專利名稱：Lamb wave resonator的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諧振器領(lǐng)域，以及由蘭姆波諧振器得來的濾波器的領(lǐng)域。這些濾波器 用于例如RF (射頻)傳輸和/或接收結(jié)構(gòu)(如移動通訊設(shè)備)，以便執(zhí)行例如信道濾波或中 頻濾波。
背景技術(shù)：
為了進(jìn)行射頻過濾，已知的是使用SAW(聲表面波)濾波器，其由耦合的SAW諧振 器制作。通常，對于此類尺寸約等于3mmX3mmX Imm的濾波器，插入耗損可以在2. 5到3dB 之間，衰減約等于30dB。但是，這些濾波器也有其局限性最大諧振頻率一般約等于3GHz， 最大功率消耗約等于1W。運(yùn)行該范圍之外時(shí)，SAW器件具有明顯的傳播損失?，F(xiàn)有的技術(shù)也已知的是，由電耦合(例如，梯形或格形結(jié)構(gòu))或聲耦合(稱作“層 疊晶體濾波器”的SCF型，或稱作“耦合諧振濾波器”的CRF型)的BAW壓電諧振器來實(shí)現(xiàn) 濾波器，稱作BAW(聲體波)濾波器。在這樣濾波器中，要過濾的信號在層疊的諧振層里，直 接地或以聲傳播介質(zhì)的方式，垂直地一層一層地傳播。由這些BAW濾波器能夠得來的尺寸 和插入耗損與SAW濾波器相當(dāng)。然而，這些BAW濾波器的功率消耗可以達(dá)到約3W，且最大諧 振頻率可以高于大約16GHz。最后，這些濾波器的制造與CMOS和BiCMOS技術(shù)兼容。圖1示出了 BAW諧振器1的例子，它包括基于壓電材料的層2，下電極4和上電極 6。在與平面(χ，ζ)(沿圖1所示的χ和ζ軸)平行的平面上，下電極4和壓電層2 二者的 尺寸基本相同，且由此下電極4完全被壓電層2覆蓋。相反地，上電極6的形狀和尺寸與下 電極4不同。在圖1的例子中，上電極6沿χ軸的尺寸比下電極4小。下電極4和上電極 6之間的尺寸差異在壓電層2上形成兩個區(qū)域第一活躍區(qū)域8，在這里壓電層2被包含在 兩個電極4和6之間；第二不活躍區(qū)域10，在這里壓電層2被放置在下電極4之上，而沒有 被上電極6覆蓋。波在活躍區(qū)域8中的傳播速度與在不活躍區(qū)域10中不同。這種傳播速 度的差異造成了由于橫波(稱作蘭姆波Lamb Waves)垂直于縱波傳播而產(chǎn)生的寄生諧振。 蘭姆波的能量與活躍區(qū)域8和不活躍區(qū)域10之間的聲體波傳播系數(shù)(沿y軸的傳播)的 差值成正比。US 2006/0076852A1文件公開了采用聲體波的電聲組件。在這份文件中，電極被周 期性地放置在壓電層上，以把聲體波引導(dǎo)到該組件中。該層的壓電系數(shù)的值在電極處和電 極沒有覆蓋的部分處是不同的。關(guān)于壓電層中傳播系數(shù)的這一差異很難得到，需要有特殊 的對壓電層的處理步驟。IEEE Ultrasonics Symposium, 2005, A. Volatier et al.白勺文 #"UHF/ VHFresonator using Lamb waves co-integrated with Bulk Acoustic Wave resonators" 的第902到905頁，公開了包括正方形或長方形電極的蘭姆波諧振器。在文件中，根據(jù)所需 的諧振頻率選擇諧振模式的階數(shù)。特別地，這些諧振器具有品質(zhì)因數(shù)相對低和串聯(lián)電阻高 的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提出蘭姆波諧振器，它的形狀使它可以最好地利用蘭姆波的 諧振能量，同時(shí)和現(xiàn)有技術(shù)的諧振器相比，其品質(zhì)因數(shù)高且串聯(lián)電阻低，并且其制造不要求 特殊的對壓電層的處理步驟。