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基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路、開關(guān)電源電路及電子設(shè)備的制造方法

文檔序號:8756239閱讀:515來源:國知局
基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路、開關(guān)電源電路及電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于開關(guān)電源領(lǐng)域,尤其涉及一種基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路、DC/DC開關(guān)電源電路及厚膜電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]厚膜混合集成電路,是用絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)等厚膜工藝在同一基片上制作無源網(wǎng)絡(luò),并在其上組裝分立的半導(dǎo)體器件芯片或單片集成電路或微型元件,再外加封裝而成的混合集成電路,與薄膜混合集成電路相比,厚膜混合集成電路的設(shè)計更為靈活、工藝簡便、成本低廉,且因其能耐受較高的電壓、更大的功率和較大的電流,特別適合應(yīng)用于消費類和工業(yè)類電子產(chǎn)品用的模擬開關(guān)電源電路中。
[0003]通常,在基于厚膜混合集成電路工藝的DC/DC開關(guān)電源中,需要具有過流保護(hù)功能,而實現(xiàn)過流保護(hù)的方式很多,較多采用的是通過原邊電流檢測的方式來判斷過流情況,然后控制芯片關(guān)斷MOS管的驅(qū)動而進(jìn)入打嗝保護(hù)的模式。
[0004]目前,對于電流檢測一般采用電阻檢測或電流互感器檢測,但是,在電流檢測電路中使用電流取樣電阻或電流互感器會導(dǎo)致電源產(chǎn)品體積大大增加,不符合目前市場對電子產(chǎn)品愈來愈輕薄的消費理念。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型實施例的目的在于提供一種基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路,旨在解決采用電阻檢測或電流互感器檢測電流實現(xiàn)過流保護(hù)導(dǎo)致厚膜工藝產(chǎn)品體積大的問題。
[0006]本實用新型實施例是這樣實現(xiàn)的,一種基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路,包括:
[0007]處理器、開關(guān)管、電容C7,以及鈀銀導(dǎo)帶;
[0008]所述開關(guān)管的輸入端為所述過流保護(hù)電路的檢測端與所述處理器的檢測端(SWN)連接,所述開關(guān)管的控制端與所述處理器的調(diào)節(jié)輸出端(NDRV)連接,所述開關(guān)管的輸出端與所述鈀銀導(dǎo)帶的一端連接,所述鈀銀導(dǎo)帶的另一端接地,所述處理器的功率輸入端(VP)和電壓輸入端(VIN)同時為所述過流保護(hù)電路的電源端連接電源電壓,所述處理器的電壓輸入端(VIN)還通過所述電容C7接地,所述處理器的電壓輸出端(VOUT)為所述過流保護(hù)電路的輸出端。
[0009]進(jìn)一步地,所述處理器為脈寬調(diào)制器。
[0010]更進(jìn)一步地,所述開關(guān)管為N型MOS管,所述N型MOS管的漏極為所述開關(guān)管的輸入端,所述N型MOS管的源極為所述開關(guān)管的輸出端,所述N型MOS管的柵極為所述開關(guān)管的控制端。
[0011]更進(jìn)一步地,所述鈀銀導(dǎo)帶的方阻和方數(shù)可調(diào)。
[0012]本實用新型實施例的另一目的在于,提供一種基于厚膜工藝的DC/DC開關(guān)電源電路,所述開關(guān)電源電路包括:
[0013]變壓器Tl、整流單元、濾波單元、電容C4,以及上述基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路;
[0014]所述變壓器Tl第一線圈NI的異名端為所述開關(guān)電源電路的輸入端通過所述電容C4接地,所述變壓器Tl第一線圈NI的同名端與所述整流單元的檢測端連接,所述變壓器Tl第二線圈N2的同名端與所述整流單元的輸入端連接,所述變壓器Tl第二線圈N2的異名端接地,所述整流單元的輸出端與所述濾波單元的輸入端連接,所述濾波單元的輸出端為所述開關(guān)電源電路的輸出端;
[0015]所述基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路的檢測端與所述變壓器Tl第一線圈NI的同名端連接,所述基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路的電源端與所述變壓器Tl第一線圈NI的異名端連接,所述基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路的輸出端與所述整流單元的輸出端連接。
[0016]進(jìn)一步地,所述整流單元包括:
[0017]電容Cl和二極管Dl ;
[0018]所述電容Cl的一端為所述整流單元的輸入端與所述二極管Dl的陽極連接,所述電容Cl的另一端為所述整流單元的檢測端,所述二極管Dl的陰極為所述整流單元的輸出端。
[0019]更進(jìn)一步地,所述濾波單元包括:
[0020]電容C2和電容C3;
[0021]所述電容C2的一端同時為所述濾波單元的輸入端和輸出端,與所述電容C3的一端連接,所述電容C2的另一端與所述電容C3的另一端同時接地。
[0022]本實用新型實施例的另一目的在于,提供一種采用上述基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路的厚膜電子設(shè)備。
