專利名稱：熱塑性聚酰亞胺樹脂用蝕刻液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱塑性聚酰亞胺樹脂用蝕刻液。
背景技術(shù)：
以前，在通過粘結(jié)劑將市售的非熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜，例如カプトン(東レデユポン株式會(huì)社制的商品名)、アピカル(鐘淵化學(xué)株式會(huì)社制的商品名)或ユ-ピレツクス(宇部興產(chǎn)株式會(huì)社的商品名)等與金屬箔(例如銅箔或不銹鋼箔等)固定得到的所謂金屬貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材的上述非熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜上，通過沖孔或激光蝕刻等形成通孔等，但是由于通過沖孔或激光蝕刻難以形成具有浮動(dòng)導(dǎo)線(flying lead)這樣的配線的設(shè)備孔(device hole)或復(fù)雜微細(xì)的通路孔等，在形成這種設(shè)備孔等的場(chǎng)合，一般使用蝕刻液。
例如使用含有非肼類的胺化合物和苛性堿水溶液或者異丙醇和苛性堿的無機(jī)堿類蝕刻液、或者由異丙醇和季銨氫氧化物構(gòu)成的有機(jī)堿類蝕刻液進(jìn)行蝕刻。
但是，這種蝕刻液雖然適于非熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜的蝕刻，但是由于蝕刻部分產(chǎn)生裂縫等理由不適于熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜的蝕刻。而且，作為用于固定聚酰亞胺樹脂薄膜和金屬箔的粘結(jié)劑，近來開始使用耐熱性優(yōu)良的熱塑性聚酰亞胺樹脂類粘結(jié)劑代替以前的環(huán)氧樹脂或丙烯酸樹脂類粘結(jié)劑，但是熱塑性聚酰亞胺樹脂類粘結(jié)劑與非熱塑性聚酰亞胺樹脂相比具有難以蝕刻的特性。
因此，如果使用上述以前的無機(jī)堿類蝕刻液或有機(jī)堿類蝕刻液，對(duì)通過熱塑性聚酰亞胺樹脂類粘結(jié)劑將非熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜和金屬箔固定得到的金屬貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材的上述非熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜進(jìn)行蝕刻，則會(huì)導(dǎo)致下述問題，即，熱塑性聚酰亞胺樹脂在蝕刻孔的周壁形成懸垂?fàn)顟B(tài)，或者在孔底的金屬箔面上呈環(huán)狀殘留(參照?qǐng)D1、7)，而且這種樹脂殘留物不能通過利用高錳酸鹽的デイスマイア處理等一般方法除去。
本發(fā)明是鑒于上述缺點(diǎn)提出的，其目的在于提供適于熱塑性聚酰亞胺樹脂蝕刻的蝕刻液。
發(fā)明公開實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明熱塑性聚酰亞胺樹脂用蝕刻液的特征在于，包括分子中具有氨基或亞氨基和羥基的碳原子數(shù)為4以下的脂肪族氨基醇以及羥化四烷基銨水溶液。
另外，作為脂肪族氨基醇，優(yōu)選一乙醇胺，另外作為羥化四烷基銨水溶液，優(yōu)選羥化四甲銨水溶液或羥化四乙銨水溶液。


圖1是表示用本發(fā)明的蝕刻液蝕刻前存在殘留物的狀態(tài)的線槽孔(trench hole)的SEM照片。
