非接觸充電模塊、非接觸充電設(shè)備以及受電側(cè)電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化的非接觸充電模塊。該非接觸充電模塊包括：纏卷導(dǎo)線而成的平面線圈部(2)；隔著絕緣膜(4)載置平面線圈部(2)且具有導(dǎo)電性的磁性薄片(3)；以及從平面線圈部(2)的卷繞開始點延伸至磁性薄片(3)的端部的凹部(33)或狹縫(4)，平面線圈部(2)的導(dǎo)線將絕緣膜(4)壓入到凹部(33)或狹縫(34)內(nèi)且該導(dǎo)線被容納在凹部(33)或狹縫(34)內(nèi)，平面線圈部(2)的導(dǎo)線因絕緣膜(4)而與具有導(dǎo)電性的磁性薄片(3)絕緣。
【專利說明】非接觸充電模塊、非接觸充電設(shè)備以及受電側(cè)電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及包括纏卷導(dǎo)線而成的平面線圈部和磁性薄片的非接觸充電模塊和非接觸充電設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，較多地利用了能夠用充電器對主體設(shè)備進行非接觸充電的技術(shù)。這種技術(shù)是，在充電器側(cè)配置送電用線圈，在主體設(shè)備側(cè)配置受電用線圈，并通過使兩線圈間產(chǎn)生電磁感應(yīng)而從充電器側(cè)向主體設(shè)備側(cè)傳輸電力的技術(shù)。而且，也提出了適用移動終端設(shè)備等作為上述主體設(shè)備的方案。
[0003]該移動終端設(shè)備等主體設(shè)備和充電器被要求薄型化和小型化。為了響應(yīng)該要求，可以考慮:如專利文獻I那樣，具備作為送電用線圈或受電用線圈的平面線圈部；以及磁性薄片。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005]專利文獻
[0006][專利文獻I]日本特開2006-42519號公報實用新型內(nèi)容
[0007]實用新型要解決的問題
[0008]然而，在專利文獻I那樣包括一根導(dǎo)線構(gòu)成的平面線圈部和其整體為平面狀的磁性薄片的非接觸充電模塊中，有可能線圈的卷繞開始處或卷繞結(jié)束處位于線圈的內(nèi)側(cè)。此時，線圈的纏卷部分和從線圈的卷繞開始部分或卷繞結(jié)束處至端子為止的部分會在厚度方向上重疊，這也有可能在使用了多個導(dǎo)線的情況下出現(xiàn)。其結(jié)果是，無法使非接觸充電模塊薄型化。
[0009]另外，磁性薄片中有導(dǎo)電性磁性薄片，此時導(dǎo)線和磁性薄片之間的絕緣很重要。
[0010]因此，鑒于上述問題，本實用新型的目的在于，在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0011]解決問題的方案
[0012]為了解決上述問題，本實用新型的非接觸充電模塊的特征在于，包括:纏卷導(dǎo)線而成的平面線圈部；隔著絕緣膜載置所述平面線圈部，并且具有導(dǎo)電性的磁性薄片；以及設(shè)于所述磁性薄片，從所述平面線圈部的卷繞開始點延伸至所述磁性薄片的端部的凹部或狹縫，所述平面線圈部的導(dǎo)線將所述絕緣膜壓入到所述凹部或狹縫內(nèi)且該導(dǎo)線被容納在所述凹部或狹縫內(nèi)，所述平面線圈部的導(dǎo)線因所述絕緣膜而與所述具有導(dǎo)電性的磁性薄片絕緣。
[0013]實用新型的效果
[0014]根據(jù)本實用新型，能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0015]圖1是本實用新型實施方式的非接觸充電模塊的組裝圖。
[0016]圖2 (a)、圖2 (b)、圖2 (C)以及圖2 (d)是本實用新型實施方式的非接觸充電豐旲塊的不意圖。
[0017]圖3 (a)、圖3 (b)、圖3 (C)以及圖3 (d)是本實用新型實施方式的非接觸充電模塊的磁性薄片的示意圖。
[0018]圖4 (a)、圖4 (b)、圖4 (C)以及圖4 (d)是本實用新型實施方式的形成了凹部的磁性薄片和平面線圈部的圖。
[0019]圖5是本實用新型實施方式的形成有狹縫的磁性薄片和平面線圈部的放大剖視圖。
[0020]圖6 Ca)以及圖6 (b)是本實用新型實施方式的形成有狹縫的磁性薄片和平面線圈部的剖視圖。
[0021]標(biāo)號說明
[0022]1:非接觸充電模塊
[0023]2:平面線圈部