[0023]本實用新型實施例通過開關(guān)管內(nèi)阻和鈀銀導(dǎo)帶檢測負(fù)載電流,在不額外增加電流檢測電阻的情況下,通過改變鈀銀導(dǎo)帶的方數(shù)來調(diào)節(jié)電路的阻抗,從而精確調(diào)節(jié)過流點,實現(xiàn)過流保護(hù)的功能,同時降低了電路體積,符合市場需求。
【附圖說明】
[0024]圖1為本實用新型實施例提供的基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路以及基于厚膜工藝的DC/DC開關(guān)電源電路的結(jié)構(gòu)圖;
[0025]圖2為本實用新型實施例提供的基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路以及基于厚膜工藝的DC/DC開關(guān)電源電路的不例電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0026]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。此外,下面所描述的本實用新型各個實施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0027]本實用新型實施例通過開關(guān)管內(nèi)阻和鈀銀導(dǎo)帶檢測負(fù)載電流,在不額外增加電流檢測電阻的情況下,通過改變鈀銀導(dǎo)帶的方數(shù)來調(diào)節(jié)電路的阻抗,從而精確調(diào)節(jié)過流點,實現(xiàn)過流保護(hù)的功能,同時降低了電路體積,符合市場需求。
[0028]以下結(jié)合具體實施例對本實用新型的實現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述:
[0029]圖1示出了本實用新型實施例提供的基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路以及基于厚膜工藝的DC/DC開關(guān)電源電路的結(jié)構(gòu),為了便于說明,僅示出了與本實用新型相關(guān)的部分。
[0030]作為本實用新型一實施例,該基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路可以應(yīng)用于任何厚膜工藝的DC/DC開關(guān)電源電路以及具有過流保護(hù)功能的厚膜電子設(shè)備中,特別是厚膜開關(guān)電源中。
[0031]該基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路I包括:
[0032]處理器11、開關(guān)管12、電容C7,以及鈀銀導(dǎo)帶13 ;
[0033]開關(guān)管12的輸入端為過流保護(hù)電路I的檢測端與處理器11的檢測端(SWN)連接,開關(guān)管12的控制端與處理器11的調(diào)節(jié)輸出端(NDRV)連接,開關(guān)管12的輸出端與鈀銀導(dǎo)帶13的一端連接,鈀銀導(dǎo)帶13的另一端接地,處理器11的功率輸入端(VP)和電壓輸入端(VIN)同時為過流保護(hù)電路I的電源端連接電源電壓,處理器11的電壓輸入端(VIN)還通過電容C7接地,處理器11的電壓輸出端(VOUT)為過流保護(hù)電路I的輸出端。
[0034]在本實用新型實施例中,在開關(guān)管12導(dǎo)通時,原邊電流線性上升,處理器11的檢測端(SWN)檢測該檢測點的電壓。由于負(fù)載電流的增大會使處理器11提供的驅(qū)動電壓的占空比也相應(yīng)增大,占空比的增大又會使開關(guān)管的導(dǎo)通時間變長,原邊電流上升到更大的峰值電流Ip,所以可以通過控制原邊峰值電流Ip的大小來控制負(fù)載電流的最大值,也就是過流點。
[0035]那么,在檢測到的電流(電壓)過大時,通過處理器11調(diào)節(jié)開關(guān)管12的導(dǎo)通時間(即輸出信號占空比),從而調(diào)節(jié)負(fù)載電流處于預(yù)設(shè)范圍內(nèi),從而實現(xiàn)過流保護(hù)。
[0036]在檢測電流的過程中,開關(guān)管12的導(dǎo)通內(nèi)阻和鈀銀導(dǎo)帶13組成電流檢測電阻的作用。并且,鈀銀導(dǎo)帶13的方阻可調(diào),處理單元11的檢測端SWN電壓閾值為固定的0.5V,還可以通過調(diào)節(jié)鈀銀導(dǎo)帶13的方數(shù)調(diào)節(jié)電路的過流點。
[0037]作為本實用新型一實施例,該鈀銀導(dǎo)帶為矩形或類矩形的具有一定厚度的以鈀為基添加銀的二元合金導(dǎo)體,其電阻特性為在厚度為0.6-0.7um之間的導(dǎo)體電阻為40mΩ/方,因此通過調(diào)節(jié)鈀銀導(dǎo)帶的方數(shù)實現(xiàn)鈀銀導(dǎo)帶的阻值的調(diào)節(jié)。
[0038]本實用新型實施例通過開關(guān)管內(nèi)阻和鈀銀導(dǎo)帶檢測負(fù)載電流,在不額外增加電流檢測電阻的情況下,通過改變鈀銀導(dǎo)帶的方數(shù)來調(diào)節(jié)電路的阻抗,從而精確調(diào)節(jié)過流點,實現(xiàn)過流保護(hù)的功能,同時降低了電路體積,符合市場需求。
[0039]本實用新型實施例的另一目的在于,提供一種基于厚膜工藝的DC/DC開關(guān)電源電路2,包括:
[0040]變壓器Tl、整流單元21、濾波單元22、電容C4,以及上述實施例中的基于厚膜工藝的過流保護(hù)電路I ;
[0041]變壓器Tl第一線圈NI的異名端為基于厚膜工藝的DC/DC開關(guān)電源電路2的輸入端通過電容C4接地,變壓器Tl第一線圈NI的同名端與整流單元21的檢測端連接,變壓器Tl第二線圈N2的同名端與整流單元21的輸入端連接,變壓器Tl第
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