SiC單晶的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供在籽晶與Si?C溶液之間氣泡難以進(jìn)入的SiC單晶的制造方法。SiC單晶的制造方法為：利用將籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其與Si?C溶液(11)接觸而在主表面(10a)上使SiC單晶生長的溶液生長法得到SiC單晶的制造方法。主表面(10a)平坦。該制造方法包括：接觸工序A、接觸工序B和生長工序。接觸工序A中，使主表面(10a)的一部分區(qū)域與貯存的Si?C溶液(11)接觸。接觸工序B中，以在接觸工序A中接觸的一部分區(qū)域即初始接觸區(qū)域作為起始點(diǎn)，通過潤濕現(xiàn)象來擴(kuò)大主表面(10a)與貯存的Si?C溶液(11)的接觸區(qū)域。生長工序中，使SiC單晶在與貯存的Si?C溶液(11)接觸的主表面(10a)上生長。
【專利說明】
SiC單晶的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及SiC單晶的制造方法，更詳細(xì)而言，涉及利用溶液生長法得到SiC單晶 的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為制造SiC單晶的方法，有溶液生長法。溶液生長法中，使籽晶與Si-c溶液接觸， 在籽晶上使SiC單晶生長(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。在此，Si-c溶液是指，使C(碳)溶解在Si或 Si合金的熔體中得到的溶液。溶液生長法中使用的籽晶通常具有平坦的主表面。在此，主表 面是指，欲在其上使SiC單晶生長的主要的面。對于籽晶，例如使主表面朝向下方而將其配 置在Si-c溶液的上方。并且，使主表面與Si-c溶液的液面接觸。進(jìn)而，籽晶中成為僅主表面 附近與Si-c溶液接觸的狀態(tài)，從而在主表面上使SiC單晶生長。
[0003] 在僅將籽晶的主表面附近與Si-c溶液接觸的狀態(tài)下使SiC單晶生長時，可以取出 所得SiC單晶而不會使其破損。進(jìn)而，可以抑制多晶的形成。另一方面，在籽晶整體浸漬于 Si-C溶液的狀態(tài)下使SiC單晶生長時，無法得到這些優(yōu)點(diǎn)。SiC單晶生長后，若在將籽晶整 體、以及其上生長的siC單晶浸漬于Si-C溶液的狀態(tài)下使Si-C溶液凝固，則有時生長的SiC 單晶會受到由凝固時的Si-c溶液的收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力從而遭到破壞。為了避免這種情況， 可以考慮將籽晶固定于軸上，使其浸漬于Si-c溶液中，從而使SiC單晶生長。該情況下，SiC 單晶生長后，在使Si-c溶液凝固前提起軸，由此可以取出籽晶、以及其上生長的SiC單晶。因 此，能夠抑制生長的SiC單晶的破損。然而，該方法中，軸上生長有多晶的SiC，因此，生長在 軒晶上的SiC晶體容易多晶化。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-261843號

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的問題
[0008] 籽晶的主表面與Si-c溶液的液面接觸時，有時氣氛氣體、例如Ar(氬氣）、He(氦氣） 等非活性氣體會在籽晶與Si-c溶液之間以氣泡的形式被捕獲。籽晶的主表面小(例如，直徑 小于2英寸(約51_)的圓形)時，氣泡與主表面的外緣部的距離短。因此，氣泡自籽晶與Si-c 溶液之間容易排出。另一方面，籽晶的主表面大(例如，直徑為2英寸以上的圓形)時，氣泡與 主表面的外緣部的距離長。因此，氣泡容易殘留在籽晶與Si-C溶液之間。
[0009] 若在籽晶與Si-C溶液之間存在氣泡的狀態(tài)下，SiC單晶生長，則SiC單晶會產(chǎn)生氣 孔等缺陷。
[0010] 本發(fā)明的目的在于，提供在籽晶與Si-c溶液之間氣泡難以進(jìn)入的、利用溶液生長 法得到S i C單晶的制造方法。
[0011]用于解決問題的方案
[0012] 本實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法為:利用將籽晶的主表面朝向下方并使其與Si-C溶液接觸而在主表面上使SiC單晶生長的溶液生長法得到SiC單晶的制造方法。主表面平 坦。該制造方法包括:接觸工序A、接觸工序B和生長工序。接觸工序A中，使主表面的一部分 區(qū)域與貯存的Si-C溶液接觸。接觸工序B中，以在接觸工序A中接觸的一部分區(qū)域即初始接 觸區(qū)域作為起始點(diǎn)，通過潤濕現(xiàn)象來擴(kuò)大主表面與貯存的Si-C溶液的接觸區(qū)域。生長工序 中，使SiC單晶在與貯存的Si-C溶液接觸的主表面上生長。
[0013] 發(fā)明的效果
[0014] 根據(jù)本實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法，可以使氣泡難以進(jìn)入到籽晶與Si-C溶液 之間。由此，能夠得到不包含或減少由氣泡導(dǎo)致的缺陷的SiC單晶。
【附圖說明】
[0015] 圖1為形成有直徑為約0.3mm的凹部的SiC晶體的表面照片。
[0016] 圖2為包含直徑為約0.5_的空隙的SiC晶體的截面照片。
