本發(fā)明涉及由多能干細(xì)胞有效且大量地制造在醫(yī)療領(lǐng)域有用的自然殺傷細(xì)胞(以下,有時簡稱為“nk細(xì)胞”)的方法。
背景技術(shù):
1、已經(jīng)有數(shù)量眾多的關(guān)于由多能干細(xì)胞誘導(dǎo)nk細(xì)胞的方法的報道。迄今為止的報道實(shí)例中,nk細(xì)胞的分化誘導(dǎo)工序以及其后的放大培養(yǎng)工序需要相當(dāng)長的時間,并且使用培養(yǎng)皿等的平面培養(yǎng)(二維培養(yǎng))是主流(參照例如非專利文獻(xiàn)1和2)。專利文獻(xiàn)1中記載了由多能干細(xì)胞球體經(jīng)由造血祖細(xì)胞誘導(dǎo)nk細(xì)胞的方法。但是專利文獻(xiàn)1中記載的多能干細(xì)胞球體的平均粒徑小,而且對利用灌流培養(yǎng)的培養(yǎng)基更換沒有任何記載。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1:wo2020/086889
5、非專利文獻(xiàn)
6、非專利文獻(xiàn)1:biochemical?and?biophysical?research?communicationsvolume?515,issue?1,12july?2019,pages?1-8
7、非專利文獻(xiàn)2:methods?mol?biol.2019;2048:107-119.
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的課題
2、依照迄今為止的報道實(shí)例誘導(dǎo)nk細(xì)胞時,分化誘導(dǎo)工序、放大培養(yǎng)工序需要相當(dāng)長的時間,進(jìn)而培養(yǎng)培養(yǎng)基的更換操作難以實(shí)現(xiàn)機(jī)械化,因此存在人為操作導(dǎo)致最終制品的品質(zhì)受到影響的風(fēng)險。另外,還預(yù)期培養(yǎng)基更換導(dǎo)致工時增加,從而造成制造成本也增加。特別是二維培養(yǎng)的情形中,培養(yǎng)規(guī)模的規(guī)模擴(kuò)大在理論上是有限的。從這樣的背景出發(fā),需要與現(xiàn)有技術(shù)相比效率良好且可擴(kuò)大規(guī)模的nk細(xì)胞的誘導(dǎo)技術(shù)。
3、用于解決課題的手段
4、本發(fā)明人等進(jìn)行了反復(fù)研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過使在三維培養(yǎng)中形成的多能干細(xì)胞的球體的平均粒徑為200μm以上并在該狀態(tài)下組合灌流培養(yǎng)法,可以效率良好且迅速地誘導(dǎo)nk細(xì)胞。另外還得知本方法制造的nk細(xì)胞具有高活性,冷凍解凍后也維持其活性,因此可以用作細(xì)胞藥品的有效成分。
5、本發(fā)明人等基于該見解進(jìn)一步反復(fù)研究,結(jié)果完成了本發(fā)明。
6、即,本發(fā)明如下所述。
7、[項(xiàng)目1]
8、自然殺傷(nk)細(xì)胞的制造方法,其特征在于,該制造方法包括:
9、(1)在第一培養(yǎng)基中形成平均粒徑200μm以上的多能干細(xì)胞球體的工序;
10、(2)通過使用第二培養(yǎng)基的三維培養(yǎng),將工序(1)中形成的多能干細(xì)胞球體誘導(dǎo)為包含造血祖細(xì)胞的細(xì)胞群的工序;和
11、(3)通過使用第三培養(yǎng)基的三維培養(yǎng),將工序(2)中所得的包含造血祖細(xì)胞的細(xì)胞群誘導(dǎo)為包含nk細(xì)胞的細(xì)胞群的工序;
12、且通過灌流培養(yǎng)法進(jìn)行工序(1)至(3)。
13、[項(xiàng)目2]
14、根據(jù)項(xiàng)目1所述的方法,其特征在于,在不使用三維培養(yǎng)用載體和細(xì)胞外基質(zhì)的情形下實(shí)施工序(1)至(3)。
15、[項(xiàng)目3]
16、根據(jù)項(xiàng)目2所述的方法,其中,工序(1)中的灌流培養(yǎng)使用細(xì)孔直徑15~75μm的分離膜進(jìn)行。
17、[項(xiàng)目4]
18、根據(jù)項(xiàng)目2所述的方法,其中,工序(2)中的灌流培養(yǎng)使用細(xì)孔直徑45~225μm的分離膜進(jìn)行。
19、[項(xiàng)目5]
20、根據(jù)項(xiàng)目2所述的方法,其中,工序(3)中的灌流培養(yǎng)使用細(xì)孔直徑0.2~10μm的分離膜進(jìn)行。
21、[項(xiàng)目6]
22、根據(jù)項(xiàng)目1~5中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,通過連續(xù)的灌流培養(yǎng)法進(jìn)行工序(1)至(3)。
23、[項(xiàng)目7]
24、根據(jù)項(xiàng)目1~6中任一項(xiàng)所述的方法,其中,第一培養(yǎng)基包含rock抑制劑。
25、[項(xiàng)目8]
26、根據(jù)項(xiàng)目1~7中任一項(xiàng)所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基包含vegf、bmp4和gsk3β抑制劑。
27、[項(xiàng)目9]
28、根據(jù)項(xiàng)目8所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基進(jìn)一步包含rock抑制劑或bfgf。
