1.一種石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述步驟(1)包括如下步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述熱解后殘余碳含量高的聚合物選自聚酰亞胺、聚酰胺酸、聚芳醚酮、酚醛、瀝青，以及由酚類化合物與甲醛水溶液原位反應(yīng)形成的凝膠中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述碳化硅填料選自碳化硅粉體、碳化硅晶須、碳化硅短纖中的一種或多種；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述碳化硅填料采用碳化硅粉體和碳化硅晶須兩種填料，或者碳化硅粉體和碳化硅短纖兩種填料，或者碳化硅粉體和碳化硅晶須以及碳化硅短纖三種填料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述熱解后殘余碳含量高的聚合物與碳化硅填料的質(zhì)量比介于1:10-5:10，優(yōu)選為1:10-3:10。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述硅單質(zhì)與聚碳硅烷形成的漿料中，硅單質(zhì)與聚碳硅烷的質(zhì)量比介于1:3-5:1，優(yōu)選為2:1-4:1。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述步驟(2)中，在單質(zhì)硅熔點(diǎn)以上的溫度且氣壓小于0.01mpa的條件下進(jìn)行熔滲處理；
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述步驟(1-2)中，石墨修補(bǔ)塊置人所述凹陷前，表面先沉積sic涂層，其厚度與石墨基座表面的sic涂層厚度一致。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，當(dāng)所述受損處石墨裸露時(shí)，在碳化后的聚合物與碳化硅填料的表面首先涂覆聚碳硅烷，然后涂覆硅單質(zhì)與聚碳硅烷形成的漿料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一權(quán)利要求所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，石墨基座表面sic涂層的損傷包括裂紋、撞點(diǎn)、刮痕、破損、崩裂、脫皮、腐蝕孔中的一種或者幾種；
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一權(quán)利要求所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述石墨基座用于支撐襯底，在所述襯底表面進(jìn)行金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一權(quán)利要求所述的石墨基座表面sic涂層的修補(bǔ)方法，其特征在于，修補(bǔ)后的石墨基座進(jìn)行高溫氧化后，在1100℃氧化10h-50h，質(zhì)量變化小于0.02％；