[0024]21:線圈
[0025]22、23:端子
[0026]24:腳部
[0027]3:磁性薄片
[0028]31:平坦部
[0029]32:中心部
[0030]33:凹部
[0031]34:狹縫(第一狹縫)
【具體實施方式】
[0032]本實用新型的第一方面是非接觸充電模塊，包括:纏卷導(dǎo)線而成的平面線圈部；隔著絕緣膜載置所述平面線圈部，并且具有導(dǎo)電性的磁性薄片；以及設(shè)于所述磁性薄片，從所述平面線圈部的卷繞開始點延伸至所述磁性薄片的端部的凹部或狹縫，所述平面線圈部的導(dǎo)線將所述絕緣膜壓入到所述凹部或狹縫內(nèi)且該導(dǎo)線被容納在所述凹部或狹縫內(nèi)，所述平面線圈部的導(dǎo)線因所述絕緣膜而與所述具有導(dǎo)電性的磁性薄片絕緣，該非接觸充電模塊能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0033]本實用新型的第二方面是如本實用新型第一方面所述的非接觸充電模塊，其中，所述凹部或狹縫的寬度為所述導(dǎo)線的線徑的3倍以上，該非接觸充電模塊中，由于絕緣膜的伸縮性，導(dǎo)線可靠地被容納在凹部內(nèi)，因此能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0034]本實用新型的第三方面是如本實用新型第一方面所述的非接觸充電模塊，其中，所述導(dǎo)線的線徑小于0.3mm,所述絕緣膜的厚度為5?20 μ m，該非接觸充電模塊中，由于絕緣膜的伸縮性，導(dǎo)線可靠地被容納在凹部內(nèi)，因此能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。[0035]本實用新型的第四方面是如本實用新型第一方面所述的非接觸充電模塊，其中，在所述絕緣膜的與所述凹部或狹縫相對的部分，具有比所述導(dǎo)線的線徑小的貫穿孔，該非接觸充電模塊中，即使絕緣膜的伸縮性不夠的情況下，由于絕緣膜的伸縮性，導(dǎo)線也可靠地被容納在凹部內(nèi)，因此能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0036]本實用新型的第五方面是如本實用新型第一方面所述的非接觸充電模塊，其中，所述絕緣膜的尺寸伸縮率為0.05%?0.1%，該非接觸充電模塊中，即使不形成孔等，由于絕緣膜的伸縮性，導(dǎo)線也被容納在凹部內(nèi)。因此，能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0037]本實用新型的第六方面是如本實用新型第一方面所述的非接觸充電模塊，其中，所述絕緣膜在與所述凹部或狹縫對應(yīng)的位置具有裂縫，所述導(dǎo)線以所述絕緣膜介于所述導(dǎo)線和所述磁性薄片之間的方式被容納在所述凹部或狹縫內(nèi)，所述平面線圈部的導(dǎo)線因所述絕緣膜而與所述具有導(dǎo)電性的磁性薄片絕緣，該非接觸充電模塊中，即使使用比較粗的導(dǎo)線，也能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0038]本實用新型的第七方面是如本實用新型第六方面所述的非接觸充電模塊，其中，所述平面線圈部的導(dǎo)線的線徑小于磁性薄片的厚度，所述磁性薄片的厚度為20?50μπι，該非接觸充電模塊中，即使使用比較粗的導(dǎo)線，也能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0039]本實用新型的第八方面是如本實用新型第六方面所述的非接觸充電模塊，其中，所述凹部或狹縫的寬度為所述導(dǎo)線的線徑的2倍以上，該非接觸充電模塊中，由于絕緣膜可靠的介于導(dǎo)線和磁性薄片之間，因此能夠可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣，并實現(xiàn)薄型化。
[0040]本實用新型的第九方面是如本實用新型第六方面所述的非接觸充電模塊，其中，所述凹部或狹縫的寬度為所述磁性薄片的厚度的2倍以上，該非接觸充電模塊中，由于絕緣膜可靠的介于導(dǎo)線和磁性薄片之間，因此能夠可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣，并實現(xiàn)薄型化。
