dòng) 第一節(jié)點(diǎn)；以及附加驅(qū)動(dòng)單元，配置成接收熔斷器狀態(tài)信號(hào)并且響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)來附加地 驅(qū)動(dòng)第一節(jié)點(diǎn)?；掘?qū)動(dòng)單元可以在正常模式期間被使能，并且基本驅(qū)動(dòng)單元和附加驅(qū)動(dòng)單元可 以在測(cè)試模式期間被使能。熔斷器單元可以包括熔斷器，配置成編程所需信息；以及開關(guān)單元，配置成響應(yīng) 于熔斷器使能信號(hào)來將熔斷器耦合到電流路徑中，其中熔斷器和開關(guān)單元可以耦合于第一 節(jié)點(diǎn)與電源電壓級(jí)之間。熔斷器單元可以包括多個(gè)熔斷器，配置成用來編程與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng) 的地址信息；以及多個(gè)開關(guān)單元，配置成對(duì)應(yīng)于多個(gè)熔斷器中的相應(yīng)熔斷器，并且響應(yīng)于與 熔斷器使能信號(hào)對(duì)應(yīng)的地址信號(hào)將多個(gè)熔斷器中的對(duì)應(yīng)熔斷器耦合到電流路徑中。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種熔斷器電路，該熔斷器電路包括熔斷器單元， 配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)上形成電流路徑；鎖存單元，配置成鎖存第一 節(jié)點(diǎn)以便輸出熔斷器狀態(tài)信號(hào)；以及供應(yīng)電流控制器，配置成響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)來控制向鎖 存單元施加的驅(qū)動(dòng)電流。熔斷器電路還可以包括配置成響應(yīng)于預(yù)充電信號(hào)對(duì)第一節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，以及設(shè) 置鎖存單元中的初始值的預(yù)充電單元。供應(yīng)電流控制器可以包括偏置電壓生成單元，配置成生成與測(cè)試信號(hào)對(duì)應(yīng)的偏 置電壓；以及電流供應(yīng)單元，配置成向鎖存單元供應(yīng)與偏置電壓對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流。供應(yīng)電流控制器可以允許在測(cè)試模式中的驅(qū)動(dòng)電流大于在正常模式中的驅(qū)動(dòng)電 流，并且將所得驅(qū)動(dòng)電流施加到鎖存單元。熔斷器單元可以包括熔斷器，配置成用來編程所需信息；以及開關(guān)單元，配置成 響應(yīng)于熔斷器使能信號(hào)將熔斷器耦合到電流路徑中，其中熔斷器和開關(guān)單元可以耦合于第 一節(jié)點(diǎn)與電源電壓級(jí)之間。熔斷器單元可以包括多個(gè)熔斷器，配置成用來編程與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng) 的地址信息；以及多個(gè)開關(guān)單元，配置成對(duì)應(yīng)于多個(gè)熔斷器中的相應(yīng)熔斷器，并且響應(yīng)于與 熔斷器使能信號(hào)對(duì)應(yīng)的地址信號(hào)將多個(gè)熔斷器之中的對(duì)應(yīng)熔斷器耦合到電流路徑中。
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鎖存單元可以包括前向驅(qū)動(dòng)單元，配置成響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)電平來輸出熔 斷器狀態(tài)信號(hào)；以及后向驅(qū)動(dòng)單元，配置成被供應(yīng)有通過供應(yīng)電流控制器控制的驅(qū)動(dòng)電流， 并且在接收熔斷器狀態(tài)信號(hào)的反饋之后驅(qū)動(dòng)第一節(jié)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于驅(qū)動(dòng)熔斷器電路的方法，該方法包括當(dāng)進(jìn) 入測(cè)試模式時(shí)生成測(cè)試信號(hào)；形成通過第一節(jié)點(diǎn)和熔斷器的電流路徑；響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)來 驅(qū)動(dòng)第一節(jié)點(diǎn)；并且在緩沖第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)之后檢測(cè)熔斷器的狀態(tài)。第一節(jié)點(diǎn)可以包括通過流過電流路徑的正常驅(qū)動(dòng)電流在正常模式中驅(qū)動(dòng)第一節(jié) 點(diǎn)；并且通過比正常驅(qū)動(dòng)電流更大的測(cè)試驅(qū)動(dòng)電流在測(cè)試模式中驅(qū)動(dòng)第一節(jié)點(diǎn)。熔斷器可以具有編程于其中的與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)的地址信息。本發(fā)明可以通過調(diào)整流過具有熔斷器的電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流來檢測(cè)出現(xiàn)斷裂的 熔斷器。也能夠基于檢測(cè)結(jié)果針對(duì)出現(xiàn)斷裂的熔斷器進(jìn)行校正步驟。此外，能夠通過這些 校正步驟來確保具有熔斷器的電路的可靠性。能夠針對(duì)用于冗余的熔斷器電路保證穩(wěn)定的 修復(fù)操作。另外，能夠通過如在本發(fā)明中這樣的測(cè)試操作來獲取能夠判斷在切斷熔斷器時(shí)向 熔斷器施加的適當(dāng)力的數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)熔斷器更迅速和穩(wěn)定的切斷。


