用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬硅片切割技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]硅片加工領(lǐng)域中，多線切割是硅片加工最常用的一種加工方式。在切片機(jī)正常運(yùn)行及人員操作穩(wěn)定的情況下，硅片加工質(zhì)量和切割過(guò)程的穩(wěn)定性主要取決于砂漿的質(zhì)量。目前砂漿在使用過(guò)程中存在以下問(wèn)題:一是切片工藝需要用到鋼線，在鋼線高速運(yùn)動(dòng)帶動(dòng)砂漿磨削單多晶晶塊的同時(shí)，鋼線本身也被磨損，通常鋼線的磨損量從幾個(gè)μ m到幾十個(gè)μπι不等，由于鋼線被磨削下來(lái)的小尺寸金屬離子通常在小于I μπι的量級(jí)很容易懸浮在砂漿中，易導(dǎo)致砂漿質(zhì)量變差，使切割能力減弱；二是金屬離子中的鐵成分會(huì)有部分溶于砂漿，使臟片發(fā)生概率增大，且使得整個(gè)砂漿循環(huán)系統(tǒng)中回收砂漿質(zhì)量下降；三是砂漿中的雜質(zhì)成分即金屬離子導(dǎo)致切割硅片表面出現(xiàn)雜質(zhì)劃痕或線痕，從而增加了切片過(guò)程中的隱裂片、厚薄片、線痕片、缺角片和碎片的比例，切片優(yōu)良率及效益受到影響。因此有必要提出改進(jìn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題:提供一種用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置，將裝有磁鐵的支架固定于切片機(jī)內(nèi)部和外部過(guò)濾系統(tǒng)中，通過(guò)磁鐵對(duì)砂漿中的金屬離子特別是鐵離子進(jìn)行吸附，提升回收砂漿的品質(zhì)，降低砂漿使用成本，減少線痕片、劃傷片及臟片等的發(fā)生率，有效保證硅片表面質(zhì)量。
[0004]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案:用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置，包括支架和磁鐵，所述支架包括與硅片切片機(jī)固定連接的法蘭盤(pán)，所述法蘭盤(pán)上設(shè)有支撐板，所述磁鐵通過(guò)銷(xiāo)釘固定于支撐板上。
[0005]其中，所述磁鐵上均勻設(shè)有多個(gè)孔。
[0006]進(jìn)一步地，所述法蘭盤(pán)上設(shè)有四個(gè)支撐板，所述四個(gè)支撐板排成四方鏤空結(jié)構(gòu)，所述磁鐵與支撐板間隙配合，所述支撐板上設(shè)有銷(xiāo)孔，所述銷(xiāo)釘兩端與銷(xiāo)孔適配并對(duì)磁鐵進(jìn)行限位。
[0007]進(jìn)一步地，所述法蘭盤(pán)上設(shè)有固定螺紋孔，螺釘穿過(guò)固定螺紋孔將法蘭盤(pán)固定在硅片切片機(jī)上。
[0008]進(jìn)一步地，所述法蘭盤(pán)和支撐板均采用不銹鋼制成。
[0009]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn):
[0010]1、通過(guò)支架將磁鐵固定于切片機(jī)過(guò)內(nèi)外濾系統(tǒng)中，磁鐵對(duì)砂漿中的金屬離子特別是鐵離子進(jìn)行吸附，提升回收砂漿的品質(zhì)，降低砂漿使用成本，減少金屬離子磨削硅片造成的線痕片、劃傷片及臟片等不合格品的發(fā)生率，有效保證硅片表面質(zhì)量；
[0011]2、磁鐵上均勻設(shè)有多個(gè)孔，使磁鐵呈多孔狀，有利于砂漿順暢流動(dòng)；
[0012]3、磁鐵通過(guò)銷(xiāo)釘固定于支架上，并且法蘭盤(pán)通過(guò)螺釘固定于切片機(jī)上，可方便的對(duì)磁鐵進(jìn)行拆裝，定期對(duì)磁鐵進(jìn)行更換和清理；
[0013]4、法蘭盤(pán)和支撐板均采用不銹鋼制成，防止使用過(guò)程中對(duì)砂漿再次造成污染。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖1描述本實(shí)用新型的實(shí)施例。