[0017]圖3為能夠用于實(shí)施本實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的制造裝置的簡要結(jié)構(gòu)圖。 [0018]圖4A為用于說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0019]圖4B為用于說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0020] 圖4C為用于說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0021] 圖4D為用于說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0022] 圖5A為用于說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0023]圖5B為用于說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0024]圖5C為用于說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0025]圖f5D為用于說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0026]圖5E為用于說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0027]圖6A為用于說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0028]圖6B為用于說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0029] 圖6C為用于說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0030] 圖6D為用于說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031] 本實(shí)施方式的S i C單晶的制造方法為:利用將籽晶的主表面朝向下方并使其與Si-C溶液接觸而在主表面上使SiC單晶生長的溶液生長法得到SiC單晶的制造方法。主表面平 坦。該制造方法包括:接觸工序A、接觸工序B和生長工序。接觸工序A中，使主表面的一部分 區(qū)域與貯存的Si-C溶液接觸。接觸工序B中，以在接觸工序A中接觸的一部分區(qū)域即初始接 觸區(qū)域作為起始點(diǎn)，通過潤濕現(xiàn)象來擴(kuò)大主表面與貯存的Si-C溶液的接觸區(qū)域。生長工序 中，使SiC單晶在與貯存的Si-C溶液接觸的主表面上生長。
[0032] 初始接觸區(qū)域?yàn)樽丫У闹鞅砻娴囊徊糠郑虼私佑|工序A中，籽晶的主表面與Si-C 溶液的接觸面積小。因此，氣泡難以進(jìn)入籽晶與Si-C溶液之間。主表面的一部分區(qū)域(初始 接觸區(qū)域)與貯存的Si-C溶液接觸時，將初始接觸區(qū)域作為起始點(diǎn)，通過潤濕現(xiàn)象來擴(kuò)大籽 晶的主表面與貯存的Si-C溶液的接觸區(qū)域(接觸工序B)。此時，籽晶與Si-C溶液之間的氣氛 氣體從籽晶與Si-c溶液之間排出至側(cè)面。本實(shí)施方式中，進(jìn)而在主表面的初始接觸區(qū)域與 貯存的si-C溶液接觸時，主表面的中心點(diǎn)的高度與貯存的Si-C溶液的液面的最大高度不 同。
[0033] 在僅將初始接觸區(qū)域與貯存的Si-C溶液接觸的情況下，有時主表面上的與Si-C溶 液的接觸區(qū)域不會擴(kuò)大至主表面的整個面。該情況下，可以使籽晶和貯存的Si-C溶液中的 至少一者移動以使籽晶與貯存的Si-C溶液接近。該情況下，主表面上的與Si-C溶液的接觸 區(qū)域由主表面的一部分?jǐn)U大至主表面的整個面，因此，氣泡難以進(jìn)入到主表面與貯存的Si-C溶液之間。
[0034] 因此，根據(jù)本實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法，氣泡難以進(jìn)入到籽晶與Si-C溶液之 間。由此，可以得到不包含或減少由氣泡導(dǎo)致的缺陷的SiC單晶。
[0035] 籽晶的主表面為欲在其上使SiC單晶生長的主要的一個面。因此，本實(shí)施方式的 SiC單晶的制造方法中，實(shí)質(zhì)上可以僅將籽晶的特定的平坦面、即1種面取向的面設(shè)為晶體 生長面。因此，可以使SiC單晶均勻生長。由此，可以容易得到寬度為2英寸以上的SiC單晶。
[0036] 貯存的Si-C溶液例如容納于坩堝中。
[0037] 在Si-C溶液與籽晶之間存在氣泡的狀態(tài)下使SiC晶體生長時，SiC晶體中會導(dǎo)入下 述缺陷。氣泡小（例如，直徑小于0.1mm)時，氣泡會被完全引入到SiC單晶中。因此，生長的 SiC單晶中容易形成密閉氣孔。關(guān)于氣泡的直徑大于上述條件的情況，如下所述。
[0038]圖1示出形成有直徑為約0.3mm的凹部的SiC晶體的表面照片。圖1的照片為從正面 拍攝晶體生長面的照片。
[0039] 可認(rèn)為：圖1所示的SiC晶體在晶體生長時，與凹部相對應(yīng)尺寸的氣泡存在于籽晶 與Si-C溶液之間，從而氣泡存在的部分形成了凹部。凹部的邊緣部存在六角形的突出部?？?認(rèn)為:該突出部是通過在晶體生長時，SiC晶體在沿著氣泡與Si-C溶液的界面的方向（與該 界面平行的方向）上優(yōu)先生長而形成的。可認(rèn)為：突出部形成六角形是反映了籽晶的晶系 (六方晶系）以及晶體生長面的面取向（（0001)面)的結(jié)果。
[0040] 圖1所示的SiC晶體為以約0.1mm/小時的速度生長而成的物質(zhì)?？烧J(rèn)為:在氣泡的 直徑為約0.1mm以上且晶體的生長速度為0.2mm/小時以下時，存在SiC晶體在沿著氣泡與 Si-C溶液的界面的方向上優(yōu)先生長的傾向。
[0041] 圖2示出包含直徑為約0.5mm的空隙的SiC晶體的截面照片。圖2為拍攝將SiC晶體 沿著晶體生長面垂直切斷而成的截面的照片。
