一種雙模式低噪聲放大器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種雙模式低噪聲放大器，屬于射頻集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域。該放大器包含低噪聲放大器LNA核心電路和雙模式開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路，且開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路為核心電路提供所需的所有偏置；通過(guò)控制開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路的開關(guān)S來(lái)使LNA核心電路工作于不同的兩種狀態(tài)，即高增益模式和高線性度模式；其中，當(dāng)開關(guān)S的不動(dòng)端c連接開關(guān)S的動(dòng)端a時(shí)，LNA工作于高線性度模式；當(dāng)開關(guān)S的不動(dòng)端c連接開關(guān)S的觸點(diǎn)動(dòng)端b時(shí)，LNA工作于高增益模式。該電路中的偏置電路完全復(fù)制放大電路且偏置電路采用電流鏡結(jié)構(gòu)，使得整個(gè)電路的電流均由基準(zhǔn)電流源控制，從而抑制了PVT變化的影響。
【專利說(shuō)明】一種雙模式低噪聲放大器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于射頻集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種雙模式低噪聲放大器。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，無(wú)線通信技術(shù)得到迅猛的發(fā)展，在社會(huì)生活中扮演著越來(lái)越重要的角色。無(wú)線通信的發(fā)展對(duì)收發(fā)機(jī)前端電路提出了更高的要求。
[0003]接收機(jī)的射頻模擬前端電路存在元器件數(shù)目多、成本高、功耗大、體積大等問(wèn)題，然而對(duì)于收發(fā)機(jī)，無(wú)論是發(fā)射還是接收數(shù)據(jù)，天線會(huì)持續(xù)發(fā)射很大的載波信號(hào)，載波信號(hào)通過(guò)環(huán)行器或定向耦合器泄漏進(jìn)入接收機(jī)前端，能量可以達(dá)到OdBm以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于接收信號(hào)的能量。又由于大部分通信系統(tǒng)中接收和發(fā)送信號(hào)為同一載波頻率，無(wú)法在接收機(jī)前端通過(guò)射頻帶通濾波器將泄漏的載波信號(hào)濾除，使得接收機(jī)前端產(chǎn)生減敏和阻塞，嚴(yán)重影響了接收鏈路的動(dòng)態(tài)范圍。如何在保證一定靈敏度的情況下，抑制載波泄漏對(duì)接收機(jī)造成的影響，是提高接收機(jī)性能的關(guān)鍵。
[0004]而解決這個(gè)難點(diǎn)的關(guān)鍵在于接收機(jī)前端電路的線性度與增益及噪聲性能之間的折中，一種常見的折中策略為射頻前端電路工作在兩個(gè)模式，即:閱讀模式與監(jiān)聽模式，閱讀模式保證前端線性度、監(jiān)聽模式保證噪聲系數(shù)。為應(yīng)對(duì)此策略，前端電路必須工作在兩個(gè)模式。此外，射頻前端電路對(duì)工藝-電壓-溫度(PVT, Process-Voltage-Temperature)變化十分敏感，PVT的變化常常較大地影響了電路性能。
[0005]目前，通信系統(tǒng)中載波泄漏問(wèn)題在射頻識(shí)別(RadioFrequencyIdentification)技術(shù)中尤為突出，且研究發(fā)現(xiàn)，更適合未來(lái)，特別是商業(yè)供應(yīng)鏈中應(yīng)用的是超高頻頻段系統(tǒng)，因此，本發(fā)明的仿真頻率設(shè)定為超高頻頻段。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]技術(shù)問(wèn)題:本發(fā)明針對(duì)射頻前端電路解決載波泄漏問(wèn)題所提出的策略，為了提供閱讀模式與工作模式，提出了一種雙模式低噪聲放大器，同時(shí)該電路能有效地抑制PVT變化對(duì)電路性能的影響。
