一種雙通道濾波器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種光學(xué)薄膜技術(shù)，具體來(lái)說(shuō)就是一種雙通道濾波器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品在人們生活中的廣泛應(yīng)用，各種新的功能層出不窮，隨著智能手機(jī)各種功能和特性的不斷完善，手機(jī)的照相功能很大程度上替代了市場(chǎng)上原來(lái)照相機(jī)的功能，這在一定程度上使得照相機(jī)逐漸退出市場(chǎng)，而手機(jī)的照相鏡頭中，一個(gè)重要光學(xué)薄膜元件，就是在可見(jiàn)區(qū)420~645nm透過(guò)，700~1 10nm截止。同時(shí)，還有一種新型的手勢(shì)功能，它可以通過(guò)鏡頭識(shí)別人的手勢(shì)達(dá)到人機(jī)互動(dòng)的功能，這種功能的要求在波長(zhǎng)865nm處有高的透過(guò)率，而其它波長(zhǎng)截止，這樣就提出一種新型的光學(xué)薄膜濾波器，能夠同時(shí)滿(mǎn)足兩種功能的濾波器，它的具體要求為:可見(jiàn)區(qū)域420~645nm透過(guò)，近紅外區(qū)域845~900nm透過(guò)，工作角度為0~24度，通帶區(qū)域的透過(guò)率平均>95%，O度時(shí)近紅外的通帶的中心波長(zhǎng)872nm，透過(guò)90%的波長(zhǎng)為845~900nm ;可見(jiàn)區(qū)的中心波長(zhǎng)為535nm，透過(guò)90%的波長(zhǎng)為420~645nm，透過(guò)50%的波長(zhǎng)為650nm，透過(guò)率80%~20%的波長(zhǎng)<20nm，近紅外通帶的24度的中心波長(zhǎng)的漂移<23nm，35度的中心波長(zhǎng)的漂移<45nm，700~820nm和925~1050nm透過(guò)率峰值〈3%，平均值〈1%。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型公開(kāi)一種雙通道濾波器，其特征是:以玻璃為基板，;鍍膜材料為Si02和Ti02 ;膜系結(jié)構(gòu)為基板兩個(gè)表面上分別沉積多層薄膜，第一膜系為38層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為Τ?02層14nm、Si02層36nm、Τ?02層134nm、Si02層19nm、Ti02 層 139nm、Si02 層 25nm、Ti02 層 133nm、Si02 層 34nm、Ti02 層 109nm、Si02 層132nm、Ti02 層 102nm、Si02 層 55nm、Ti02 層 113nm、Si02 層 64nm、Ti02 層 103nm、Si02 層llOnm、Ti02 層 lOOnm、Si02 層 75nm、Ti02 層 102nm、Si02 層 lOlnm、Ti02 層 95nm、Si02 層107nm、Ti02 層 lOlnm、Si02 層 75nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 53nm、Ti02 層 103nm、Si02 層118nm、Ti02 層 89nm、Si02 層 131nm、Ti02 層 llOnm、Si02 層 32nm、Ti02 層 133nm、Si02 層25nm、Ti02 層 138nm、Si02 層 22nm、Ti02 層 123nm、Si02 層 87nm ;第二膜系為 36 層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為T(mén)i02層17nm、Si02層30nm、Ti02層72nm、Si02層16nm、Ti02層30nm、Si02 層 193nm、Ti02 層 115nm、Si02 層 184nm、Ti02 層 113nm、Si02 層 184nm、 Τ?02 層112nm、Si02 層 183nm、Ti02 層 lllnm、Si02 層 180nm、Ti02 層 109nm、Si02 層 179nm、Ti02 層llOnm、Si02 層 181nm、Τ?02 層 llOnm、Si02 層 181nm、Ti02 層 llOnm、Si02 層 180nm、Ti02層 109nm、Si02 層 179nm、Ti02 層 110nm、Si02 層 182nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 184nm、Ti02層 112nm、Si02 層 184nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 187nm、Ti02 層 23nm、Si02 層 8nm、Ti02 層86nm、Si02 層 92nm。
