一種功率可調(diào)的超聲波萃取的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及實驗器材【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種功率可調(diào)的超聲波萃取機，包括外殼以及設(shè)置在所述外殼內(nèi)部的萃取池、超聲波發(fā)生器、主控板和電路控制裝置，所述超聲波發(fā)生器固定在所述萃取池的底部，所述超聲波發(fā)生器連接所述電路控制裝置，所述電路控制裝置控制所述超聲波發(fā)生器的開啟和關(guān)閉，所述主控板連接電路控制裝置，所述主控板上設(shè)有功率調(diào)整模塊，所述功率調(diào)整模塊連接所述電路控制裝置，所述電路控制裝置通過控制輸入所述功率調(diào)整模塊的電流來控制所述功率調(diào)整模塊的開啟、關(guān)閉和功率的調(diào)節(jié)。本實用新型的有益效果是：在原有超聲波萃取機的主控板上添加調(diào)整功率模塊，使其具有調(diào)整功率的功能，以適應(yīng)更廣闊的應(yīng)用范圍。
【專利說明】一種功率可調(diào)的超聲波萃取機【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及實驗器材【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種功率可調(diào)的超聲波萃取機。
【背景技術(shù)】
[0002]超聲波萃取機是一種新型的萃取設(shè)備，具有萃取效率高、安全性好、操作簡單易行、適用性廣、能耗低等優(yōu)點，因此普遍地應(yīng)用于科研、實驗和醫(yī)療等領(lǐng)域。它主要利用超聲波輻射產(chǎn)生的強烈空化效應(yīng)、加速度作用、機械振動、擾動效應(yīng)等多級效應(yīng)，增大物質(zhì)分子運動頻率和速度，增加溶劑穿透力，從而加速目標成分進入溶劑，促進萃取的進行。
[0003]現(xiàn)有的超聲波萃取機已發(fā)展的比較成熟，可以實現(xiàn)加熱、恒溫、定時等各種功能，而缺陷是不能調(diào)整超聲波的功率。超聲波作用于溶液產(chǎn)生的空化作用與單位面積上的超聲功率即超聲波強度關(guān)系密切:對于一般液體超聲波強度增加時，空化強度增大，但達到一定值后，空化趨于飽和，此時再增加超聲波強度則會產(chǎn)生大量無用氣泡，從而增加了散射衰減，降低了空化強度。因此要適應(yīng)不同的萃取情況，現(xiàn)需要一種具有操作方便并且可以調(diào)整功率的超聲波萃取機。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新 型所要解決的技術(shù)問題是提供一種可以更具需要調(diào)節(jié)功率，操作方便的功率可調(diào)的超聲波萃取儀。
[0005]本實用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種功率可調(diào)的超聲波萃取機，包括外殼以及設(shè)置在所述外殼內(nèi)部的萃取池、超聲波發(fā)生器、主控板和電路控制裝置，所述超聲波發(fā)生器固定在所述萃取池的底部，所述超聲波發(fā)生器連接所述電路控制裝置，所述電路控制裝置控制所述超聲波發(fā)生器的開啟和關(guān)閉，所述主控板連接電路控制裝置，所述主控板上設(shè)有功率調(diào)整模塊，所述功率調(diào)整模塊連接所述電路控制裝置，所述電路控制裝置通過控制輸入所述功率調(diào)整模塊的電流來控制所述功率調(diào)整模塊的開啟、關(guān)閉和功率的調(diào)節(jié)。
[0006]本實用新型的有益效果是:在原有超聲波萃取機的主控板上添加調(diào)整功率模塊，使其具有調(diào)整功率的功能，以適應(yīng)更廣闊的應(yīng)用范圍。
[0007]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實用新型還可以做如下改進。
[0008]進一步，所述功率調(diào)整模塊包括第一電阻、光電耦合器(光電耦合器是指以光為媒介傳輸電信號的一種電一光一電轉(zhuǎn)換器件。)、第二電阻和雙向可控硅晶閘管(雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個觸發(fā)電路。)，所述第一電阻的兩端分別連接高電平輸入電源和所述光電耦合器的一個輸入端，所述光電稱合器的另一個輸入端連接低電平輸入電源，所述光電稱合器的一個輸出端連接第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端連接所述雙向可控硅晶閘管的陽極端子，所述雙向可控硅晶閘管的門極端子連接所述光電耦合器的另一個輸出端，所述雙向可控硅晶閘管的控制極端子連接到外部輸入交流電和外部輸出負載。所述的光電耦合器是常用雙向晶閘管輸出的光電耦合器(固態(tài)繼電器)，帶過零觸發(fā)電路，輸入端的控制電流為15mA,輸出端的額定電壓為400V,輸入輸出端隔離電壓為7500V。所述的光電I禹合器內(nèi)部含有過零檢測電路，當輸入端為高電平5V，輸入電流大于等于15mA時，輸出端兩腳之間的電壓稍過零，所述的光電耦合器內(nèi)部雙向晶閘管導通，觸發(fā)外部晶閘管導通，當輸入端為低電平0V，輸入電流為O時，所述光電耦合器內(nèi)部雙向晶閘管關(guān)斷，從而外部雙向可控硅晶閘管也關(guān)斷。