圖2是表示用本發(fā)明的蝕刻液蝕刻后不存在殘留物(除去了殘留物)的狀態(tài)的線槽孔的SEM照片。
圖3是表示用本發(fā)明的蝕刻液蝕刻前存在殘留物的狀態(tài)的設(shè)備孔的配線區(qū)的SEM照片。
圖4是表示用本發(fā)明的蝕刻液蝕刻后不存在殘留物(除去了殘留物)的狀態(tài)的設(shè)備孔的配線區(qū)的SEM照片。
圖5是表示使用以前的蝕刻液(TPE-3000)時(shí)“ユ-ピレツクス-VT”的表面狀態(tài)的顯微鏡照片。
圖6是使用以前的蝕刻液(TPE-3000)時(shí)線槽孔周壁部的SEM照片。
圖7是表示用異丙醇/羥化四甲銨類蝕刻液未除去殘留物的狀態(tài)的SEM照片。
發(fā)明的最佳實(shí)施方式本發(fā)明的蝕刻液用于熱塑性聚酰亞胺樹脂，熱塑性聚酰亞胺樹脂可以是薄膜、粘結(jié)劑的殘留物等任何形態(tài)。
也就是說，作為用于制造電路基板的基材使用的熱塑性聚酰亞胺樹脂可以形成薄膜單獨(dú)使用，或者與其它樹脂薄膜或金屬箔層壓后使用，本發(fā)明的蝕刻液可以用于其中任何一種，而且除此以外，也可以用于例如除去為進(jìn)行所述層壓使用的熱塑性聚酰亞胺樹脂類粘結(jié)劑的殘留物等。
因此，本發(fā)明所說的“蝕刻”表示廣義的蝕刻，不僅包括一般的薄膜面的蝕刻，除此以外還包括用于除去粘結(jié)劑的殘留物的蝕刻等。
另外，作為用作聚酰亞胺樹脂薄膜基材的熱塑性聚酰亞胺樹脂的代表例，可以例舉除作為非熱塑性聚酰亞胺樹脂原料的單體成分以外，還含有在主鏈上引入了極性小且彎曲性大的-CH2-、-O-、-S-、CO-等連接基團(tuán)的二胺或四羧酸酐等單體或者具有堆密度高的苯基或二環(huán)的脂肪族四羧酸酐等單體成分的物質(zhì)。
另外，作為用作粘結(jié)劑的熱塑性聚酰亞胺樹脂的代表例，可以例舉由二氨基二苯甲酮和二苯甲酮四羧酸二酐得到的物質(zhì)，使用這種熱塑性聚酰亞胺樹脂類粘結(jié)劑得到的層壓聚酰亞胺樹脂薄膜基材并不限于金屬貼合的物質(zhì)，也可以是聚酰亞胺樹脂薄膜之間粘結(jié)得到的物質(zhì)，而且后者可以是非熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜之間粘結(jié)得到的物質(zhì)，或者非熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜和熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜粘結(jié)得到的物質(zhì)，或者熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜之間粘結(jié)得到的物質(zhì)等任意一種。
另外，所述粘結(jié)劑只要是熱塑性聚酰亞胺樹脂類，可以是糊狀、薄膜狀。作為市售的熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜的代表例，可以例舉宇部興產(chǎn)株式會(huì)社制的“ユ-ピレツクス-VT”，另外作為在非熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜上形成熱塑性聚酰亞胺樹脂類粘結(jié)層得到的聚酰亞胺樹脂薄膜基材，可以例舉三井化學(xué)株式會(huì)社制的“ネオフレツクスシリ-ズ-II”。
另外，作為用作聚酰亞胺樹脂薄膜基材的非熱塑性聚酰亞胺樹脂的代表例，可以例舉均苯四酸二酐(PMDA)和羥基二苯胺(ODA)構(gòu)成的聚酰亞胺、聯(lián)苯四羧酸二酐(BTDA)和對(duì)苯二胺(PDA)構(gòu)成的聚酰亞胺以及由這些單體得到的共聚物。