[0007]技術(shù)方案:所述放大器包含全差分放大電路和雙模式偏置電路；所述全差分放大電路的負(fù)載偏置、跨導(dǎo)管偏置、以及尾電流源偏置均由雙模式偏置電路提供。該偏置電路采用復(fù)制型偏置電路，偏置電路復(fù)制差分放大電路。該偏置電路為低噪聲放大器提供了兩種工作模式:高增益模式與高線性度模式。當(dāng)開關(guān)S閉合到a時(shí)，該低噪聲放大器的工作模式為高增益模式，高增益模式時(shí)該偏置電路提供給放大電路跨導(dǎo)管低的偏置電壓，保證跨導(dǎo)管工作在飽和區(qū)，此時(shí)放大電路具有較高的增益以及較好的噪聲性能；當(dāng)開關(guān)S閉合到b時(shí)，該低噪聲放大器的工作模式為高線性度模式，高線性度時(shí)該偏置電路提供給放大電路跨導(dǎo)管高的偏置電壓，使其工作在線性區(qū)，此時(shí)放大電路具有較高的線性度。此外，該偏置電路采用的復(fù)制型偏置電路結(jié)構(gòu)，使其電流與放大電路的電流保持一樣，且由一個(gè)基帶電流控制，從而抑制了 PVT變化對(duì)電路的影響。[0008]本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題，采用如下技術(shù)方案:
[0009]本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器包含低噪聲放大器LNA核心電路和雙模式開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路，且開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路為核心電路提供所需的所有偏置；通過(guò)控制開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路的開關(guān)S來(lái)使LNA核心電路工作于不同的兩種狀態(tài)，即高增益模式和高線性度模式；其中，當(dāng)開關(guān)S的不動(dòng)端c連接開關(guān)S的動(dòng)端a時(shí)，LNA工作于高線性度模式；當(dāng)開關(guān)S的不動(dòng)端c連接開關(guān)S的觸點(diǎn)動(dòng)端b時(shí)，LNA工作于高增益模式。 [0010]所述LNA核心電路中，第一 NMOS管漏極與第三NMOS管源極相連；第二 NMOS管漏極與第四NMOS管源極相連；第三NMOS管漏極與第一 PMOS管漏極相連；第四NMOS管漏極與第二 PMOS管漏極相連；第三NMOS管的柵極及NM4的柵極分別與第一電阻、第二電阻的一端相連；第一電阻、第二電阻的另一端接電源電壓；第一 PMOS管的源極、第二 PMOS管的源極分別與電源電壓相連；第一PMOS管、第二PMOS管的柵極分別接第三偏置電壓；第一NMOS管源極與柵極間連接第一電容，第一 NMOS管源極與第一電感一端相連；第二 NMOS管源極與柵極間連接第二電容；第二 NMOS管源極與第二電感一端相連；第一電感另一端、第二電感另一端分別與作為全差分電路尾電流源的第五NMOS管的漏極相連；第五NMOS管源極接地，第五NMOS管柵極接第五電阻的一端，第五電阻另一端接第二偏置電壓；第一 NMOS管柵極與第三電感一端相連，第三電感另一端接輸入信號(hào)并與第三電阻一端相連，第三電阻另一端接第一偏置電壓；第二 NMOS管柵極與第四電感一端相連,第四電感(L4)另一端接輸入信號(hào)并與第四電阻一端相連，第四電阻另一端接第一偏置電壓；第三電容一端分別與第二 NMOS管漏極及第四NMOS管源極相連，第三電容另一端與第三NMOS管的柵極相連；第四電容的一端分別與第一 NMOS管的漏極及第三NMOS管的源極相連，第四電容另一端與第四NMOS管的柵極相連；共模反饋電路正極與全差分電路的差分輸出信號(hào)的正輸出端連接，負(fù)極與差分輸出信號(hào)的負(fù)輸出端連接，共模反饋電路的輸出與第五匪OS管的柵極相連。