[0041]本實用新型的第九方面是具備本實用新型第一方面所述的非接觸充電模塊的非接觸充電設(shè)備，該非接觸充電設(shè)備能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0042]本實用新型的第十一方面是具備本實用新型第一方面所述的非接觸充電模塊的電子設(shè)備，該電子設(shè)備能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0043](實施方式)
[0044]以下，使用附圖詳細(xì)地說明本實用新型的實施方式。圖1是本實用新型實施方式的非接觸充電模塊的組裝圖，圖2是本實用新型實施方式的非接觸充電模塊的示意圖，其中，(a)是俯視圖，(b)是從圖2(a)的A方向觀察得到的剖視圖，(C)和(d)是從圖2(a)的B方向觀察得到的剖視圖。圖3是本實用新型實施方式的非接觸充電模塊的磁性薄片的示意圖，(a)是俯視圖，(b)是從圖3(a)的A方向觀察得到的剖視圖，(C)和(d)是從圖3(a)的B方向觀察得到的剖視圖。
[0045]本實用新型的非接觸充電模塊I具備:將導(dǎo)線纏卷成漩渦狀而成的I次側(cè)線圈2 ；以及與平面線圈部2的線圈21的面相對設(shè)置的磁性薄片3。
[0046]如圖1所示，平面線圈部2具備:以在平面上描畫漩渦的方式在徑向纏卷導(dǎo)電體而成的線圈21 ;以及設(shè)置于線圈21的兩端的端子22、23。線圈21是在平面上平行地纏卷導(dǎo)線而得到的，將由線圈形成的面稱為線圈面。此外，厚度方向是指平面線圈部2與磁性薄片3的層疊方向。在本實施方式中，線圈21從直徑為20mm的內(nèi)徑開始向外纏卷，外徑為30mm。即，線圈21纏卷成環(huán)狀。此外，線圈21也可以纏卷成圓形，還可以纏卷成多邊形。在為多邊形的情況下，可以將其拐角部彎成曲線狀。
[0047]另外，通過以導(dǎo)線之間留出空間的方式纏卷導(dǎo)線，能夠使上層導(dǎo)線和下層導(dǎo)線之間的雜散電容小，將線圈21的交流阻抗抑制為小。另外，通過將導(dǎo)線不留空間靠緊地進行纏卷，能夠抑制線圈21的厚度。
[0048]另外，如圖2所示，本實施方式中采用了截面呈圓形形狀的導(dǎo)線，但也可以采用呈方形形狀等的導(dǎo)線。但是，與截面呈方形形狀的導(dǎo)線相比，采用圓形形狀的導(dǎo)線時相鄰的導(dǎo)線之間產(chǎn)生間隙，所以導(dǎo)線間的雜散電容小，能夠?qū)⒕€圈21的交流阻抗抑制為小。
[0049]另外，比起將線圈21在厚度方向纏卷成2層，纏卷成I層則線圈21的交流阻抗低，能夠提高傳輸效率。這是因為，若將導(dǎo)線纏卷成2層，則上層導(dǎo)線和下層導(dǎo)線之間產(chǎn)生雜散電容。因此，比起將線圈21整體纏卷成2層，將盡量多的部分纏卷成I層較適宜。另外，通過纏卷成I層，能夠作為非接觸充電模塊I而薄型化。此外，由于線圈21的交流阻抗低，從而防止了線圈21中的損失且提高了 L值，由此，能夠提高依賴于L值的非接觸充電模塊I的電力傳輸效率。
[0050]另外，在本實施方式中，圖1所示的線圈21內(nèi)側(cè)的內(nèi)徑X為IOmm?20mm，外徑約為30_。內(nèi)經(jīng)X越小，能夠在相同大小的非接觸充電模塊I中越增加線圈21的匝數(shù)，提高L值。
[0051]此外，端子22、23可以相互靠近，也可以分離配置，但是，分離配置則更容易安裝非接觸充電模塊I。
[0052]磁性薄片3是為了提高利用了電磁感應(yīng)作用的非接觸充電的電力傳輸效率而設(shè)置的，如圖2所示，其具備平坦部31、作為中心而相當(dāng)于線圈21的內(nèi)徑的中心部32、以及凹部33。此外，如圖3所示，中心部32并不一定需要形成為凸型。凹部33也可以是狹縫34，也并不一定需要凹部33或狹縫34。但是,如圖2(c)、(d)所示,通過設(shè)置凹部33或狹縫34,能夠?qū)⒕€圈21的從卷繞結(jié)束處至端子23為止的導(dǎo)線容納在凹部33或狹縫34中，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。也就是說，凹部33或狹縫34被形成為:與磁性薄片3的端部幾乎垂直，且與中心部32的外周的切線重合。通過如此形成凹部33或狹縫34，能夠不彎折導(dǎo)線來形成端子22、23。另外，此時，凹部33或狹縫34的長度約為15mm?20mm。但是，凹部33或狹縫34的長度依賴于線圈21的內(nèi)徑。另外，也可以將凹部33或狹縫34形成在磁性薄片3的端部和中心部32的外周最接近的部分。由此，能夠?qū)疾?3或狹縫34的形成面積抑制到最低限度，提高非接觸充電模塊I的傳輸效率。