圖1是圖示了構(gòu)成常規(guī)半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電路的電路圖；圖2是圖示了公共節(jié)點(diǎn)COM以圖1中所示熔斷器的狀態(tài)為根據(jù)的電勢(shì)電平改變的 波形圖；圖3是圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的框圖；圖4是圖示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖；圖5是圖示了公共節(jié)點(diǎn)COM以圖4中所示熔斷器的狀態(tài)為根據(jù)的電壓電平改變的 波形圖；圖6是圖示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖；圖7是圖示了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖；圖8是圖示了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖；并且圖9是圖示了根據(jù)圖8中所示偏置電檢測(cè)的造成短路的電阻值的曲線 圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)可以通過以下描述來理解，并且參照本發(fā)明實(shí)施例而變
得清楚。圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的框圖。參照?qǐng)D3，半導(dǎo)體器件包括熔斷器單元310、驅(qū)動(dòng)電流控制器330和輸出單元350。
熔斷器單元310被配置成響應(yīng)于熔斷器使能信號(hào)EN_ADD，根據(jù)熔斷器312是否被 切斷來形成包括熔斷器312的電流路徑。熔斷器單元310包括編程了所需信息的熔斷器 312，和用于響應(yīng)于熔斷器使能信號(hào)EN_ADD將熔斷器包括到電流路徑中的開關(guān)單元314。驅(qū)動(dòng)電流控制器330響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)TMB來控制流過電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流，由此 驅(qū)動(dòng)熔斷器單元310的輸出級(jí)的公共節(jié)點(diǎn)COM。在本發(fā)明中，能夠通過測(cè)試信號(hào)TMB來控 制流向電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流。也就是說，通過驅(qū)動(dòng)電流控制器330的電流路徑以及熔斷器 單元310和熔斷器312的電流路徑來控制公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平，其中向驅(qū)動(dòng)電流控制 器330供應(yīng)第一電源，并且驅(qū)動(dòng)電流控制器330響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)TMB來操作，向熔斷器單元 310供應(yīng)第二電源而沒有切斷熔斷器312，而且響應(yīng)于熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD來操作熔斷 器單元。輸出單元350響應(yīng)于公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平來輸出熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD。 這里，熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD根據(jù)熔斷器312是否被切斷而具有預(yù)定邏輯值。圖4是圖示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖。參照?qǐng)D4，用于冗余的熔斷器電路包括熔斷器單元410、驅(qū)動(dòng)電流控制器430、輸出 單元450、緩沖單元470和預(yù)充電單元490。熔斷器單元410被配置成響應(yīng)于熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0:3>，根據(jù)對(duì)應(yīng)熔斷器 是否被切斷來形成電流路徑，并且熔斷器單元410包括多個(gè)熔斷器412和多個(gè)開關(guān)單元 414。所述多個(gè)熔斷器412用于編程所需信息，例如與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)的地址 信息，并且包括第零到第三熔斷器F0、F1、F2和F3。這里，熔斷器的數(shù)目可以根據(jù)半導(dǎo)體器 件的設(shè)計(jì)而變化。所述多個(gè)開關(guān)單元414被配置成在接收熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0 3>中的相應(yīng)信 號(hào)之后形成包括對(duì)應(yīng)熔斷器的下拉電流路徑，其包括耦合到第零到第三熔斷器F0、Fl、F2 和F3中的相應(yīng)熔斷器的第零到第三NM0S晶體管NM0、匪1、匪2和匪3。這里，在用于冗余 的熔斷器電路情況中，熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0:3>是通過對(duì)從外界施加的地址進(jìn)行解碼 而獲得的信號(hào)，并且根據(jù)在半導(dǎo)體器件的讀取操作和寫入操作時(shí)選擇的存儲(chǔ)器單元矩陣來 激活。