[0011 ] 所述雙模式開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路中，第七NMOS管漏極與第九NMOS管(NM9)源極相連；第八NMOS管漏極與第十NMOS管源極相連；第九NMOS管(NM9)漏極與第三PMOS管的漏極相連；第十NMOS管漏極與第四PMOS管的漏極相連；第九NMOS管柵極、第十NMOS管柵極分別與第六電阻、第七電阻的一端相連；第六電阻、第七電阻的另一端以及第三PMOS管、第四PMOS管(PM4)的源極分別與電源相連；第三PMOS管柵極源第四PMOS管柵極相連同時(shí)連接第三偏置電壓；第三PMOS管的柵極與漏極相連；第七NMOS管柵極與第八NMOS管柵極相連同時(shí)接第一偏置；第七NMOS管源極與第十一 NMOS管漏極相連；第八NMOS管源極與第十二 NMOS管漏極相連；第^^一 NMOS管柵極、第十二 NMOS管柵極與第六NMOS管柵極相連同時(shí)接第二偏置電壓；第十一 NMOS管源極、第十二 NMOS管源極、第六NMOS管源極都接地；第六NMOS管柵極與漏極相連同時(shí)漏極與基準(zhǔn)電流源相連；基準(zhǔn)電流源的另一端接電源；單刀雙擲開關(guān)的動(dòng)端a端與第八NMOS管漏極相連、動(dòng)端b端與第十二 NMOS管柵極相連、不動(dòng)端c端與第八NMOS管柵極相連。
[0012]有效增益:本發(fā)明提出了一種雙模式低噪聲放大器。所述放大器通過(guò)雙模式偏置電路的兩種工作模式，為差分放大電路提供兩種偏置電壓，使得放大電路工作于兩個(gè)工作模式:高增益模式與高線性度模式，兩種模式為接收機(jī)前端電路提供了兩種工作模式，從而解決了載波泄漏的問(wèn)題。此外，該偏置電路完全復(fù)制差分放大電路，并采用基準(zhǔn)電流源控制，有效地抑制了 PVT變化對(duì)電路性能的影響?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本發(fā)明提供的一種雙模式低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)；
[0014]圖2(a)是本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高增益模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6V、1.8V、2.0V時(shí)S21隨溫度變化曲線圖；
[0015]圖2(b)是本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高增益模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6V、1.8V、2.0V時(shí)Sll隨溫度變化曲線圖；
[0016]圖2(c)是本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高增益模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6V、1.8V、2.0V時(shí)NF隨溫度變化曲線圖；
[0017]圖2(d)是本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高增益模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6V、1.8V、2.0V時(shí)PldB隨溫度變化曲線圖；
[0018]圖3(a)是本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高線性度模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6V、1.8V、2.0V時(shí)S21隨溫度變化曲線圖；
[0019]圖3(b)是本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高線性度模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6V、1.8V、2.0V時(shí)Sll隨溫度變化曲線圖；
[0020]圖3(c)是本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高線性度模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6V、1.8V、2.0V時(shí)NF隨溫度變化曲線圖；
[0021]圖3(d)是本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高線性度模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6V、1.8V、2.0V時(shí)Pl·dB隨溫度變化曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖，進(jìn)一步具體說(shuō)明本發(fā)明一種雙模式低噪聲放大器。