為此，本發(fā)明提出了蘭姆波諧振器，其包括至少一個基于至少一種壓電材料的層 和放置在壓電層的第一面的第一電極，而其在與壓電層的第一面的平面平行的平面上的圖 案包括至少兩個手指和一個接觸臂，其中每一個手指都包括了與所述臂接觸的第一邊和另 外兩個相互平行且彼此間隔距離W的邊，W根據(jù)下述公式計(jì)算VBlateral 蘭姆波的聲傳播速度，η 蘭姆波諧振模式的階數(shù)，f 諧振器的諧振頻率，在壓電層第一面的平面上，壓電層的一些部分的表面位于第一電極的手指之間， 被至少部分地蝕刻。因此，形成諧振器的上電極的一部分的各手指的寬度是根據(jù)所需的諧振頻率、所 需諧振模式的階數(shù)和諧振器中測量以及計(jì)算所得的聲傳播速度來確定大小的。于是，利用包括寬度W按此計(jì)算的手指的此類諧振器，在所述諧振器中產(chǎn)生的蘭 姆波的諧振能量得到了最好的使用。此外，由此相對于現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備，增大了品質(zhì)因數(shù)， 降低了諧振器串聯(lián)電阻。特別地，這樣一個高品質(zhì)因數(shù)的諧振器可以制造-具有非常低的相位噪聲和低消耗的電壓控制振蕩器，-具有低插入耗損和高選擇性的中頻濾波器(大約在IOMHz至200MHz之間)，-具有非常高的抑制和非常低的消耗的帶通sigma-delta調(diào)制器。一般來說，在中頻帶中，這些優(yōu)勢在任何類型的使用了至少一個這種諧振器的設(shè) 備中都可以得到體現(xiàn)。此外，通過對位于第一電極的手指之間的壓電層的部分的至少部分蝕刻，降低了 位于第一電極的手指之間的諧振器的不活躍區(qū)域處的壓電材料的密度。在位于第一電極的 手指處的壓電層活躍區(qū)域和位于第一電極的手指間的壓電層不活躍區(qū)域之間，這些被蝕刻 的部分建立了聲傳播條件的間斷。該間斷改變了壓電層中的聲傳輸參數(shù)，由此人們可以把 聲諧振能量限制在諧振器的活躍區(qū)域中。因此，沒有必要實(shí)現(xiàn)對壓電層的特殊的處理步驟，而只需要一個或多個可通用于 蝕刻諧振器的其它元件的蝕刻步驟?？梢愿鶕?jù)包括多個孔的圖案在壓電層的第一面的平面上對壓電層的所述部分進(jìn) 行蝕刻?；蛘撸梢酝耆g刻壓電層的所述部分?？梢栽趬弘妼拥牡谝幻婧团c之相對的第二面之間對所述部分進(jìn)行穿透蝕刻。諧振器還可以包括放置在與壓電層的第一面相對的第二面上的第二電極。在平行于壓電層的第一面平面的平面上，第一電極的手指的表面可以包括在由所 W = η.述同一平面上的第二電極形成的表面中。在平行于壓電層的第一面平面的平面上的第二電極可以包括至少包括兩個手指 和一個接觸臂的圖案，其中，在平行于壓電層的第一面平面的平面上的第二電極的手指的 表面和由所述同一平面上的第一電極的手指形成的表面可以相似和疊加。在平行于壓電層的第一面平面的平面上的第二電極的圖案可以與第一電極的圖 案相似。在平行于壓電層的第一面的平面上的第二電極的接觸臂的表面可以不和在所述同 一平面上的第一電極的接觸臂的表面相疊加。第一電極的每個手指可以基本上是長方形。第一電極可以包括大約2到100個手指，并且最好至少4個手指。第一電極的接觸臂可以基本上是長方形。與第一電極的每個手指的相隔距離為W的兩邊平行的直線可以基本上垂直于穿 過第一電極的接觸臂的一個邊的直線，該接觸臂和所述手指連接。第一電極的手指可以連 接到第一電極的接觸臂一個邊，或相對的兩邊，或三個邊。或者，第一電極的接觸臂可以包括至少一個基本上為圓形的部分，各個手指連接 在該部分上。本發(fā)明還涉及一種制造蘭姆波諧振器的方法，包括至少一個制作在基于至少一種 壓電材料的層的第一面上的第一電極的步驟，在和壓電層的第一面平行的平面上，其圖案 包括至少兩個手指和一個接觸臂，其中每一個手指都包括一個與所述臂接觸的第一邊，和 互相平行且相隔距離為W的兩個邊，W由以下公式計(jì)算
jxr 一 M ^^lateral . ·..W = η. f，其中 n e NValateral 蘭姆波的聲傳播速度，η 蘭姆波諧振模式的階數(shù)，f 諧振器的諧振頻率，以及至少一個對壓電層的一個部分進(jìn)行至少部分蝕刻的步驟，在壓電層的第一面 的平面上，該部分的表面位于第一電極的手指之間。該方法還可以包括，例如，在制作第一電極的步驟之后的制作在壓電層的和第一 面相對的第二面上的第二電極的步驟。