[0042] 圖2中，籽晶1上存在空隙3。籽晶1上，SiC單晶2從遠(yuǎn)離空隙3的部分開始生長。SiC 多晶4從空隙3向沿著籽晶1的方向擴(kuò)散，與SiC單晶2相比較厚地生長。可認(rèn)為:該SiC晶體生 長時，與空隙相對應(yīng)的尺寸的氣泡存在于籽晶與S i - C溶液之間，該氣泡存在的部分形成空 隙。
[0043]圖2所示的SiC晶體的生長速度為約0.3mm/小時的生長速度，且大于圖1的SiC晶體 的生長速度?？烧J(rèn)為:在氣泡的直徑為約0.1mm以上且晶體的生長速度大于0.2mm/小時的情 況下，存在SiC晶體多晶化、與氣泡和Si-C溶液的界面無關(guān)地向遠(yuǎn)離界面的方向生長的傾 向。
[0044] SiC晶體在引入氣泡的狀態(tài)下生長時，氣泡附近的Si-C溶液的溶質(zhì)(Si和C)變得難 以消耗。由此，氣泡附近的Si-C溶液的過飽和度變高。氣泡越大，氣泡周圍存在的Si-C溶液 的過飽和度越高。過飽和度低時，SiC晶體在沿著界面的方向優(yōu)先生長。然而，氣泡變大且過 飽和度高至某種程度時，Sic晶體與界面無關(guān)地向遠(yuǎn)離界面的方向生長。
[0045] 根據(jù)本實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法，可以抑制上述缺陷的導(dǎo)入、即密閉氣孔、 凹部的導(dǎo)入和多晶化中的任意者。
[0046] -個實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法中，接觸工序A包含如下工序A-la:通過使主 表面與貯存的Si-C溶液接觸，然后使主表面離開貯存的Si-C溶液，由此成為在主表面的一 部分區(qū)域附著有Si-C溶液的狀態(tài)。在主表面的中心點(diǎn)的高度高于貯存的Si-C溶液的液面的 最大高度時，還包含如下工序A-lb:使附著于主表面的一部分區(qū)域的Si-C溶液與貯存的Si-C溶液接觸。
[0047]工序A-la是在例如主表面為水平的（與重力方向大致正交的)狀態(tài)下實(shí)施的。該情 況下，在籽晶的主表面剛剛離開貯存的Si-C溶液后，Si-C溶液以薄液膜的形式附著于主表 面的整個面。然而，該附著的Si-C溶液立即聚集在主表面的一部分。其結(jié)果，附著于主表面 的Si-C溶液在主表面的一部分區(qū)域從主表面突出。在主表面的一部分聚集的Si-C溶液與主 表面之間氣泡無法進(jìn)入。
[0048] 在該狀態(tài)下，若實(shí)施工序A-lb，則附著于主表面的Si-C溶液與貯存的Si-C溶液相 關(guān)聯(lián)。由此，成為主表面的一部分區(qū)域借助從主表面突出的Si-C溶液與貯存的Si-C溶液接 觸的狀態(tài)。此時的該一部分區(qū)域?yàn)槌跏冀佑|區(qū)域。此時，對于主表面，僅聚集于主表面的一 部分的Si-C溶液突出的高度的量高于貯存的Si-C溶液的液面。進(jìn)而，主表面與貯存的Si-C 溶液的接觸區(qū)域邊排出籽晶與貯存的Si-c溶液之間的氣氛氣體邊通過潤濕現(xiàn)象而擴(kuò)大。由 此，Si-C溶液與籽晶的主表面的整個面接觸，而不會夾雜氣泡。
[0049] 其他實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法中，接觸工序A包含如下工序A_2a:使溶液接 觸構(gòu)件與貯存的Si-C溶液接觸，在貯存的Si-C溶液的液面上，使溶液接觸構(gòu)件的附近部分 高出其他部分。在主表面的中心點(diǎn)的高度低于貯存的Si-C溶液的液面的最大高度時，還包 含如下工序A_2b:使主表面的一部分區(qū)域與高出其他部分的S i -C溶液的液面接觸。
[0050] 溶液接觸構(gòu)件例如為棒狀。溶液接觸構(gòu)件可以配置于籽晶的側(cè)面且附近。
[0051 ] Si-c溶液相對于溶液接觸構(gòu)件的潤濕性高時，工序A-2a中，溶液接觸構(gòu)件與貯存 的Si-c溶液接觸時，該Si-c溶液通過潤濕現(xiàn)象從溶液接觸構(gòu)件的表面上最先接觸的區(qū)域潤 濕擴(kuò)散至更高的位置。由此，在貯存的Si-c溶液的液面上，溶液接觸構(gòu)件的附近相對于其他 部分變高。
[0052] Si-C溶液相對于溶液接觸構(gòu)件的潤濕性低時等，有時溶液接觸構(gòu)件僅與貯存的 Si-C溶液接觸，在該Si-C溶液的液面上，溶液接觸構(gòu)件的附近相對于其他部分未變得足夠 高。該情況下，保持溶液接觸構(gòu)件與貯存的Si-C溶液的接觸，以使溶液接觸構(gòu)件與貯存的 Si-c溶液遠(yuǎn)離的方式使溶液接觸構(gòu)件和貯存的Si-c溶液中的至少一者移動。由此，在貯存 的Si-c溶液的液面上，溶液接觸構(gòu)件的附近相對于其他部分變得足夠高。
[0053] 工序A_2b中，使主表面的一部分區(qū)域(初始接觸區(qū)域）、具體而言邊緣部的一部分 與貯存的Si-c溶液升高的部分接觸。此時，主表面的中心點(diǎn)低于貯存的Si-c溶液的液面的 最大高度。主表面的邊緣部的一部分與S i -C溶液接觸時，主表面上的與S i -C溶液的接觸區(qū) 域通過潤濕現(xiàn)象而擴(kuò)大。此時，主表面與貯存的Si-c溶液之間的氣氛氣體被排出至側(cè)面。因 此，Si-c溶液與籽晶的主表面的整個面接觸，而不會夾雜氣泡。
[0054] 進(jìn)而在其他實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法中，接觸工序A包含如下工序A-3:使主 表面相對于水平面傾斜，并在主表面的中心點(diǎn)的高度高于貯存的Si-c溶液的液面的最大高 度時，使主表面的一部分區(qū)域與貯存的Si-c溶液接觸。還包含如下生長工序:將主表面保持 水平而使前述SiC單晶生長。
