專利名稱：垂直式內埋電容基板的制作方法及其結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種內埋電容基板，特別是有關于一種垂直式內埋電容基板的制造方法及其結構。
背景技術：
如圖1所示，現(xiàn)有的內埋電容基板10是包含有一上表面11、一下表面12、若干個內埋電容13及若干個導線14，該些內埋電容13是電性連接該些導線14，該些內埋電容13是具有一第一電極131、一介電層132及一第二電極133，該些第一電極131與該些第二電極133是分別平行設置于該上表面11與該下表面12，一芯片50可通過該些導線14與該些內埋電容11電性連接，但是該些內埋電容11的該些第一電極131與該些第二電極133的布局方式是為水平式，即分別平行該上表面11與該下表面12，其會占去基板相當多的布局空間，使得該些內埋電容11的布局數(shù)量會受限于基板尺寸大小，而無法大量應用，且在電容數(shù)量不足時，仍需依靠外加式電容c來補償，其不僅會增加額外的SMT制程，更會增加封裝體體積及制作成本。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的是在于提供一種垂直式內埋電容基板的制造方法及其結構，其主要是利用若干個圖案化電極層與若干個介電層所構成的垂直式內埋電容，增加基板的電路布局空間及設計彈性，除了無須使用額外的SMT制程來增加外加式電容外，更可讓使用該垂直式內埋電容基板的封裝體(Package)體積縮小及降低制作成本。
依據(jù)本發(fā)明的一種垂直式內埋電容基板的制作方法，是包含提供若干個導通層，該些導通層是由一導線層及一第一介電層所組成，該導線層是形成于該第一介電層上；提供若干個復合層，該些復合層是由一圖案化電極層及二介電層所組成，該圖案化電極層是形成于該第二介電層上；壓合該些導通層及該些復合層以形成一塊體，該塊體是定義有若干個垂直式內埋電容基板及在該些垂直式內埋電容基板間的若干個切割道；以及沿著該些切割道切割該塊體，以單體化分離該些垂直式內埋電容基板。
依據(jù)本發(fā)明的另一種垂直式內埋電容基板的制作方法，是包含提供若干個導通層，該些導通層是由一導線層及一第一介電層所組成，該導線層是形成于該第一介電層上；提供若干個第一復合層，該些第一復合層是由一圖案化電極層及一第二介電層所組成，該圖案化電極層是形成于該第二介電層上；提供若干個第二復合層，該些第二復合層是由一平板電極層及一第三介電層所組成，該平板電極層是形成于該第三介電層上；壓合該些導通層、該些第復合層與該些第二復合層以形成一塊體，該塊體是定義有若干個垂直式內埋電容基板及在該些垂直式內埋電容基板間的若干個切割道；以及沿著該些切割道切割該塊體，以單體化分離該些垂直式內埋電容基板。
依據(jù)本發(fā)明的一種垂直式內埋電容基板，其包含若干個導通層及若干個第一復合層，該些導通層是具有一導線層及一第一介電層，該導線層是形成于該第一介電層上，該些第一復合層是形成于該些導通層之間，其具有一圖案化電極層及一第二介電層，該些圖案化電極層是具有若干個電極。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明其主要是利用若干個圖案化電極層與若干個介電層所構成的垂直式內埋電容，增加基板的電路布局空間及設計彈性，除了無須使用額外的SMT制程來增加外加式電容外，更可讓使用該垂直式內埋電容基板的封裝體(Package)體積縮小及降低制作成本。


圖1是現(xiàn)有的內埋電容基板的立體示意圖。
圖2A至圖2D是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例，一種垂直式內埋電容基板的制造方法流程圖。
圖3是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例，在該垂直式內埋電容基板形成至少一線路層的制程剖面示意圖。
圖4是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實施例，在該線路層上的形成若干個凸塊的制程剖面示意圖。
圖5A至圖5E是依據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例，一種垂直式內埋電容基板的制造方法流程圖。
圖6是依據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例，在該垂直式內埋電容基板形成至少一線路層的制程剖面示意圖。
圖7是依據(jù)本發(fā)明的第二較佳實施例，在該線路層上形成若干個凸塊的制程剖面示意圖。