通過參照附圖閱讀下面對僅作為指示性而非限定性目的而提供的示例性實(shí)施例 的描述，可以更好地理解本發(fā)明，其中-圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的BAW諧振器；-圖2A和2B根據(jù)第一實(shí)施例分別示出了本發(fā)明的蘭姆波諧振器的頂視圖和截面 圖；-圖3至圖6根據(jù)第二、第三、第四和第五實(shí)施例分別示出了本發(fā)明的蘭姆波諧振 器的頂視圖；-圖7A和7B根據(jù)第六實(shí)施例分別示出了本發(fā)明的蘭姆波諧振器的頂視圖和截面 -圖8A和8B根據(jù)第一實(shí)施例的變型分別示出了本發(fā)明的蘭姆波諧振器的頂視圖 和截面圖。為了不同的圖之間的一致性目的，下面描述的相同、類似或相對應(yīng)的部分具有相 同的數(shù)字編號。各圖中示出的不同的部分不一定以相同比例展示，以方便閱圖。各種可能性(變型和實(shí)施例)必須被理解為不互相排斥的且可以互相結(jié)合的。
具體實(shí)施例方式首先參看圖2A和2B，根據(jù)第一實(shí)施例，它們分別示出了蘭姆波諧振器100的頂視 圖和沿圖2A所示AA軸的橫斷面圖。該蘭姆波諧振器100包括基于壓電材料的層102。優(yōu)選地，壓電材料是氮化鋁和/ 或氧化鋅和/或PZT。該壓電層102的厚度的取值取決于實(shí)施例，以及諧振器100的其它元 件的形狀和尺寸(它們本身取決于需要的諧振器的耦合系數(shù)k)。具體來說，壓電層102的 厚度可以在1微米至2微米之間。該壓電層102被放置在圖2B示出的下電極104上。在 此情況下，在與(X，ζ)面平行的平面上的壓電層102的形狀和尺寸基本上和同一平面上的 下電極104相似。該蘭姆波諧振器100還包括另一個電極，稱為上電極106，其制作在壓電層102上。 上電極106包括多個連接到接觸臂110的手指108。在第一實(shí)施例中，上電極106包括5 個手指108。接觸臂110和下電極104被用作諧振器100的電接觸。上電極106，即接觸臂 110和手指108的厚度大約在例如0. 1和1微米之間。在此情況下，接觸臂110的長度(沿 圖2Α中χ軸的尺寸)和寬度(沿圖2Α中ζ軸的尺寸)大約在1到300微米之間。寬度大 于長度的接觸臂110使增大諧振器100的品質(zhì)因數(shù)并同時(shí)降低接觸臂110的電阻從而降低 諧振器100的串聯(lián)電阻成為可能。在此第一實(shí)施例中，適配壓電層102以及下電極104的 長度和寬度，以使得在(x，z)面中，上電極106的表面被包括在同一平面上的下電極104或 者壓電層102的表面中。電極104和106可以由比如鉬和/或鋁和/或鉬和/或鎢進(jìn)行傳統(tǒng)的PVD (物理 氣相沉積)制作，然后進(jìn)行等離子蝕刻。手指108形成壓電層102上的電極106的間斷區(qū)112，手指108將這些間斷區(qū)112 隔開。在第一實(shí)施例中，每個手指108是一個寬度為W(即沿χ軸的尺寸)的長方形，W是 由下面公式計(jì)算的妒=其中neN因此，尺寸W代表壓電層102上的上電極106的兩個間斷區(qū)112之間的距離?！皏alateMl”代表蘭姆波的聲傳播速度。該速度與層102的材料的幾何參數(shù)和諧振 參數(shù)以及電極104、106和更概括的諧振器100的聲特性成正比?！唉恰贝砩想姌O106上的被手指隔開的兩個間斷區(qū)112之間的聲距離，即諧振器 100中蘭姆波的諧振模式的階數(shù)。最后，f是諧振器100的諧振頻率。諧振頻率f的最大值取決于手指108的可能 的最小寬度，其對應(yīng)于制作諧振器100的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的值。如果諧振器100由35納米技術(shù)制