更具體地說，可以例舉市售的東レデユポン株式會(huì)社制的“カプトン”、鐘淵化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制的“アピカル”、宇部興產(chǎn)株式會(huì)社制的“ユ-ピレツクス-S”等，此外作為通過熱塑性聚酰亞胺樹脂類粘結(jié)劑將這些非熱塑性聚酰亞胺薄膜和銅箔固定而成的銅貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材，可以例舉三井化學(xué)株式會(huì)社制的“ネオフレツクスシリ-ズ-I”或宇部興產(chǎn)株式會(huì)社制的“ユ-ピセル”等。
另外，本發(fā)明的蝕刻液可以將水溶性低分子脂肪族氨基醇類，即一乙醇胺、二乙醇胺、α-氨基異丙醇、2-氨基丁醇等分子中具有氨基或亞氨基和羥基的碳原子數(shù)為4以下的水溶性脂肪族氨基醇類，以及羥化四甲銨(氫氧化四甲銨)或羥化四乙銨(氫氧化四乙銨)等羥化四烷基銨水溶液混合得到。
所述羥化四烷基銨水溶液是有機(jī)堿水溶液，該有機(jī)堿水溶液具有水解聚酰亞胺樹脂的特性。另一方面，水溶性脂肪族氨基醇類具有促進(jìn)有機(jī)堿向聚酰亞胺樹脂浸透以及使聚酰亞胺的水解產(chǎn)物溶出的特性。
另外，脂肪族氨基醇類一般隨著碳原子數(shù)增多，水溶性降低，與氫氧化季銨水溶液的相溶性變差，因此優(yōu)選碳原子數(shù)少的物質(zhì)，一乙醇胺水溶性高，且向聚酰亞胺的浸透性和聚酰亞胺水解產(chǎn)物的溶解性高，此外在工業(yè)上容易獲得，因此特別優(yōu)選。
基于這種理由，優(yōu)選一乙醇胺與羥化四甲銨水溶液或者羥化四乙銨水溶液的組合。通常一乙醇胺等氨基醇與羥化四甲銨水溶液(羥化四甲銨的濃度為25重量％)的比例優(yōu)選3∶1，該液體中的有機(jī)堿成分---羥化四甲銨的含量優(yōu)選為4wt％以上～15wt％以下。
這是由于如果有機(jī)堿成分少則處理時(shí)間變長，另外如果有機(jī)堿成分過多則藥品費(fèi)用增高，而且從使用25％水溶液的關(guān)系上來看，液體中的水分比例相對(duì)于氨基醇較多，熱塑性聚酰亞胺樹脂或非熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻性能改變，因此難以精確控制，在操作和經(jīng)濟(jì)方面不利。
另外，液體中的有機(jī)堿成分的量和一乙醇胺等氨基醇的量可以通過用給定濃度的鹽酸滴定采用電位差滴定法進(jìn)行控制。
另外，作為蝕刻處理?xiàng)l件，液溫優(yōu)選60～80℃，處理時(shí)間優(yōu)選1分鐘～60分鐘。這是由于如果溫度低，則反應(yīng)時(shí)間長，相反如果過高，則熱塑性聚酰亞胺樹脂以外的樹脂受損傷，或者水分蒸發(fā)或由有機(jī)堿成分產(chǎn)生的臭氣增強(qiáng)，在操作環(huán)境方面不優(yōu)選。
因此，采用本發(fā)明的蝕刻液，可以通過一步處理，將例如按照使用非肼類無機(jī)堿蝕刻液的現(xiàn)有方法對(duì)通過熱塑性聚酰亞胺樹脂類粘結(jié)劑將非熱塑性聚酰亞胺樹脂薄膜和金屬箔固定得到的金屬貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材進(jìn)行蝕刻處理時(shí)產(chǎn)生的孔周壁或金屬界面的粘結(jié)劑殘留物(熱塑性聚酰亞胺樹脂殘留物)清除干凈，并使蝕刻表面成為平滑的表面。