另外，此時，凹部33或狹縫34的長度約為5mm?10mm。無論采用哪一種配置，凹部33或狹縫34的內(nèi)側(cè)端部都與中心部32連接。此夕卜，凹部33或狹縫34也可以采用其他配置。也就是說，線圈21優(yōu)選采用I層結(jié)構(gòu)，此時，可以考慮將線圈21的半徑方向的所有線匝作為I層結(jié)構(gòu)，或者將其一部分作為I層結(jié)構(gòu)并將其他部分作為2層結(jié)構(gòu)。因此，端子22、23的其中一方可以從線圈21的外周引出，但另一方必須從內(nèi)側(cè)引出。所以線圈21的纏卷部分和腳部24(參照圖4) 一定在厚度方向上重疊。于是，在該重疊部分設(shè)置凹部33或狹縫34，并將腳部24容納到其中即可。另外，所謂腳部24是指，從線圈21的卷繞結(jié)束處至端子22或23為止的部分。若采用凹部33，則在磁性薄片3上不設(shè)置貫穿孔或狹縫，因此能夠防止磁束泄漏，提高非接觸充電模塊I的輸電效率。相對而言，采用狹縫34時，形成磁性薄片較為容易。采用凹部33時，并不限于如圖4 (c)所示的剖面形狀呈方形的凹部33，剖面可以呈圓弧狀，或者帶有圓角。
[0053]另外，本實施方式中，作為磁性薄片3能夠使用N1-Zn系的鐵氧體薄片、Mn-Zn系的鐵氧體薄片、Mg-Zn系的鐵氧體薄片等。相比于非金屬鐵氧體薄片，非晶金屬薄片能夠降低線圈21的交流阻抗。
[0054]如圖3所示，磁性薄片3中至少層疊有高飽和磁束密度材料3a和高透磁率材料3b。另外，在不層疊高飽和磁束密度材料3a和高透磁率材料3b的情況下，也使用飽和磁束密度350mT以上、厚度至少有300 μ m的高飽和磁束密度材料3a為宜。
[0055]線圈21優(yōu)選采用I層結(jié)構(gòu)，此時，可以考慮使線圈的半徑方向的所有線匝為I層結(jié)構(gòu)，或者使其一部分為I層結(jié)構(gòu)并使其他部分為2層結(jié)構(gòu)。因此，端子22、23的其中一方可以從線圈21的外周引出，但另一方必須從內(nèi)側(cè)引出。所以線圈21的纏卷部分和腳部24一定在厚度方向上重疊。
[0056]因此，本實用新型在其重疊部分設(shè)置直線狀的凹部33或狹縫34。特別是，與線圈21面的內(nèi)周圓的圓周的切線平行，且從線圈面的卷繞開始點或卷繞結(jié)束點至磁性薄片3的端部以最短距離延伸的直線狀的凹部33或狹縫34。另外，線圈21面的內(nèi)周圓的圓周的切線是指，凹部33或狹縫34從線圈21面的內(nèi)周圓的外周附近延伸，凹部33或狹縫34與線圈21面的內(nèi)周圓的外周接近的部分的、內(nèi)周圓的圓周的切線。通過如此形成直線部33b，能夠在磁性薄片3上不彎折導(dǎo)線來形成端子22、23。也就是說，因為設(shè)置凹部33或狹縫34，并將導(dǎo)線嵌入到凹部33或狹縫34中，所以需要使導(dǎo)線在厚度方向上從平坦部31向凹部33或狹縫34彎曲。因此在將導(dǎo)線從平坦部31嵌入到凹部33或狹縫34的部分，在磁性薄片3上不彎折導(dǎo)線，因此能夠維持導(dǎo)線的強度的情況下實現(xiàn)薄型化。另外，此時，直線部33b的長度約為15mm?20mm。另外，線圈21也可以纏卷成多邊形，此時，優(yōu)選將凹部33或狹縫34設(shè)置為:與線圈21面的內(nèi)側(cè)端部形成的空間的形狀或其切線平行，且從線圈面的卷繞開始點或卷繞結(jié)束點至磁性薄片3的端部以最短距離延伸的直線狀。
[0057]另外，也可以在磁性薄片3中，與線圈21面的內(nèi)周圓的圓周的切線垂直，且從線圈面的卷繞開始點或卷繞結(jié)束點至磁性薄片3的端部以最短距離延伸的凹部33或狹縫34。由此，能夠?qū)疾?3或狹縫的形成面積抑制到最低限度，提高非接觸充電模塊I的傳輸效率。也就是說，通過設(shè)置凹部33或狹縫34，使磁性薄片3的一部分脫落或變薄。因此，有可能磁束從凹部33或狹縫34泄漏，使非接觸充電模塊的輸電效率稍微降低。因此，通過將凹部33的形成面積抑制為最小限度而將磁束的泄漏抑制為最小限度，能夠在維持非接觸充電裝置的輸電效率的情況下，實現(xiàn)薄型化。另外，此時，直線部33b的長度約為5mm?10mm。另夕卜，由于在中心部32的外周的切線上，以到磁性薄片3的端部的距離最短的方式設(shè)置，因此是與磁性薄片3的端部3a平行的形狀。另外，線圈21也可以纏卷成多邊形，此時，也可以與線圈21面的內(nèi)側(cè)端部形成的空間的形狀或其切線垂直地、將凹部33或狹縫34設(shè)置為從線圈面的卷繞開始點或卷繞結(jié)束點至磁性薄片3的端部以最短距離延伸的直線狀。