7造，則該最小寬度等于35納米，而對于諧振器來說則對應(yīng)于最大諧振頻率f等于幾百兆赫 茲，即大約低于IGHz。因此，通過基于層102的諧振特性、層102和電極104、106的形狀而計(jì)算蘭姆波的 聲傳播速度Valateral來確定指狀件108的尺寸。根據(jù)期望的傳播模式和諧振頻率，可以計(jì)算 出W并由此得出上電極106的手指108的尺寸。例如，手指108的寬度等于1微米，或大約 介于1至100微米之間；手指108的長度大約介于10至50微米之間。并且，手指108之間 的間隔大約介于1至10微米之間。最后，在第一實(shí)施例中，手指108與接觸臂110組成篦 紋。手指108形成垂直于接觸臂110排列的長方形，而接觸臂110也基本是長方形，S卩，與 手指108的相隔距離為W的兩邊平行的直線垂直于穿過連接手指108的接觸臂110的邊的 直線。壓電層102上的位于上電極的一個手指108和下電極104之間的部分組成了諧振 器100的活躍區(qū)域。在這些活躍區(qū)域之間，即間斷區(qū)112處，對壓電層102的部分進(jìn)行蝕刻 而穿透層102。如圖2A所示，該蝕刻在壓電層102上在手指108之間形成凹形114。這些 凹形114形成了諧振器100的不活躍區(qū)域。在所述諧振器100中，S0模式的對稱蘭姆波對獲得期望的諧振起主要作用。蘭姆 波的能量與這些波在壓電層102的活躍區(qū)(即壓電層102的位于上電極106的一個手指 108和下電極104之間的區(qū)域)的傳播速度和在壓電層102的非活躍區(qū)(即在壓電層102 的手指108之間形成的凹形114)的傳播速度之間的差成正比。選擇的η越低(例如，對于 基模η = 1)在手指108上得到的諧振能量越高。在壓電層102上形成的凹形114使得在諧振器的活躍區(qū)域和不活躍區(qū)域獲得非常 不同的傳播條件(特別是聲阻抗和聲傳播速度)成為可能。因此，在不活躍區(qū)域的聲傳播 系數(shù)低于在活躍區(qū)域的聲傳播系數(shù)，這樣可以把傳播能量限制在諧振器的活躍區(qū)域處。如上所述，通過將兩個諧振器100聲耦合就可以獲得諧振濾波器，使得在寄生諧 振頻率fk = k. f處獲得高諧振成為可能，其中k是非零整自然數(shù)，f是濾波器100的諧振頻 率。圖3根據(jù)第二實(shí)施例示出了蘭姆波諧振器200。相對于根據(jù)第一實(shí)施例中諧振器 100的上電極106，諧振器200的上電極206包含8個手指108，能夠例如在形狀上與圖2A 和2B中的手指108基本相似。其中四個手指108連接到接觸臂110的第一邊，該接觸臂 110也和第一實(shí)施例中的接觸臂110相似，另外四個手指108連接到接觸臂110的與第一邊 相對的第二邊。手指108形成垂直于接觸臂110排列的長方形，即，與手指108的相隔距離 為W的兩邊平行的直線垂直于穿過連接手指108的接觸臂110的邊的直線。圖4根據(jù)第三實(shí)施例示出了蘭姆波諧振器300。相比前面的諧振器，諧振器300的 上電極306包括9個手指108，每個手指的形狀都可以和第一和第二實(shí)施例中的手指108基 本形似。其中三個手指108連接到接觸臂310的第一邊。相比最初的兩個實(shí)施例的接觸臂 110，在平面(x，z)上該接觸臂310的尺寸在大約1到400微米之間。另外三個手指108連 接到接觸臂310的與第一邊相對的第二邊。最后，還有另外三個手指108連接到接觸臂310 的第三邊，第三邊與接觸臂310的第一邊和第二邊垂直。圖5根據(jù)第四實(shí)施例示出了蘭姆波諧振器400。相比前面的諧振器，諧振器400的 上電極406包括接觸臂110，例如其與最初的兩個實(shí)施例的接觸臂110相似。上電極406還包括與臂110接觸的10個手指。相比前面的實(shí)施例中的手指108，手指408的形狀不是長 方形。但是，和手指108 —樣，手指408包括兩個相隔距離為W的平行邊，W的計(jì)算方式與前 面的實(shí)施例相似。這兩個邊與臂110的一個邊接觸。在第四實(shí)施例中，與所述兩個邊平行 的直線不垂直于穿過與手指408連接的臂110的邊的直線。