推測(cè)這是由于本發(fā)明的蝕刻液與所述以前的蝕刻液相比，能夠緩慢進(jìn)行非熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻，另一方面能夠比較迅速地進(jìn)行熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻，即由于在進(jìn)行蝕刻時(shí)能夠使熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻相對(duì)于非熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻優(yōu)先，并使兩種蝕刻的進(jìn)行平衡大致保持一定，從而得到這種效果。
以下對(duì)實(shí)施例進(jìn)行說明。
〔實(shí)施例1〕將在宇部興產(chǎn)株式會(huì)社制的“ユ-ピレツクス-VT”(厚度為15μm)上加熱壓接相同株式會(huì)社制的“ユ-ピレツクス-S”(厚度為50μm)得到的聚酰亞胺樹脂薄膜基材(大小為5cm×5cm，厚度為65μm)的“ユ-ピレツクス-S”側(cè)用聚丙烯制的蓋膜覆蓋。
接著，將其浸漬于由一乙醇胺300重量份和25％羥化四甲銨水溶液100重量份構(gòu)成并加熱至80℃的蝕刻液中，測(cè)定上述基材的厚度變化。
另外，上述蝕刻液的組成為一乙醇胺73.7wt％，羥化四甲銨6.07wt％。上述基材的厚度的測(cè)定結(jié)果如表1所示。上述基材的厚度用三豐制作所株式會(huì)社制的測(cè)微計(jì)(型號(hào)ID-C112)測(cè)定。
表1

在表1中，處理時(shí)間表示(分鐘)，厚度表示(μm)，VT表示“ユ-ピレツクス-VT”，S表示“ユ-ピレツクス-S”。
隨著時(shí)間的經(jīng)過，聚酰亞胺樹脂薄膜基材的厚度減少，直到18分鐘前在“ユ-ピレツクス-S”表面可以觀測(cè)到部分“ユ-ピレツクス-VT”產(chǎn)生的干擾條紋，20分鐘后干擾條紋消失，“ユ-ピレツクス-S”表面完全露出，確認(rèn)“ユ-ピレツクス-VT”完全被蝕刻?！哎?ピレツクス-VT”的平均蝕刻速度為0.8μm/分鐘。
實(shí)施例2在三井化學(xué)株式會(huì)社制的“ネオフレツクスシリ-ズ-II”(TPI2μm/PI的“アピカル”12.5μm/TPI2μm)的單面貼合厚度為20μm的不銹鋼箔，制作金屬貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材(大小為5cm×5cm，厚度為37μm)。另外，上述TPI表示熱塑性聚酰亞胺樹脂，PI表示非熱塑性聚酰亞胺樹脂，“ネオフレツクスシリ-ズ-II”在“アピカル”的兩面形成上述厚度的TPI類粘結(jié)層。
接著，與實(shí)施例1同樣，將其浸漬于由一乙醇胺300重量份和25％羥化四甲銨水溶液100重量份構(gòu)成并加熱至80℃的蝕刻液中，測(cè)定上述基材的厚度變化。上述蝕刻液的組成為一乙醇胺74.3wt％，羥化四甲銨5.68wt％。上述基材的厚度的測(cè)定結(jié)果如表2所示。上述基材的厚度用三豐制作所株式會(huì)社制的測(cè)微計(jì)(型號(hào)ID-C112)測(cè)定。
表2

在表2中，處理時(shí)間表示(分鐘)，厚度表示(μm)，TPI表示“熱塑性聚酰亞胺樹脂”，PI表示“非熱塑性聚酰亞胺樹脂”。處理8分鐘，在不銹鋼箔表面可以觀測(cè)到部分聚酰亞胺膜產(chǎn)生的干擾條紋，處理9分鐘和10分鐘，僅剩下金屬光澤，完全觀測(cè)不到干擾膜。上述TPI的蝕刻速度為1μm/分鐘，上述PI的蝕刻速度為2.6μm/分鐘。