另外，一般而言，線圈21從內(nèi)側(cè)向外側(cè)平面狀地纏卷，因此成為從卷繞開始點延伸至磁性薄片3的端部的凹部33或狹縫34。[0058]另外，在圖2和圖3中，凹部33或狹縫34與方形的磁性薄片3的一方相對的一對端部的邊平行，而與另一方相對的一對端部的邊垂直。這是因為本實施方式的磁性薄片3是方形的緣故。然而，磁性薄片3的形狀不限于方形，可以考慮圓形、多邊性等各種形狀。因此，例如通過使磁性薄片3的形狀為多變形，并使凹部33或狹縫34與凹部33或狹縫34的端部碰上的邊垂直，從而能夠在易于利用的多邊形的磁性薄片上，將凹部33或狹縫34的面積抑制為最小限度。特別是，通過使磁形薄片3的形狀為方形，并使凹部33或狹縫34與磁性薄片3的一方相對的一對端部的邊平行且與另一方相對的一對端部的邊垂直，從而能夠在最易于利用的方形的磁性薄片上，將凹部33或狹縫34的面積抑制為最小限度。
[0059]根據(jù)以上，將凹部33或狹縫34設(shè)于線圈21與腳部24重合的部分，在平坦部31上具備線圈21面。另外，可也將凹部33或狹縫34設(shè)置成稍長或稍短，但優(yōu)選設(shè)置為，至少覆蓋線圈21和腳部24重合的部分的80%以上。
[0060]另外，在圖2和圖3中，磁性薄片3約為33mmX33mm。圖2 (c)所示的中心部32的厚度dl為0.2mm。另外,磁性薄片3中，以圖3(c)所示的d2即磁性薄片3的厚度為0.6mm、d3為0.15mm、d4為0.45mm的方式，設(shè)定高飽和磁束密度材料3a和高透磁率材料3b各自
的厚度并進行層疊。
[0061]下面，說明磁性薄片3具有導(dǎo)電性的情況下的、磁性薄片3和平面線圈部2的絕緣。首選說明設(shè)置了凹部33的情況。另外，磁性薄片3具有導(dǎo)電性的情況下，無需磁性薄片3的所有部分都具有導(dǎo)電性，例如在圖3(c)和圖3(d)中，3a為導(dǎo)電性薄片，3b為非導(dǎo)電性薄片那樣，也包括磁性薄片3的至少一部分是導(dǎo)電性的情況。
[0062]圖4是本實用新型實施方式中的、形成了凹部的磁性薄片以及平面線圈部的圖，圖4(a)是磁性薄片的凹部的剖視圖，圖4(b)是粘結(jié)前的磁性薄片和絕緣膜的剖視圖，圖4(c)是粘結(jié)后的磁性薄片和絕緣膜的剖視圖，圖4(d)是絕緣膜和線圈的腳部的剖視圖。另外，這些剖視圖是圖3(a)的凹部的C-C線處的剖視圖。
[0063]本實施方式中，磁性薄片3具有導(dǎo)電性，因此凹部33的側(cè)壁33a和底面33c也具有導(dǎo)電性。因此，導(dǎo)線及其腳部24都不可接觸凹部33的側(cè)壁33a和底面33c。于是，將絕緣膜4粘結(jié)在磁性薄片3的至少線圈21側(cè)。然后，將平面線圈部2放在絕緣膜4上。此時，腳部24將與凹部33對應(yīng)的絕緣膜4向下方推壓，并容納在凹部33內(nèi)。由此，能夠使腳部24接觸線圈21而容納在凹部33內(nèi)。為了使平面線圈部2和磁性薄片3絕緣，絕緣膜4至少設(shè)置在磁性薄片3上的載置平面線圈部2的部分。優(yōu)選構(gòu)成為絕緣膜4覆蓋磁性薄片3整個面，由此能夠可靠地絕緣。為了不但粘結(jié)平面線圈部2和磁性薄片3而且使平面線圈部2和磁性薄片3絕緣，絕緣膜4必須介于平面線圈部2和磁性薄片3之間。
[0064]本實施方式中，可以考慮采用丙烯酸系或娃酮系粘合劑，以及PET (polyethyleneterephthalate,聚對苯二 甲酸乙二醇酯)、PEN(polyehtylene naphthalate,聚萘二甲酸乙二醇酯)、丙烯酸樹脂或聚酯樹脂的基材。另外，優(yōu)選的是，尺寸伸縮率為0.05%?0.1%。尺寸伸縮率可用(處理后的長度一處理前的長度/處理前的長度來表現(xiàn)，處理指的是，絕緣膜4被腳部24拉長。
[0065]另外，采用這樣的方式時，導(dǎo)線的線徑優(yōu)選最大為0.3_左右。
[0066]另外，為了排除凹部33和絕緣膜4之間的空氣并提高絕緣膜4的收縮性，可以穿開微小的孔。穿開微小的孔時，孔的大小優(yōu)選為200 μ m以上。另外，優(yōu)選的是，開孔處靠近凹部33或狹縫34的中心側(cè)端部，在狹縫長度的靠中心側(cè)的1/2的范圍內(nèi)開孔為宜。