在此情況下，每個手指408包 括一個圓形自由端。最后，在圖5中可見，手指408相對于接觸臂110以“魚骨形”圖案排 列。相對于第一實(shí)施例，諧振器200、300和400針對同一個活躍平面(即上電極206、 306和406的手指108所覆蓋的表面)可以具有比諧振器100的上電極106的手指108更 短的手指長度，由此減小了它們的接入電阻，因而減小了諧振器的串聯(lián)電阻。此外，手指108 長度的減少使得減少諧振器工作的電感效應(yīng)成為可能。圖6根據(jù)第五實(shí)施例示出了蘭姆波諧振器500。相比上述諧振器，諧振器500包括 上電極506，其接觸臂510包括基本上呈長方形的部分512，其連接到一個基本上呈圓形的 部分514。上電極506還包括13個手指108，例如與第一、第二和第三實(shí)施例中的手指108 相似。這13個手指108連接到臂510的圓形部分514，并在所述圓形部分周圍均勻分布。在所述圖6中可以看出，手指108互相之間不是平行排列，即，第一手指108的相 隔距離為W的兩個邊不平行于與第一手指108相鄰的第二手指108的相隔距離為W的兩個 邊。在圖6的例子中，手指108的對稱軸平行于相隔距離為W的兩個邊，且在此情況下，與 上電極506的圓形部分514形成的圓的直徑對齊。相對于根據(jù)第一實(shí)施例的諧振器100，該諧振器500還可以減小第一電極506的手 指108的接入電阻，因?yàn)樗鼈兊拈L度比第一實(shí)施例中的諧振器100的手指108短。此外，在 此情況下，所有的手指108的接入電阻都相同。該第五實(shí)施例還可以使在壓電層102上所 占據(jù)的同樣面積上的手指108的數(shù)量最大化。最后，該結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢是不產(chǎn)生電感效應(yīng)，特別 是當(dāng)諧振器500在高頻工作時(shí)，即在幾百兆赫茲時(shí)。作為對上述各個實(shí)施例的變型，在壓電層的不活躍區(qū)域(即位于上電極的手指之 間的、沒有被上電極的手指覆蓋的壓電層的區(qū)域)中實(shí)現(xiàn)不穿透的蝕刻。圖7A及7B分別示出了諧振器600的頂視圖和沿圖7A所示的AA軸的截面圖，該 諧振器600包括不活躍蝕刻區(qū)域602。該蝕刻可以去除壓電材料，從而減少在不活躍區(qū)602 處的材料的平均相對密度。材料的平均相對密度的減少改變了傳播條件，尤其是聲阻抗和 傳播速度，造成這些不活躍區(qū)域的傳播系數(shù)顯著降低。這樣，通過增加活躍區(qū)域和不活躍區(qū) 域之間的傳播系數(shù)差異而增加了集中在蘭姆波中的聲能量。在平面(χ，ζ)中，可以對如圖7Α和7Β所示例子中的手指108之間的不活躍區(qū)域 的整個表面進(jìn)行蝕刻，或者只對這些不活躍區(qū)域的一部分(例如通過制造溝道或通孔)進(jìn) 行蝕刻。作為對上述各實(shí)施例的變型，下電極也可以在形狀和尺寸上與在圖2Α所示的壓 電層102(平面(χ，ζ)中)中不同。在此情況下，尤其是下電極的圖案可以與上電極的相似， 根據(jù)實(shí)施例這些下電極分別是106、206、306、406或506，并排列為使得壓電層的活躍區(qū)域 僅位于上電極的手指和下電極的手指之間，且壓電層的其他部分只和兩個電極之一連接。圖8Α及8Β分別示出了此種變型的諧振器700的頂視圖和沿圖8Α所示AA軸的截 面圖。在圖8Α中，下電極104的接觸臂105由虛線示出。下電極104的手指103如圖8Β
9所示。在這些圖中，上電極106的手指108疊放在下電極104的手指上。這種變型尤其可以減小上、下電極的接觸臂的長度(沿圖8B的χ軸的尺寸)并增 加這些接觸臂的寬度(沿圖8A的ζ軸的尺寸)，從而，在如圖2A、2B描述的包括下電極104 的諧振器的相同諧振頻率上，降低了諧振器的各個手指的接入電阻，進(jìn)而降低了諧振器的 串聯(lián)電阻。此外，在該變型實(shí)施例中，按照包括多個孔116的圖案對壓電層102的不活躍區(qū)域 進(jìn)行蝕刻。這些孔116使得可以減小層112的壓電材料的平均密度，因而改變了壓電層102 的活躍區(qū)和不活躍區(qū)之間的傳播條件。在平面(x，y)上，孔的直徑d在例如大約在10到50 微米之間，這樣d<< Xa，或者如d< (XalO)，其中λ a 蘭姆波的橫向聲波長。
