[0094]技術方案10.根據(jù)技術方案8所述的半導體存儲器件，其中，當所述控制信號被去激活時，所述地址輸出部分輸出所述第一相鄰地址組；以及當所述控制信號激活時，所述地址輸出部分輸出所述第二相鄰地址組。
[0095]技術方案11.一種半導體存儲器件，包括:
[0096]存儲體，包括多個字線；
[0097]智能命令生成單元，適用于計數(shù)刷新命令并生成以預定周期被激活的智能刷新命令；以及
[0098]刷新操作控制單元，適用于:計數(shù)所述智能刷新命令，對與所述多個字線中的與目標字線最相鄰的第一字線執(zhí)行預定次數(shù)的刷新操作，以及在所述預定次數(shù)之后對與所述目標字線第二相鄰的第二字線執(zhí)行所述刷新操作。
[0099]技術方案12.根據(jù)技術方案11所述的半導體存儲器件，還包括:
[0100]正常命令生成單元，適用于:響應所述刷新命令來生成正常刷新命令，并在所述智能刷新命令激活時使所述正常刷新命令去激活。
[0101]技術方案13.根據(jù)技術方案12所述的半導體存儲器件，其中，所述刷新操作控制單元包括:
[0102]正常地址生成部，適用于計數(shù)所述正常刷新命令并生成正常刷新地址；
[0103]目標行信息生成部，適用于:接收存儲體地址、行命令和行地址，以及生成關于所述目標字線的目標行信息；
[0104]智能地址生成部，適用于:接收所述智能刷新命令和目標行信息，以及生成用于所述第一字線的第一相鄰地址或者用于所述第二字線的第二相鄰地址；
[0105]字線驅動部，適用于驅動所述多個字線中的與所述正常刷新地址、所述第一相鄰地址和所述第二相鄰地址相對應的字線。
[0106]技術方案14.根據(jù)技術方案13所述的半導體存儲器件，其中，所述智能地址生成部包括:
[0107]計數(shù)部分，適用于計數(shù)所述智能刷新命令并生成控制信號；
[0108]地址鎖存部分，適用于鎖存所述目標行信息并輸出鎖存的地址；
[0109]地址輸出部分，適用于響應所述控制信號來輸出所述鎖存的地址的第一相鄰地址組或者所述鎖存的地址的第二相鄰地址組。
[0110]技術方案15.根據(jù)技術方案14所述的半導體存儲器件，其中，所述計數(shù)部分計數(shù)所述智能刷新命令，并且當所述智能刷新命令計數(shù)了所述預定次數(shù)時，所述計數(shù)部分激活所述控制信號。
[0111]技術方案16.根據(jù)技術方案14所述的半導體存儲器件，其中，當所述控制信號被去激活時，所述地址輸出部分輸出所述第一相鄰地址組；以及當所述控制信號被激活時，所述地址輸出部分輸出所述第二相鄰地址組。
[0112]技術方案17.—種半導體存儲器件的刷新操作方法，包括:
[0113]檢測多個字線中的目標字線；
[0114]響應刷新命令，對所述多個字線中的與所述目標字線第一相鄰的第一字線對執(zhí)行預定次數(shù)的智能刷新操作；以及
[0115]在對所述第一字線對執(zhí)行所述智能刷新操作后，響應所述刷新命令來對所述多個字線中的與所述目標字線第二相鄰的第二字線對執(zhí)行所述智能刷新操作。
[0116]技術方案18.根據(jù)技術方案17所述的刷新操作方法，還包括:
[0117]響應所述刷新操作，順序地對所述多個字線執(zhí)行正常刷新操作。
[0118]技術方案19.根據(jù)技術方案17所述的刷新操作方法，還包括:
[0119]每當執(zhí)行所述智能刷新操作時，更新所述目標字線。
【主權項】