[0055] 貯存的Si-C溶液被靜置時，該Si-C溶液的液面水平，因此相對于水平面傾斜的主 表面首先在其邊緣部的一部分與該Si-C溶液的液面接觸。此時，主表面的中心點(diǎn)的高度高 于貯存的Si-C溶液的液面的高度。如果主表面相對于水平面的傾斜角度足夠小，則其后主 表面上的與Si-C溶液的接觸區(qū)域會通過潤濕現(xiàn)象從該邊緣部的一部分(初始接觸區(qū)域)擴(kuò) 大至主表面的整個面。此時，主表面與貯存的Si-c溶液之間的氣氛氣體被排出至側(cè)面，因 此，Si-c溶液與籽晶的主表面的整個面接觸，而不會夾雜氣泡。進(jìn)而，將主表面恢復(fù)至水平 (與重力方向大致正交的狀態(tài))而使SiC單晶生長。由此，即使在貯存的Si-c溶液的上下方向 形成溫度梯度的情況下，SiC單晶也會均勻地生長。
[0056] 以下，參照附圖對本實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法進(jìn)行具體說明。圖3為能夠用 于實(shí)施本實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的制造裝置的簡要結(jié)構(gòu)圖。如圖3所示，制造裝置5 具備:腔室6、坩堝7、絕熱構(gòu)件16、加熱裝置18、旋轉(zhuǎn)裝置20和升降裝置22。絕熱構(gòu)件16由絕 熱材料形成，包圍坩堝7。
[0057] 加熱裝置18包圍絕熱構(gòu)件16的側(cè)壁。加熱裝置18例如為高頻線圈，將坩堝7感應(yīng)加 熱。在坩堝7內(nèi)，原料熔解，生成Si-C溶液11。Si-C溶液11成為SiC單晶的原料。坩堝7、絕熱構(gòu) 件16和加熱裝置18容納于腔室6內(nèi)。
[0058]旋轉(zhuǎn)裝置20具備旋轉(zhuǎn)軸24和驅(qū)動源26。旋轉(zhuǎn)軸24的上端位于絕熱構(gòu)件16內(nèi)。在旋 轉(zhuǎn)軸24的上端配置坩堝7。旋轉(zhuǎn)軸24的下端位于腔室6的外側(cè)。驅(qū)動源26配置于腔室6的下 方。驅(qū)動源26與旋轉(zhuǎn)軸24連接。驅(qū)動源26使旋轉(zhuǎn)軸24繞其中心軸線旋轉(zhuǎn)。由此，坩堝7(Si-C 溶液11)旋轉(zhuǎn)。
[0059] 升降裝置22具備籽晶軸28和驅(qū)動源30。籽晶軸28例如主要由石墨形成。籽晶軸28 的上端位于腔室6的外側(cè)。在籽晶軸28的下部安裝籽晶10。
[0060] 驅(qū)動源30配置于腔室6的上方。驅(qū)動源30與籽晶軸28連接。驅(qū)動源30使籽晶軸28升 降。由此，可以使安裝于籽晶軸28的籽晶10與容納于坩堝7的Si-C溶液11的液面接觸。驅(qū)動 源30使籽晶軸28繞其中心軸線旋轉(zhuǎn)。由此，安裝于籽晶軸28的籽晶10旋轉(zhuǎn)。籽晶軸28的旋轉(zhuǎn) 方向可以為與坩堝7的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向，也可以為相反的方向。
[0061] 接著，對使用制造裝置5得到的SiC單晶的制造方法進(jìn)行說明。
[0062][第1實(shí)施方式]
[0063]圖4A~圖4D為用于說明第1實(shí)施方式的S i C單晶的制造方法的側(cè)視圖。
[0064]第1實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法中，首先，準(zhǔn)備平板狀（例如，圓板狀）的籽晶 10。籽晶10例如安裝于籽晶保持部。籽晶保持部例如為籽晶軸28(參照圖3)的下端部。籽晶 10例如利用粘接劑固定于籽晶軸28的下表面。此時，使籽晶10的一個表面（以下，稱為"主表 面l〇a"。）朝向下方。安裝于籽晶保持部的籽晶10配置在容納(貯存)于坩堝7的Si-C溶液11 的上方。主表面l〇a為欲在其上使SiC單晶生長的主要的1個面、且平坦。除了主表面10a以 外，即使單晶在籽晶10的側(cè)面（圓周面)上生長，該側(cè)面也不是欲使單晶生長的主要的面，故 不是主表面。
[0065] Si-C溶液11可以如下生成:例如在碳質(zhì)坩堝(例如，石墨坩堝）中生成Si的熔體、或 含有Si和選自11蠢、〇、(：0、￥和?6組成的組中的1種以上的元素的熔體，在該熔體中，使(：從 碳質(zhì)坩堝溶出從而生成Si-C溶液。該方法從能成為SiC析出的核的未溶解的C向熔體中供給 的可能性小的觀點(diǎn)考慮是優(yōu)選的。
[0066] 作為其他方法，有由烴氣使C向熔體溶解的經(jīng)由氣相的方法。進(jìn)而作為其他方法， 有將固相的碳源投入到熔體中并使其溶解的方法。作為固相的碳源，可以使用塊、棒、顆粒 和粉末等形態(tài)的石墨、無定形碳原料、SiC和添加元素的碳化物等。添加元素為構(gòu)成Si-C溶 液11的元素，為除了 Si和C之外的元素。
[0067] 作為將C供給至熔體的方法，可以組合以上方法中的2種以上的方法。
[0068] 生成Si-C溶液11時的溫度只要為坩堝中裝入的Si、或包含Si的混合物的液相線溫 度以上即可。以向熔體供給C直至熔體中的SiC濃度達(dá)到飽和濃度、或與其接近的濃度的方 式，持續(xù)加熱。在將固體的碳源、尤其是將粉末、顆粒的碳源投入到坩堝7中時，若加熱不充 分，則有時碳源會未溶解而殘留在熔體中。該情況下，以未溶解的碳源作為核析出SiC。析出 的SiC使SiC單晶的生長速度降低。析出的SiC還會使晶體品質(zhì)降低。因此，優(yōu)選以供給的碳 源完全溶解的方式持續(xù)加熱。熔體的加熱時間通常為1小時至10小時左右。
[0069] 由坩堝以外向熔體供給C時，可以使用由在SiC晶體的生長溫度范圍穩(wěn)定的材料形 成的坩堝。例如可以使用由高熔點(diǎn)金屬形成的坩堝、或利用適當(dāng)?shù)哪突鸩牧蟽?nèi)襯石墨坩堝 而成的坩堝。高熔點(diǎn)金屬例如為Ta、W和Mo。耐火材料例如為上述高熔點(diǎn)金屬或者陶瓷(例如 碳化娃）。