具體實施例方式
請參閱圖2A至圖2C，其是本發(fā)明的第一較佳實施例，一種垂直式內埋電容基板20的制作方法。首先，請參閱圖2A，提供若干個導通層21，該些導通層21是由一導線層211及一第一介電層212所組成，該導線層211是形成于該第一介電層212上，在本實施例中，該些導線層211是由一平板金屬層以微影蝕刻制程制作完成(圖未繪出)，該些導線層211是具有若干個導線211a，該些導線211a是用以取代現(xiàn)有基板的導通孔；之后，請參閱圖2B，提供若干個復合層22，該些復合層22是由一圖案化電極層221及一第二介電層222所組成，其中該圖案化電極層221是形成于該第二介電層222上，在本實施例中，該些圖案化電極層221是由一平板金屬層以微影蝕刻制程制作完成(圖未繪出)，該些圖案化電極層221是具有若干個電極221a，用以構成若干個電容結構C(如圖2C所示)，該些電容結構C可依據(jù)應用上的不同電性需求作串、并聯(lián)設計，較佳地，該些電極221a是呈陣列狀分布，而該些第二介電層222與該些第一介電層212是可為環(huán)氧樹脂(epoxyresin)、FR4、BT樹脂、高分子材料或陶瓷材料；接著，請參閱圖2C，壓合該些導通層21及該些復合層22以形成一塊體B，該塊體B是定義有若干個垂直式內埋電容基板20及在該些垂直式內埋電容基板20間的若干個切割道B1，在本實施例中，該些垂直式內埋電容基板20的尺寸是可依據(jù)應用需求而定；最后，請參閱圖2D，沿著該些切割道B1切割該塊體B，以單體化分離該些垂直式內埋電容基板20，經(jīng)單體化分離的該些垂直式內埋電容基板20是具有一第一表面201及一第二表面202，該些第一表面201與該些第二表面202是顯露該些導線211a及該些電極221a，該些導線211a與該些電極22 1a是可用以電性連接至少一芯片或至少一電路組件(圖未繪出)。
請參閱圖3，在本實施例中，可另包含在該些垂直式內埋電容基板20的該些第一表面201與該些第二表面202上形成至少一線路層23，該線路層23是電性連接該些導線層211的該些導線211a及該些圖案化電極層221的該些電極221a，使該芯片或該電路組件可通過該線路層23與該垂直式內埋電容基板20電性連接?；蛘撸垍㈤唸D4，又另包含在該線路層23上形成若干個凸塊24，使該芯片可通過該些凸塊24與該垂直式內埋電容基板20電性連接。
請參閱圖5A及圖5E，其是本發(fā)明的第二較佳實施例，一種垂直式內埋電容基板30的制作方法。首先，請參閱圖5A，提供若干個導通層31，該些導通層31是由一導線層311及一第一介電層312所組成，該導線層311是形成于該第一介電層312上，在本實施例中，該些導線層311是具有若干個導線311a；之后，請參閱圖5B，提供若干個第一復合層32，該些第一復合層32是由一圖案化電極層321及一第二介電層322所組成，該圖案化電極層321是形成于該第二介電層322上，在本實施例中，該些圖案化電極層321是具有若干個電極321a，該些電極321a是呈陣列狀分布；之后，請參閱圖5C，提供若干個第二復合層33，該些第二復合層33是由一平板電極層331及一第三介電層332所組成，該平板電極層331是形成于該第三介電層332上，在本實施例中，該些第三介電層332、該些第二介電層322與該些第一介電層312是可為相同材料或不相同材料；接著，請參閱圖5D，壓合該些導通層31、該些第一復合層32與該些第二復合層33以形成一塊體B，該塊體B是定義有若干個垂直式內埋電容基板30及在該些垂直式內埋電容基板30間的若干個切割道B1；最后，請參閱圖5E，沿著該些切割道B1切割該塊體B，以單體化分離該些垂直式內埋電容基板30，經(jīng)單體化分離的該些垂直式內埋電容基板30是具有一第一表面301及一第二表面302，該些第一表面301與該些第二表面302是顯露該些導線311a、該些電極321a及該些平板電極層331，該些導線311a、該些電極321a及該些平板電極層331是可用以電性連接至少一芯片或至少一電路組件(圖未繪出)。
請參閱圖6，在本實施例中，可另包含在該些垂直式內埋電容基板30的該些第一表面301與該些第二表面302上形成至少一線路層34，該線路層34是電性連接該些導線層311的該些導線311a、該些圖案化電極層321的該些電極321a及該些平板電極層331，使該芯片或該電路組件可通過該線路層34與該垂直式內埋電容基板30電性連接?；蛘?，請參閱圖7，又另包含在該線路層34上形成若干個凸塊35，使該芯片或該電路組件可通過該些凸塊35與該垂直式內埋電容基板30電性連接。
