本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及包括氧化物半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管。另外，本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及包括薄膜晶體管的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、近年來，取代非晶硅、低溫多晶硅及單晶硅等硅半導(dǎo)體膜而使用氧化物半導(dǎo)體膜作為溝道的薄膜晶體管的開發(fā)不斷發(fā)展(例如參見專利文獻(xiàn)1～6)。這樣的包括氧化物半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管與包括非晶硅膜的薄膜晶體管同樣能夠以簡單的結(jié)構(gòu)且通過低溫工藝來形成。另外，已知包括氧化物半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管相較于包括非晶硅膜的薄膜晶體管而言具有高的遷移率。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2021-141338號(hào)公報(bào)

5、專利文獻(xiàn)2：日本特開2014-099601號(hào)公報(bào)

6、專利文獻(xiàn)3：日本特開2021-153196號(hào)公報(bào)

7、專利文獻(xiàn)4：日本特開2018-006730號(hào)公報(bào)

8、專利文獻(xiàn)5：日本特開2016-184771號(hào)公報(bào)

9、專利文獻(xiàn)6：日本特開2021-108405號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、然而，包括現(xiàn)有的氧化物半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管的場(chǎng)效應(yīng)遷移率即便在使用具有結(jié)晶性的氧化物半導(dǎo)體膜的情況下也沒有那么大。因此，期望對(duì)薄膜晶體管中使用的氧化物半導(dǎo)體膜的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良來提高薄膜晶體管的場(chǎng)效應(yīng)遷移率。

3、本發(fā)明的一實(shí)施方式鑒于上述問題而作成，其目的之一在于提供包括具有新型晶體結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管。另外，本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及包括薄膜晶體管的電子設(shè)備。

4、用于解決課題的手段

5、本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的薄膜晶體管包括基板、設(shè)置在基板之上的氧化金屬層、與氧化金屬層相接而設(shè)置且具有結(jié)晶性的氧化物半導(dǎo)體層、與氧化物半導(dǎo)體層重疊設(shè)置的柵電極、和設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層與柵電極之間的絕緣層，氧化物半導(dǎo)體層包含多個(gè)晶粒，該多個(gè)晶粒分別包括通過ebsd(電子背散射衍射)法取得的晶體取向＜001＞、晶體取向＜101＞及晶體取向＜111＞中的至少一者。

6、本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備包括上述薄膜晶體管。

技術(shù)特征：

1.薄膜晶體管，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其中，

17.電子設(shè)備，其包括權(quán)利要求1～16中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。

技術(shù)總結(jié)
薄膜晶體管包括基板、設(shè)置在基板之上的氧化金屬層、與氧化金屬層相接而設(shè)置且具有結(jié)晶性的氧化物半導(dǎo)體層、與氧化物半導(dǎo)體層重疊設(shè)置的柵電極、和設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層與柵電極之間的絕緣層，氧化物半導(dǎo)體層包含多個(gè)晶粒，該多個(gè)晶粒分別包括通過EBSD(電子背散射衍射)法取得的晶體取向＜001＞、晶體取向＜101＞及晶體取向＜111＞中的至少一者。

技術(shù)研發(fā)人員：渡壁創(chuàng),津吹將志,佐佐木俊成,田丸尊也,川嶋繪美,霍間勇輝,佐佐木大地
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社日本顯示器
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21