后者(PI)的蝕刻速度相當(dāng)于市售的無機(jī)堿類蝕刻液的速度(25μm/分鐘)的1/10，因此可以得知本發(fā)明的蝕刻液與以前的無機(jī)堿類蝕刻液相比，蝕刻緩慢，而且平衡良好地進(jìn)行蝕刻。
實(shí)施例3通過真空壓力在宇部興產(chǎn)株式會(huì)社制的單面銅貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材“ユ-ピセル-N”(Cu18μm/“ユ-ピレツクス-VT”25μm，大小為5cm×5cm)的“ユ-ピレツクス-VT”暴露面貼合厚度為9μm的電解銅箔，制作雙面貼合銅的聚酰亞胺樹脂薄膜基材。
另外，上述雙面銅貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材電解銅箔的表面凹凸(Max4μm)與聚酰亞胺樹脂薄膜呈錨狀密合，因此得到高密合強(qiáng)度(1.6kg/cm的剝離強(qiáng)度)。
接著，在所述雙面銅貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材的兩面層壓干膜NIT-225，用L/S＝30/30、節(jié)距60μm的配線圖案形成用光掩模對(duì)上述電解銅箔側(cè)進(jìn)行曝光，同時(shí)對(duì)相反側(cè)進(jìn)行全面曝光，然后顯像，在上述電解銅箔側(cè)形成蝕刻掩模。
接著，使用氨類銅蝕刻液進(jìn)行蝕刻處理，之后剝離干膜，形成頂部寬15μm，底部寬30μm的銅配線圖案。這時(shí)，在空部的熱塑性聚酰亞胺樹脂層觀測(cè)到一些銅箔的殘留物。
接著，在由一乙醇胺300體積份和25％羥化四甲銨水溶液100體積份構(gòu)成并加熱到70℃的蝕刻液中將其處理10分鐘，將空部的熱塑性聚酰亞胺樹脂(“ユ-ピレツクス-VT”) 蝕刻除去僅約3μm的厚度。
接著，用氨類銅蝕刻液進(jìn)行短時(shí)間的薄膜蝕刻，空部殘留的銅箔殘留物通過熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻和銅薄膜蝕刻完全除去。
實(shí)施例4在三井化學(xué)株式會(huì)社制的ネオフレツクスシリ-ズ-II(TPI2μm/PI的アピカル12.5μm/TPI2μm)的一面貼合厚度為18μm的銅箔，在另一面貼合厚度為20μm的不銹鋼箔，制作大小為5cm×5cm的雙面金屬貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材。
另外，上述TPI表示熱塑性聚酰亞胺樹脂，PI表示非熱塑性聚酰亞胺樹脂，“ネオフレツクスシリ-ズ-II”在“アピカル”的兩面形成上述厚度的TPI類粘結(jié)層。
接著，在該雙面金屬貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材的銅箔側(cè)層壓干膜，進(jìn)行曝光、顯像，形成寬100μm的線槽孔圖案，用氨類銅蝕刻液在銅箔上開出寬100μm的線槽后，剝離干膜，制作銅箔的掩模。
接著，用加熱至80℃的東レエンジニアリング株式會(huì)社制的市售蝕刻液TPE-3000對(duì)其進(jìn)行蝕刻處理25分鐘。得到的線槽孔的放大狀態(tài)如SEM(Scanning Electron Microscope)照片即圖1所示，在銅掩模部分和不銹鋼界面分別可以觀測(cè)到熱塑性聚酰亞胺樹脂的外伸殘留物。