作為參考，存儲(chǔ)器單元矩陣(mat)是指從多個(gè)存儲(chǔ)器單元之中分組的存儲(chǔ)器單元集， 并且根據(jù)包括待訪問的所需存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元矩陣來激活第零到第三熔斷器使能 信號(hào) EN_ADD<0:3>。驅(qū)動(dòng)電流控制器430響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)TMB來控制流過上拉電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流、 由此驅(qū)動(dòng)熔斷器單元410的輸出級(jí)的公共節(jié)點(diǎn)COM，其包括第一和第二驅(qū)動(dòng)單元INV1和 INV2。這里，第一和第二驅(qū)動(dòng)單元INV1和INV2接收從輸出單元450輸出的信號(hào)的反饋， 并且由相應(yīng)測(cè)試信號(hào)TMB控制。根據(jù)本發(fā)明的第一和第二驅(qū)動(dòng)單元INV1和INV2具有互不 相同的電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，并且根據(jù)通常模式和測(cè)試模式響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)TMB來被使能。換言 之，在正常模式時(shí)，測(cè)試信號(hào)TMB為邏輯‘高’，將驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度比第二驅(qū)動(dòng)單元INV2的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度 更低的第一驅(qū)動(dòng)單元INV1使能?；蛘?，在測(cè)試模式時(shí)，測(cè)試信號(hào)TMB為邏輯‘低’，將驅(qū)動(dòng)強(qiáng) 度比第一驅(qū)動(dòng)單元INV1的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大的第二驅(qū)動(dòng)單元INV2使能。最后，驅(qū)動(dòng)電流控制器430可以在電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度比正常模式的電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大的測(cè)試中驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)COM。輸出單元450被配置成輸出與公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平對(duì)應(yīng)的信號(hào)，并且包括第 零驅(qū)動(dòng)單元INV0。緩沖單元470在緩沖第零驅(qū)動(dòng)單元INV0的輸出信號(hào)之后輸出熔斷器狀 態(tài)信號(hào)INF_ADD。這里，熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD根據(jù)所述多個(gè)熔斷器412是否被切斷而具 有預(yù)定邏輯值。然后，熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD包括熔斷器412中編程的待修復(fù)的存儲(chǔ)器 單元的地址信息。半導(dǎo)體器件響應(yīng)于熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD來判斷待訪問的存儲(chǔ)器單元 是否為待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元。預(yù)充電單元490被配置成對(duì)公共節(jié)點(diǎn)COM進(jìn)行預(yù)充電，并且包括第零PM0S晶體 管，該晶體管具有在電源電壓VDD級(jí)與公共節(jié)點(diǎn)COM之間的源極-漏極路徑，并且接收預(yù)充 電信號(hào)PCGB信號(hào)。這里，預(yù)充電信號(hào)PCGB在半導(dǎo)體器件的激活操作、讀取操作或者寫入操 作時(shí)從邏輯‘低’轉(zhuǎn)變成邏輯‘高，。在其中預(yù)充電信號(hào)PCGB為邏輯‘低’的時(shí)段中，將公共 節(jié)點(diǎn)COM預(yù)充電至與電源電壓(VDD)對(duì)應(yīng)的電勢(shì)電平。下文將描述在正常模式時(shí)對(duì)于第零熔斷器F0被切斷或者沒有被切斷的各個(gè)情 況、用于冗余的熔斷器電路如何根據(jù)第零熔斷器使能信號(hào)EN_ADD是否激活來操作。在本發(fā)明中，由于測(cè)試信號(hào)TMB在正常模式時(shí)為邏輯‘高’，所以沒有操作第二驅(qū) 動(dòng)單元INV2。首先，響應(yīng)于邏輯‘低’的預(yù)充電信號(hào)PCGB對(duì)公共節(jié)點(diǎn)COM進(jìn)行預(yù)充電。隨 后，在進(jìn)行激活操作、讀取操作或者寫入操作時(shí)，預(yù)充電信號(hào)PCGB從邏輯‘低’轉(zhuǎn)變成邏輯 ‘高，。將第零熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0>激活成邏輯‘高，，因此接通第零NM0S晶體管NM0。這時(shí)，當(dāng)沒有切斷第零熔斷器F0時(shí)，由于下拉電流路徑形成于公共節(jié)點(diǎn)COM與接 地電壓(VSS)級(jí)之間，所以公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平低于第零驅(qū)動(dòng)單元INV0的閾值電壓， 并且熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD為邏輯‘高’?；蛘?，當(dāng)切斷第零熔斷器F0時(shí)，公共節(jié)點(diǎn)COM 通過第一驅(qū)動(dòng)單元INV1來維持邏輯‘高’。