[0067]本實施方式中，狹縫的寬度Dal為1.34mm，磁性薄片3的厚度Dbl為0.6mm，導(dǎo)線的線徑Ddl為0.25mm,凹部33的深度Dcl為0.3mm。此時，導(dǎo)線的線徑Ddl (0.25mm)比磁性薄片3的厚度Dbl小，因此在磁性薄片3中不設(shè)置狹縫34而設(shè)置了凹部33。通過不采用狹縫34而采用凹部33，在傳輸電力時，能夠使磁場不容易從磁性薄片泄漏。這樣，優(yōu)選的是，若導(dǎo)線的線徑Ddl小于磁性薄片3的厚度Dbl的75%左右，則形成凹部33。更優(yōu)選的是，導(dǎo)線的線徑Ddl小于磁性薄片3的厚度Dbl的50%。另外，狹縫的寬度Dal優(yōu)選為導(dǎo)線的線徑Ddl的3倍以上。通過使狹縫的寬度Dal為導(dǎo)線的線徑Ddl的3倍以上，絕緣膜4能夠使腳部24完全容納到凹部33內(nèi)。
[0068]這樣，導(dǎo)線隔著絕緣膜4被容納在第一狹縫34內(nèi)。
[0069]這樣的構(gòu)造特別有用于作為接收側(cè)的2次側(cè)非接觸充電模塊。也就是說，在2次偵_接觸充電模塊中，在線圈內(nèi)流過的電流的電壓和電流的值比較小，因此導(dǎo)線采用線徑
0.25mm的細(xì)導(dǎo)線就足夠。相對而言，2次側(cè)非接觸充電模塊的殼體自身要求小型化，因此，與I次側(cè)非接觸充電模塊相比，最接近平面線圈部2的金屬和平面線圈部2之間的距離非常近。因此，為了充分防止受到金屬的影響，與I次側(cè)非接觸充電模塊相比，利用較厚的磁性薄片3。其結(jié)果，與I次側(cè)非接觸充電模塊相比，導(dǎo)線的線徑小、磁性薄片3的厚度厚，因此在磁性薄片3上形成凹部33的情況較多。采用凹部33時，將導(dǎo)線推壓到凹部33內(nèi)后，在導(dǎo)電性的導(dǎo)線的下方存在凹部33的底面33c。此外，為了設(shè)置狹縫41，絕緣膜4需要具有伸縮性，在本實施方式中設(shè)定為較薄即10 μ m，優(yōu)選為5?20 μ m以下。
[0070]也就是說，具有:將導(dǎo)線纏卷成漩渦狀而成的平面線圈部；隔著絕緣膜與線圈面相對設(shè)置的磁性薄片；以及設(shè)于磁性薄片的、從線圈面的卷繞開始點或卷繞結(jié)束點延伸至磁性薄片端部的凹部或狹縫，并且，磁性薄片的形成有凹部或狹縫的部分的至少一部分具有導(dǎo)電性，導(dǎo)線將絕緣膜壓入到凹部或狹縫內(nèi)且被容納在所述凹部或狹縫內(nèi)，因此，能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0071]另外，通過使凹部的寬度為導(dǎo)線線徑的3倍以上，導(dǎo)線因絕緣膜的伸縮性而可靠地被容納在凹部內(nèi)，因此，能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0072]另外，通過使導(dǎo)線的線徑小于0.3mm、絕緣膜的厚度為5?20 μ m，導(dǎo)線因絕緣膜的伸縮性而可靠地被容納在凹部內(nèi)，因此，能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0073]此外，在絕緣膜的與凹部或狹縫相對的部分，穿開比導(dǎo)線的線徑小的貫穿孔，由此，即使絕緣膜的伸縮性不夠的情況下，由于絕緣膜的伸縮性，導(dǎo)線也可靠地被容納在凹部內(nèi)，因此能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0074]下面，說明設(shè)置了狹縫34的情況。另外，采用狹縫34時，可以通過與上述的凹部33相同的方法進行絕緣，也可以通過以下說明的方法進行絕緣。此外，采用凹部33時也可以適用下面說明的方法，但優(yōu)選采用上述的方法。
[0075]圖5是本實用新型實施方式的形成有狹縫的磁性薄片和平面線圈部的放大剖視圖。圖6是本實用新型實施方式的形成有狹縫的磁性薄片和平面線圈部的剖視圖，圖6(a)是圖3(a)的凹部為狹縫時的在C 一 C線的剖視圖，圖6(b)是圖3(a)的凹部為狹縫時的在D — D線的剖視圖。[0076]本實施方式的非接觸充電模塊I具有:將導(dǎo)線纏卷成漩渦狀而成的平面線圈部2 ；隔著絕緣膜4與線圈面21相對設(shè)置的磁性薄片3 ;以及設(shè)于磁性薄片3的、從所述線圈面的卷繞開始點或卷繞結(jié)束點延伸至磁性薄片3端部的第一狹縫34，而且，絕緣膜4中，在與第一狹縫34對應(yīng)(相對)的位置上設(shè)置第二狹縫41 (裂縫)，導(dǎo)線的腳部24隔著絕緣膜4被容納在第一狹縫34內(nèi)。另外，在本實施方式中，絕緣膜4分別設(shè)置在磁性薄片3的雙面。因為第二狹縫41是裂縫，所以第一狹縫34比第二狹縫41粗。