[0023]參照?qǐng)D1，本發(fā)明所提供的一種雙模式低噪聲放大器由全差分低噪聲放大器與雙模式復(fù)制型偏置電路組合構(gòu)成該放大器電路有正、負(fù)兩路輸入、輸出，該兩路電路完全對(duì)稱設(shè)計(jì)。RFtjp為差分放大器的正輸出端；RFm為差分放大器的負(fù)輸出端。
[0024]所述LNA核心電路中，第一 NMOS管匪I漏極與第三NMOS管匪3源極相連；第二NMOS管NM2漏極與第四NMOS管NM4源極相連；第三NMOS管NM3漏極與第一 PMOS管PMl漏極相連；第四NMOS管NM4漏極與第二 PMOS管PM2漏極相連；第三NMOS管NM3的柵極及NM4的柵極分別與第一電阻R1、第二電阻R2的一端相連；第一電阻R1、第二電阻R2的另一端接電源電壓VDD ;第一 PMOS管PMl的源極、第二 PMOS管PM2的源極分別與電源電壓VDD相連；第一 PMOS管PMl、第二 PMOS管PM2的柵極分別接第三偏置電壓Vbias3 ;第一 NMOS管匪I源極與柵極間連接第一電容Cl，第一 NMOS管匪I源極與第一電感LI 一端相連；第二NMOS管匪2源極與柵極間連接第二電容C2 ;第二 NMOS管匪2源極與第二電感L2 —端相連；第一電感LI另一端、第二電感L2另一端分別與作為全差分電路尾電流源的第五NMOS管匪5的漏極相連?’第五NMOS管匪5源極接地，第五NMOS管匪5柵極接第五電阻R5的一端，第五電阻R5另一端接第二偏置電壓Vbias2 ;第一 NMOS管匪I柵極與第三電感L3 —端相連，第三電感L3另一端接輸入信號(hào)并與第三電阻R3 —端相連，第三電阻R3另一端接第一偏置電壓Vbiasl ;第二 NMOS管匪2柵極與第四電感L4 一端相連，第四電感L4另一端接輸入信號(hào)并與第四電阻R4 —端相連，第四電阻R4另一端接第一偏置電壓Vbiasl ;第三電容C3 —端分別與第二 NMOS管匪2漏極及第四NMOS管NM4源極相連，第三電容C3另一端與第三NMOS管匪3的柵極相連；第四電容C4的一端分別與第一 NMOS管匪1的漏極及第三NMOS管匪3的源極相連，第四電容C4另一端與第四NMOS管NM4的柵極相連；共模反饋電路CMFB正極與全差分電路的差分輸出信號(hào)的正輸出端連接，負(fù)極與差分輸出信號(hào)的負(fù)輸出端連接，共模反饋電路CMFB的輸出與第五NMOS管NM5的柵極相連。
[0025]參照?qǐng)D1所述雙模式開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路中，第七NMOS管匪7漏極與第九NMOS管NM9源極相連；第八NMOS管NM8漏極與第十NMOS管NMlO源極相連；第九NMOS管NM9漏極與第三PMOS管PM3的漏極相連；第十NMOS管NMlO漏極與第四PMOS管PM4的漏極相連；第九NMOS管NM9柵極、第十NMOS管匪10柵極分別與第六電阻R6、第七電阻R7的一端相連；第六電阻R6、第七電阻R7的另一端以及第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4的源極分別與電源VDD相連；第三PMOS管PM3柵極源第四PMOS管PM4柵極相連同時(shí)連接第三偏置電壓Vbias3 ;第三PMOS管PM3的柵極與漏極相連；第七NMOS管NM7柵極與第八NMOS管NM8柵極相連同時(shí)接第一偏置Vbiasl ;第七NMOS管匪7源極與第十一匪OS管匪11漏極相連；第八NMOS管NM8源極與第十二 NMOS管NM12漏極相連^一 NMOS管NMll柵極、第十二 NMOS管NM12柵極與第六NMOS管NM6柵極相連同時(shí)接第二偏置電壓Vbias2 ;第^^一NMOS管NMll源極、第十二 NMOS管NM12源極、第六NMOS管NM6源極都接地；第六NMOS管NM6柵極與漏極相連同時(shí)漏極與基準(zhǔn)電流源Iref相連；基準(zhǔn)電流源Iref的另一端接電源；單刀雙擲開關(guān)S的動(dòng)端a端與第八NMOS管NM8漏極相連、動(dòng)端b端與第十二 NMOS管匪12柵極相連、不動(dòng)端c端與第八NMOS管NM8柵極相連。
[0026]模式偏置電路，其PM4的柵極接差分放大電路的Vbise3，單刀雙擲開關(guān)S的c端接差分放大電路的Vbisel,單刀雙擲開關(guān)S的b端接差分放大電路的Vbise2。