[0070] 圖3中，示出了使用坩堝7的制造裝置5的例子。然而，也可以采用通過電磁力使原 料漂浮而熔解的懸浮法而不使用坩堝7。作為其他方法，只要能夠?qū)崿F(xiàn)期望的熔體組成，就 可以采用在水冷的金屬坩堝內(nèi)生成利用磁斥力而漂浮的熔體的冷坩堝法。
[0071] 籽晶10例如可以為利用升華重結(jié)晶法得到的SiC單晶，也可以為利用CVD(化學(xué)氣 相沉淀(Chemical Vapor Deposition))法等的氣相生長得到的SiC單晶。籽晶10使用具有 與所希望生長的SiC單晶的晶體結(jié)構(gòu)相同的晶體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)。
[0072] 使溶解有SiC直至達(dá)到飽和濃度、或其附近濃度的Si-C溶液11與籽晶10的主表面 1 〇a接觸，對于S i C，至少使籽晶10附近的S i -C溶液11過飽和。由此，在籽晶10上S i C單晶生 長。
[0073] 本實(shí)施方式中，使籽晶10的主表面10a與坩堝7內(nèi)貯存的Si-C溶液11接觸(參照圖 4A)。然后，通過使主表面10a離開Si-C溶液11，成為在主表面10a的一部分區(qū)域附著有Si-C 溶液12的狀態(tài)(參照圖4B;該圖中以箭頭示出籽晶10相對于Si-C溶液11的移動方向）（工序 A-la)。工序A-la例如可以將主表面10a保持水平實(shí)施，也可以在使主表面10a相對于水平面 傾斜的狀態(tài)下實(shí)施。
[0074] 為了使主表面10a與Si-C溶液11接觸，使籽晶10和Si-C溶液11中的至少一者移動 以使籽晶10與Si-C溶液11接近。為了使主表面10a離開Si-C溶液11，使籽晶10和Si-C溶液11 中的至少一者移動以使籽晶10與Si-C溶液11分離。
[0075] 在主表面10a剛剛離開Si-C溶液11后，Si-C溶液12以薄液膜的形式附著于主表面 10a的整個面，但該Si-C溶液12立即聚集在主表面10a的一部分。其結(jié)果，成為在主表面10a 的一部分的區(qū)域(通常為一個位置)附著有呈山狀突出的Si-C溶液12的狀態(tài)。主表面10a與 Si-c溶液11接觸時，有時在主表面10a與Si-c溶液11之間含有氣泡13(參照圖4A)。但是，使 主表面10a離開Si-C溶液11后，在主表面10a的局部聚集的Si-C溶液12與主表面10a之間不 存在氣泡(參照圖4B)。
[0076] 接著，使籽晶10和Si-C溶液11中的至少一者移動以使籽晶10與Si-C溶液11接近， 從而使附著于主表面l〇a的一部分區(qū)域的Si-C溶液12與Si-C溶液11接觸(工序A-lb)。由此， Si-C溶液12與Si-C溶液11相連，主表面10a的一部分(初始接觸區(qū)域)借助從主表面10a突出 的Si-C溶液12,形成與Si-C溶液11接觸的狀態(tài)(參照圖4C)。此時，對于主表面而言，僅聚集 于主表面的一部分的Si-C溶的液突出高度的量高于貯存的Si-C溶液的液面。
[0077] 然后，主表面10a上，與Si-C溶液11的接觸區(qū)域（以下，稱為"溶液接觸區(qū)域"。）將初 始接觸區(qū)域作為起始點(diǎn)，迅速向主表面l〇a的整個面擴(kuò)大(參照圖4D;該圖中用箭頭示出溶 液接觸區(qū)域的主要的擴(kuò)大方向）。這是由Si-C溶液11相對于主表面10a的潤濕現(xiàn)象引起的。
[0078] 溶液接觸區(qū)域擴(kuò)大時，籽晶10與Si-C溶液11之間的氣氛氣體被排出至側(cè)面。由此， Si-C溶液11與主表面10a的整個面接觸，而不會夾雜氣泡。在該狀態(tài)下，在主表面10a上使 SiC單晶生長。SiC單晶的生長是邊水平保持主表面10a邊進(jìn)行的。
[0079] SiC單晶生長時，Si-C溶液11中，至少與籽晶10相鄰的部分的溫度優(yōu)選設(shè)為稍稍低 于該Si-C溶液的液相線溫度的溫度(例如為低0.5~5°C的溫度）。
[0080] SiC單晶也可以通過溫度差法使其生長。溫度差法中，對Si-C溶液11賦予溫度梯 度，對于S i C，在S i -C溶液11的低溫部過飽和，并使籽晶10與該過飽和的部分接觸。該情況 下，在上下方向上，需要將Si-C溶液11的液面附近設(shè)為低溫部。Si-C溶液11的上下方向的溫 度梯度可以通過在坩堝周圍設(shè)置的加熱單元來控制。Si-c溶液11中，也可以通過在Si-c溶 液的液面附近配置冷卻單元來進(jìn)一步降低低溫部的溫度。
[0081 ] 通過來自加熱的坩堝的導(dǎo)熱而加熱Si-C溶液11。另一方面，自Si-C溶液11的液面 產(chǎn)生排熱。由此，液面附近的Si-c溶液11中，在水平方向上，與和坩堝壁面相鄰的Si-c溶液 11相比，坩堝中央部的Si-c溶液11變成低溫。該情況下，使籽晶10與Si-c溶液11的液面中央 部周邊接觸。
[0082]將籽晶10安裝于籽晶軸，并對籽晶軸進(jìn)行水冷、或空氣冷卻時，該水平方向的溫度 梯度進(jìn)一步變大，故晶體生長速度增大。利用溫度差法使SiC單晶生長時，Si-c溶液11中的 溫度梯度優(yōu)選為5~50°C/cm的范圍內(nèi)。溫度梯度低于5°C/cm時，低溫部的過飽和度變小，晶 體生長的驅(qū)動力變小。即，該情況下，SiC晶體的生長速度變小。溫度梯度超過50°C/cm時，在 籽晶10附近產(chǎn)生基于自發(fā)成核的SiC晶體，會阻礙向籽晶10上供給均勻的溶質(zhì)。其結(jié)果，變 得無法得到均勻地層生長的晶體。
[0083]為了使S i C單晶均勻地生長，在籽晶10 (籽晶軸）的基礎(chǔ)上，優(yōu)選使S i -C溶液11 (坩 堝)旋轉(zhuǎn)。該旋轉(zhuǎn)可以為恒速旋轉(zhuǎn)，也可以為加減速旋轉(zhuǎn)。此外，籽晶10的旋轉(zhuǎn)方向與Si-c溶 液11的旋轉(zhuǎn)方向可以為彼此相同方向，也可以為相反方向。