接著，在由一乙醇胺300體積份和25％羥化四甲銨水溶液100體積份構(gòu)成并加熱到70℃的蝕刻液中將其處理3分鐘。得到的線槽部的放大狀態(tài)如SEM照片即圖2所示，孔的周壁殘留的熱塑性聚酰亞胺樹脂的殘留物完全被除去，形成周壁平滑的線槽孔。
實(shí)施例5在三井化學(xué)株式會(huì)社制的ネオフレツクスシリ-ズ-II(TPI2μm/PI的アピカル12.52μm/TPI2μm)的兩面貼合厚度為18μm的銅箔，在得到的雙面銅貼合聚酰亞胺樹脂薄膜基材(大小為5cm×5cm)的兩個(gè)銅箔面上層壓干膜，進(jìn)行曝光、顯像，形成具有銅配線圖案和銅的設(shè)備孔形成用開口的樹脂掩模后，用氨類蝕刻液蝕刻銅箔，形成銅配線圖案和銅開口部。
另外，上述TPI表示熱塑性聚酰亞胺樹脂，PI表示非熱塑性聚酰亞胺樹脂，“ネオフレツクスシリ-ズ-II”在“アピカル”的兩面形成上述厚度的TPI類粘結(jié)層。
接著，一旦將干膜剝離后，再次在配線圖案面層壓干膜，作為配線圖案?jìng)?cè)的聚酰亞胺樹脂的蝕刻保護(hù)掩模。
接著，用加熱至80℃的東レエンジニアリング株式會(huì)社制的市售蝕刻液TPE-3000對(duì)其進(jìn)行蝕刻處理3分鐘，僅除去浮動(dòng)導(dǎo)線配線下部的聚酰亞胺樹脂。
得到的具有浮動(dòng)導(dǎo)線的安裝孔(open hole)(設(shè)備孔)的放大狀態(tài)如SEM照片即圖3所示，在銅配線部分和開口部界面分別可以觀測(cè)到熱塑性聚酰亞胺樹脂的殘留物(TPI類粘結(jié)層的殘留物)。
接著，在由一乙醇胺300體積份和25％羥化四甲銨水溶液100體積份構(gòu)成并加熱到70℃的蝕刻液中將其處理4分鐘。
安裝孔(設(shè)備孔)部分的放大狀態(tài)如SEM照片即圖4所示，可以得知，配線下部殘留的熱塑性聚酰亞胺樹脂的殘留物完全被除去。
實(shí)施例6由由一乙醇胺300體積份和25％羥化四甲銨水溶液100體積份構(gòu)成的蝕刻液的溫度以外的條件與實(shí)施例4的條件相同，進(jìn)行處理的結(jié)果如表3所示。蝕刻液的溫度為60℃、80℃均可以得到見不到熱塑性聚酰亞胺樹脂殘留物的線槽。
表3

實(shí)施例7由一乙醇胺300重量份和25％羥化四甲銨水溶液100重量份構(gòu)成的蝕刻液的溫度以外的條件與實(shí)施例4的條件相同，進(jìn)行處理，結(jié)果得到?jīng)]有熱塑性聚酰亞胺樹脂殘留物的周壁平滑的線槽。
以下對(duì)比較例進(jìn)行說明。
比較例1除蝕刻液使用市售的無機(jī)堿類蝕刻液即上述TPE-3000以外，在與實(shí)施例1同樣的條件下進(jìn)行處理。
比較例2除蝕刻液使用市售的無機(jī)堿類蝕刻液即上述TPE-3000以外，在與實(shí)施例2同樣的條件下進(jìn)行處理。
比較例1、2的蝕刻速度比實(shí)施例1、2的蝕刻速度快，非熱塑性聚酰亞胺樹脂和熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻速度差大，而且涉及“ユ-ピレツクス-VT”/“ユ-ピレツクス-S”的比較例1中，熱塑性聚酰亞胺樹脂的清除不均勻，且處理3分鐘則喪失聚酰亞胺面的光澤，如SEM照片即圖5所示，處理10分鐘則聚酰亞胺樹脂表面變得粗糙。在圖5中，左上部表示處理1分鐘后的表面，右上部表示處理10分鐘后的表面，右下部表示處理18分鐘后的表面，左下部表示處理21分鐘后的表面。
另外，由于還同時(shí)進(jìn)行非熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻，所以不能區(qū)別“ユ-ピレツクス-VT”和“ユ-ピレツクス-S”的邊界。比較例1的膜厚測(cè)定結(jié)果如表4所示，另外比較例2的膜厚測(cè)定結(jié)果如表5所示。