[0027]參照?qǐng)D1，第六NMOS管分別與第十一 NMOS管、第十二 NMOS管、第三PMOS管構(gòu)成電流鏡，這樣偏置電路的左邊一列支路電流由基準(zhǔn)電流源Iref控制，而右邊的支路則完全復(fù)制了差分放大電路的結(jié)構(gòu)，通過(guò)設(shè)計(jì)電路器件尺寸使得兩路電流完全一致，從圖2可以看出，右邊的支路與左邊的支路電流完全一樣，這樣就實(shí)現(xiàn)了基準(zhǔn)電流源控制了整個(gè)低噪聲放大電路中的電流，這樣使得電路中的工作電流不再受PVT變化的影響。
[0028]圖2所示為本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高增益模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6￥、1.8￥、2.0￥時(shí)321(&)、31103)、,(。)、卩1(^((1)隨溫度變化曲線圖。可以看出隨溫度在-40°C到85°C之間變化時(shí)，本發(fā)明所提供的低噪聲放大器在高增益模式下的增益在1.6V、1.8V、2V不同的電源電壓下維持在10dB-12dB ;此時(shí)的Sll均小于-10dB，電路輸入匹配良好；噪聲系數(shù)維持在2~3dB之間，噪聲性能較好；ldB壓縮點(diǎn)小于-10，且大于-15，線性度一般。說(shuō)明了本發(fā)明在高增益模式時(shí)增益以及噪聲性能好，且抑制了 PVT變化對(duì)電路性能的影響。
[0029]圖3所示為本發(fā)明的雙模式低噪聲放大器在高線性度模式下工藝角為tt、電壓分別為1.6V、1.8V、2.0V時(shí)S21 (a)、Sll (b)、NF (c)、PldB (d)隨溫度變化曲線圖?？梢钥闯鲭S溫度在_40°C到85°C之間變化時(shí)，本發(fā)明所提供的低噪聲放大器在高增益模式下的增益在
1.6V、1.8V、2V不同的電源電壓下維持在4dB-6dB ;此時(shí)的Sll均小于-10dB，電路輸入匹配良好；噪聲系數(shù)維持在2.5~4.5dB之間，噪聲性能一般；ldB壓縮點(diǎn)維持在_3dBm~IdBm之間，線性度較好。說(shuō)明了本發(fā)明在高線性度模式時(shí)線性度較高，且抑制了 PVT變化對(duì)電路性能的影響。
[0030]綜上所述，本發(fā)明提出的雙模式低噪聲放大器提供了高增益與高線性度模式，且在兩種模式下均有較好的性能有效地抑制了 PVT變化對(duì)電路的影響，這為接收機(jī)前端電路提供了兩種工作模式，解決了載波泄漏問(wèn)題，在超高頻RFID接收機(jī)前端電路中具有廣闊的應(yīng)用前景。對(duì)該【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員而言，根據(jù)以上實(shí)施類可以很容易聯(lián)想其他的優(yōu)點(diǎn)和變形。因此，本發(fā)明并不局限于上述具體實(shí)例，其僅僅作為例子對(duì)本發(fā)明的一種形態(tài)進(jìn)行詳細(xì)、示范性的說(shuō)明。在不背離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)上述具體實(shí)例通過(guò)各種等同替換所得到的技術(shù)方案，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍及其等同范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種雙模式低噪聲放大器，其特征在于，該放大器包含低噪聲放大器LNA核心電路和雙模式開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路，且開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路為核心電路提供所需的所有偏置；通過(guò)控制開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路的開關(guān)S來(lái)使LNA核心電路工作于不同的兩種狀態(tài)，即高增益模式和高線性度模式；其中，當(dāng)開關(guān)S的不動(dòng)端c連接開關(guān)S的動(dòng)端a時(shí)，LNA工作于高線性度模式；當(dāng)開關(guān)S的不動(dòng)端c連接開關(guān)S的觸點(diǎn)動(dòng)端b時(shí)，LNA工作于高增益模式。