[0084] 該實(shí)施方式的制造方法可以通過用于制造利用溶液生長法得到的SiC單晶的通常 的制造裝置來實(shí)施。
[0085][第2實(shí)施方式]
[0086]圖5A~圖5E為用于說明第2實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。對于與圖4A ~圖4D所示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素的部分，標(biāo)記相同參照符號并省略說明。
[0087] 第2實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法中，首先，利用籽晶保持部14保持籽晶10并使 其一個表面(主表面l〇a)朝向下方。主表面10a優(yōu)選形成水平。籽晶10的另一表面于籽晶保 持部14相對例如通過粘接劑固定。籽晶保持部14例如為柱狀的籽晶軸28的下部。
[0088] 該籽晶10配置在Si-C溶液11的上方。進(jìn)而，在籽晶10和籽晶保持部14的側(cè)面且Si-C溶液11的上方，以沿著垂直方向的方式配置棒狀的溶液接觸構(gòu)件15(參照圖5A)。溶液接觸 構(gòu)件15優(yōu)選為由對于Si-C溶液11的潤濕性高的材料形成，例如由石墨形成。使溶液接觸構(gòu) 件15的下端低于籽晶10的下端。
[0089] 接著，使溶液接觸構(gòu)件15和Si-C溶液11中的至少一者移動以使溶液接觸構(gòu)件15與 Si-C溶液11接近。由此，使溶液接觸構(gòu)件15的下端與Si-C溶液11接觸。在使溶液接觸構(gòu)件15 下降時，保持溶液接觸構(gòu)件15的下端低于籽晶10的下端的狀態(tài)，可以使溶液接觸構(gòu)件15以 及籽晶10下降。
[0090] 而且，保持溶液接觸構(gòu)件15與S i -C溶液11的接觸，同時以使溶液接觸構(gòu)件15與S i -C溶液11遠(yuǎn)離的方式使溶液接觸構(gòu)件15和Si-C溶液11中的至少一者移動。由此，在Si-C溶液 11的液面上，與溶液接觸構(gòu)件15的接觸部分附近高于其他部分(工序A-2a;參照圖5B)。
[0091] 接著，使籽晶10(籽晶保持部14)和Si-C溶液11中的至少一者移動以使籽晶10與 Si-C溶液11接近，在Si-C溶液11的液面上，使籽晶10與高出上述液面的部分接觸（工序A-2b;參照圖5C;該圖中用箭頭示出籽晶10相對于Si-C溶液11的移動方向）。此時，主表面10a 保持水平。由此，在Si-C溶液11的液面上，主表面10a的邊緣部的一部分最先接觸到高出上 述液面的部分。即，本實(shí)施方式中，初始接觸區(qū)域?yàn)榘鞅砻鎙〇a的邊緣部的一部分的區(qū) 域。進(jìn)而，此時，主表面的中心點(diǎn)低于貯存的Si-C溶液的液面的最大高度。
[0092] 溶液接觸構(gòu)件15對于Si-C溶液11具有足夠高的潤濕性時，若溶液接觸構(gòu)件15的下 端與Si-C溶液11接觸，則Si-C溶液11會潤濕擴(kuò)散至溶液接觸構(gòu)件15的側(cè)面。由此，在Si-C溶 液11的液面上，溶液接觸構(gòu)件15的附近會高于其他部分。也可以使主表面10a的一部分(初 始接觸區(qū)域)與高出該液面的部分接觸。該情況下，無需實(shí)施上述的"保持溶液接觸構(gòu)件15 與Si-C溶液11的接觸，同時以使溶液接觸構(gòu)件15與Si-C溶液11遠(yuǎn)離的方式使溶液接觸構(gòu)件 15和Si-C溶液11中的至少一者移動"的工序。
[0093] 若主表面10a的邊緣部的一部分與高出Si-C溶液11的液面的部分接觸而使Si-C溶 液附著，則溶液接觸區(qū)域會通過潤濕現(xiàn)象而擴(kuò)大(參照圖5D;該圖中用箭頭示出溶液接觸區(qū) 域的擴(kuò)大方向），其結(jié)果，主表面1 〇a的整個面與Si-C溶液11接觸。溶液接觸區(qū)域擴(kuò)大時，主 表面10a與Si-C溶液11之間的氣氛氣體會被排出至側(cè)面。因此，溶液接觸區(qū)域在擴(kuò)大至主表 面10a的整個面的時刻，S i -C溶液11與主表面10a之間不存在氣泡。
[0094] 可以在籽晶10與Si-C溶液11接觸后，使溶液接觸構(gòu)件15離開Si-C溶液11(參照圖 5E)。然后，在主表面10a上使SiC單晶生長。此時，邊水平保持主表面10a邊使SiC單晶生長。
[0095] [第3實(shí)施方式]
[0096]圖6A~圖6D為用于說明第3實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法的側(cè)視圖。對于與圖4A ~圖4D以及圖5A~圖5E所不的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素的部分，標(biāo)記相同參照符號并省略 說明。
[0097]第3實(shí)施方式的SiC單晶的制造方法中，首先，利用籽晶保持部14保持籽晶10并使 其一個表面(主表面l〇a)朝向下方。在本實(shí)施方式中，籽晶保持部14可以繞水平軸（圖6A~ 圖6D中垂直于紙面的方向）轉(zhuǎn)動。通過使籽晶保持部14轉(zhuǎn)動，可以使在籽晶保持部14保持的 籽晶10成為主表面l〇a為水平的狀態(tài)、以及主表面10a相對于水平面為傾斜的狀態(tài)。
[0098]使在該籽晶保持部14保持的籽晶10在Si-C溶液11的上方與Si-C溶液11接近而進(jìn) 行配置(參照圖eAhSi-C溶液11與籽晶10的間隔例如設(shè)為0.5~1mm。然后，使籽晶保持部14 轉(zhuǎn)動，使主表面l〇a相對于水平面傾斜。主表面10a與水平面所成的角度例如設(shè)為超過5°。 [0099]由此，主表面10a的邊緣部的一部分最先與Si-C溶液11接觸(工序A-3;參照圖6B)。 即，本實(shí)施方式中，初始接觸區(qū)域?yàn)橹鞅砻鎙〇a的邊緣部的一部分。此時，主表面的中心點(diǎn)的 高度高于貯存的Si-C溶液的液面的高度。