[0016]用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置，包括支架I和磁鐵2，所述磁鐵2上均勻設(shè)有多個(gè)孔21，使磁鐵2形成多孔結(jié)構(gòu)，有利于砂漿流動(dòng)，減小對(duì)砂漿流動(dòng)的阻力。所述支架I包括與硅片切片機(jī)固定連接的法蘭盤(pán)11，所述法蘭盤(pán)11上設(shè)有固定螺紋孔111，螺釘穿過(guò)固定螺紋孔111將法蘭盤(pán)11固定在硅片切片機(jī)上；所述法蘭盤(pán)11上設(shè)有支撐板12，具體的，所述支撐板12的個(gè)數(shù)采用四個(gè)，所述四個(gè)支撐板12排成四方鏤空結(jié)構(gòu)，所述磁鐵2與支撐板12間隙配合，防止磁鐵2磨損而導(dǎo)致其磁力下降，影響其使用效果，所述支撐板12上設(shè)有銷(xiāo)孔121，所述銷(xiāo)釘13兩端與銷(xiāo)孔121適配并對(duì)磁鐵2進(jìn)行固定限位。上述支架I與切片機(jī)的固定方式及磁鐵2與支架I的固定方式，都有利于磁鐵2的拆裝，對(duì)磁鐵2進(jìn)行更換或?qū)η冶砻孢M(jìn)行周期性清理，保證磁鐵2的吸附性能。所述法蘭盤(pán)11和支撐板12均采用不銹鋼制成，防止本裝置在使用過(guò)程對(duì)砂漿造成二次污染。
[0017]使用時(shí)，將本實(shí)用新型通過(guò)法蘭盤(pán)I固定于切片機(jī)內(nèi)部砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中，或安裝于切片機(jī)外部砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中，磁鐵2對(duì)砂漿中的金屬離子特別是鐵離子進(jìn)行吸附，減少回收砂漿中金屬顆粒含量，提升回收砂漿的品質(zhì)，降低砂漿使用成本；同時(shí)，減少金屬離子對(duì)硅片磨削而造成的隱裂片、厚薄片、線痕片、劃傷片及臟片等不合格品的發(fā)生率，提高硅片表面質(zhì)量；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小，節(jié)約空間，制造成本低。
[0018]上述實(shí)施例，只是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非用來(lái)限制本實(shí)用新型實(shí)施范圍，故凡以本實(shí)用新型權(quán)利要求所述內(nèi)容所做的等效變化，均應(yīng)包括在本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置，其特征在于:包括支架(I)和磁鐵(2)，所述支架(I)包括與硅片切片機(jī)固定連接的法蘭盤(pán)(11)，所述法蘭盤(pán)(11)上設(shè)有支撐板(12)，所述磁鐵⑵通過(guò)銷(xiāo)釘(13)固定于支撐板(12)上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置，其特征在于:所述磁鐵(2)上均勻設(shè)有多個(gè)孔(21)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置，其特征在于:所述法蘭盤(pán)(11)上設(shè)有四個(gè)支撐板(12)，所述四個(gè)支撐板(12)排成四方鏤空結(jié)構(gòu)，所述磁鐵⑵與支撐板(12)間隙配合，所述支撐板(12)上設(shè)有銷(xiāo)孔(121)，所述銷(xiāo)釘(13)兩端與銷(xiāo)孔(121)適配并對(duì)磁鐵(2)進(jìn)行限位。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置，其特征在于:所述法蘭盤(pán)(11)上設(shè)有固定螺紋孔(111)，螺釘穿過(guò)固定螺紋孔(111)將法蘭盤(pán)(11)固定在硅片切片機(jī)上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置，其特征在于:所述法蘭盤(pán)(11)和支撐板(12)均采用不銹鋼制成。
【專(zhuān)利摘要】提供一種用于硅片切割砂漿的金屬離子吸收裝置，包括支架和磁鐵，所述支架包括與硅片切片機(jī)固定連接的法蘭盤(pán)，所述法蘭盤(pán)上設(shè)有支撐板，所述磁鐵通過(guò)銷(xiāo)釘固定于支撐板上。本實(shí)用新型提升回收砂漿的品質(zhì)，降低砂漿使用成本，減少金屬離子磨削硅片造成的線痕片、劃傷片及臟片等不合格品的發(fā)生率，有效保證硅片表面質(zhì)量。
【IPC分類(lèi)】B28D7/00, B28D5/04
【公開(kāi)號(hào)】CN204894262
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520682309
【發(fā)明人】張鵬杰, 李詠梅, 孔德龍, 李金東, 牛龍, 金鵬, 馮海剛
【申請(qǐng)人】陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司
【公開(kāi)日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年9月6日