2.如權(quán)利要求1所述的一種雙模式低噪聲放大器，其特征在于所述LNA核心電路中，第一 NMOS管(NMl)漏極與第三NMOS管(NM3)源極相連；第二 NMOS管(NM2)漏極與第四NMOS管(NM4)源極相連；第三NMOS管(NM3)漏極與第一 PMOS管(PMl)漏極相連；第四NMOS管(匪4)漏極與第二？1^管(？12)漏極相連；第三NMOS管(NM3)的柵極及NM4的柵極分別與第一電阻(R1)、第二電阻(R2)的一端相連；第一電阻(R1)、第二電阻(R2)的另一端接電源電壓(VDD);第一 PMOS管(PMl)的源極、第二 PMOS管(PM2 )的源極分別與電源電壓(VDD)相連；第一 PMOS管(PMl )、第二 PMOS管(PM2)的柵極分別接第三偏置電壓(Vbias3);第一 NMOS管(匪I)源極與柵極間連接第一電容(Cl)，第一 NMOS管(匪I)源極與第一電感(LI)一端相連；第二 NMOS管(匪2)源極與柵極間連接第二電容(C2);第二 NMOS管(匪2)源極與第二電感(L2)—端相連；第一電感(LI)另一端、第二電感(L2)另一端分別與作為全差分電路尾電流源的第五NMOS管(匪5)的漏極相連；第五NMOS管(匪5)源極接地，第五NMOS管(匪5)柵極接第五電阻(R5)的一端，第五電阻(R5)另一端接第二偏置電壓(Vbias2);第一 NMOS管(匪I)柵極與第三電感(L3) —端相連，第三電感(L3)另一端接輸入信號(hào)并與第三電阻(R3)一端相連，第三電阻(R3)另一端接第一偏置電壓(Vbiasl);第二 NMOS管(匪2)柵極與第四電感(L4) 一端相連，第四電感(L4)另一端接輸入信號(hào)并與第四電阻(R4)—端相連，第四電阻(R4)另一端接第一偏置電壓(Vbiasl);第三電容(C3) —端分別與第二 NMOS管(匪2)漏極及第四NMOS管(NM4)源極 相連，第三電容(C3)另一端與第三NMOS管(NM3)的柵極相連；第四電容(C4)的一端分別與第一 NMOS管(匪I)的漏極及第三NMOS管(匪3)的源極相連，第四電容(C4)另一端與第四NMOS管(NM4)的柵極相連；共模反饋電路(CMFB)正極與全差分電路的差分輸出信號(hào)的正輸出端連接，負(fù)極與差分輸出信號(hào)的負(fù)輸出端連接，共模反饋電路(CMFB)的輸出與第五NMOS管(NM5)的柵極相連。
3.如權(quán)利要求1所述的一種雙模式低噪聲放大器，其特征在于所述雙模式開關(guān)可控的復(fù)制型偏置電路中，第七NMOS管(NM7)漏極與第九NMOS管(NM9)源極相連；第八NMOS管(NM8)漏極與第十NMOS管(NMlO)源極相連；第九NMOS管(NM9)漏極與第三PMOS管(PM3)的漏極相連；第十NMOS管(NMlO)漏極與第四PMOS管(PM4)的漏極相連；第九NMOS管(NM9)柵極、第十NMOS管(匪10)柵極分別與第六電阻(R6)、第七電阻(R7)的一端相連；第六電阻(R6)、第七電阻(R7)的另一端以及第三PMOS管(PM3)、第四PMOS管(PM4)的源極分別與電源(VDD)相連；第三PMOS管(PM3)柵極源第四PMOS管(PM4)柵極相連同時(shí)連接第三偏置電壓(Vbias3);第三PMOS管(PM3)的柵極與漏極相連；第七NMOS管(匪7)柵極與第八NMOS管(NM8)柵極相連同時(shí)接第一偏置(Vbiasl);第七NMOS管(NM7)源極與第十一 NMOS管(NMll)漏極相連；第八NMOS管(NM8)源極與第十二 NMOS管(NM12)漏極相連；第^^一NMOS管(NMll)柵極、第十二 NMOS管(NM12)柵極與第六NMOS管(NM6)柵極相連同時(shí)接第二偏置電壓(Vbias2);第^^一 NMOS管(NMll)源極、第十二 NMOS管(NM12)源極、第六NMOS管(NM6)源極都接地；第六NMOS管(NM6)柵極與漏極相連同時(shí)漏極與基準(zhǔn)電流源(Iref)相連；基準(zhǔn)電流源(Iref)的另一端接電源；單刀雙擲開關(guān)(S)的動(dòng)端a端與第八NMOS管(NM8)漏極相連、 動(dòng)端b端與第十二 NMOS管(匪12)柵極相連、不動(dòng)端c端與第八NMOS管(NM8)柵極相連。
【文檔編號(hào)】H03F1/26GK103746661SQ201410035310
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2014年1月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月24日
【發(fā)明者】張長(zhǎng)春, 高申俊, 王德波, 張鵬, 郭宇鋒 申請(qǐng)人:南京郵電大學(xué)