[0100]通過Si-C溶液11對于主表面10a的潤濕現(xiàn)象，溶液接觸區(qū)域逐漸從初始接觸區(qū)域 擴(kuò)大(參照圖6C;該圖中用箭頭示出溶液接觸區(qū)域的擴(kuò)大方向）。溶液接觸區(qū)域逐漸擴(kuò)大時， 主表面10a與Si-C溶液11之間的氣氛氣體被排出至側(cè)面。傾斜的主表面10a上，最低部分與 最高部分的高低差足夠小時，溶液接觸區(qū)域擴(kuò)大至主表面l〇a的整個面與Si-C溶液11接觸。 在溶液接觸區(qū)域擴(kuò)大至主表面1 〇a的整個面的時刻，Si -C溶液11與主表面1 Oa之間不存在氣 泡。
[0101] 然后，使籽晶保持部14轉(zhuǎn)動，使主表面10a成為水平（參照圖6D)。并且，在主表面 10a上使SiC單晶生長。主表面10a在工序A-3之后成為水平。對于使主表面10a成為水平，只 要是在工序A-3后，就可以是在溶液接觸區(qū)域擴(kuò)大至主表面10a的整個面之前，也可以是擴(kuò) 大之后。晶體生長時的主表面l〇a為實(shí)質(zhì)上水平即可，若不足0.5°則也可以傾斜。由此，例 如，即便Si-C溶液在上下方向形成溫度梯度時，也可以均勻地使SiC單晶生長。
[0102] 上述例中，通過使主表面10a相對于水平面傾斜，使主表面10a與Si-C溶液11接觸。 然而，也可以在使籽晶10與Si-C溶液11的液面充分分開，而使主表面10a相對于水平面傾斜 后，使籽晶10和Si-C溶液11中的至少一者移動以使籽晶10與Si-C溶液11接近，從而使籽晶 10與Si-C溶液11接觸。該情況下，也通過主表面10a相對于水平面為傾斜，主表面10a的邊緣 部的一部分最先與Si-C溶液11接觸。然后，溶液接觸區(qū)域擴(kuò)大至主表面10a的整個面。
[0103] 實(shí)施例
[0104] 〈試驗(yàn)編號1〉
[0105] 以基于上述第1實(shí)施方式的制造方法(參照圖4A~圖4D)的實(shí)施例的方式，制造SiC 單晶。
[0106] 用于制造SiC單晶的制造裝置具有圖3所示的結(jié)構(gòu)，且具備石墨坩堝(坩堝7)、絕熱 材料(絕熱構(gòu)件16)、高頻線圈（加熱裝置18)、不銹鋼腔室(腔室6)和籽晶保持部(籽晶軸28 的下端部）。
[0107] 在SiC單晶的制造之前，調(diào)整石墨坩堝與高頻線圈的相對位置關(guān)系以使容納在石 墨坩堝內(nèi)的Si-C溶液11形成期望的溫度梯度。對于Si-C溶液11的溫度梯度，使其上部和中 央部成為低溫部。Si-C溶液11中，低溫部的溫度梯度是通過將熱電偶插入Si-C溶液中進(jìn)行 溫度測定而求出的。Si-C溶液11中，低溫部的液面附近的溫度為1940°C時，低溫部的溫度梯 度為 15°C/cm。
[0108] SiC單晶的制造方法如下所述。首先，在石墨坩堝中裝入以0.6:0.4(摩爾比）的比 例含有Si和Cr且余量由雜質(zhì)組成的原料。接著，用He(氦氣)氣體置換不銹鋼腔室內(nèi)的氣氛。 然后，通過高頻線圈加熱石墨坩堝，使原料熔解而生成原料熔體。原料熔體中，以使籽晶10 接觸的部分(與Si-c溶液11的低溫部相對應(yīng)的部分)的溫度成為1940 °C的方式，繼續(xù)加熱1 小時。由此，C由石墨坩堝溶解到原料熔體中，從而生成與相對于SiC的飽和濃度接近的Si-C 溶液11。
[0109] 作為籽晶10，準(zhǔn)備直徑為2英寸（約51mm)的圓板狀且4H多型的S i C單晶。籽晶10的 一個表面(主表面l〇a)為軸上(on axis)的（000-1)面。以主表面10a朝向下方且成為水平的 方式，通過粘接劑將籽晶10固定于石墨制的籽晶保持部的下表面(籽晶軸28的下表面）。
[0110] Si-C溶液11的低溫部中，將液面附近的溫度保持為1940°C，將低溫部的溫度梯度 保持為15°C/cm，使籽晶10下降與低溫部接觸。通過籽晶保持部與石墨坩堝之間有無電氣導(dǎo) 通來確認(rèn)籽晶10與Si-C溶液11是否接觸。 使籽晶1〇與Si-C溶液11接觸后，將籽晶10向上方提起，離開Si-C溶液(工序A-la)。 本例中，關(guān)于籽晶10相對于Si-c溶液11的液面的高度，在自與Si-c溶液11接觸的位置起提 起7mm的位置，籽晶10離開Si-c溶液11。
[0112]然后，再次使籽晶10下降，再次使籽晶10與Si-C溶液11接觸(工序A-lb)。此時，在 和籽晶10最先與Si-c溶液11接觸的位置（以下，稱為"初次附著液高度"。）相比高約1mm的位 置，籽晶10與S i -C溶液11接觸。認(rèn)為這是由于:籽晶10離開Si -C溶液11后，籽晶10的主表面 l〇a附著的Si-C溶液12(參照圖4B)距離主表面10a的突出高度約為1mm。籽晶10再次與Si-C 溶液11接觸是指主表面1 〇a附著的S i -C溶液12與容納(貯存）于石墨坩堝的S i -C溶液11接 觸。
[0113] 接著，使籽晶10下降至與籽晶10再次和Si-C溶液11接觸的位置相比低0.5mm的位 置，開始SiC晶體的生長。晶體的生長時間設(shè)為10小時。然后，使籽晶10上升，離開Si-C溶液 11。而且，在使石墨坩堝緩慢冷卻至室溫后，自籽晶保持部回收籽晶10和籽晶10上生長的 SiC晶體。
[0114] 〈試驗(yàn)編號2〉
[0115] 將籽晶10的直徑設(shè)為3英寸（約76mm)，將籽晶保持部設(shè)為與該籽晶10相對應(yīng)的尺 寸，除此之外，在與試驗(yàn)編號1相同的條件下，使SiC晶體生長。
[0116] 〈試驗(yàn)編號3〉