[0004]本實(shí)用新型的有益效果是通過(guò)采用在玻璃基板上下表面依次交替沉積多個(gè)高折射率膜層以及多個(gè)低折射率膜層的雙面結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了雙波長(zhǎng)的通道濾波器。實(shí)現(xiàn)了可見(jiàn)區(qū)域420~645nm透過(guò)，近紅外區(qū)域845~900nm透過(guò)，工作角度為0~24度，通帶區(qū)域的透過(guò)率平均值>95%，O度時(shí)近紅外的通帶的中心波長(zhǎng)872nm，透過(guò)90%的波長(zhǎng)為845~900nm ;可見(jiàn)區(qū)的中心波長(zhǎng)為535nm，透過(guò)90%的波長(zhǎng)為420~645nm，透過(guò)50%的波長(zhǎng)為650nm，透過(guò)率80%~20%的波長(zhǎng)<20nm，近紅外通帶的24度的中心波長(zhǎng)的漂移<23nm，35度的中心波長(zhǎng)的漂移<45nm，700~820nm和925~1050nm透過(guò)率峰值〈3%，平均值〈1%。這種雙通道濾波器應(yīng)用到手機(jī)上，既能完成照相功能又能完成手勢(shì)識(shí)別功能。
【附圖說(shuō)明】
[0005]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0006]圖中:11是玻璃基板12是第一膜系13是第二膜系。
[0007]圖2為本實(shí)用新型的測(cè)量曲線(xiàn)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說(shuō)明書(shū)文字能夠據(jù)以實(shí)施。
[0009]如圖1所示，本實(shí)用新型公開(kāi)一種雙通道濾光片，其特征是:以玻璃為基板，表面的質(zhì)量?jī)?yōu)于60/40 ;鍍膜材料為Si02和Ti02 ;膜系結(jié)構(gòu)為基板兩個(gè)表面上分別沉積多層薄膜，第一膜系為38層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為T(mén)i02層14nm、Si02層36nm、Τ?02層134nm、Si02 層 19nm、Ti02 層 139nm、Si02 層 25nm、Ti02 層 133nm、Si02 層 34nm、Ti02 層109nm、Si02 層 132nm、Ti02 層 102nm、Si02 層 55nm、Ti02 層 113nm、Si02 層 64nm、Ti02 層103nm、Si02 層 llOnm、Ti02 層 lOOnm、Si02 層 75nm、Ti02 層 102nm、Si02 層 lOlnm、Ti02 層95nm、Si02 層 107nm、Ti02 層 lOlnm、Si02 層 75nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 53nm、Ti02 層103nm、Si02 層 118nm、Ti02 層 89nm、Si02 層 131nm、Ti02 層 llOnm、Si02 層 32nm、Ti02 層133nm、Si02 層 25nm、Ti02 層 138nm、Si02 層 22nm、Ti02 層 123nm、Si02 層 87nm ;第二膜系為36層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為T(mén)i02層17nm、Si02層30nm、Τ?02層72nm、Si02層16nm、Ti02 層 30nm、Si02 層 193nm、Ti02 層 115nm、Si02 層 184nm、Ti02 層 113nm、Si02 層184nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 183nm、Ti02 層 lllnm、Si02 層 180nm、Ti02 層 109nm、Si02 層179nm、Ti02 層 110nm、Si02 層 181nm、Ti02 層 110nm、Si02 層 181nm、Ti02 層 110nm、Si02 層180nm、Ti02 層 109nm、Si02 層 179nm、Ti02 層 llOnm、Si02 層 182nm、Ti02 層 112nm、Si02層 184nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 184nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 187nm、Ti02 層 23nm、Si02層 8nm、Ti02 層 86nm、Si02 層 92nm。