10
權(quán)利要求
蘭姆波諧振器(100、200、300、400、500、600、700)包括基于至少一種壓電材料的至少一個層(102)和靠著該壓電層(102)的第一面放置的第一電極(106、206、306、406、506)；所述第一電極在與所述壓電層(102)的第一面所在平面平行的平面上的圖案包括至少兩個手指(108、408)和接觸臂(110、310、510)，其中每個手指(108、408)包括與所述臂(110、310、510)接觸的第一邊和相互平行且相隔距離W的另外兩邊，W按下面公式計(jì)算 <mrow><mi>W</mi><mo>=</mo><mi>n</mi><mo>&CenterDot;</mo><mfrac> <msub><mi>va</mi><mi>lateral</mi> </msub> <mi>f</mi></mfrac><mo>,</mo> </mrow>其中n∈Nvalateral蘭姆波的聲傳播速度，n蘭姆波諧振模式的階數(shù)，f諧振器的諧振頻率；以及所述壓電層(102)的一些部分(114、116、602)是經(jīng)過至少部分蝕刻的，其表面與所述壓電層(102)的第一面所在平面處于同一水平并位于所述第一電極(106、206、306、406、506)的手指(108、408)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的諧振器(700)，其中，根據(jù)包括多個孔的圖案，在所述壓電層 (102)的第一面所在平面上，對所述壓電層(102)的所述部分(116)進(jìn)行蝕刻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的諧振器(100、200、300、400、500)，其中，對所述壓電層(102) 的所述部分(114)進(jìn)行完全蝕刻。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的諧振器(100、200、300、400、500、700)，其中，在所述 壓電層(102)的第一面和所述壓電層(102)的第一面反面的第二面之間，對所述部分(114、 116)進(jìn)行穿透蝕刻。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的諧振器(100、200、300、400、500、600、700)，還包括 靠著所述壓電層(102)的第一面反面的第二面放置的第二電極(104)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的諧振器(100、200、300、400、500、600、700)，其中，與所述壓電 層(102)的第一面所在平面平行的平面上的所述第一電極(106、206、306、406、506)的手指 (108,408)的表面被包含在同一所述平面上的所述第二電極(104)形成的表面之內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的諧振器(700)，其中，所述第二電極(104)在與所述壓電層 (102)的第一面所在平面平行的平面上包括圖案，該圖案包括至少兩個手指(103)和接觸 臂(105)，其中與所述壓電層(102)的第一面所在平面平行的平面上的所述第二電極(104) 的手指(103)的表面與同一所述平面上的所述第一電極(106)的手指(108)形成的表面相 似且疊置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的諧振器(700)，其中，與所述壓電層(104)的第一面所在平 面平行的平面上的所述第二電極(104)的圖案與同一所述平面上的所述第一電極(106)的 圖案相似；與所述壓電層(102)的第一面所在平面平行的平面上的所述第二電極(104)的 接觸臂(105)的表面與同一所述平面上的所述第一電極(106)的接觸臂(110)的表面不疊置。