請參閱圖5E及圖6，其是依據(jù)本發(fā)明的垂直式內埋電容基板結構，一種垂直式內埋電容基板30是包含有若干個導通層31及若干個第一復合層32，該些導通層31是具有一導線層311及一第一介電層312，該導線層311是形成于該第一介電層312上，該些導線層311是具有若干個導線311a，該些第一復合層32是形成于該些導通層31之間，其具有一圖案化電極層321及一第二介電層322，該些圖案化電極層321是具有若干個電極321a，較佳地，該些電極321a是呈陣列狀分布。在本實施例中，該垂直式內埋電容基板30是另包含有若干個第二復合層33，該些第二復合層33是具有一平板電極層331及一第三介電層332，該些第二復合層33是形成于該些導通層31之間，或者，在另一實施例中，該些第二復合層33是可形成于該些第一復合層32之間。本發(fā)明是通過該些圖案化電極層321與該些第二介電層322或該些平板電極層331與該些第三介電層332所構成的垂直式內埋電容，大幅增加基板的電路布局空間及設計彈性，除了無須使用額外的SMT制程來增加外加式電容外，更可讓使用該垂直式內埋電容基板30的封裝體(Package)體積縮小及降低制作成本。
權利要求
1.一種垂直式內埋電容基板的制造方法，其特征在于其包含提供若干個導通層，該些導通層是由一導線層及一第一介電層所組成，該導線層是形成于該第一介電層上；提供若干個復合層，該些復合層是由一圖案化電極層及一第二介電層所組成，該圖案化電極層是形成于該第二介電層上；壓合該些導通層及該些復合層以形成一塊體，該塊體是定義有若干個垂直式內埋電容基板及在該些垂直式內埋電容基板間的若干個切割道；以及沿著該些切割道切割該塊體，以單體化分離該些垂直式內埋電容基板，且該些垂直式內埋電容基板是具有一第一表面及一第二表面。
2.如權利要求1所述的垂直式內埋電容基板的制造方法，其特征在于其另包含形成至少一線路層于該些垂直式內埋電容基板的該些第一表面與該些第二表面上，該線路層是電性連接該些導線層及該些圖案化電極層。
3.如權利要求2所述的垂直式內埋電容基板的制造方法，其特征在于；其另包含形成若干個凸塊于該線路層上。
4.一種垂直式內埋電容基板的制造方法，其特征在于；其包含提供若干個導通層，該些導通層是由一導線層及一第一介電層所組成，該導線層是形成于該第一介電層上；提供若干個第一復合層，該些第一復合層是由一圖案化電極層及一第二介電層所組成，該圖案化電極層是形成于該第二介電層上；提供若干個第二復合層，該些第二復合層是由一平板電極層及一第三介電層所組成，該平板電極層是形成于該第三介電層上；壓合該些導通層、該些第一復合層及該些第二復合層以形成一塊體，該塊體是定義有若干個垂直式內埋電容基板及在該些垂直式內埋電容基板間的若干個切割道；以及沿著該些切割道切割該塊體，以單體化分離該些垂直式內埋電容基板，且該些垂直式內埋電容基板具有一第一表面及一第二表面。
5.如權利要求4所述的垂直式內埋電容基板的制造方法，其特征在于；其另包含形成至少一電性連接該些導線層、圖案化電極層以及平板電極層的線路層于該些垂直式內埋電容基板的該些第一表面與該些第二表面上。
6.如權利要求5所述的垂直式內埋電容基板的制造方法，其特征在于；其另包含形成若干個凸塊于該線路層上。
7.一種垂直式內埋電容基板，其特征在于；其包含若干個導通層，其具有一導線層及一第一介電層，該導線層是形成于該第一介電層上；以及若干個第一復合層，其形成于該些導通層之間，其具有一圖案化電極層及一第二介電層，該些圖案化電極層具有若干個電極。
8.如權利要求7所述的垂直式內埋電容基板，其特征在于；其另包含有若干個第二復合層，該些第二復合層是形成于該些導通層之間，該些第二復合層具有一平板電極層及一第三介電層。
9.如權利要求7所述的垂直式內埋電容基板，其特征在于；其另包含有若干個第二復合層，該些第二復合層是形成于該些第一復合層之間，該些第二復合層具有一平板電極層及一第三介電層。
10.如權利要求7所述的垂直式內埋電容基板，其特征在于；該些導線層具有若干個導線。
全文摘要
一種垂直式內埋電容基板的制作方法及其結構，主要包含提供若干個導通層，該些導通層是由一導線層及一第一介電層所組成，該導線層是形成于該第一介電層上；提供若干個復合層，該些復合層是由一圖案化電極層及一第二介電層所組成，該圖案化電極層是形成于該第二介電層上；壓合該些導通層及該些復合層以形成一塊體，該塊體是定義有若干個垂直式內埋電容基板及在該些垂直式內埋電容基板間的若干個切割道；以及沿著該些切割道切割該塊體，以單體化分離該些垂直式內埋電容基板。
文檔編號H05K1/00GK101090075SQ200710128710
公開日2007年12月19日 申請日期2007年7月3日 優(yōu)先權日2007年7月3日
發(fā)明者廖國成 申請人:日月光半導體制造股份有限公司