[0077]也就是說，若磁性薄片3具有導(dǎo)電性，則磁性薄片3與導(dǎo)線導(dǎo)通，無法發(fā)揮作為非接觸充電模塊I的功能。因此，通過將絕緣膜4設(shè)置在平面線圈部2和磁性薄片3之間，能夠使平面線圈部2和磁性薄片3絕緣。此時，狹縫34的側(cè)壁34a也具有導(dǎo)電性，因此若導(dǎo)線與側(cè)壁34a接觸，則無法發(fā)揮作為非接觸充電模塊I的功能。因此，在絕緣膜4中，在與第一狹縫33對應(yīng)(相對)的位置上設(shè)置第二狹縫41。另外，在圖5中，絕緣膜4和導(dǎo)線之間具備粘 合膜5，該粘合膜5可雙面粘合，因此能夠固定磁性薄片3和導(dǎo)線。
[0078]本實施方式中，狹縫的寬度Da2為1.34mm,磁性薄片3的厚度Db2為0.46mm,導(dǎo)線的線徑Dc2為0.35mm,狹縫的寬度Da2(l.34mm)為磁性薄片3的厚度Db2 (0.46mm)和導(dǎo)線的線徑Dc2(0.35mm)的2倍以上。這是因為，側(cè)壁34a的厚度就是磁性薄片3的厚度Db2(0.46mm)，在導(dǎo)線的左右兩側(cè)存在側(cè)壁34a，因此絕緣膜4的被壓入到狹縫34內(nèi)的部分需要為兩倍以上。另外，導(dǎo)線必須容納在狹縫34內(nèi)，因此優(yōu)選的是，Da2≥2XDb2≥2XDa2。另外，狹縫的寬度Dal優(yōu)選為導(dǎo)線的線徑Dcl的3倍以上。
[0079]這樣，導(dǎo)線隔著絕緣膜4被容納在第一狹縫34內(nèi)。
[0080]這樣的構(gòu)造特別有用于作為發(fā)送側(cè)的I次側(cè)非接觸充電模塊。也就是說，在I次側(cè)非接觸充電模塊中，在線圈內(nèi)流過的電流的電壓和電流的值大，因此導(dǎo)線應(yīng)采用線徑
0.35mm的粗導(dǎo)線。相對而言，I次側(cè)非接觸充電模塊的殼體自身大，因此，與2次側(cè)非接觸充電模塊相比，最接近平面線圈部2的金屬和平面線圈部2之間的距離較大。因此，與2次側(cè)非接觸充電模塊相比，利用較薄的磁性薄片3。其結(jié)果，與2次側(cè)非接觸充電模塊相比，導(dǎo)線的線徑大、磁性薄片3的厚度薄，因此在磁性薄片3上形成狹縫34的情況較多。相對于形成凹部的情況，在形成狹縫34時，即使將導(dǎo)線壓入到狹縫34內(nèi)，在導(dǎo)線的下方也不存在磁性薄片3的底面(本實施方式的情況下，粘結(jié)了與形成有狹縫41的絕緣膜4不同的絕緣膜4。此外，由于設(shè)置狹縫41，絕緣膜4無需具有伸縮性，因此在本實施方式中設(shè)定為較厚即30 μ m,優(yōu)選設(shè)定為20~50 μ m,以免在形成狹縫時強度下降。此外，絕緣膜4優(yōu)選采用丙烯酸系或硅酮系粘合劑，以及PET、PEN、丙烯酸樹脂或聚酯樹脂的基材。導(dǎo)線的線徑比磁性薄片的厚度小。
[0081]如上所述，具有:將導(dǎo)線纏卷成漩渦狀而成的平面線圈部；隔著絕緣膜與線圈面相對設(shè)置的磁性薄片；以及設(shè)于磁性薄片的、從線圈面的卷繞開始點或卷繞結(jié)束點延伸至磁性薄片端部的第一狹縫，并且，磁性薄片的形成有第一狹縫的部分的至少一部分具有導(dǎo)電性，絕緣膜的與第一狹縫對應(yīng)的位置上設(shè)置第二狹縫，導(dǎo)線隔著絕緣膜被容納在第一狹縫內(nèi)，因此，能夠在可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣的狀態(tài)下，實現(xiàn)薄型化。
[0082]另外，通過使狹縫34的寬度為導(dǎo)線的線徑的2倍以上，絕緣膜可靠地介于導(dǎo)線和磁性薄片之間，因此，能夠可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣，實現(xiàn)薄型化。
[0083]另外，通過使狹縫34的寬度為磁性薄片的厚度的2倍以上，絕緣膜可靠地介于導(dǎo)線和磁性薄片之間，因此，能夠可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣，實現(xiàn)薄型化。
[0084]另外，導(dǎo)線的線徑小于磁性薄片的厚度，且絕緣膜的厚度為20?50 μ m，因此絕緣膜可靠地介于導(dǎo)線和磁性薄片之間，因此，能夠可靠地使導(dǎo)線和磁性薄片絕緣，實現(xiàn)薄型化。
