技術(shù)編號(hào)：39729792
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及包括氧化物半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管。另外，本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及包括薄膜晶體管的電子設(shè)備。背景技術(shù)、近年來(lái)，取代非晶硅、低溫多晶硅及單晶硅等硅半導(dǎo)體膜而使用氧化物半導(dǎo)體膜作為溝道的薄膜晶體管的開(kāi)發(fā)不斷發(fā)展(例如參見(jiàn)專利文獻(xiàn)～)。這樣的包括氧化物半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管與包括非晶硅膜的薄膜晶體管同樣能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)且通過(guò)低溫工藝來(lái)形成。另外，已知包括氧化物半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管相較于包括非晶硅膜的薄膜晶體管而言具有高的遷移率。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本特開(kāi)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。