29、[項(xiàng)目10]
30、根據(jù)項(xiàng)目1~7中任一項(xiàng)所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基包含scf、tgfβ/smad抑制劑和vegf。
31、[項(xiàng)目11]
32、根據(jù)項(xiàng)目10所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基進(jìn)一步包含rock抑制劑或bfgf。
33、[項(xiàng)目12]
34、根據(jù)項(xiàng)目1~7中任一項(xiàng)所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基包含scf和flt3l。
35、[項(xiàng)目13]
36、根據(jù)項(xiàng)目12所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基進(jìn)一步包含選自rock抑制劑、il-3和il-7中的至少一者。
37、[項(xiàng)目14]
38、根據(jù)項(xiàng)目1~7中任一項(xiàng)所述的方法,其中,工序(2)中的三維培養(yǎng)包括:
39、(2-1)使用包含vegf、bmp4和gsk3β抑制劑的培養(yǎng)基作為第二培養(yǎng)基的培養(yǎng)工序;
40、(2-2)使用包含scf、tgfβ/smad抑制劑和vegf的培養(yǎng)基作為第二培養(yǎng)基的培養(yǎng)工序;和
41、(2-3)使用包含scf和flt3l的培養(yǎng)基作為第二培養(yǎng)基的培養(yǎng)工序。
42、[項(xiàng)目15]
43、根據(jù)項(xiàng)目1~14中任一項(xiàng)所述的方法,其中,第三培養(yǎng)基包含il-15和scf。
44、[項(xiàng)目16]
45、根據(jù)項(xiàng)目15所述的方法,其中,第三培養(yǎng)基進(jìn)一步包含il-7和flt3l。
46、[項(xiàng)目17]
47、根據(jù)項(xiàng)目1~16中任一項(xiàng)所述的方法,其不需要nk細(xì)胞的分選工序。
48、發(fā)明效果
49、本發(fā)明的特征在于,通過利用三維灌流培養(yǎng)的制造方法而有效地一次性制造大量的nk細(xì)胞。通過本發(fā)明的方法制造的nk細(xì)胞對各種癌細(xì)胞顯示高的細(xì)胞抑制活性,即使冷凍,該活性也不會降低而可以維持,因此可以大規(guī)模適用于臨床。
1.自然殺傷(nk)細(xì)胞的制造方法,其特征在于,該制造方法包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在不使用三維培養(yǎng)用載體和細(xì)胞外基質(zhì)的情形下實(shí)施工序(1)至(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,工序(1)中的灌流培養(yǎng)使用細(xì)孔直徑15~75μm的分離膜進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,工序(2)中的灌流培養(yǎng)使用細(xì)孔直徑45~225μm的分離膜進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,工序(3)中的灌流培養(yǎng)使用細(xì)孔直徑0.2~10μm的分離膜進(jìn)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,通過連續(xù)的灌流培養(yǎng)法進(jìn)行工序(1)至(3)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,第一培養(yǎng)基包含rock抑制劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基包含vegf、bmp4和gsk3β抑制劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基進(jìn)一步包含rock抑制劑或bfgf。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基包含scf、tgfβ/smad抑制劑和vegf。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基進(jìn)一步包含rock抑制劑或bfgf。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基包含scf和flt3l。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,第二培養(yǎng)基進(jìn)一步包含選自rock抑制劑、il-3和il-7中的至少一者。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,工序(2)中的三維培養(yǎng)包括:
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,第三培養(yǎng)基包含il-15和scf。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中,第三培養(yǎng)基進(jìn)一步包含il-7和flt3l。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其不需要nk細(xì)胞的分選工序。