也就是說，由于上拉電流路徑通過第一驅(qū)動(dòng)單 元INV1形成，所以公共節(jié)點(diǎn)COM維持邏輯‘高’，并且熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD為邏輯‘低’。 半導(dǎo)體器件通過使用邏輯‘高，或者邏輯‘低’的熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD來接收待修復(fù)的 存儲(chǔ)器單元的地址信息。同時(shí)，將給出對(duì)其中在沒有切斷熔斷器的狀態(tài)中出現(xiàn)斷裂的情況的描述。出于說 明目的將給出對(duì)其中斷裂出現(xiàn)在第零熔斷器F0中的例子的描述。在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，在測(cè)試模式時(shí)，測(cè)試信號(hào)TMB為邏輯‘低’，因而沒 有操作第一驅(qū)動(dòng)單元INV1，但是操作第二驅(qū)動(dòng)單元INV2。這里，第二驅(qū)動(dòng)單元INV2具有比 第一驅(qū)動(dòng)單元INV1的電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大的電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，因此在驅(qū)動(dòng)電流比正常模式的 驅(qū)動(dòng)電流更大的測(cè)試模式中驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)COM。換而言之，出現(xiàn)斷裂的第零熔斷器F0的電 阻值變得高于沒有出現(xiàn)斷裂的熔斷器的電阻值。在現(xiàn)有技術(shù)中，在測(cè)試模式中不可能檢測(cè) 到第零熔斷器F0的電阻值由于斷裂而增加。然而在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，能夠通過 在驅(qū)動(dòng)電流比正常模式的驅(qū)動(dòng)電流更大的測(cè)試模式中驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)COM來檢測(cè)第零熔斷 器F0由于斷裂而增加的電阻值。圖5是圖示了公共節(jié)點(diǎn)COM以圖4的熔斷器狀態(tài)為根據(jù)的電勢(shì)電平改變的波形 圖。參照?qǐng)D4和圖5，當(dāng)熔斷器切斷時(shí)，在測(cè)試模式中，以流過由第二驅(qū)動(dòng)單元INV2產(chǎn) 生的上拉電流路徑的大驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)C0M，從而維持高電勢(shì)電平。也就是說，公共
10節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平取決于從第二驅(qū)動(dòng)單元INV2提供的驅(qū)動(dòng)電流。當(dāng)熔斷器沒有切斷時(shí)， 在測(cè)試模式中，公共節(jié)點(diǎn)COM具有由對(duì)應(yīng)熔斷器和耦合到熔斷器的NM0S晶體管產(chǎn)生的下拉 電流路徑。在這種情況下，公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平取決于與下拉電流路徑對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電 流和從第二驅(qū)動(dòng)單元INV2提供的驅(qū)動(dòng)電流。然而在本發(fā)明中，通過增加在測(cè)試模式中公 共節(jié)點(diǎn)COM的操作所需要的驅(qū)動(dòng)電流，可以將電阻值由于斷裂而有些增加的熔斷器檢測(cè)為 “切斷的熔斷器”。圖5圖示了其中公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平在測(cè)試模式時(shí)基于熔斷器的電阻值(例 如4KQ)而變高或者變低的例子。也就是說，當(dāng)熔斷器的電阻值低于4KQ時(shí)，在公共節(jié)點(diǎn) COM中預(yù)充電的電荷被放電，因此公共節(jié)點(diǎn)COM具有低電勢(shì)電平?；蛘?，當(dāng)熔斷器的電阻值 大于4KQ時(shí)，公共節(jié)點(diǎn)COM將電勢(shì)電平維持為高。圖2圖示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)基于60KQ來 改變公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平，而圖5圖示了根據(jù)本發(fā)明基于4KQ來改變公共節(jié)點(diǎn)COM的 電勢(shì)電平。也就是說，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)尚未切斷的熔斷器具有60KQ或者更低的電阻值 時(shí)，將對(duì)應(yīng)熔斷器檢測(cè)為‘正常熔斷器’。然而在本發(fā)明中，當(dāng)熔斷器具有4KQ或者更高電 阻值時(shí)，即使尚未切斷的熔斷器具有少于60KQ的電阻值，仍然可以將尚未切斷的熔斷器 檢測(cè)為‘有缺陷的熔斷器’。換言之，當(dāng)尚未切斷的熔斷器由于斷裂而具有大于4KQ的電阻 值時(shí)，可以獲得與在熔斷器切斷的情況中一樣的檢測(cè)結(jié)果。由此，公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平是確定熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD的直接因素。也 就是說，當(dāng)沒有切斷的熔斷器的電阻值由于斷裂而高于4KQ時(shí)，輸出針對(duì)切斷的熔斷器被 檢測(cè)到的邏輯‘低’的熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD。測(cè)試執(zhí)行者可以通過使用檢測(cè)結(jié)果來確定 斷裂是否出現(xiàn)在熔斷器中，并且針對(duì)出現(xiàn)斷裂的熔斷器進(jìn)行校正步驟。另外，可以在進(jìn)行校 正步驟的處理之后在正常操作中生成與熔斷器狀態(tài)對(duì)應(yīng)的熔斷器狀態(tài)信號(hào)INF_ADD。這意 味著用于冗余的熔斷器電路防止在半導(dǎo)體器件正常操作時(shí)出現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的故障， 從而獲得穩(wěn)定的修復(fù)操作。圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電路的電 路圖。出于說明目的，圖6僅圖示了與圖4的驅(qū)動(dòng)電流控制器不同的驅(qū)動(dòng)電流控制器610。參照?qǐng)D6，驅(qū)動(dòng)電流控制器610被配置成響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)TMB通過控制流過上拉電 流路徑的驅(qū)動(dòng)電流來驅(qū)動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)COM。驅(qū)動(dòng)電流控制器610包括基本驅(qū)動(dòng)單元INV4和附 加驅(qū)動(dòng)單元INV5。輸出單元630被配置成輸出與公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平對(duì)應(yīng)的信號(hào)，并 且包括第三驅(qū)動(dòng)單元INV3。這里，基本驅(qū)動(dòng)單元INV4被配置成在接收輸出單元630的輸出信號(hào)的反饋之后驅(qū) 動(dòng)公共節(jié)點(diǎn)C0M，并且在正常模式和測(cè)試模式中總是被使能。然后，附加驅(qū)動(dòng)單元INV5接收 輸出單元630的輸出信號(hào)的反饋，并且被配置成響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)TMB來附加地驅(qū)動(dòng)公共節(jié) 點(diǎn)C0M，附加驅(qū)動(dòng)單元INV5在測(cè)試模式中被使能。下文將簡(jiǎn)述第二實(shí)施例的操作。在正常模式中，基本驅(qū)動(dòng)單元INV4操作公共節(jié)點(diǎn)COM。也就是說，公共節(jié)點(diǎn)COM由 流過由基本驅(qū)動(dòng)單元INV4產(chǎn)生的上拉電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)。在測(cè)試模式中，操作基本 驅(qū)動(dòng)單元INV4和附加驅(qū)動(dòng)單元INV5。另外，公共節(jié)點(diǎn)COM通過流過由附加驅(qū)動(dòng)單元INV5 產(chǎn)生的附加上拉電流路徑的附加驅(qū)動(dòng)電流和流過由基本驅(qū)動(dòng)單元INV4產(chǎn)生的上拉電流路 徑的驅(qū)動(dòng)電流來驅(qū)動(dòng)。也就是說，通過向公共節(jié)點(diǎn)COM的操作所需要的驅(qū)動(dòng)電流添加附加驅(qū)動(dòng)電流來操作在測(cè)試模式中的公共節(jié)點(diǎn)COM。因此，第二實(shí)施例可以獲得與在第一實(shí)施例 中相同的效果。圖7是圖示了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的構(gòu)成半導(dǎo)體器件的用于冗余的熔斷器電 路的電路圖。圖7圖示了用于冗余的熔斷器電路具有第一和第二 PM0S晶體管PM1和PM2，而不 是圖6中所示響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)TMB來操作的附加驅(qū)動(dòng)單元INV5。另外，在測(cè)試模式中，在公 共節(jié)點(diǎn)COM在第一 PM0S晶體管PM1接通之后由流過上拉電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)的情形 中，第二 PM0S晶體管PM2也接通，因此可以向公共節(jié)點(diǎn)COM添加附加驅(qū)動(dòng)電流。在根據(jù)本 發(fā)明的第三實(shí)施例中，可以通過晶體管數(shù)目比在第一和第二實(shí)施例中的晶體管數(shù)目更小的 配置來最小化芯片的面積。圖8是圖示了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的用于冗余的熔斷器電路的電路圖。參照?qǐng)D8，用于冗余的熔斷器電路包括熔斷器單元810、鎖存單元830、預(yù)充電單元 850、緩沖單元870、供應(yīng)電流控制器890。熔斷器單元810被配置成響應(yīng)于第零到第三熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0:3>，根據(jù) 熔斷器是否被切斷來形成包括熔斷器的電流路徑。熔斷器單元810包括多個(gè)熔斷器和多個(gè) 開關(guān)單元。鎖存單元830被配置成鎖存與響應(yīng)于第零到第三熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0:3> 來操作的公共節(jié)點(diǎn)COM的電勢(shì)電平對(duì)應(yīng)的邏輯值，并且包括第六和第七驅(qū)動(dòng)單元INV6和 INV7。預(yù)充電單元850響應(yīng)于預(yù)充電信號(hào)PCGB在鎖存單元830中設(shè)置初始邏輯值，公共節(jié) 點(diǎn)COM響應(yīng)于預(yù)充電信號(hào)PCGB來進(jìn)行預(yù)充電操作。緩沖單元870檢測(cè)公共節(jié)點(diǎn)COM的電 勢(shì)電平，以便輸出具有與熔斷器狀態(tài)對(duì)應(yīng)的信息的預(yù)充電信號(hào)PCGB，并且緩沖單元870包 括兩個(gè)反相器。