跨阻前置放大器電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種跨阻前置放大器電路，用于解決現(xiàn)有前置放大器電路輸出電壓擺幅小的技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)方案是包括RGC跨阻放大器、增益調(diào)節(jié)電路、積分器和NMOS晶體管MN9。RGC跨阻放大器的輸出電流通過(guò)二極管連接的PMOS晶體管MP5轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)，PMOS晶體管MP5與增益調(diào)節(jié)電路中的PMOS管MP61～MP66構(gòu)成電流鏡調(diào)節(jié)流入積分器的偏置電流。所述NMOS晶體管MN9與NMOS晶體管MN4構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，設(shè)定NMOS晶體管MN9和NMOS晶體管MN4的寬長(zhǎng)比，使增益調(diào)節(jié)電路輸出電流中直流偏置電流減小，輸出電流再經(jīng)過(guò)NMOS晶體管MN8和NMOS晶體管MN7構(gòu)成的電流鏡放大使得偏置電流滿足積分器輸出電壓偏置的要求，小信號(hào)被再次放大，增大了輸出電壓擺幅。
【專利說(shuō)明】跨阻前置放大器電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種前置放大器電路，特別是涉及一種跨阻前置放大器電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體輻射探測(cè)器系統(tǒng)中，電流模式的前端讀出電路被普遍采用。
[0003]參照?qǐng)D1。文獻(xiàn)“高武.正電子發(fā)射斷層成像系統(tǒng)前端讀出芯片設(shè)計(jì)技術(shù)研究，西安:西北工業(yè)大學(xué)博士論文，2011”公開了一種前置放大器，該電路由RGC跨阻放大器、增益調(diào)節(jié)電路以及積分器構(gòu)成。RGC跨阻放大器的輸出電流通過(guò)二極管連接的PMOS晶體管MP5轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)，PMOS晶體管MP5與增益調(diào)節(jié)電路中的PMOS管MP61-MP66構(gòu)成電流鏡來(lái)調(diào)節(jié)流入積分器的偏置電流。為了保證NMOS晶體管MN7不工作在線性區(qū)，實(shí)現(xiàn)電流鏡的精確電流復(fù)制功能，積分器允許流過(guò)的偏置電流較小。為了讀出探測(cè)器的微弱小信號(hào)，要求RGC跨阻放大器具備高帶寬和低輸入阻抗，要求其偏置電流較大。由于電流鏡處理信號(hào)時(shí)，放大小信號(hào)電流的同時(shí)也同比例放大偏置電流，經(jīng)過(guò)積分器后電壓擺幅很小，不利于后續(xù)的數(shù)字化處理。
[0004]文獻(xiàn)所公開中的RGC跨阻放大器增益為:
【權(quán)利要求】
1.一種跨阻前置放大器電路，包括RGC跨阻放大器、增益調(diào)節(jié)電路和積分器；RGC跨阻放大器的輸出電流通過(guò)二極管連接的PMOS晶體管MP5轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)，PMOS晶體管MP5與增益調(diào)節(jié)電路中的PMOS管MP61?MP66構(gòu)成電流鏡來(lái)調(diào)節(jié)流入積分器的偏置電流，其特征在于還包括NMOS晶體管MN9 ;所述NMOS晶體管MN9與NMOS晶體管MN4構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，設(shè)定NMOS晶體管MN9和NMOS晶體管MN4的寬長(zhǎng)比，使增益調(diào)節(jié)電路輸出電流中直流偏置電流減小，輸出電流再經(jīng)過(guò)NMOS晶體管MN8和NMOS晶體管MN7構(gòu)成的電流鏡放大使得偏置電流滿足積分器輸出電壓偏置的要求，小信號(hào)被再次放大。
【文檔編號(hào)】H03F3/08GK103441737SQ201310376790
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
【發(fā)明者】高武, 唐攀, 胡永才, 高德遠(yuǎn), 魏廷存, 鄭然 , 王佳, 魏曉敏 申請(qǐng)人:西北工業(yè)大學(xué)