[0085]此外，不限定于將線圈21纏卷成環(huán)狀，有時也纏卷成方形或多邊形。進而，例如內(nèi)偵攬為3層結(jié)構(gòu)，外側(cè)設(shè)為2層結(jié)構(gòu)那樣，通過以重疊多層的方式纏卷內(nèi)側(cè)，并以少于內(nèi)側(cè)所纏卷的層數(shù)纏卷外側(cè)，也能夠獲得本申請的效果。
[0086]下面，說明具備本實用新型的非接觸充電模塊I的非接觸充電設(shè)備。非接觸輸電設(shè)備由充電器和主體設(shè)備構(gòu)成，充電器包括送電用線圈和磁性薄片，主體設(shè)備包括受電用線圈和磁性薄片，主體設(shè)備是移動電話等電子設(shè)備。充電器側(cè)的電路包括整流平滑電路部、電壓轉(zhuǎn)換電路部、振蕩電路部、顯示電路部、控制電路部和上述送電用線圈。另外，主體設(shè)備側(cè)的電路包括上述受電用線圈、整流電路部、控制電路部以及主要由二次電池構(gòu)成的負(fù)荷L0
[0087]利用I次側(cè)充電器的送電用線圈和2次側(cè)主體設(shè)備的受電用線圈之間的電磁感應(yīng)作用，進行從該充電器向主體設(shè)備的輸電。
[0088]本實施方式的非接觸充電設(shè)備具備在上面說明的非接觸充電模塊，因此在充分確保平面線圈部的截面面積而提高輸電效率的狀態(tài)下，能夠使非接觸充電設(shè)備小型化以及薄型化。
[0089]2011年2月I日提交的日本專利申請?zhí)卦?011-019481號、以及2011年2月I日提交的日本專利申請?zhí)卦?011-019482號所包含的說明書、說明書附圖和摘要的公開內(nèi)容全部引用于本申請。
[0090]工業(yè)實用性
[0091]根據(jù)本實用新型的非接觸充電模塊，能夠在充分確保平面線圈部的截面面積的狀態(tài)下，使非接觸充電模塊薄型化，因此作為移動電話、便攜式計算機等移動終端和攝象機等便攜式設(shè)備等各種電子設(shè)備的非接觸充電模塊極其有用。
【權(quán)利要求】
1.非接觸充電模塊，包括 纏卷導(dǎo)線而成的平面線圈部； 隔著絕緣膜載置所述平面線圈部，并且具有導(dǎo)電性的磁性薄片；以及設(shè)于所述磁性薄片，從所述平面線圈部的卷繞開始點延伸至所述磁性薄片的端部的凹部或狹縫， 所述平面線圈部的導(dǎo)線將所述絕緣膜壓入到所述凹部或狹縫內(nèi)且該導(dǎo)線被容納在所述凹部或狹縫內(nèi)， 所述平面線圈部的導(dǎo)線因所述絕緣膜而與所述具有導(dǎo)電性的磁性薄片絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的非接觸充電模塊， 所述凹部或狹縫的寬度為所述導(dǎo)線的線徑的3倍以上。
3.如權(quán)利要求1所述的非接觸充電模塊， 所述導(dǎo)線的線徑小于0.3mm,所述絕緣膜的厚度為5?20mm。
4.如權(quán)利要求1所述的非接觸充電模塊， 在所述絕緣膜的與所述凹部或狹縫相對的部分，開有比所述導(dǎo)線的線徑小的貫穿孔。
5.如權(quán)利要求1所述的非接觸充電模塊， 所述絕緣膜的尺寸伸縮率為0.05%?0.1%。
6.如權(quán)利要求1所述的非接觸充電模塊， 所述絕緣膜在與所述凹部或狹縫對應(yīng)的位置具有裂縫， 所述導(dǎo)線以所述絕緣膜介于所述導(dǎo)線和所述磁性薄片之間的方式被容納在所述凹部或狹縫內(nèi)， 所述平面線圈部的導(dǎo)線因所述絕緣膜而與所述具有導(dǎo)電性的磁性薄片絕緣。
7.如權(quán)利要求6所述的非接觸充電模塊， 所述平面線圈部的導(dǎo)線的線徑小于磁性薄片的厚度，所述磁性薄片的厚度為20?50 μ m0
8.如權(quán)利要求6所述的非接觸充電模塊， 所述凹部或狹縫的寬度為所述導(dǎo)線的線徑的2倍以上。
9.如權(quán)利要求6所述的非接觸充電模塊， 所述凹部或狹縫的寬度為所述磁性薄片的厚度的2倍以上。
10.非接觸充電設(shè)備，具備權(quán)利要求1所述的非接觸充電模塊。
11.電子設(shè)備，具備權(quán)利要求1所述的非接觸充電模塊。
【文檔編號】H02J17/00GK203415393SQ201190000973
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年2月1日
【發(fā)明者】小林直行, 西野德次, 田畑健一郎 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社