供應(yīng)電流控制器890被配置成響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)TM<0:2>來控制向鎖存單元 830施加的驅(qū)動(dòng)電流，并且包括偏置電壓生成單元894。這里，電流供應(yīng)單元892被配置成向與偏置電壓V_BIS對(duì)應(yīng)的鎖存單元830供應(yīng) 驅(qū)動(dòng)電流，并且包括第三PM0S晶體管PM3，該晶體管具有形成于電源電壓VDD級(jí)與鎖存單元 830之間的源極-漏極路徑，并且通過其柵極接收偏置電壓V_BIS。偏置電壓生成單元894通過生成具有與測(cè)試信號(hào)TM<0 2>對(duì)應(yīng)的電勢(shì)電平的偏 置電壓V_BIS來控制電流供應(yīng)單元892。偏置電壓生成單元894可以是用于通過測(cè)試信號(hào) TM<0:2>或者其它方法生成根據(jù)設(shè)計(jì)需要所需的電壓電平的偏置電壓V_BIS的電路。偏置 電壓生成單元894通過使用由三個(gè)代碼組成的測(cè)試信號(hào)TM<0:2>來生成偏置電壓V_BIS。 測(cè)試信號(hào)TM<0:2>可以用于正常模式和測(cè)試模式中，并且具有與測(cè)試信號(hào)TM<0:2>對(duì)應(yīng)的 電壓電平。下文將給出對(duì)第四實(shí)施例的操作的描述。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的特征在于在測(cè)試模式中控制公共節(jié)點(diǎn)COM的操作所 需要的驅(qū)動(dòng)電流，以便檢測(cè)出現(xiàn)斷裂的熔斷器。為此，在第四實(shí)施例中，生成與測(cè)試信號(hào)TM<0 2>對(duì)應(yīng)的偏置電壓V_BIS，然后通 過生成的偏置電壓V_BIS來控制第三PM0S晶體管PM3的柵極。然后，流過第三PM0S晶體 管PM3的驅(qū)動(dòng)電流施加到鎖存單元830的第七驅(qū)動(dòng)單元INV7，并且公共節(jié)點(diǎn)COM由包括第 三PM0S晶體管PM3和第七驅(qū)動(dòng)單元INV7的PM0S晶體管的電流路徑驅(qū)動(dòng)。換言之，在第四實(shí)施例中，能夠通過允許在測(cè)試模式中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流大于在正常模式中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流 來檢測(cè)出現(xiàn)斷裂的熔斷器。 圖9是圖示了根據(jù)圖8的偏置電壓V_BIS而檢測(cè)的造成短路的電阻值的曲線圖。 這里，造成短路的電阻值是指用來對(duì)代表熔斷器沒有被切斷的信息進(jìn)行檢測(cè)的閾值電阻 值。換言之，當(dāng)假設(shè)造成短路的電阻值例如為5KQ時(shí)，對(duì)于電阻值為5KQ或者更低的熔斷 器，可以將熔斷器檢測(cè)為沒有切斷的正常熔斷器。對(duì)于電阻值大于5KQ的熔斷器，可以將 熔斷器檢測(cè)為出現(xiàn)斷裂的熔斷器。這里，造成短路的電阻值隨著偏置電壓V_BIS的電壓電 平增大而增大，并且造成短路的電阻值隨著偏置電壓V_BIS的電壓電平降低而降低。
因此，在正常模式中，根據(jù)測(cè)試信號(hào)TM<0 2>來生成與15K Q的造成短路的電阻值 對(duì)應(yīng)的偏置電以便進(jìn)行操作。在測(cè)試模式中，將偏置電壓V_BIS設(shè)置成低于15KQ 的造成短路的電阻值，從而可以檢測(cè)出現(xiàn)斷裂的熔斷器。在這種情況下，可以根據(jù)在熔斷器 中出現(xiàn)的斷裂的程度即待檢測(cè)的預(yù)期斷裂的程度來設(shè)置偏置電的電平。也就是 說，當(dāng)打算檢測(cè)很小的斷裂時(shí)，根據(jù)斷裂的程度將偏置電壓V_BIS的電壓電平設(shè)置為較低， 以便增加在電流路徑上流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流，從而可以檢測(cè)在熔斷器中出現(xiàn)的斷裂。另外，在這 樣的配置中，在燒斷過程之前通過測(cè)試模式來控制偏置電壓V_BIS，從而可以確認(rèn)熔斷器的 電阻值。同時(shí)，在根據(jù)本發(fā)明用于檢測(cè)熔斷器斷裂的方案中，能夠在燒斷過程中將激光束 的強(qiáng)度(力)設(shè)置于最佳狀態(tài)。也就是說，通過使用預(yù)定強(qiáng)度的激光束來切斷熔斷器，然后 檢測(cè)相鄰熔斷器是否出現(xiàn)斷裂，從而能夠確定當(dāng)前激光束的強(qiáng)度是否造成在相鄰熔斷器中 出現(xiàn)斷裂。因此，燒斷過程執(zhí)行者可以基于檢測(cè)結(jié)果來優(yōu)化激光束的強(qiáng)度，因此可以進(jìn)行快 速和穩(wěn)定的燒斷過程。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件可以控制流過具有熔斷器的電流路徑的驅(qū)動(dòng) 電流，從而可以檢測(cè)出現(xiàn)斷裂的熔斷器。因此，能夠針對(duì)在切斷熔斷器時(shí)產(chǎn)生的斷裂進(jìn)行校 正步驟。還能夠通過這些校正步驟來提高具有熔斷器的電路的可靠性。具體而言，對(duì)于用 于冗余的熔斷器電路，能夠提供在進(jìn)行修復(fù)操作時(shí)的可靠性。本發(fā)明可以通過檢測(cè)出現(xiàn)斷裂的熔斷器來防止由于斷裂而引起的半導(dǎo)體器件的故障。另外，當(dāng)在用于冗余的熔斷器電路中利用這一點(diǎn)時(shí)，可以準(zhǔn)確地檢測(cè)和應(yīng)對(duì)出現(xiàn) 斷裂的熔斷器，從而能夠確保半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定修復(fù)操作。另外，能夠確定在切斷電容器時(shí)使用的適當(dāng)?shù)牧?