1.一種半導體存儲器件，包括: 存儲體，包括多個字線； 刷新操作控制單元，適用于:響應智能刷新命令而對所述多個字線中的目標字線的第一相鄰字線組執(zhí)行第一刷新操作，并在所述第一刷新操作之后對所述目標字線的第二相鄰字線組執(zhí)行第二刷新操作。2.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，第一相鄰字線組包括所述多個字線中的與目標字線第一相鄰的字線，第二字線組包括所述多個字線中的與目標字線第二相鄰的字線。3.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括: 正常命令生成單元，適用于響應刷新命令來生成正常刷新命令； 智能命令生成單元，適用于:計數(shù)所述刷新命令，并且每當所述刷新命令被計數(shù)了第一預定次數(shù)時生成智能刷新命令， 其中，當所述智能刷新命令被激活時，所述正常刷新命令被去激活。4.根據(jù)權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，所述正常命令生成單元計數(shù)刷新命令，并生成在每個預定周期被激活的正常刷新命令。5.根據(jù)權利要求4所述的半導體存儲器件，其中，所述智能命令生成單元計數(shù)所述刷新命令以在每個第一預定周期激活用于執(zhí)行第一智能模式的所述智能刷新命令，以及計數(shù)所述刷新命令以在每個第二預定周期激活用于執(zhí)行第二智能模式的所述智能刷新命令。6.根據(jù)權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，所述刷新操作控制單元響應所述正常刷新命令來順序地訪問所述多個字線。7.根據(jù)權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，所述刷新操作控制單元包括: 正常地址生成部，適用于計數(shù)所述正常刷新命令并生成正常刷新地址； 目標行信息生成部，適用于接收存儲體地址、行命令和行地址，以及生成關于所述目標字線的目標行信息； 智能地址生成部，適用于:接收所述智能刷新命令和所述目標行信息，以及生成用于所述第一相鄰字線組的第一相鄰地址或者用于所述第二相鄰字線組的第二相鄰地址；以及字線驅動部，適用于驅動所述多個字線中的與所述正常刷新地址、所述第一相鄰地址和所述第二相鄰地址相對應的字線。8.根據(jù)權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，所述智能地址生成部包括: 計數(shù)部分，適用于計數(shù)所述智能刷新命令并生成控制信號； 地址鎖存部分，適用于鎖存所述目標行信息并輸出鎖存的地址； 地址輸出部分，適用于響應控制信號來輸出所述鎖存的地址的第一相鄰地址組或者所述鎖存的地址的第二相鄰地址組。9.一種半導體存儲器件，包括: 存儲體，包括多個字線； 智能命令生成單元，適用于計數(shù)刷新命令并生成以預定周期被激活的智能刷新命令；以及 刷新操作控制單元，適用于:計數(shù)所述智能刷新命令，對與所述多個字線中的與目標字線最相鄰的第一字線執(zhí)行預定次數(shù)的刷新操作，以及在所述預定次數(shù)之后對與所述目標字線第二相鄰的第二字線執(zhí)行所述刷新操作。10.一種半導體存儲器件的刷新操作方法，包括: 檢測多個字線中的目標字線； 響應刷新命令，對所述多個字線中的與所述目標字線第一相鄰的第一字線對執(zhí)行預定次數(shù)的智能刷新操作；以及 在對所述第一字線對執(zhí)行所述智能刷新操作后，響應所述刷新命令來對所述多個字線中的與所述目標字線第二相鄰的第二字線對執(zhí)行所述智能刷新操作。
【專利摘要】公開了一種半導體存儲器件。該半導體存儲器件包括存儲體和刷新操作控制單元。存儲體包括多個字線。刷新操作控制單元適用于響應智能刷新命令而對多個字線中的目標字線的第一相鄰字線組執(zhí)行第一刷新操作，并在第一刷新操作之后對目標字線的第二相鄰字線組執(zhí)行第二刷新操作。
【IPC分類】G11C7/24, G11C11/406
【公開號】CN105679359
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】李星燁, 池性洙
【申請人】愛思開海力士有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2015年7月28日