[0117] 將用于生成Si-C溶液11而熔解的原料組成設(shè)為Si與Ti為0.78:0.22(摩爾比）的比 例且余量由雜質(zhì)組成的試樣，除此之外，在與試驗(yàn)編號1相同的條件下，使SiC晶體生長。
[0118] 〈試驗(yàn)編號4〉
[0119] 籽晶10與Si-c溶液11接觸后，開始SiC晶體的生長而不使籽晶10離開Si-c溶液11。 SiC晶體的生長是在籽晶10距離與Si-c溶液11接觸的位置高1mm的位置進(jìn)行的。除此之外， 在與試驗(yàn)編號1相同的條件下，使SiC晶體生長。即，試驗(yàn)編號4未實(shí)施工序A-la和工序A-lb。
[0120] 〈試驗(yàn)編號5〉
[0121] 籽晶10與Si-C溶液11接觸后，開始SiC晶體的生長而不使籽晶10離開Si-C溶液11。 SiC晶體的生長是在籽晶10距離與Si-C溶液11接觸的位置高1mm的位置進(jìn)行的。除此之外， 在與試驗(yàn)編號2相同的條件下，使SiC晶體生長。即，試驗(yàn)編號5未實(shí)施工序A-la和工序A-lb。
[0122] 〈評價(jià)〉
[0123] 利用透射型光學(xué)顯微鏡，對于籽晶10和其上生長的SiC晶體，使光沿厚度方向透射 進(jìn)行觀察，研究晶體內(nèi)部有無空隙。由于籽晶10中不存在空隙，因此可知:針對籽晶10和其 上生長的SiC晶體觀察到空隙的是籽晶10上生長的SiC晶體中存在空隙。表1中示出試驗(yàn)編 號1~5的SiC晶體的生長條件和評價(jià)結(jié)果。
[0124] [表 1]
[0125] 表1
[0127] 評價(jià)結(jié)果
[0128] 完全未觀察到空隙評價(jià)為E
[0129] 即便僅觀察到一個空隙也評價(jià)為NA
[0130] 在由試驗(yàn)編號1~3的制造方法得到的SiC晶體中，均為完全未觀察到空隙。由該結(jié) 果可認(rèn)為:試驗(yàn)編號1~3中，在晶體生長時，Si-C溶液11與籽晶10之間均不存在氣泡。
[0131] 另一方面，在由試驗(yàn)編號4和5的制造方法得到的SiC晶體中，均觀察到空隙。試驗(yàn) 編號4和5中，由于均未實(shí)施工序A-la和工序A-lb，因此，籽晶10與Si-C溶液11接觸時，Si-C 溶液11與籽晶1〇(主表面l〇a)之間進(jìn)入氣泡，認(rèn)為該氣泡在晶體生長時就已經(jīng)存在。
[0132] 〈參考例〉
[0133] 使用室溫的水代替Si-C溶液11，使用透明玻璃制的坩堝作為坩堝，進(jìn)行與上述實(shí) 施方式2 (參照圖5A~圖5E)相對應(yīng)的實(shí)驗(yàn)。在此，觀察籽晶與水的接觸狀況。
[0134] 將由石墨形成的棒（圓柱)狀的溶液接觸構(gòu)件15安裝在能夠與籽晶保持部獨(dú)立升 降的機(jī)械軸上。溶液接觸構(gòu)件15的直徑為1mm。溶液接觸構(gòu)件15在水的上方且在籽晶保持部 保持的籽晶10的側(cè)面與籽晶10間隔2mm而進(jìn)行配置。溶液接觸構(gòu)件15的下部距離籽晶10的 下端向下方突出約lmm〇
[0135] 接著，以相同速度使籽晶10和溶液接觸構(gòu)件15下降。在溶液接觸構(gòu)件15的下端接 觸到水面后，將溶液接觸構(gòu)件15提起30mm。確認(rèn)到通過該操作，經(jīng)過圖5A~圖5E所示的狀 態(tài)，籽晶10的主表面1 〇a的整個面接觸到水。
[0136] 附圖標(biāo)記說明
[0137] 10:籽晶，10a:主表面，11、12: Si-C 溶液。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種SiC單晶的制造方法，其為利用將籽晶的主表面朝向下方并使其與Si-c溶液接 觸而在所述主表面上使SiC單晶生長的溶液生長法得到SiC單晶的制造方法， 所述主表面平坦， 所述制造方法包括下述工序： 接觸工序A，使所述主表面的一部分區(qū)域與貯存的Si-c溶液接觸； 接觸工序B，以在所述接觸工序A中接觸的一部分區(qū)域即初始接觸區(qū)域作為起始點(diǎn)，通 過潤濕現(xiàn)象來擴(kuò)大所述主表面與所述貯存的Si-C溶液的接觸區(qū)域;和 生長工序，使SiC單晶在與所述貯存的Si-C溶液接觸的所述主表面上生長。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，所述接觸工序A包括下述工序： 工序A-la，通過使所述主表面與所述貯存的Si-C溶液接觸，然后使所述主表面離開所 述貯存的Si-C溶液，由此成為在所述主表面的一部分區(qū)域附著有Si-C溶液的狀態(tài)； 工序A-lb，使附著于所述主表面的一部分區(qū)域的Si-C溶液與所述貯存的Si-C溶液接 觸。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，所述接觸工序A包括下述工序： 工序A-2a，使溶液接觸構(gòu)件與所述貯存的Si-C溶液接觸，在所述貯存的Si-C溶液的液 面上，使所述溶液接觸構(gòu)件的附近部分高于其他部分； 工序A-2b，使所述主表面的一部分區(qū)域與在所述貯存的Si-C溶液中高出所述液面的部 分接觸。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，所述接觸工序A包括下述工序： 工序A-3，使所述主表面相對于水平面傾斜，并使所述主表面的一部分區(qū)域與所述貯存 的Si-C溶液接觸； 生長工序，將所述主表面保持水平而使所述SiC單晶生長。
【文檔編號】C30B29/36GK106029959SQ201580008068
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年2月12日
【發(fā)明人】楠彥, 楠一彥, 龜井人, 龜井一人, 大黑寬典, 坂元秀光
【申請人】新日鐵住金株式會社, 豐田自動車株式會社