，并且使用所確定的力以便可以 對(duì)熔斷器進(jìn)行更迅速和穩(wěn)定的切斷。盡管已經(jīng)參照具體實(shí)施例描述本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚可以進(jìn)行各種 改變和修改而不脫離如在所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)和范圍。同時(shí)，盡管已經(jīng)以在熔斷器中編程了與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)的地址信息為例 來說明上述實(shí)施例，但是本發(fā)明可以應(yīng)用于具有用于編程所需信息的熔斷器的所有電路。 在這一情況中，實(shí)施例中所示預(yù)充電信號(hào)PCGB和熔斷器使能信號(hào)EN_ADD<0 3>取決于對(duì)應(yīng) 的電路。另外，雖然已經(jīng)以增加或者控制流過上拉電流路徑的驅(qū)動(dòng)電流為例來說明上述實(shí) 施例，但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于增加或者控制流過下拉電流路徑以及上拉電流路徑的驅(qū)動(dòng)
1電流的情況。 此外，可以根據(jù)輸入信號(hào)的極性以不同位置和不同類型來實(shí)施上述實(shí)施例中說明 的邏輯門和晶體管。
權(quán)利要求
一種熔斷器電路，包括熔斷器單元，配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)上形成電流路徑；驅(qū)動(dòng)電流控制器，配置成響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)來控制所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)電平；以及輸出單元，配置成響應(yīng)于所述第一節(jié)點(diǎn)的所述電勢(shì)電平來輸出熔斷器狀態(tài)信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述驅(qū)動(dòng)電流控制器響應(yīng)于所述熔斷器狀 態(tài)信號(hào)來驅(qū)動(dòng)所述第一節(jié)點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，還包括配置成響應(yīng)于預(yù)充電信號(hào)對(duì)所述第一節(jié) 點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述驅(qū)動(dòng)電流控制器允許所述第一節(jié)點(diǎn)在 所述測(cè)試模式中的電勢(shì)大于在正常模式中的電勢(shì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述驅(qū)動(dòng)電流控制器包括第一驅(qū)動(dòng)單元，配置成接收所述測(cè)試信號(hào)并且響應(yīng)于所述測(cè)試信號(hào)來驅(qū)動(dòng)所述第一節(jié) 點(diǎn)；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，配置成接收所述測(cè)試信號(hào)并且響應(yīng)于所述測(cè)試信號(hào)來驅(qū)動(dòng)所述第一節(jié)占，其中所述第一驅(qū)動(dòng)單元和所述第二驅(qū)動(dòng)單元各自具有互不相同的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔斷器電路，其中所述第一驅(qū)動(dòng)單元在所述正常模式期間被 使能，所述第二驅(qū)動(dòng)單元在所述測(cè)試模式期間被使能，并且所述第二驅(qū)動(dòng)單元具有比所述 第一驅(qū)動(dòng)單元的電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大的電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述驅(qū)動(dòng)電流控制器包括基本驅(qū)動(dòng)單元，配置成接收所述熔斷器狀態(tài)信號(hào)并且驅(qū)動(dòng)所述第一節(jié)點(diǎn)；以及 附加驅(qū)動(dòng)單元，配置成接收所述熔斷器狀態(tài)信號(hào)并且響應(yīng)于所述測(cè)試信號(hào)來附加地驅(qū) 動(dòng)所述第一節(jié)點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熔斷器電路，其中所述基本驅(qū)動(dòng)單元在所述正常模式期間被 使能，并且所述基本驅(qū)動(dòng)單元和所述附加驅(qū)動(dòng)單元在所述測(cè)試模式期間被使能。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述熔斷器單元包括 熔斷器，配置成編程所需信息；以及開關(guān)單元，配置成響應(yīng)于所述熔斷器使能信號(hào)來將所述熔斷器耦合到所述電流路徑中，其中所述熔斷器和所述開關(guān)單元耦合于所述第一節(jié)點(diǎn)與電源電壓級(jí)之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器電路，其中所述熔斷器單元包括 多個(gè)熔斷器，配置成用來編程與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)的地址信息；以及多個(gè)開關(guān)單元，配置成對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)熔斷器中的相應(yīng)熔斷器并且響應(yīng)于與所述熔斷 器使能信號(hào)對(duì)應(yīng)的地址信號(hào)將所述多個(gè)熔斷器中的對(duì)應(yīng)熔斷器耦合到所述電流路徑中。