表4

表5

在表4中，處理時(shí)間表示(分鐘)，厚度表示(μm)，VT表示“ユ-ピレツクス-VT”，S表示“ユ-ピレツクス-S”。另外，在表5中，處理時(shí)間表示(分鐘)，厚度表示(μm)，TPI表示熱塑性聚酰亞胺樹脂，PI表示非熱塑性聚酰亞胺樹脂。
比較例3除延長利用上述TEP-3000的蝕刻時(shí)間，代替利用由一乙醇胺300體積份和25％羥化四甲銨水溶液100體積份構(gòu)成的蝕刻液的蝕刻以外，在與實(shí)施例4同樣的條件下進(jìn)行處理，結(jié)果如SEM照片即圖6所示，產(chǎn)生樹脂的蝕刻差(與非熱塑性聚酰亞胺樹脂相比，熱塑性聚酰亞胺樹脂難以蝕刻)，只能得到僅熱塑性聚酰亞胺樹脂夾持的“アピカル”(非熱塑性聚酰亞胺樹脂)被蝕刻的線槽周壁。
比較例4按照美國專利第4426253號(hào)說明書記載的方法，用由異丙醇300體積份和25％羥化四甲銨水溶液100體積份和水50體積份構(gòu)成的70℃的蝕刻液，將實(shí)施例4中所說的用上述TPE-3000蝕刻處理后的線槽周壁部分存在熱塑性聚酰亞胺樹脂殘留物的聚酰亞胺樹脂薄膜基材處理5分鐘，結(jié)果如SEM照片即圖7所示，不能除去線槽周壁部分的熱塑性聚酰亞胺樹脂的殘留物。
工業(yè)實(shí)用性如上所述，按照本發(fā)明，可以得到適于蝕刻熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻液。
也就是說，如果使用本發(fā)明的包括分子中具有氨基或亞氨基和羥基的碳原子數(shù)為4以下的脂肪族氨基醇以及羥化四烷基銨水溶液的蝕刻液，則在進(jìn)行蝕刻時(shí)能夠使熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻相對(duì)于非熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻優(yōu)先，并使兩種蝕刻的進(jìn)行平衡大致保持一定，這是用以前的蝕刻液難以實(shí)現(xiàn)的，因此特別能夠進(jìn)一步促進(jìn)使用熱塑性聚酰亞胺類粘結(jié)劑的金屬貼合聚酰亞胺薄膜基材的廣泛使用。
權(quán)利要求
1.一種熱塑性聚酰亞胺樹脂用蝕刻液，其特征在于，包括分子中具有氨基和亞氨基中一方以及羥基且碳原子數(shù)為4以下的脂肪族氨基醇，以及羥化四烷基銨水溶液。
2.如權(quán)利要求1所述的熱塑性聚酰亞胺樹脂用蝕刻液，其特征在于，上述脂肪族氨基醇是一乙醇胺，同時(shí)上述羥化四烷基銨水溶液是羥化四甲銨水溶液和羥化四乙銨水溶液中一方。
3.如權(quán)利要求1所述的熱塑性聚酰亞胺樹脂用蝕刻液，其特征在于，上述脂肪族氨基醇是一乙醇胺，同時(shí)上述羥化四烷基銨水溶液是羥化四甲銨水溶液，羥化四甲銨的含量為4wt％～15wt％。
全文摘要
本發(fā)明涉及適于蝕刻熱塑性聚酰亞胺樹脂的蝕刻液。該蝕刻液包括分子中具有氨基或亞氨基和羥基且碳原子數(shù)為4以下的脂肪族氨基醇以及羥化四烷基銨水溶液。
文檔編號(hào)H05K3/00GK1545533SQ01820219
公開日2004年11月10日 申請(qǐng)日期2001年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月7日
發(fā)明者秋田雅典, 浦島利夫, 小山稔, 鈴木篤, 橋野優(yōu)子, 金子美晴, 夫, 子, 晴 申請(qǐng)人:東麗工程株式會(huì)社