[0010]通過(guò)上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型通過(guò)采用玻璃為基板，以Si02和Ti02為鍍膜材料，采用電子束蒸發(fā)，真空度〈10 3pa,溫度在<250°C以下的條件下，加以離子輔助沉積，采用反射光的間接式的控制，水晶監(jiān)控沉積速率以保持其穩(wěn)定的沉積速率，沉積速率〈8 A/S，實(shí)現(xiàn)了可見(jiàn)區(qū)域420~645nm透過(guò)，近紅外區(qū)域845~900nm透過(guò)，工作角度為0~24度，通帶區(qū)域的透過(guò)率平均值>95%，0度時(shí)近紅外的通帶的中心波長(zhǎng)872nm，透過(guò)90%的波長(zhǎng)為845~900nm ;可見(jiàn)區(qū)的中心波長(zhǎng)為535nm，透過(guò)90%的波長(zhǎng)為420~645nm，透過(guò)50%的波長(zhǎng)為650nm，透過(guò)率80%~20%的波長(zhǎng)<20nm，近紅外通帶的24度的中心波長(zhǎng)的漂移<23nm，35度的中心波長(zhǎng)的漂移<45nm，700~820nm和925~1050nm透過(guò)率峰值〈3%，平均值〈1%，滿(mǎn)足兩種功能。
[0011]應(yīng)當(dāng)指出，以上所述的僅是本實(shí)用新型的一種雙通道濾波器的制造方法優(yōu)選的實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變化和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種雙通道濾波器，其特征是：以玻璃為基板；鍍膜材料為Si02和Ti02 ;膜系結(jié)構(gòu) 為基板兩個(gè)表面上分別沉積多層薄膜，第一膜系為38層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為 Ti02 層 14nm、Si02 層 36nm、Ti02 層 134nm、Si02 層 19nm、Ti02 層 139nm、Si02 層 25nm、Ti02 層 133nm、Si02層34nm、Ti02 層109nm、Si02 層 132nm、Ti02層102nm、Si02層55nm、Ti02層 113nm、Si02層64nm、Ti02 層103nm、Si02 層 ll0nm、Ti02層l00nm、Si02層75nm、Ti02層 102nm、Si02層lOlnm、Ti02 層 95nm、Si02 層 107nm、Ti02層l0lnm、Si02層75nm、Ti02層 112nm、Si02層53nm、Ti02 層103nm、Si02 層 118nm、Ti02層89nm、Si02 層 131nm、Ti02層 110nm、Si02 層 32nm、Ti02 層 133nm、Si02 層 25nm、Ti02 層 138nm、Si02 層 22nm、Ti02 層 123nm、Si02層87nm ;第二膜系為36層，由內(nèi)到外的材料及厚度分別為T(mén)i02層17nm、Si02 層 30nm、Ti02 層 72nm、Si02 層 16nm、Ti02 層 30nm、Si02 層 193nm、Ti02 層 115nm、Si02 層 184nm、Ti02 層113nm、Si02 層184nm、Ti02 層112nm、Si02 層183nm、Ti02 層lllnm、Si02 層 180nm、Ti02 層 109nm、Si02 層 179nm、Ti02 層 110nm、Si02 層 181nm、Ti02 層 110nm、Si02 層 181nm、Ti02 層 llOnm、Si02 層 180nm、Ti02 層 109nm、Si02 層 179nm、Ti02 層 llOnm、Si02 層 182nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 184nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 184nm、Ti02 層 112nm、Si02 層 187nm、Ti02 層 23nm、Si02 層 8nm、Ti02 層 86nm、Si02 層 92nm.
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種雙通道濾波器，其特征是：以玻璃為基板；鍍膜材料為SiO2和TiO2；膜系結(jié)構(gòu)為基板兩個(gè)表面上分別沉積多層薄膜，第一膜系為38層，第二膜系為36層，實(shí)現(xiàn)了可見(jiàn)區(qū)域420~645nm透過(guò)，近紅外區(qū)域845~900nm透過(guò)，這種雙通道濾波器應(yīng)用到手機(jī)上，既能完成照相功能又能完成手勢(shì)識(shí)別功能。
【IPC分類(lèi)】G02B5/20, G02B1/115
【公開(kāi)號(hào)】CN204832565
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520560436
【發(fā)明人】王衛(wèi)國(guó), 其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開(kāi)姓名
【申請(qǐng)人】王衛(wèi)國(guó)
【公開(kāi)日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年7月30日