11.一種熔斷器電路，包括熔斷器單元，配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)上形成電流路徑；鎖存單元，配置成鎖存所述第一節(jié)點(diǎn)以便輸出熔斷器狀態(tài)信號(hào)；以及供應(yīng)電流控制器，配置成響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)來控制向所述鎖存單元施加的驅(qū)動(dòng)電流。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，還包括配置成響應(yīng)于所述預(yù)充電信號(hào)對(duì)所述第一節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，以及設(shè)置所述鎖存單元中的初始值的預(yù)充電單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述供應(yīng)電流控制器包括 偏置電壓生成單元，配置成生成與所述測(cè)試信號(hào)對(duì)應(yīng)的偏置電壓；以及電流供應(yīng)單元，配置成向所述鎖存單元供應(yīng)與所述偏置電壓對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述供應(yīng)電流控制器允許在測(cè)試模式中 的驅(qū)動(dòng)電流大于在正常模式中的驅(qū)動(dòng)電流并且將所得驅(qū)動(dòng)電流施加到所述鎖存單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述熔斷器單元包括 熔斷器，配置成用來編程所需信息；以及開關(guān)單元，配置成響應(yīng)于所述熔斷器使能信號(hào)將所述熔斷器耦合到所述電流路徑中， 其中所述熔斷器和所述開關(guān)單元耦合于所述第一節(jié)點(diǎn)與所述電源電壓級(jí)之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述熔斷器單元包括 多個(gè)熔斷器，配置成用來編程與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)的地址信息；以及多個(gè)開關(guān)單元，配置成對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)熔斷器中的相應(yīng)熔斷器并且響應(yīng)于與所述熔斷 器使能信號(hào)對(duì)應(yīng)的地址信號(hào)將所述多個(gè)熔斷器之中的對(duì)應(yīng)熔斷器耦合到所述電流路徑中。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔斷器電路，其中所述鎖存單元包括前向驅(qū)動(dòng)單元，配置成響應(yīng)于所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)電平來輸出所述熔斷器狀態(tài)信號(hào)；以及后向驅(qū)動(dòng)單元，配置成被供應(yīng)有通過所述供應(yīng)電流控制器控制的驅(qū)動(dòng)電流，并且在接 收所述熔斷器狀態(tài)信號(hào)的反饋之后驅(qū)動(dòng)所述第一節(jié)點(diǎn)。
18.一種用于驅(qū)動(dòng)熔斷器電路的方法，所述方法包括 當(dāng)進(jìn)入測(cè)試模式時(shí)生成測(cè)試信號(hào)；形成通過第一節(jié)點(diǎn)和熔斷器的電流路徑； 響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)來驅(qū)動(dòng)所述第一節(jié)點(diǎn)；并且 在緩沖所述第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)之后檢測(cè)所述熔斷器的狀態(tài)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于驅(qū)動(dòng)熔斷器電路的方法，其中驅(qū)動(dòng)所述第一節(jié)點(diǎn)包括通過流過所述電流路徑的正常驅(qū)動(dòng)電流在正常模式中驅(qū)動(dòng)所述第一節(jié)點(diǎn)；以及 通過比所述正常驅(qū)動(dòng)電流更大的測(cè)試驅(qū)動(dòng)電流在測(cè)試模式中驅(qū)動(dòng)所述第一節(jié)點(diǎn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于驅(qū)動(dòng)熔斷器電路的方法，其中所述熔斷器具有編程于 其中的與待修復(fù)的存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)的地址信息。
全文摘要
一種熔斷器電路包括熔斷器單元，配置成根據(jù)熔斷器是否被切斷而在第一節(jié)點(diǎn)上形成電流路徑；驅(qū)動(dòng)電流控制器，配置成響應(yīng)于測(cè)試信號(hào)來控制第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)電平；以及輸出單元，配置成響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)電平來輸出熔斷器狀態(tài)信號(hào)。
文檔編號(hào)H02H3/08GK101888080SQ200910160949
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2009年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月13日
發(fā)明者宋根洙, 金官彥 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司