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的諧振器(100、200、300、500、600、700)，其中，所述第 一電極(106、206、306、506)的每個手指(108)基本上都是長方形。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的諧振器(100、200、300、400、500、600、700)，其中，所 述第一電極(106、206、306、406、506)的手指(108,408)的數(shù)目大約在2到100之間。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的諧振器(100、200、300、400、600、700)，其中，所述第 一電極(106、206、306、406)的接觸臂(110,310)基本上都是長方形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的諧振器(100、200、300、600、700)，其中，與所述第一電極 (106,206,306)的相隔距離W的每個手指(108)的兩條邊平行的直線基本上垂直于穿過所 述第一電極(106,206,306)的與手指(108)連接的接觸臂(110,310)的邊的直線。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的諧振器(100、600、700)，其中，所述第一電極(106) 的手指(108)連接到所述第一電極(106)的接觸臂(110)的一條邊、或兩條相對的邊、或三 條邊。
14.根據(jù)權(quán)利要求1到10中之一所述的諧振器(500)，其中，所述第一電極(506)的接 觸臂(510)包括至少一個基本上是圓形的部分(514)，所述手指(108)與之連接。
15.制作蘭姆波諧振器(100、200、300、400、500、600、700)的方法，包括至少一個制作 靠在基于至少一種壓電材料的層(102)的第一面上的第一電極(106，206，306，406，506)的 步驟，所述第一電極在與所述壓電層(102)的第一面所在平面平行的平面上的圖案包括: 至少兩個手指(108、408)和接觸臂(110、310、510)，其中每個手指(108、408)包括與所述臂 (110,310,510)接觸的第一邊和相互平行且相隔距離W的兩邊，W根據(jù)以下公式計(jì)算『= ·]^，其中neNValateral 蘭姆波的聲傳播速度，η 蘭姆波諧振模式的階數(shù)，f 諧振器的諧振頻率；以及至少一個對所述壓電層(102)的一些部分(114、116、602)進(jìn)行至少部分蝕刻的步 驟，所述部分的表面與所述壓電層(102)的第一面所在平面處于同一水平并位于所述第一 電極(106、206、306、406、506)的手指(108,408)之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括制作靠在所述壓電層(102)的第一面反面 的第二面上的第二電極(104)的步驟。
全文摘要
文檔編號H03H9/02GK101953072SQ200880112609
公開日2011年1月19日 申請日期2008年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月22日
發(fā)明者Cathelin Andreia, Shirakawa Alexandre Augusto, Belot Didier, Kerherve Eric, Pham Jean-Marie, Jary Pierre 申請人:St Microelectronics Sa