[0009]采用上述進一步方案的有益效果是:所述的光電耦合器作為所述的雙向可控硅晶閘管的驅(qū)動器，實現(xiàn)強、弱電的隔離導通與關(guān)斷的時間比值來調(diào)節(jié)輸出功率。
[0010]進一步，所述功率調(diào)整模塊調(diào)整功率的范圍是0-800W。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型一種功率可調(diào)的超聲波萃取機得結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為本實用新型一種功率可調(diào)的超聲波萃取機中的功率調(diào)整|吳塊的電路圖，圖中功率調(diào)整模塊分別和電路控制裝置以及輸入電源連接。
[0013]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:
[0014]1、外殼，2、萃取池，3、超聲波發(fā)生器，4、主控板，5、電路控制裝置，6、功率調(diào)整模塊，7、第一電阻，8、光電稱合器，9、第二電阻，10、雙向可控娃晶閘管，11、高電平輸入電源，12、低電平輸入電源，13、外界交流電，14、外外部輸出負載。
【具體實施方式】
[0015]以下結(jié)合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。
[0016]如圖1所示，本實用新型包括外殼I以及設(shè)置在所述外殼I內(nèi)部的萃取池2、超聲波發(fā)生器3、主控板4和電路控制裝置5，所述超聲波發(fā)生器3固定在所述萃取池2的底部，所述超聲波發(fā)生器3連接所述電路控制裝置5，所述主控板4連接電路控制裝置5，所述主控板4上設(shè)有功率調(diào)整模塊6，所述功率調(diào)整模塊6連接所述電路控制裝置5。
[0017]如圖2所示，所述功率調(diào)整模塊6包括第一電阻7、光電耦合器8、第二電阻9和雙向可控硅晶閘管10，所述第一電阻7的兩端分別連接高電平輸入電源11和所述光電耦合器8的一個輸入端，所述光電稱合器8的另一個輸入端連接低電平輸入電源12,所述光電f禹合器8的一個輸出端連接第二電阻9的一端，所述第二電阻9的另一端連接所述雙向可控硅晶閘管10的陽極端子，所述雙向可控硅晶閘管10的門極端子連接所述光電耦合器8的另一個輸出端，所述雙向可控硅晶閘管10的控制極端子連接到外部輸入交流電13和外部輸出負載14。所述的光電I禹合器8是常用雙向晶閘管輸出的光電f禹合器(固態(tài)繼電器)，帶過零觸發(fā)電路，輸入端的控制電流為15mA,輸出端的額定電壓為400V,輸入輸出端隔離電壓為7500V。所述的光電耦合器8內(nèi)部含有過零檢測電路，當輸入端為高電平5V，輸入電流大于等于15mA時，輸出端兩腳之間的電壓稍過零，所述的光電耦合器8內(nèi)部雙向晶閘管導通，觸發(fā)外部晶閘管10導通，當輸入端為低電平0V，輸入電流為O時，所述光電耦合器8內(nèi)部雙向晶閘管關(guān)斷，從而外部晶閘管10也關(guān)斷。所述的光電耦合器8作為所述的晶閘管10的驅(qū)動器，實現(xiàn)強、弱電的隔離導通與關(guān)斷的時間比值來調(diào)節(jié)輸出功率。所述功率調(diào)整模塊6調(diào)整功率的范圍是0-800W。
[0018]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種功率可調(diào)的超聲波萃取機，其特征在于，包括外殼以及設(shè)置在所述外殼內(nèi)部的萃取池、超聲波發(fā)生器、主控板和電路控制裝置，所述超聲波發(fā)生器固定在所述萃取池的底部，所述超聲波發(fā)生器連接所述電路控制裝置，所述電路控制裝置控制所述超聲波發(fā)生器的開啟和關(guān)閉，所述主控板連接電路控制裝置，所述主控板上設(shè)有功率調(diào)整模塊，所述功率調(diào)整模塊連接所述電路控制裝置，所述電路控制裝置通過控制輸入所述功率調(diào)整模塊的電流來控制所述功率調(diào)整模塊的開啟、關(guān)閉和功率的調(diào)節(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率可調(diào)的超聲波萃取機，其特征在于，所述功率調(diào)整模塊包括第一電阻、光電耦合器、第二電阻和雙向可控硅晶閘管，所述第一電阻的兩端分別連接高電平輸入電源和所述光電稱合器的一個輸入端，所述光電稱合器的另一個輸入端連接低電平輸入電源，所述光電耦合器的一個輸出端連接第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端連接所述雙向可控硅晶閘管的陽極端子，所述雙向可控硅晶閘管的門極端子連接所述光電耦合器的另一個輸出端，所述雙向可控硅晶閘管的控制極端子連接到外部輸入交流電和外部輸出負載。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種功率可調(diào)的超聲波萃取機，其特征在于，所述功率調(diào)整模塊調(diào)整功率的范圍是0-800W。
【文檔編號】B01D11/00GK203677990SQ201420070910
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2014年2月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月19日
【發(fā)明者】儲濤, 肖飛 申請人:鼎泰（湖北）生化科技設(shè)備制造有限公司